JP5623330B2 - 電子部品 - Google Patents
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Description
本発明は、素体内部に回路素子が形成され、この素体の外表面に外部と接続する端子が形成された電子部品に関するものである。
従来の電子部品に、図９と図１０に示す様に、絶縁体層９１と導体パターン９２を積層し、素体内にコイルが形成され、素体の外表面に端子９３を形成した積層型電子部品がある。
この種の電子部品が実装される電子機器では、小型化に伴って実装基板とその上部基板やシールドケース等との距離が小さくなっている。この様な電子機器の実装基板に従来の電子部品を実装した場合、上部基板やシールドケースと電子部品の上面に形成された端子が接触し、上部基板やシールドケースとの間でショートしやすかった。
この様な問題を解決するために、図１１（Ａ）に示す様に素体の底面にのみ端子１１３を形成する（例えば、特許文献１を参照。）か、又は、図１１（Ｂ）に示す様に素体の底面と端面に端子１１３を形成する（例えば、特許文献２を参照。）ことが行われている。
この種の電子部品が実装される電子機器では、小型化に伴って実装基板とその上部基板やシールドケース等との距離が小さくなっている。この様な電子機器の実装基板に従来の電子部品を実装した場合、上部基板やシールドケースと電子部品の上面に形成された端子が接触し、上部基板やシールドケースとの間でショートしやすかった。
この様な問題を解決するために、図１１（Ａ）に示す様に素体の底面にのみ端子１１３を形成する（例えば、特許文献１を参照。）か、又は、図１１（Ｂ）に示す様に素体の底面と端面に端子１１３を形成する（例えば、特許文献２を参照。）ことが行われている。
しかしながら、素体の底面にのみ端子を形成した従来の電子部品においては、素体内部の構造が複雑になり、コイルの両端を貫通ビアにて素体の底面に引き出す必要があった。また、素体の底面と側面に端子を形成した従来の電子部品においては、コイルの巻軸が実装面と平行になり、低背化した場合、磁束通過面積が小さくなり、特性が劣化するという問題があった。
本発明は、素体内部の構造が複雑になったり、特性が劣化したりすることなく、上部基板やシールドケースとの間でショートするのを防止できる電子部品を提供することを目的とする。
本発明は、内部に回路素子が形成された素体と、該素体の外表面に設けられた端子を備えた電子部品において、素体の上面に凸部を設ける。
本発明の電子部品は、内部に回路が形成された素体の上面に凸部を設けたので、素体内部の構造が複雑になったり、特性が劣化したりすることなく、上部基板やシールドケースとの間でショートするのを防止できる。
本発明の電子部品は絶縁体層と導体パターンを積層して素体が形成される。この素体は上面に凸部が形成される。また、素体の底面と端面に端子が形成される。
従って、本発明の電子部品は、素体の上面に段差が形成されることになり、端面に形成された端子の端部が素体上面にかかった場合でも、凸部によって端子の端部が素体から突出することがない。また、本発明の電子部品は、凸部によって素体の体積が必要以上に小さくなるのを防止できる。
従って、本発明の電子部品は、素体の上面に段差が形成されることになり、端面に形成された端子の端部が素体上面にかかった場合でも、凸部によって端子の端部が素体から突出することがない。また、本発明の電子部品は、凸部によって素体の体積が必要以上に小さくなるのを防止できる。
以下、本発明の電子部品の実施例を図１乃至図８を参照して説明する。
図１は本発明の電子部品の第１の実施例を示す分解斜視図、図２は本発明の電子部品の第１の実施例を示す斜視図である。
図１において、１１Ａ〜１１Ｆは絶縁体層、１２Ａ〜１２Ｃは導体パターンである。
絶縁体層１１Ａ〜１１Ｆは磁性体、非磁性体、誘電体等の絶縁体を用いて形成される。また、導体パターン１２Ａ〜１２Ｃは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
絶縁体層１１Ａの表面には、コイル用導体パターン１２Ａが形成される。このコイル用導体パターン１２Ａは１ターン未満分が形成される。コイル用導体パターン１２Ａの一端は絶縁体層１１Ａの端面まで引き出される。
絶縁体層１１Ｂの表面には、コイル用導体パターン１２Ｂが形成される。このコイル用導体パターン１２Ｂは１ターン未満分が形成される。コイル用導体パターン１２Ｂの一端は絶縁体層１１Ｂのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン１２Ａの他端に接続される。
絶縁体層１１Ｃの表面には、コイル用導体パターン１２Ｃが形成される。このコイル用導体パターン１２Ｃは１ターン未満分が形成される。コイル用導体パターン１２Ｃの一端は絶縁体層１１Ｃのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン１２Ｂの他端に接続される。コイル用導体パターン１２Ｃの他端は絶縁体層１１Ｃの端面まで引き出される。この様にコイル用導体パターン１２Ａ、コイル用導体パターン１２Ｂ、コイル用導体パターン１２Ｃを螺旋状に接続することによりコイルが形成される。
この絶縁体層１１Ｃ上には、絶縁体層１１Ｄ、１１Ｅ、１１Ｆが積層される。絶縁体層１１Ｅ、１１Ｆは、長さ方向、幅方向ともに絶縁体層１１Ａ〜１１Ｄの長さ方向、幅方向よりも小さく形成される。
この様に絶縁体層１１Ａ〜１１Ｆとコイル用導体パターン１２Ａ〜１２Ｃを積層して形成された素体の上面には絶縁体層１１Ｅ、１１Ｆによって凸部Ｄ１が形成され、凸部Ｄ１の周囲に一段低い段差が形成される。この素体の底面と端面に跨って端子２３Ａ、２３Ｂが形成される。
図１は本発明の電子部品の第１の実施例を示す分解斜視図、図２は本発明の電子部品の第１の実施例を示す斜視図である。
図１において、１１Ａ〜１１Ｆは絶縁体層、１２Ａ〜１２Ｃは導体パターンである。
絶縁体層１１Ａ〜１１Ｆは磁性体、非磁性体、誘電体等の絶縁体を用いて形成される。また、導体パターン１２Ａ〜１２Ｃは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
絶縁体層１１Ａの表面には、コイル用導体パターン１２Ａが形成される。このコイル用導体パターン１２Ａは１ターン未満分が形成される。コイル用導体パターン１２Ａの一端は絶縁体層１１Ａの端面まで引き出される。
絶縁体層１１Ｂの表面には、コイル用導体パターン１２Ｂが形成される。このコイル用導体パターン１２Ｂは１ターン未満分が形成される。コイル用導体パターン１２Ｂの一端は絶縁体層１１Ｂのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン１２Ａの他端に接続される。
絶縁体層１１Ｃの表面には、コイル用導体パターン１２Ｃが形成される。このコイル用導体パターン１２Ｃは１ターン未満分が形成される。コイル用導体パターン１２Ｃの一端は絶縁体層１１Ｃのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン１２Ｂの他端に接続される。コイル用導体パターン１２Ｃの他端は絶縁体層１１Ｃの端面まで引き出される。この様にコイル用導体パターン１２Ａ、コイル用導体パターン１２Ｂ、コイル用導体パターン１２Ｃを螺旋状に接続することによりコイルが形成される。
この絶縁体層１１Ｃ上には、絶縁体層１１Ｄ、１１Ｅ、１１Ｆが積層される。絶縁体層１１Ｅ、１１Ｆは、長さ方向、幅方向ともに絶縁体層１１Ａ〜１１Ｄの長さ方向、幅方向よりも小さく形成される。
この様に絶縁体層１１Ａ〜１１Ｆとコイル用導体パターン１２Ａ〜１２Ｃを積層して形成された素体の上面には絶縁体層１１Ｅ、１１Ｆによって凸部Ｄ１が形成され、凸部Ｄ１の周囲に一段低い段差が形成される。この素体の底面と端面に跨って端子２３Ａ、２３Ｂが形成される。
図３は本発明の電子部品の第２の実施例を示す斜視図である。
絶縁体層とコイル用導体パターンを図１の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部Ｄ１が形成され、凸部Ｄ１の周囲に一段低い段差が形成される。
この素体の底面と端面と上面の一段低い部分に端子３３Ａ、３３Ｂが形成される。
絶縁体層とコイル用導体パターンを図１の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部Ｄ１が形成され、凸部Ｄ１の周囲に一段低い段差が形成される。
この素体の底面と端面と上面の一段低い部分に端子３３Ａ、３３Ｂが形成される。
図４は本発明の電子部品の第３の実施例を示す斜視図である。
絶縁体層とコイル用導体パターンを図１の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部Ｄ１が形成され、凸部Ｄ１の周囲に一段低い段差が形成される。
この素体の底面、端面、上面の一段低い部分及び、側面に端子４３Ａ、４３Ｂが形成される。
絶縁体層とコイル用導体パターンを図１の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部Ｄ１が形成され、凸部Ｄ１の周囲に一段低い段差が形成される。
この素体の底面、端面、上面の一段低い部分及び、側面に端子４３Ａ、４３Ｂが形成される。
図５は本発明の電子部品の第４の実施例を示す分解斜視図、図６は本発明の電子部品の第４の実施例を示す斜視図である。
図５において、５１Ａ〜５１Ｆは絶縁体層、５２Ａ〜５２Ｃは導体パターンである。
絶縁体層５１Ａ〜５１Ｆは磁性体、非磁性体、誘電体等の絶縁体を用いて形成される。また、導体パターン５２Ａ〜５２Ｃは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
絶縁体層５１Ａの表面には、コイル用導体パターン５２Ａが形成される。このコイル用導体パターン５２Ａの一端は、絶縁体層５１Ａの端面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｂの表面には、コイル用導体パターン５２Ｂが形成される。このコイル用導体パターン５２Ｂの一端は、絶縁体層５１Ｂのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン１２Ａの他端に接続される。
絶縁体層５１Ｃの表面には、コイル用導体パターン５２Ｃが形成される。このコイル用導体パターン５２Ｃの一端は、絶縁体層５１Ｃのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン５２Ｂの他端に接続される。コイル用導体パターン５２Ｃの他端は、絶縁体層５１Ｃの端面まで引き出される。この様にコイル用導体パターン５２Ａ、コイル用導体パターン５２Ｂ、コイル用導体パターン５２Ｃを螺旋状に接続することによりコイルが形成される。
絶縁体層５１Ｄの表面には、コンデンサ用導体パターン５４Ａが形成される。このコンデンサ用導体パターン５４Ａは、絶縁体層５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄに形成されたスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン５２Ａの一端に接続される。
絶縁体層５１Ｅは、その長さ方向が絶縁体層５１Ａ〜５１Ｄの長さ方向よりも小さく形成される。この絶縁体層５１Ｅの表面には、コンデンサ用導体パターン５４Ａと対向する位置にコンデンサ用導体パターン５４Ｂが形成される。このコンデンサ用導体パターン５４Ｂは、絶縁体層５１Ｄ、５１Ｅに形成されたスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン５２Ｃの他端に接続される。
この絶縁体層５１Ｅ上には、絶縁体層５１Ｅと同じ形状の絶縁体層５１Ｆが積層される。
この様に絶縁体層５１Ａ〜５１Ｆ、コイル用導体パターン５２Ａ〜５２Ｃ及び、コンデンサ用導体パターン５４Ａ、５４Ｂを積層して形成された素体の上面には、絶縁体層５１Ｅ、５１Ｆによって凸部Ｄ２が形成され、幅方向に延在する一段低い部分が形成される。 この素体の底面と端面に跨って端子５３Ａ、５３Ｂが形成される。
図５において、５１Ａ〜５１Ｆは絶縁体層、５２Ａ〜５２Ｃは導体パターンである。
絶縁体層５１Ａ〜５１Ｆは磁性体、非磁性体、誘電体等の絶縁体を用いて形成される。また、導体パターン５２Ａ〜５２Ｃは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
絶縁体層５１Ａの表面には、コイル用導体パターン５２Ａが形成される。このコイル用導体パターン５２Ａの一端は、絶縁体層５１Ａの端面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｂの表面には、コイル用導体パターン５２Ｂが形成される。このコイル用導体パターン５２Ｂの一端は、絶縁体層５１Ｂのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン１２Ａの他端に接続される。
絶縁体層５１Ｃの表面には、コイル用導体パターン５２Ｃが形成される。このコイル用導体パターン５２Ｃの一端は、絶縁体層５１Ｃのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン５２Ｂの他端に接続される。コイル用導体パターン５２Ｃの他端は、絶縁体層５１Ｃの端面まで引き出される。この様にコイル用導体パターン５２Ａ、コイル用導体パターン５２Ｂ、コイル用導体パターン５２Ｃを螺旋状に接続することによりコイルが形成される。
絶縁体層５１Ｄの表面には、コンデンサ用導体パターン５４Ａが形成される。このコンデンサ用導体パターン５４Ａは、絶縁体層５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄに形成されたスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン５２Ａの一端に接続される。
絶縁体層５１Ｅは、その長さ方向が絶縁体層５１Ａ〜５１Ｄの長さ方向よりも小さく形成される。この絶縁体層５１Ｅの表面には、コンデンサ用導体パターン５４Ａと対向する位置にコンデンサ用導体パターン５４Ｂが形成される。このコンデンサ用導体パターン５４Ｂは、絶縁体層５１Ｄ、５１Ｅに形成されたスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン５２Ｃの他端に接続される。
この絶縁体層５１Ｅ上には、絶縁体層５１Ｅと同じ形状の絶縁体層５１Ｆが積層される。
この様に絶縁体層５１Ａ〜５１Ｆ、コイル用導体パターン５２Ａ〜５２Ｃ及び、コンデンサ用導体パターン５４Ａ、５４Ｂを積層して形成された素体の上面には、絶縁体層５１Ｅ、５１Ｆによって凸部Ｄ２が形成され、幅方向に延在する一段低い部分が形成される。 この素体の底面と端面に跨って端子５３Ａ、５３Ｂが形成される。
図７は本発明の電子部品の第５の実施例を示す斜視図である。
絶縁体層とコイル用導体パターン及びコンデンサ用導体パターンを図５の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部Ｄ２が形成され、幅方向に延在する一段低い部分が形成される。
この素体の底面と端面と上面の一段低い部分に端子７３Ａ、７３Ｂが形成される。
絶縁体層とコイル用導体パターン及びコンデンサ用導体パターンを図５の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部Ｄ２が形成され、幅方向に延在する一段低い部分が形成される。
この素体の底面と端面と上面の一段低い部分に端子７３Ａ、７３Ｂが形成される。
図８は本発明の電子部品の第６の実施例を示す斜視図である。
絶縁体層とコイル用導体パターン及びコンデンサ用導体パターンを図５の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部Ｄ２が形成され、幅方向に延在する一段低い部分が形成される。
この素体の底面、端面、上面の一段低い部分及び、側面に端子８３Ａ、８３Ｂが形成される。
絶縁体層とコイル用導体パターン及びコンデンサ用導体パターンを図５の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部Ｄ２が形成され、幅方向に延在する一段低い部分が形成される。
この素体の底面、端面、上面の一段低い部分及び、側面に端子８３Ａ、８３Ｂが形成される。
１１Ａ〜１１Ｆ 絶縁体層
１２Ａ〜１２Ｃ 導体パターン
１２Ａ〜１２Ｃ 導体パターン
Claims (2)
- 絶縁体層と導体パターンを積層し、絶縁体層間の導体パターンを螺旋状に接続して内部にコイルが形成された素体と、該素体の外表面に設けられた端子を備えた電子部品において、
素体の該コイルの巻軸と垂直でかつ、実装面に対向する面に凸部を設けて、該素体の実装面に対向する面において素体の幅方向に延在する段差を形成し、
該コイルは、引き出し端が該素体の端面に引き出され、
該端子は、該素体の底面と端面に亘ってかつ、その上端が該段差表面にかからない様に形成され、該コイルの引き出し端と接続されたことを特徴とする電子部品。 - 絶縁体層と導体パターンを積層し、絶縁体層間の導体パターンを螺旋状に接続して内部にコイルが形成された素体と、該素体の外表面に設けられた端子を備えた電子部品において、
素体の該コイルの巻軸と垂直でかつ、実装面に対向する面に凸部を設けて、該素体の実装面に対向する面において該凸を取り囲んで延在する段差を形成し、
該コイルは、引き出し端が該素体の端面に引き出され、
該端子は、該素体の底面と端面に亘ってかつ、その上端が該段差表面にかからない様に形成され、該コイルの引き出し端と接続されたことを特徴とする電子部品。
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