JP3383378B2 - 積層インダクタ部品の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、光硬化モノマーを含有
するガラス・セラミックのスリップ材の塗布により形成
したセラミック層を積層し、さらに、その積層体内にコ
イルパターンが内装された積層インダクタ部品の製造方
法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】複数のセラミック層と複数のコイルパタ
ーンとを積層されるとともに、隣接するコイルパターン
がビアホール導体を介して接続されて成る積層インダク
タ部品の製造方法として大きく２つの製造方法が知られ
ている。 【０００３】その一つの方法は、ビアホール導体となる
導体、約１ターン分のコイルパターンとなる導体膜が形
成された未焼成のグリーンシートを複数枚積層して、こ
の積層体を一体的に焼成処理するグリーンシート多層方
法があった。 【０００４】また、耐熱基板上に、半ターン、例えばＬ
字状のコイルパターンとなる導体膜を導電性ペーストの
スクリーン印刷で形成し、続いてＬ字状のコイルパター
ンとなる導体膜の一端が露出するように、絶縁膜を絶縁
性ペーストのスクリーン印刷で印刷形成し、この絶縁膜
上に、先のＬ字状のコイルパターンとなる導体膜の一端
と接続し、そのパターンと対象形状のＬ字状のコイルパ
ターンとなる導体膜を導電性ペーストのスクリーン印刷
で形成し、さらに、Ｌ字状のコイルパターンとなる導体
膜の一端が露出するように、絶縁膜を絶縁性ペーストの
スクリーン印刷で印刷形成し、この工程を順次繰り返し
て積層体を形成した後、絶縁膜及び各コイルパターンと
なる導体膜を一体的に焼成処理する印刷多層方法があっ
た。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかし、前者のグリー
ンシート多層方法では、各グリーンシートにビアホール
導体となる両主面に貫通した開口を有するビアホールを
形成し、このビアホール内にビアホール導体となる導電
性ペーストを充填しなくてはならない。 【０００６】また、インダクタンス特性を向上させるた
めに、ビアホール導体部分で抵抗を下げることが困難で
ある。例えば、ビアホールの開口径を大きくすると、導
電性ペーストをビアホール内に充填・保持できず、導体
抜けが発生してしまうためである。 【０００７】また、この導電性ペーストの充填は、グリ
ーンシートを敷紙上に載置して印刷・充填されるが、敷
紙とグリーンシートとを分離する際に、貫通穴内に充填
した導電性ペーストが敷紙に奪われてしまい、貫通穴内
に保持した導電性ペーストの表面が凹んでしまい、コイ
ルパターン間の導通不良が発生することがある。さら
に、上述のグリーンシートを高い精度で位置合わせし
て、積層しなくてはならないという問題点があった。 【０００８】後者の印刷多層方法の場合、基本的には、
絶縁ペーストによって所定形状に印刷形成された絶縁膜
上に、半ターン分ずつのコイルパターンを形成し、これ
を繰り返しているため、所望のコイルのターン数を得る
ためには積層印刷数が増加してしまい、低背化が困難で
あった。 【０００９】また、コイルパターン間の接続部分は、絶
縁膜が印刷しないため、導電性ペーストだけの印刷重畳
であり、非接続部分は導電性ペーストと絶縁ペーストと
の交互の印刷重畳であり、積層数が増加してしまうと、
表面が積層歪みが発生してしまい、安定した導電性ペー
ストや絶縁ペーストの印刷が困難となってしまう。 【００１０】両方法によれば、インダクタンス特性を向
上させるため、コイルパターン部分の導体抵抗を下げる
構造を考慮した場合、コイルパターンとなる導体膜の厚
みは、スクリーン印刷によって形成されるため厚くし
て、２０μｍ程度であり、導体膜の厚みを補うために、
導体膜の幅を広くすればよいが、積層インダクタ部品全
体が大型化してしまう。また、前者のグリーンシート多
層方式では導体膜厚みが厚くなると、層間のデラミネー
ションが発生し易くなる。 【００１１】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、コイルパターンの導体抵抗
を極め小さくできる積層インダクタ部品の製造方法を提
供することにある。 【００１２】また、別の目的は、コイルパターン及びコ
イルパターン間を接続するビアホール導体の導体抵抗を
極めて小さくでき、さらに、積層数の増加やコイルパタ
ーンの形状に係わらず、常に絶縁膜の表面が均一とな
り、ビアホール導体の形成、コイルパターンの形成が容
易で、層間のデラミネーションの発生を抑えられる信頼
性の高い積層インダクタ部品の製造方法を提供する。 【００１３】 【課題を解決するための手段】本発明の積層インダクタ
部品の製造方法は、コイルパターン形状の貫通孔が形成
され、該貫通孔にコイルパターン導体が充填された第１
のセラミック絶縁膜と、ビアホールを有し、該ビアホー
ル内にビアホール導体が充填された第２のセラミック絶
縁膜とを重畳積層させたものを含む積層体を焼成処理し
て成る積層インダクタ部品であって、前記コイルパター
ン導体を充填させた第１のセラミック絶縁膜が、 （１）光硬化可能なモノマーを含有するセラミックのス
リップ材を塗布・乾燥して絶縁膜を形成する工程と、 （２）前記絶縁膜に選択的な露光処理及び現像処理を施
して、前記絶縁膜にコイルパターン形状の貫通孔を形成
する工程と、 （３）前記貫通孔内にコイルパターン導体を充填する工
程とによって形成され、且つ前記ビアホール導体を充填
させた第２のセラミック絶縁膜が、 （４）光硬化可能なモノマーを含有するセラミックのス
リップ材を塗布・乾燥して絶縁膜を形成する工程と、 （５）前記絶縁膜に選択的な露光処理及び現像処理を施
して、前記絶縁膜にビアホールを形成する工程と、 （６）前記ビアホール内にビアホール導体を充填する工
程とによって形成されることを特徴とするものである。 【００１４】 【００１５】ここで、コイルパターン形状の貫通孔は第
１の絶縁膜の、ビアホールは第２の絶縁膜の厚み方向が
貫通しているが、例えば貫通孔の下部開口が下部の第２
の絶縁膜及びビアホール導体膜によって閉塞され、また
ビアホールの下部開口がコイルパターン導体によって閉
塞され、また全体として「凹部」形状となるため、本発
明では、以下、コイルパターン形状の貫通孔及びビアホ
ールを「貫通凹部」と表記する。 【００１６】 【作用】本発明によれば、積層体が、コイルパターンの
形状の貫通凹部にコイルパターン導体が充填された第１
のセラミック絶縁膜と、貫通凹部にビアホール導体が充
填された第２のセラミック絶縁膜と、互いに重畳してい
る。即ち、コイルパターン導体の厚みは、実質的に第１
のセラミック絶縁膜と同一の厚みとなり、第１のセラミ
ック絶縁膜の厚みの増加により、コイルパターン導体厚
みを増加させることが簡単にでき、これによりコイルパ
ターンが低抵抗となる。 【００１７】また本発明によれば、第１のセラミック絶
縁膜が光硬化可能なモノマーを含む絶縁スリップ材の塗
布、乾燥、さらに、コイルパターンの形状に対応する貫
通凹部を形成するための露光・現像処理の後、導電性ペ
ーストの充填で形成される。従って、コイルパターンの
形状に対応する貫通凹部に導電性ペーストを充填して
も、そこから充填したペーストが流出することがなく、
絶縁膜と同一の厚みのコイルパターンとなる導体を簡単
に形成できる。 【００１８】即ち、絶縁膜の厚みを厚くすることによ
り、コイルパターンとなる導体膜の厚みを増加させるこ
とが簡単にできるため、コイルパターンの導体抵抗を下
げることが極めて容易となる。 【００１９】本発明において、ビアホール導体を有する
第２のセラミック絶縁膜として光硬化可能なモノマーを
含む絶縁スリップ材の塗布、乾燥、さらに、ビアホール
導体の形状に対応する貫通凹部を形成するための露光・
現像処理の後、導電性ペーストの充填で形成される。従
って、ビアホール導体の形状に対応する貫通凹部に導電
性ペーストを充填しても、そこから充填したペーストが
流出することがなく、安定したビアホール導体となる導
体を簡単に形成できる。 【００２０】即ち、露光処理の精度により、ビアホール
導体の形状を任意形状とすることができ、ビアホール導
体部分での導体抵抗を下げることが極めて容易となる。 【００２１】両絶縁膜が光硬化可能なモノマーを含むス
リップ材の塗布によって形成されるため、その絶縁膜の
下部の絶縁膜のコイルパターン導体又はビアホール導体
となる導体の状況にかかわらず、また、積層数に係わら
ず、その表面を常に均一にすることができる。従って、
その表面上に絶縁膜などを形成する場合、安定的に、且
つ簡単に形成することができる。 【００２２】即ち、重畳塗布による積層方法が簡単且つ
確実に行える。また、コイルパターン及びビアホール導
体の形状精度や形成位置は、極めて位置精度が高い露光
処理によって決定されるため、積層信頼性が高い製造方
法となる。 【００２３】 【実施例】以下、本発明の積層インダクタ部品の製造方
法を図面に基づいて説明する。 【００２４】図１は、本発明にかかる積層インダクタ部
品の斜視図であり、図２は図１のＸ−Ｘ線断面図であ
り、図３（ａ）は図１のＹ−Ｙ線断面図、図３（ｂ）は
図１のＺ−Ｚ線断面図である。 【００２５】尚、説明は９層の絶縁層からなる積層イン
ダクタ部品を用いて説明する。 【００２６】図１〜図３において、１は積層体本体であ
り、４、５は端子電極である。 【００２７】積層体本体１は、９層のセラミック層（以
下、単に絶縁層という）１ａ〜１ｉが積層して構成さ
れ、その内部にコイルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２
ｈ、ビアホール導体３ｃ、３ｅ、３ｇを有している。具
体的には、絶縁層１ｂ、１ｄ、１ｆ、１ｈは第１の絶縁
層であり、コイルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈは、
絶縁層１ｂ、１ｄ、１ｆ、１ｈの厚み方向を貫く所定パ
ターン形状で形成されている。また、絶縁層１ｃ、１
ｅ、１ｇは第２の絶縁層であり、隣接するコイルパター
ン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈを接続するビアホール導体３
ｃ、３ｅ、３ｇは、絶縁層１ｃ、１ｅ、１ｇの厚み方向
を貫く所定形状（例えば直径）で形成されている。尚、
絶縁層１ａと絶縁層１ｉは単なる単板状態であり、特に
絶縁層１ａを最上絶縁層といい、絶縁層１ｉを最下絶縁
層という。 【００２８】絶縁層１ａ〜１ｉは、例えば８５０〜１０
５０℃前後の比較的低い温度で焼成可能にするガラス−
セラミック材料からなり、その厚みは第１の絶縁層であ
る絶縁層１ｂ、１ｄ、１ｆ、１ｈと第２の絶縁層である
絶縁層１ｃ、１ｅ、１ｇとでは、若干異なり、コイルパ
ターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈが内装された絶縁層１
ｂ、１ｄ、１ｆ、１ｈを比較的厚く、ビアホール導体３
ｃ、３ｅ、３ｇが内装された絶縁層１ｃ、１ｅ、１ｇを
比較的薄くする方が望ましい。具体的には、絶縁層１
ｂ、１ｄ、１ｆ、１ｈは、例えば２０〜１００μｍであ
り、絶縁層１ｃ、１ｅ、１ｇは、例えば１０〜１００μ
ｍである。 【００２９】コイルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈ、
ビアホール導体３ｃ、３ｅ、３ｇは、金系、銀系、銅系
の金属材料、例えば銀系導体からなっている。 【００３０】このような、積層体本体１内に、コイルパ
ターン２ｂ−ビアホール導体３ｃ−コイルパターン２ｄ
−ビアホール導体３ｅ−コイルパターン２ｆ−ビアホー
ル導体３ｇ−コイルパターン２ｈと一連に接続したコイ
ルが形成されている。 【００３１】さらに、コイルパターン２ｂの一端は、最
上絶縁層１ａと絶縁層１ｃに挟まれた絶縁層１ｂの厚み
相当部分から積層体本体１の端部に導出され、端子電極
５に接続され、コイルパターン２ｈの他端は、最下絶縁
層１ｉと絶縁層１ｇに挟まれた絶縁層１ｈの厚み相当部
分から積層体本体１の端部に導出され、端子電極４に接
続されている。 【００３２】図２、図３（ａ）（ｂ）に示すように、例
えばコイルパターン２ｂ、２ｄ間を接続するビアホール
導体３ｃは、隣接するコイルパターン２ｄ、２ｆ間を接
続するビアホール導体３ｅの形成位置と若干変位してい
る。同様にビアホール導体３ｅと３ｇとの形成位置と若
干変位している。尚、ビアホール導体３ｃと３ｇとは、
平面的に同じ位置に形成されている。 【００３３】また、コイルパターン２ｂ、２ｈは、端子
電極４、５と接続するためにその端部に延出部分が形成
されているため、コイルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２
ｈの形状も若干異なっている。具体的には、コイルパタ
ーン２ｂは、図５（ヤ）のように、約半ターン形状で、
延出部分が付加されており、コイルパターン２ｄは、図
５（ナ）のように、約１ターン形状で、ビアホール導体
３ｅと接続する一端が中心よりに形成されており、コイ
ルパターン２ｆは、図５（ワ）のように、約１ターン形
状で、ビアホール導体３ｇと接続する一端が端部よりに
形成されており、コイルパターン２ｂは、図５（ヤ）の
ように、約半ターン形状で、延出部分が付加されてお
り、コイルパターン２ｈは、図５（ホ）のように、約１
ターン形状で、延出部分が付加されている。 【００３４】上述の積層インダクタ部品において、コイ
ルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈが実質的に、第１の
絶縁層である絶縁層１ｂ、１ｄ、１ｆ、１ｈの厚さ（２
０〜１００μｍ）と同等の厚みを有しているため、従来
のグリーンシートや絶縁膜表面への印刷形成による厚
み、例えば１０μｍに比較して、厚くすることができ
る。これにより、コイルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２
ｈでの導体抵抗を極小化することができるため、インダ
クタンス特性に優れた積層インダクタ部品が簡単に形成
できる。 【００３５】従って、導体抵抗が小さいことから、トラ
ンスのコイル部分などに用いた場合、発熱を抑制した
り、電力変換効率を上げることができ、高周波回路の共
振回路に用いた場合、信号の減衰を小さくして、ノイズ
を小さくすることができ、Ｌ−Ｃフィルタ部品に用いた
場合、挿入損失を小さくしたりすることができる。 【００３６】尚、上述の図１〜図３に示す積層インダク
タ部品の積層体本体１は、絶縁層１ｉとなる絶縁膜１０
ｉ上に、光硬化可能なモノマーを含有する絶縁スリップ
材をドクターブレード法などで絶縁膜１０ｈを塗布・乾
燥し、さらにコイルパターン２ｈの形状に対応する貫通
凹部を形成するため、選択的な露光処理、現像処理を行
い、さらに、導電性ペーストを印刷、充填して、コイル
パターン２ｈとなる導体膜２０ｈを形成し、その後、絶
縁膜１０ｈ及び導体膜２０ｈ上に、絶縁層１ｇとなる絶
縁膜を塗布・乾燥し、さらにビアホール導体３ｇの形状
に対応する貫通凹部を形成するため、選択的な露光処
理、現像処理を行い、さらに、導電性ペーストを印刷、
充填して、ビアホール導体３ｇとなる導体３０ｇを形成
し、同様に順次、絶縁層１ｆとなる絶縁膜、コイルパタ
ーン２ｆとなる導体、絶縁層１ｅとなる絶縁膜、ビアホ
ール導体３ｅとなる導体３０ｅを形成し、この塗布重畳
した積層体を一体的に焼成することにより形成される。 【００３７】詳細には、図４に示す製造流れ図に基づい
て、必要に応じて、図５（イ）〜図５（マ）は主要工程
における平面状況を説明する図を用いて説明する。 【００３８】まず、図４に示す基体を準備する工程であ
る。 【００３９】基体は、塗布重畳する基準面となるもので
あり、耐熱性樹脂、ガラス、セラミックなどが用いられ
る。 【００４０】次は、図４に示す最下絶縁層１ｉとなる絶
縁膜１０ｉ（焼成前を絶縁「膜」という）を形成する工
程である。 【００４１】絶縁膜１０ｉは、セラミック粉末、ガラス
材料、光硬化可能なモノマー、有機バインダと、有機又
は水系溶剤を均質混練して得られスリップ材を、例えば
１００μｍ程度になるように、塗布、乾燥する工程、さ
らに、全面を露光処理して、光硬化可能なモノマーの重
合反応を発生させて、塗布膜を硬化する工程とから成
る。尚、絶縁膜１０ｉの厚みは、塗布時に１００μｍ程
度であっても、乾燥処理、焼成処理を行い、絶縁層１ｉ
となる時には、その１／２程度の厚みにある。従って、
絶縁膜１０ｉの厚みが１００μｍであっても、実際の絶
縁層１ｉの厚みは約５０μｍ程度となる。 【００４２】これにより、図５（イ）に示すように、基
体（図には現れない）上に、絶縁膜１０ｉが形成され
る。 【００４３】上述のセラミック粉末としては、クリスト
バライト、石英、コランダム（αアルミナ）、ムライ
ト、ジルコニア、コージェライト等の材料が挙げられ、
その粉末の平均粒径は、好ましくは１．０〜６．０μ
ｍ、更に好ましくは１．５〜４．０μｍである。これら
のセラミック材料は２種以上混合して用いられてもよ
い。 【００４４】特に、コランダムを用いた場合、コスト的
に有利となる。尚、セラミック粉末の平均粒径が１．０
〜６．０μｍと設定したのは、平均粒径が１．０μｍ未
満では、均質混合してスリップ化することが難しくな
り、露光時に露光光が乱反射して充分な露光ができなく
なる。逆に平均粒径が６．０μｍを超えると緻密で強度
の高い積層体本体１が得られない。 【００４５】上述のガラス材料としては、複数の金属酸
化物を含むガラスフリットであり、８５０〜１０５０℃
で焼成した後に、コージェライト、ムライト、アノーサ
イト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライト及びその置換誘導体の結晶
を少なくとも１種析出するものが挙げられる。 【００４６】特に、アノーサイトまたはセルジアンを析
出する結晶化ガラスフリットを用いると、より強度の高
い積層体本体が得られ、また、コージェライトまたはム
ライトを析出し得る結晶化ガラスフリットを用いると、
焼成後の熱膨張率が低いため、この積層インダクタ部品
上に所定回路を形成して、ＩＣ等のシリコンチップを配
置するには有効となる。 【００４７】上述の絶縁層の強度、熱膨張率を考慮した
最も好ましいガラス材料としては、Ｂ₂ Ｏ₃ 、Ｓｉ
Ｏ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、アルカリ土類酸化物を含む
ガラスフリットである。この様なガラスフリットは、ガ
ラス化範囲が広くまた屈伏点が６００〜８００℃付近に
ある為、８５０〜１０５０℃程度の低温焼成に適し、且
つコイルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈ、ビアホール
導体３ｃ、３ｅ、３ｇとなる銅系、銀系及び金系の導電
材料の焼結挙動に適している。 【００４８】ガラス材料はスリップ材中には、フリット
の状態で混合されている。このフリットの平均粒径は、
１．０〜５．０μｍ、好ましくは１．５〜３．５μｍで
ある。尚平均粒径が１．０μｍ未満の場合は、スリップ
化することが困難なであり、露光時に露光光が乱反射し
て充分な露光ができなくなる。逆に平均粒径が５．０μ
ｍを超えると分散性が損なわれ、具体的には絶縁材料で
あるセラミック粉末間に均等に溶解分散できず、強度が
非常に低下してしまう。 【００４９】上述のセラミック材料とガラス材料との構
成比率は、８５０〜１０５０℃の比較的低温で焼成する
場合には、セラミック材料が１０〜６０ｗｔ％、好まし
くは３０〜５０ｗｔ％であり、ガラス材料が９０〜４０
ｗｔ％、好ましくは７０ｗｔ％〜５０ｗｔ％である。 【００５０】ここで、セラミック材料が１０ｗｔ％未
満、且つガラス材料が９０ｗｔ％を越えると、絶縁層に
ガラス質が増加しすぎ、絶縁層の強度等からしても不適
切であり、また、セラミック材料が６０ｗｔ％を越え、
且つガラス材料が４０ｗｔ％未満となると、露光時に露
光光が乱反射して充分な露光ができなり、焼成後の絶縁
層の緻密性も損なわれる。 【００５１】上述のセラミックやガラスなどの固形成分
の他に、スリップ材の構成材料としては、焼結によって
消失される光硬化可能なモノマー、有機バインダーと、
有機溶剤とを含んでいる。 【００５２】光硬化可能なモノマーは、低温短時間の焼
成工程に対応するために、熱分解性に優れたものであ
り、光硬化可能なモノマーとしては、スリップ材の塗布
・乾燥後の露光によって、光重合される必要があり、遊
離ラジカルの形成、連鎖成長付加重合が可能で、２級も
しくは３級炭素を有したモノマーが好ましく、例えば少
なくとも１つの重合可能なエチレン系基を有するブチル
アクリレート等のアルキルアクリレートおよびそれらに
対応するアルキルメタクリレートが有効である。 【００５３】また、テトラエチレングリコールジアクリ
レート等のポリエチングリコールジアクリレートおよび
それらに対応するメタクリレートなどが挙げられる。 【００５４】光硬化可能なモノマーは、露光処理によっ
て絶縁膜１０ｅが硬化され、現像処理によって露光部分
以外の部分が容易に除去できるように所定量添加され
る。例えば、固形成分（セラミック材料及びガラス材
料) に対して５〜１５ｗｔ％以下である。 【００５５】有機バインダーは、光硬化可能なモノマー
同様に熱分解性の良好なものでなくてはならない。同時
にスリップ材の粘性を決めるものである為、固形分との
濡れ性も重視せねばならず、本発明者の検討によればア
クリル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボ
キシル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽
和化合物が好ましい。添加量としては固形分に対して２
５ｗｔ％以下が好ましい。 【００５６】尚、溶剤として、有機系溶剤の他に、水系
溶剤を用いることができるが、この場合、光硬化可能な
モノマー及び有機バインダは、水溶性である必要があ
り、モノマー及びバインダには、親水性の官能基、例え
ばカルボキシル基が付加されている。その付加量は酸価
で表せば２〜３００あり、好ましくは５〜１００であ
る。付加量が少ない場合は水への溶解性、固定成分の粉
末の分散性が悪くなり、多い場合は熱分解性が悪くなる
ため、付加量は、水への溶解性、分散性、熱分解性を考
慮して、上述の範囲で適宜付加される。 【００５７】何れの系のスリップ材においても光硬化可
能なモノマー及び有機バインダは上述したように熱分解
性の良好なものでなくてはならないが、具体的には６０
０℃以下で熱分解が可能でなくてはならない。更に好ま
しくは５００℃以下である。 【００５８】熱分解温度が６００℃を越えると、絶縁層
内に残存してしまい、カーボンとしてトラップし、基板
を灰色に変色させたり、絶縁層の絶縁抵抗までも低下さ
せてしまう。またボイドとなりデラミネーションを起こ
すことがある。 【００５９】また、スリップ材には、増感剤、光開始系
材料等を必要に応じて添加しても構わない。例えば、光
開始系材料としては、ベンゾフェノン類、アシロインエ
ステル類化合物などが挙げられる。 【００６０】上述のスリップ材の塗布方法は、絶縁膜１
０ｉ上の表面を均一にするために用いられるためであ
り、例えば、ドクターブレード法（ナイフコート法）、
ロールコート法、印刷法などが挙げられる。ドクターブ
レード法では、基体の表面状況にかかわらず、絶縁膜の
表面をブレードでさらえるために、塗布後の絶縁膜１０
ｉの表面が平坦化することができる。 【００６１】乾燥方法としては、バッチ式乾燥炉、イン
ライン式乾燥炉を用いて行われ、乾燥条件は、１２０℃
以下が望ましい。また、急激な乾燥は、表面にクラック
を発生される可能性があるため、急加熱は避けることが
重要となる。 【００６２】露光処理は、絶縁膜１０ｉを光硬化させ
て、後述の絶縁膜１０ｄの現像処理時に、この絶縁膜１
０ｉが侵されないようにするものであり、絶縁膜１０ｉ
の全面に、低圧、高圧、超高圧の水銀灯系露光光を、例
えば強度１０〜２０ｍＪ／ｃｍ²程度、時間１５〜３０
秒程度照射する。 【００６３】次は、図４に示す第１の絶縁膜である絶縁
膜１０ｈを形成する工程である。 【００６４】絶縁膜１０ｈは、絶縁膜１０ｉ上に、上述
のスリップ材を塗布・乾燥する過程（図５（ロ）参照）
と、絶縁層１ｈに形成されるコイルパターン２ｈの形状
に対応して選択的に露光処理により、貫通凹部の溶化部
２０ｈ’を形成する過程（図５（ハ）参照）と、これを
現像処理により、溶化部２０ｈ’を除去して貫通凹部２
０ｈを形成する過程（図５（ニ）参照）により形成され
る。 【００６５】塗布・乾燥は、絶縁膜１０ｉからのブレー
ドの間隔を制御して、例えば厚み１５０μｍでスリップ
材を塗布し、上述の乾燥条件で乾燥をおこなう。尚、こ
のようにスリップ材の塗布時１５０μｍてあっても、乾
燥、焼成した絶縁層１ｉの厚みは約７５μｍとなる。 【００６６】露光処理は、絶縁膜１０ｈの光硬化モノマ
ーが、光重合されるネガ型であるため、貫通凹部２０ｈ
となる溶化部２０ｈ’のみが露光光が照射されないよう
所定パターンのフォトターゲットを、絶縁膜１０ｈの表
面に載置、又は近接配置して、低圧、高圧、超高圧の水
銀灯系露光光を、例えば強度１０〜２０ｍＪ／ｃｍ²程
度、時間１５〜３０秒程度照射する。この露光処理によ
り、絶縁膜１０ｈの貫通凹部２０ｈとなる以外の部分
が、光硬化可能なモノマーの光重合反応を起こす。尚、
露光装置は所謂写真製版技術に用いられる一般的なもの
でよい。 【００６７】現像処理は、露光処理した絶縁膜１０ｈの
溶化部２０ｈ’に、クロロセン、１，１，１−トリクロ
ロエタン、アルカリ現像溶剤などの現像液を、例えばス
プレー現像法やパドル現像法によって、噴射したり、接
触したりして、現像処理を行う。現像条件として、スプ
レー現像法で３０秒程度の噴射により行われる。この現
像処理は、露光処理によって形成された溶化部２０ｈ’
が徐々に除去され、下の層の光硬化処理された絶縁膜１
０ｉが貫通凹部２０ｈから露出するまで行われる。その
後、必要に応じて洗浄及び乾燥を行なう。 【００６８】これにより、コイルパターン２ｈの形状に
対応し、その厚み部分が除去された貫通凹部２０ｈを有
する絶縁膜１０ｈが形成されることになる。 【００６９】次は、図４に示すコイルパターン２ｈとな
るコイルパターン導体２１ｈを形成する工程である。 【００７０】このコイルパターン導体２１ｈは、例えば
Ａｇ系導電性ペーストを用いてスクリーン印刷を、所定
形状に１回又は複数回行うことにより、貫通凹部２０ｈ
を充填して、さらに、乾燥して、露光処理による光硬化
で形成する（図５（ホ）参照）。 【００７１】導電性ペーストは、金、銀、銅もしくはそ
の合金のうち少なくとも１つの金属材料、例えば銀の粉
末と、低融点ガラス成分と、光硬化モノマー、有機バイ
ンダーと及び有機溶剤とを均質混練したものが用いられ
る。特に、焼成温度が８５０℃〜１０５０℃と比較的低
いため、絶縁膜の焼結挙動を考慮して、低融点ガラス成
分の屈伏点を７００℃〜８００℃となるものを使用する
ことが重要である。 【００７２】露光処理は、導体２１ｈの光硬化モノマー
を光重合させて、後述の絶縁膜１０ｇの現像処理時に、
この導体２１ｈが侵されないようにするものであり、導
体２１ｈの全面に上述露光条件で行う。 【００７３】これにより、絶縁膜１０ｈ内に、絶縁膜１
０ｈの厚みと略同等の厚みを有する導体２１ｈが形成さ
れることになる。 【００７４】次は、図４に示す第２の絶縁膜である絶縁
膜１０ｇを形成する工程である。 【００７５】絶縁膜１０ｇは、絶縁膜１０ｈ上に、上述
のスリップ材を塗布・乾燥する過程（図５（へ）参照）
と、絶縁層１に形成されるビアホール導体３ｇの形状に
対応して選択的に露光処理により、貫通凹部の溶化部３
０ｇ’を形成する過程（図５（ト）参照）と、これを現
像処理により、溶化部３０ｇ’を除去して貫通凹部３０
ｇを形成する過程（図５（チ）参照）により形成され
る。 【００７６】塗布・乾燥は、絶縁膜１０ｈ表面からのブ
レードの間隔を制御して、例えば厚み１００μｍでスリ
ップ材を塗布し、上述の乾燥条件で乾燥をおこなう。 【００７７】露光処理、現像処理は、絶縁膜１０ｇの厚
みは、絶縁膜１０ｈに比較して薄いため、上述の露光条
件、現像条件に比較して、短時間、又は比較的弱い強
度、比較的薄い濃度で行うことも可能である。 【００７８】尚、現像処理は、光硬化処理により形成さ
れた溶化部３０ｇ’が徐々に除去され、絶縁膜１０ｇの
厚みが全て除去され、貫通凹部３０ｇの底面から導体２
１ｈが露出するまで行われる。その後、必要に応じて洗
浄及び乾燥を行なう。 【００７９】これにより、ビアホール導体３ｇの形状に
対応し、その厚み部分が除去された貫通凹部３０ｇを有
する絶縁膜１０ｇが形成されることになる。 【００８０】次は、図４に示すビアホール導体３ｇとな
る導体３１ｇを形成する工程である。 【００８１】導体３１ｇは、例えばＡｇ系導電性ペース
トを用いて、スクリーン印刷を所定形状に１回又は複数
回の印刷をして、貫通凹部３０ｇに充填し、乾燥して、
露光処理による光硬化を行い形成する（図５（リ）参
照）。 【００８２】導電性ペーストは、上述のコイルパターン
２ｈとなる導体２１ｈに用いたものと同様、銀の粉末
と、低融点ガラス成分と、光硬化モノマー、有機バイン
ダーと及び有機溶剤とを均質混練したものが用いられ、
また、露光処理は導体膜２１ｈと同様に上述露光条件で
行う。 【００８３】これにより、絶縁膜１０ｇ内に、絶縁膜１
０ｇの厚みを貫通するビアホール導体３ｇとなる導体３
１ｇが形成されることになる。 【００８４】その後、図４に示す第１の絶縁膜の形成工
程、コイルパターンとなる導体膜の形成工程、第２の絶
縁膜の形成工程、ビアホール導体となる導体の形成工程
を積層構造に応じて所定回数繰り返す。 【００８５】例えば、第１の絶縁膜である絶縁膜１０ｆ
を、スリップ材の塗布、乾燥（図５（ヌ）参照）、溶化
部２０ｆ’を形成するための選択的な露光処理（図５
（ル）参照）、貫通凹部２０ｆを形成するための現像処
理（図５（ヲ）参照）により形成し、コイルパターン２
ｆとなる導体２１ｆを導電性ペーストの充填、硬化処理
（図５（ワ）参照）により形成し、第２の絶縁膜である
絶縁膜１０ｅを、スリップ材の塗布、乾燥（図５（カ）
参照）、溶化部３０ｅ’を形成するための選択的な露光
処理（図５（ヨ）参照）、貫通凹部３０ｅを形成するた
めの現像処理（図５（タ）参照）により形成し、ビアホ
ール導体３ｅとなる導体３１ｅを導電性ペーストの充
填、硬化処理（図５（レ）参照）により形成し、第１の
絶縁膜である絶縁膜１０ｄを、スリップ材の塗布、乾燥
（図５（ソ）参照）、溶化部２０ｄ’を形成するための
選択的な露光処理（図５（ツ）参照）、貫通凹部２０ｄ
を形成するための現像処理（図５（ネ）参照）により形
成し、コイルパターン２ｄとなる導体２１ｄを導電性ペ
ーストの充填、硬化処理（図５（ナ）参照）により形成
し、第２の絶縁膜である絶縁膜１０ｃを、スリップ材の
塗布、乾燥（図５（ラ）参照）、溶化部３０ｃ’を形成
するための選択的な露光処理（図５（ム）参照）、貫通
凹部３０ｃを形成するための現像処理（図５（ウ）参
照）により形成し、ビアホール導体３ｃとなる導体３１
ｃを導電性ペーストの充填、硬化処理（図５（ヰ）参
照）により形成し、第１の絶縁膜である絶縁膜１０ｂ
を、スリップ材の塗布、乾燥（図５（ノ）参照）、溶化
部２０ｂ’を形成するための選択的な露光処理（図５
（オ）参照）、貫通凹部２０ｂを形成するための現像処
理（図５（ク）参照）により形成し、コイルパターン２
ｂとなる導体２１ｂを導電性ペーストの充填、硬化処理
（図５（ヤ）参照）により形成する。 【００８６】次は、図４に示す最上絶縁層１ａとなる絶
縁膜１０ａを形成する工程である。 【００８７】絶縁膜１０ａは、絶縁膜１０ｂ及びコイル
パターン２ｂとなる導体２１ｂ上にスリップ材の塗布・
乾燥して形成される（図５（マ）参照）。この絶縁膜１
０ａは、導体膜２１ｂが外部衝撃から保護のために形成
されるものであるため、その厚みは、絶縁膜１０ｉと同
様に例えば１００μｍ程度あれば充分である。 【００８８】また、絶縁膜１０ａは単なる単板状態であ
るため、特に選択的な露光処理や現像処理を行う必要は
ない。 【００８９】次は、図４に示す基体の分離工程である。
この分離により、未焼成状態の積層体本体が達成される
ことになる。尚、上述の工程を、複数個の部品が抽出で
きるように形成しておき、この時点で、個々の部品の形
状に応じて分割溝を形成してもよい。 【００９０】次は、図４に示す一体焼成の工程である。 【００９１】絶縁膜１０ａ〜１０ｉ、コイルパターン２
ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈとなる導体２１ｂ、２１ｄ、２１
ｆ、２１ｈ及びビアホール導体３ｃ、３ｅ、３ｇと導体
３１ｃ、３１ｅ、３１ｇから成る上述の積層体本体を一
体焼成を行う。 【００９２】焼成は、脱バインダー過程と焼結過程から
なる。脱バインダー過程は、絶縁膜１０ａ〜１０ｉ、コ
イルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈとなる導体２１
ｂ、２１ｄ、２１ｆ、２１ｈ及びビアホール導体３ｃ、
３ｅ、３ｇと導体３１ｃ、３１ｅ、３１ｇに含まれる有
機成分を消失するためであり、例えば６００℃以下であ
る。また、焼結過程は、絶縁膜１０ａ〜１０ｉのガラス
成分を充分に軟化させて、セラミック粉末の粒界に均一
に充填させ、積層体本体１の一定強度を達成させ、同時
に、導体２１ｂ、２１ｄ、２１ｆ、２１ｈ及び導体３１
ｃ、３１ｅ、３１ｇの銀系粉末を粒成長させて、低抵抗
化させるとともに、絶縁層と一体化させるものであり、
酸化性雰囲気又は中性雰囲気でピーク温度８５０〜１０
５０℃で行う。 【００９３】これにより、絶縁膜１０ａ〜１０ｉが絶縁
層１ａ〜１ｉとなり、導体２１ｂ、２１ｄ、２１ｆ、２
１ｈがコイルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈとなり、
導体３１ｃ、３１ｅ、３１ｇがビアホール導体３ｃ、３
ｅ、３ｇとなり、積層体本体１が形成される。その後、
焼結された積層体本体１を、必要に応じて分割溝に沿っ
て分割を行い、個々の積層インダクタ部品の形状とす
る。 【００９４】次は、図４に示す端子電極の形成工程であ
る。 【００９５】端子電極４、端子電極５は、焼成された積
層体本体１で、コイルパターン２ｂの他端、コイルパタ
ーン２ｈの一端が延出する端部に、銀系導電性ペースト
の焼きつけを行い、さらにその表面にメッキ層を被着し
て形成される。 【００９６】上述の積層インダクタ部品の製造方法にお
いて、絶縁膜１０ａ〜１０ｉが、スリップ材の塗布によ
って形成され、積層体本体１がその塗布の繰り返しによ
る重畳であるため、従来のグリーンシート多層のように
グリーンシートを予め形成する必要がなく、一連のイン
ライン製造工程で簡単に形成できる。 【００９７】また、絶縁膜１０ａ〜１０ｉの厚みの制御
がブレードなどの高さによって精度よく制御できる。こ
のため、コイルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈの厚み
を規制する第１の絶縁膜１０ｂ、１０ｄ、１０ｆ、１０
ｈを比較的厚くし、また、ビアホール導体３ｃ、３ｅ、
３ｇの厚み方向の長さを規制する第２の絶縁膜１０ｃ、
１０ｅ、１０ｇの厚みを比較的薄くすることができ、目
的に応じた（導体抵抗や露光、現像処理の条件などを考
慮した）絶縁膜１０ａ〜１０Ｉの厚みが容易に達成でき
る。 【００９８】また、重畳工程中において、最上層に位置
する絶縁膜が下層に位置する絶縁膜１０ｂ〜１０ｉやコ
イルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈとなる導体２１
ｂ、２１ｄ、２１ｆ、２１ｈやビアホール導体３ｃ、３
ｅ、３ｇとなる導体３１ｃ、３１ｅ、３１ｇの構造や積
層状態に係わらず常に均一な表面とすることができるた
め、従来の印刷多層のように積層の増加により表面が歪
んだりすることが一切ないため、その絶縁膜上に処理が
確実に行えるとともに、積層数を任意に増加することが
できる。 【００９９】特に、コイルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、
２ｈとなる導体２１ｂ、２１ｄ、２１ｆ、２１ｈやビア
ホール導体３ｃ、３ｅ、３ｇとなる導体３１ｃ、３１
ｅ、３１ｇが、位置ずれにより貫通凹部２０ｂ、２０
ｄ、２０ｆ、２０ｈ、３０ｃ、３０ｅ、３０ｇから若干
外れて、絶縁膜１０ｂ〜１０ｈに存在しても、それを吸
収して最上層に位置する絶縁膜の表面を均一面とするこ
とができる。 【０１００】また、コイルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、
２ｈに関して、コイルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈ
となる導体２１ｂ、２１ｄ、２１ｆ、２１ｈは、第１の
絶縁膜である絶縁膜１０ｂ、１０ｄ、１０ｆ、１０ｈの
厚み全体を貫通する所定形状の貫通凹部２０ｂ、２０
ｄ、２０ｆ、２０ｈへの導電性ペーストの印刷・充填に
より形成される。 【０１０１】従って、貫通凹部２０ｂ、２０ｄ、２０
ｆ、２０ｈの形状によって、コイルパターン２ｂ、２
ｄ、２ｆ、２ｈの形状が規制されるため、絶縁層１ｂ、
１ｄ、１ｆ、１ｈの厚みと略同一の厚みを有する低導体
抵抗で、且つ所定形状のコイルパターン２ｂ、２ｄ、２
ｆ、２ｈを簡単に形成することができる。 【０１０２】また、貫通凹部２０ｂ、２０ｄ、２０ｆ、
２０ｈが選択的な露光処理と現像処理によって形成され
るため、位置精度の高い露光処理によって、所定形状の
貫通凹部２０ｂ、２０ｄ、２０ｆ、２０ｈを形成するこ
とができる。また、現像処理が下層のビアホール導体３
ｃ、３ｅ、３ｇとなる導体３１ｃ、３１ｅ、３１ｇの表
面が露出するまで行われるため、コイルパターン２ｂ、
２ｄ、２ｆ、２ｈとビアホール導体３ｃ、３ｅ、３ｇと
の接続を確実に行うことができる。 【０１０３】さらに、所定形状の貫通凹部２０ｂ、２０
ｄ、２０ｆ、２０ｈへの導電性ペーストの充填であるた
め、従来のスクリーン印刷で発生した印刷ダレが一切な
く、導電性ペーストが流出することなく、コイルパター
ン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈの高密度化にも容易に対応で
きる。 【０１０４】また、ビアホール導体３ｃ、３ｅ、３ｇに
関しても、コイルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈと同
様に、貫通凹部３０ｃ、３０ｅ、３０ｇの形状によっ
て、ビアホール導体３ｃ、３ｅ、３ｇの形状が規制され
るため、比較的大きな形状で、絶縁層１ｃ、１ｅ、１ｇ
の厚みを比較的薄くすることにより、低導体抵抗で、且
つ所定形状のビアホール導体３ｃ、３ｅ、３ｇを簡単に
形成することができる。 【０１０５】また、選択的な露光処理と現像処理によっ
て貫通凹部３０ｃ、３０ｅ、３０ｇが形成され、その貫
通凹部３０ｃ、３０ｅ、３０内の導電性ペーストの充填
を行うことから、形状、位置の精度が高く、コイルパタ
ーン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈとの接続信頼性が向上し、
導電性ペーストの流出がなく、高密度化にも容易に対応
できる。 【０１０６】このような、コイルパターン２ｂ、２ｄ、
２ｆ、２ｈとビアホール導体３ｃ、３ｅ、３ｇとの組み
合わせにより、極めて導体抵抗が低く、インダクタンス
特性に優れた積層インダクタ部品となる。 【０１０７】尚、上述の製造方法では、第１の絶縁膜を
スリップ材塗布により形成し、その後コイルパターン形
状に応じて選択的に露光処理し、現像処理して貫通凹部
を形成し、コイルパターンとなる導体膜を形成し、さら
にその表面に、第２の絶縁膜をスリップ材塗布により形
成し、その後ビアホール導体形状に応じて選択的に露光
処理し、現像処理して貫通凹部を形成し、ビアホール導
体となる導体を形成していたが、コイルパターン形状に
応じた貫通凹部の形成の工程とビアホール導体形状に応
じた貫通凹部の形成の工程とを、１対の第１の絶縁膜と
第２の絶縁膜で同時に形成しても構わない。勿論、この
時、ビアホール導体用の貫通凹部は、コイルパターン用
の貫通凹部から露出することになるため、第２の絶縁膜
上に第１の絶縁膜を重畳した状態で行なわれるものであ
る。 【０１０８】同様に、コイルパターン形状に応じた貫通
凹部に導電性ペーストを充填する工程とビアホール導体
形状に応じた貫通凹部に導電性ペーストを充填する工程
とを同時の工程で形成しても構わない。 【０１０９】この製造方法の概略は、第２の絶縁膜をス
リップ材塗布により形成し、その後ビアホール導体形状
に応じて選択的な露光処理する。続いて、第１の絶縁膜
をスリップ材塗布により形成し、その後コイルパターン
形状に応じて選択的に露光処理する。その後、上層に第
１の絶縁膜、下層に第２の絶縁膜となった両絶縁膜に対
して一括的に現像処理して、第１の絶縁膜からコイルパ
ターン形状に応じた貫通凹部を形成し、コイルパターン
用の貫通凹部から第２の絶縁膜からビアホール導体形状
に応じた貫通凹部を形成する。続いて、この貫通凹部に
コイルパターンとなる導体膜及びビアホール導体となる
導体を形成すべく導電性ペーストを充填する。 【０１１０】また、貫通凹部は別々の工程で形成し、コ
イルパターンとなる導体膜及びビアホール導体となる導
体を同一工程で形成しても構わない。 【０１１１】この製造方法の概略は、第２の絶縁膜をス
リップ材塗布により形成し、その後ビアホール導体形状
に応じて選択的に露光処理し、現像処理によりビアホー
ル導体用の貫通凹部を形成する。続いて、第１の絶縁膜
をスリップ材塗布により形成し、その後コイルパターン
形状に応じて選択的に露光処理し、現像処理によりコイ
ルパターン用の貫通凹部を形成する。このとき、コイル
パターン用の貫通凹部内にビアホール導体用貫通凹部が
存在することになり、コイルパターン用の貫通凹部の形
成時に、ビアホール導体用貫通凹部に入り込んだ第１の
絶縁膜をも除去することができる。続いて、この貫通凹
部にコイルパターンとなる導体膜及びビアホール導体と
なる導体を導電性ペーストを充填する。 【０１１２】このような製造方法では、貫通凹部の形成
工程や導電性ペーストの充填工程が集約できるため、製
造方法の簡略化が達成できる。 【０１１３】また、図４、図５の製造方法では、コイル
パターンとなる導体膜、ビアホール導体となる導体を形
成するための導電性ペーストとして、光硬化可能なモノ
マーを含有する導電性ペーストを用い、夫々の貫通凹部
に充填した後、その導体膜及び導体の全体を露光処理に
より光硬化させている。これは、その上部に形成される
絶縁膜に貫通凹部を形成するために現像処理した時、導
体膜及び導体が浸食されない組成を有する導電性ペース
トを用いれば、この導電性ペーストの充填後の光硬化処
理が不要となるからである。 【０１１４】尚、上述の実施例で、最も基本的な積層イ
ンダクタ部品で説明したが、積層体本体の厚み方向へ貫
通穴を形成し、コイルパターン２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈ
の中央部分にＥ型フェライトコア部材を挿入してもよ
い。 【０１１５】また、端子電極４、５は積層体本体１の端
部に形成されているが、積層体本体の表面又は裏面に形
成しても構わない。この場合には、一連に接続されたコ
イルパターンの両端から積層体本体１の主面にビアホー
ル導体を延出させることによって達成される。 【０１１６】さらに、積層体本体１には、複数のコイル
パターン２を形成しても構わないし、また、この複数の
コイルパターン２どうしを容量結合させて、Ｌ−Ｃのフ
ィルタ回路、共振回路、トランスを構成しても構わな
い。 【０１１７】さらに、積層体本体の一部に、コイルパタ
ーン２と接続する内部配線を内装したり、さらに表面に
コイルパターン２と接続する表面配線を形成したりして
も構わない。 【０１１８】また、上述の実施例において、スリップ材
のセラミック成分ととしては、Ｆｅ₂ Ｏ₃ などのフェラ
イト磁性体粉末を所定量添加して、透磁率を所定値に制
御することもできる。 【０１１９】 【発明の効果】以上のように、本発明の製造方法によれ
ば、コイルパターンが第１の絶縁層の厚みと同一の厚み
とすることができるため、導体抵抗を極め小さくできる
積層インダクタ部品が簡単に形成できる。 【０１２０】また、本発明の製造方法では、導体抵抗が
小さいコルパターン及びコイルパターン間を接続するビ
アホール導体を簡単に形成することができる。しかもビ
アホール導体、コイルパターンが選択的な露光処理と現
像処理によって形成された貫通凹部の形状が決まるた
め、形状の精度を高めることが簡単であり、また、貫通
凹部への導電性ペーストの充填を簡単に行うことができ
る。 【０１２１】さらに、積層数の増加やコイルパターンの
形状に係わらず、常に絶縁膜の表面が均一となり、ビア
ホール導体の形成、コイルパターンの形成が容易とな
る。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明に係る積層インダクタ部品の外観斜視図
である。 【図２】図１中のＸ−Ｘ線断面図である。 【図３】（ａ）は図１中のＹ−Ｙ線断面図であり、
（ｂ）は図１中のＺ−Ｚ線断面図である。 【図４】本発明の積層インダクタ部品の製造工程を説明
するための流れ図である。 【図５】（イ）〜（マ）は、製造における主要工程の平
面図である。 【符号の説明】 １ａ〜１ｉ・・・・・・・絶縁層 １ｂ、１ｄ、１ｆ、１ｈ・・第１の絶縁層 １ｃ、１ｅ、１ｇ・・・・・第２の絶縁層 １０ａ〜１０ｉ・・・絶縁膜 １０ｂ、１０ｄ、１０ｆ、１０ｈ・・第１の絶縁膜 １０ｃ、１０ｅ、１０ｇ・・・・・第２の絶縁膜 ２ｂ、２ｄ、２ｆ、２ｈ・・・・・・コイルパターン ２１ｂ、２１ｄ、２１ｆ、２１ｈ・・・・・・コイルパ
ターンとなる導体 ３ｃ、３ｅ、３ｇ・・・・・・・・・ビアホール導体 ３１ｃ、３１ｅ、３１ｇ・・・・・・ビアホール導体と
なる導体 ２０ｂ、２０ｄ、２０ｆ、２０ｈ３０ｃ、３０ｅ、３０
ｇ・・・・・貫通凹部 ４、５・・・・・端子電極

フロントページの続き (72)発明者 古橋 和雅 鹿児島県国分市山下町１番１号 京セラ 株式会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 末永 弘 鹿児島県国分市山下町１番１号 京セラ 株式会社鹿児島国分工場内 (56)参考文献 特開 昭59−204215（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−219606（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01F 17/00 H01F 41/04

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】コイルパターン形状の貫通孔が形成され、
   該貫通孔にコイルパターン導体が充填された第１のセラ
   ミック絶縁膜と、ビアホールを有し、該ビアホール内に
   ビアホール導体が充填された第２のセラミック絶縁膜と
   を重畳積層させたものを含む積層体を焼成処理して成る
   積層インダクタ部品であって、 前記コイルパターン導体を充填させた第１のセラミック
   絶縁膜が、 （１）光硬化可能なモノマーを含有するセラミックのス
   リップ材を塗布・乾燥して絶縁膜を形成する工程と、 （２）前記絶縁膜に選択的な露光処理及び現像処理を施
   して、前記絶縁膜にコイルパターン形状の貫通孔を形成
   する工程と、 （３）前記貫通孔内にコイルパターン導体を充填する工
   程とによって形成され、且つ前記ビアホール導体を充填
   させた第２のセラミック絶縁膜が、 （４）光硬化可能なモノマーを含有するセラミックのス
   リップ材を塗布・乾燥して絶縁膜を形成する工程と、 （５）前記絶縁膜に選択的な露光処理及び現像処理を施
   して、前記絶縁膜にビアホールを形成する工程と、 （６）前記ビアホール内にビアホール導体を充填する工
   程とによって形成されることを特徴とする積層インダク
   タ部品の製造方法。