JP5623311B2 - 光電変換装置 - Google Patents
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Description
おける前記酸素のモル濃度よりも大きく、前記第2結晶粒の平均結晶粒径は、前記第1結晶粒の平均結晶粒径よりも大きい。
<(1−1)光電変換装置の概略構成>
光電変換装置20は、図1乃至図3に示すように、基板1と、該基板1の一主面上に平面的に並べられた複数の光電変換セル10とを備えている。隣り合う光電変換セル10は分離溝部P3によって分離されている。すなわち、光電変換装置20では、所定の配列方向(本実施形態では+X方向)に沿って、分離溝部P3を介して複数の光電変換セル10が基板1の一主面上に配列されている。図1では、図示の都合上、分離溝部P1が上面透視されており、点線で示されている。また、図1では、3つの光電変換セル10の一部のみが示されている。但し、光電変換装置20には、図面の左右方向に、多数(例えば、8個)の光電変換セル10が平面的に(二次元的に)配列されていても良い。そして、例えば、光電変換装置20のX軸方向の両端部に、発電による電圧および電流を得るための電極が設けられ得る。なお、光電変換装置20には、例えば、多数の光電変換セル10がマトリックス状に配置されていても良い。
各光電変換セル10は、基板1上に設けられた電極(以下、下部電極2とする)、光電変換層3、および光電変換層3上に設けられた電極(以下、上部電極45とする)を備え
ている。また、各光電変換セル10には、分離溝部P1と分離溝部P2とが設けられている。そして、光電変換装置20では、上部電極45が設けられた側の主面が受光面となっている。
31とバッファ層32とにおいて光電変換が生じ得る。
分離溝部P2を通って隣の光電変換セル10から延伸されている下部電極2に接続する。
分離溝部P1は、Y軸方向に直線状に延在している。この分離溝部P1が1以上設けられることで、複数の下部電極2がX軸方向に分離されている。図2では、3つの下部電極2が示されている。分離溝部P1には、直上に設けられた光吸収層31の延在部分が埋入している。これにより、隣り合う一方の光電変換セル10の下部電極2と、他方の光電変換セル10の下部電極2との間が、電気的に分離されている。分離溝部P1の幅は、例えば、グリッド電極部5の幅と同程度の50μm〜400μm程度であれば良い。
の領域が、発電に寄与する領域(発電寄与領域とも言う)となる。一方で、例えば、図3に示すように、分離溝部P2と分離溝部P3とに挟まれた領域が、発電に寄与しない領域(非発電寄与領域とも言う)となる。
記した酸素のモル濃度は、例えば、オージェ電子分光(AES:Auger Electron Spectroscopy)で測定してもよい。
ここで、上記構成を有する光電変換装置20の製造プロセスの一例について説明する。以下では、光吸収層31が塗布法あるいは印刷法が用いられて形成され、更にバッファ層32が形成される場合を例として説明する。図6から図10は、光電変換装置20の製造途中の様子を模式的に示すXZ断面図である。
まず、図6で示されるように、洗浄された基板1の一主面の略全面に、スパッタリング法等が用いられて、Mo等を主に含む下部電極2が形成される。
次に、下部電極2の上面のうちの所定の形成対象位置からその直下の基板1の上面にかけて、直線状の分離溝部P1が形成される。図7は、分離溝部P1が形成された後の状態を示す図である。分離溝部P1は、例えば、YAGレーザーまたはその他のレーザー光が走査されつつ所定の形成対象位置に照射されることで形成され得る。
次に、下部電極2の上に、光吸収層31とバッファ層32とが順次に形成されることで、光電変換層3が形成される。図8は、光電変換層3が形成された後の状態を示す図である。
ともできる。
次に、光電変換層3の上に透光性導電層4が形成される。図9は、透光性導電層4が形成された後の状態を示す図である。透光性導電層4は、スパッタリング法、蒸着法、または化学的気相成長(CVD)法等で形成され得る。例えば、バッファ層32の上に、アルミニウムが添加された酸化亜鉛を主に含む透明な透光性導電層4が形成される。
次に、透光性導電層4の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極2の上面に至る領域に、分離溝部P2が形成される。図10は、分離溝部P2が形成された後の状態を示す図である。分離溝部P2は、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングによって形成され得る。なお、分離溝部P2は、分離溝部P1と同様に、レーザー光によって形成されても良い。
次に、分離溝部P2が形成された透光性導電層4の上面のうちの所定の形成対象位置から分離溝部P2の内部にかけてグリッド電極部5が形成される。図11(a)、(b)は、グリッド電極部5が形成された後の状態を示す図である。
グリッド電極部5が形成された後、透光性導電層4の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極2の上面に至る領域に、分離溝部P3が形成される。これにより、図1から図4で示された光電変換装置20が得られる。分離溝部P3は、分離溝部P2と同様に、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングによって形成され得る。このとき、グリッド電極部5の端部が若干削られても良い。
2:下部電極
3:光電変換層
31:光吸収層
31A:結晶粒
31Aa:第2結晶粒
32:バッファ層
4:透光性導電層
5:グリッド電極部
5a:集電部
5b、5b1、5b2:連結部
5c:垂下部
10:光電変換セル
20:光電変換装置
45:上部電極
P1〜P3:分離溝部
Claims (4)
- モリブデンを含む電極と、
該電極上に設けられた、酸素およびセレンを含む光吸収層とを備え、
前記光吸収層は、前記酸素および前記セレンを含む、複数の第1結晶粒および複数の第2結晶粒を有し、
前記第1結晶粒および前記第2結晶粒は、前記電極と接しており、
前記第2結晶粒は、前記電極と接する部位における前記酸素のモル濃度が前記第1結晶粒の前記電極と接する部位における前記酸素のモル濃度よりも大きく、
前記第2結晶粒の平均結晶粒径は、前記第1結晶粒の平均結晶粒径よりも大きい、光電変換装置。 - 前記第2結晶粒は、前記電極と接する部位における前記セレンのモル濃度が前記第1結晶粒の前記電極と接する部位における前記セレンのモル濃度よりも小さい、請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記光吸収層は、該光吸収層の平均厚みよりも平均結晶粒径が大きい前記第2結晶粒を有する、請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。
- 前記第2結晶粒は、前記光吸収層を平面視した領域において単位面積当たりに占める面積の割合が、3%〜10%である、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換装置。
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