JPH0456172A - ＣｕＩｎＳｅ↓２薄膜の形成方法 - Google Patents
ＣｕＩｎＳｅ↓２薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH0456172A JPH0456172A JP2163252A JP16325290A JPH0456172A JP H0456172 A JPH0456172 A JP H0456172A JP 2163252 A JP2163252 A JP 2163252A JP 16325290 A JP16325290 A JP 16325290A JP H0456172 A JPH0456172 A JP H0456172A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cis
- film
- sputter etching
- grain boundary
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 abstract 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光エネルギーを半導体接合により電気エネル
ギーに変換する太陽電池の光電変換層の形成に用いられ
るＣｕ１ｎＳｅｔ ＩＩ膜の形成方法に関する。
ギーに変換する太陽電池の光電変換層の形成に用いられ
るＣｕ１ｎＳｅｔ ＩＩ膜の形成方法に関する。
Ｃｕ１ｎＳｅｘ（以下ＣＩＳと略す）は直接遷移型のバ
ンド構造を持ち、そのバンドギャップが約１ｅＶであっ
てシリコンのバンドギャップ１．７ｓＶより小さいこと
から、太陽光スペクトルを長波長側まで有効に活用でき
るため、高効率の太陽電池として期待されている。また
Ｃｕ／Ｉｎの組成比（−Ｘ、以下Ｘと略す）で伝導型が
制御できるため、ＰＮ接合形成が容易である。このよう
な利点により、現在活発な研究開発が行われている。
ンド構造を持ち、そのバンドギャップが約１ｅＶであっ
てシリコンのバンドギャップ１．７ｓＶより小さいこと
から、太陽光スペクトルを長波長側まで有効に活用でき
るため、高効率の太陽電池として期待されている。また
Ｃｕ／Ｉｎの組成比（−Ｘ、以下Ｘと略す）で伝導型が
制御できるため、ＰＮ接合形成が容易である。このよう
な利点により、現在活発な研究開発が行われている。
ＣＩＳを用いた太陽電池でよ（知られているのは、光入
射側の窓層にバンドギャップ２．４ｅＶのＣｄＳを用い
てヘテロ接合を形成したものである。
射側の窓層にバンドギャップ２．４ｅＶのＣｄＳを用い
てヘテロ接合を形成したものである。
従来のこの種の太陽電池ではＣｌ５ｉｌ膜を形成するた
めに、銅、インジウム、セレンをガラス基板の一面上の
Ｎｏ層等の上に各々層状に形成し、その後に加熱して形
成する方法や、セレン源としてセレン化水素（Ｓａｎｇ
）を用い、その雰囲気中で銅・インジウム積層膜を加熱
することにより作製する方法、あるいはこれらとは異な
り、各々の元素を含むソースより蒸着、スパッタリング
で同時に基板上に膜形成を行う方法が知られている。
めに、銅、インジウム、セレンをガラス基板の一面上の
Ｎｏ層等の上に各々層状に形成し、その後に加熱して形
成する方法や、セレン源としてセレン化水素（Ｓａｎｇ
）を用い、その雰囲気中で銅・インジウム積層膜を加熱
することにより作製する方法、あるいはこれらとは異な
り、各々の元素を含むソースより蒸着、スパッタリング
で同時に基板上に膜形成を行う方法が知られている。
しかし、従来の方法で形成されたＣＩＳの薄膜では、第
２図に薄い膜について、第３図に厚い膜について断面で
示すように、ガラス基板１の一面上のモリブデン層２の
上に形成されたＣＩＳの結晶３の粒界の部分４は、化学
量論的組成からはずれた欠陥が多くなったり、密度が低
（なったりし、このために粒界４での再結合が増え、ま
たＣｄＳとの界面が良好に形成できないため、太陽ｉｔ
地としての変換効率が低いという問題があった。
２図に薄い膜について、第３図に厚い膜について断面で
示すように、ガラス基板１の一面上のモリブデン層２の
上に形成されたＣＩＳの結晶３の粒界の部分４は、化学
量論的組成からはずれた欠陥が多くなったり、密度が低
（なったりし、このために粒界４での再結合が増え、ま
たＣｄＳとの界面が良好に形成できないため、太陽ｉｔ
地としての変換効率が低いという問題があった。
本発明の目的は、上述の問題を解決し、多結晶薄膜の結
晶粒界での再結合を低下させることのできるＣｌ５ｉｌ
ｌ膜の形成方法を提供することにある。
晶粒界での再結合を低下させることのできるＣｌ５ｉｌ
ｌ膜の形成方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の方法は、基板上
にＣＩＳの多結晶からなる膜を形成する工程と、スパッ
タエツチングにより、Ｃ■Ｓ多結晶の粒界部分を除去す
る工程とを含むものとする。
にＣＩＳの多結晶からなる膜を形成する工程と、スパッ
タエツチングにより、Ｃ■Ｓ多結晶の粒界部分を除去す
る工程とを含むものとする。
基板上の形成されたｃｒｓ多結晶膜の化学量論的組成か
らずれた欠陥の多い粒界部分、あるいは密度の低い粒界
部分をスパッタエツチングで除去すれば、粒界での再結
合が減少するばかりでなく、スパッタリングで飛散した
ＣＩＳ成分の沈着により表面の凹凸がうずめられて平坦
で緻密な表面層が形成され、その表面を界面とする接合
の特性が向上する。特に、スパッタエツチング時に基板
温度をＣＩＳ結晶成長温度と同等に保つことにより、結
晶性を高めることも可能である。
らずれた欠陥の多い粒界部分、あるいは密度の低い粒界
部分をスパッタエツチングで除去すれば、粒界での再結
合が減少するばかりでなく、スパッタリングで飛散した
ＣＩＳ成分の沈着により表面の凹凸がうずめられて平坦
で緻密な表面層が形成され、その表面を界面とする接合
の特性が向上する。特に、スパッタエツチング時に基板
温度をＣＩＳ結晶成長温度と同等に保つことにより、結
晶性を高めることも可能である。
第１図ＦＭ１〜［０１は、本発明の一実施例のＣｌ５ｉ
ｌｌ膜形成過程を概念的に示し、第２図、第３図と共通
の部分には同一の符号が付されている。先ず、ガラス基
板１の上に約２μの厚さのＭＯ層２をスパッタリングや
蒸着などで形成し、そのＭＯ層の上にＣｕ、 Ｉｎ、
Ｓｅの各層を積層し、これを窒素中で約３００〜６００
℃の温度で焼成する。これにより、第１図（ａｌに示す
ようにＣＩＳ結晶粒３からなる多結晶膜が形成されるが
、その結晶粒界に化学量論的組成からずれた密度の低い
欠陥の多い部分４が生ずる。
ｌｌ膜形成過程を概念的に示し、第２図、第３図と共通
の部分には同一の符号が付されている。先ず、ガラス基
板１の上に約２μの厚さのＭＯ層２をスパッタリングや
蒸着などで形成し、そのＭＯ層の上にＣｕ、 Ｉｎ、
Ｓｅの各層を積層し、これを窒素中で約３００〜６００
℃の温度で焼成する。これにより、第１図（ａｌに示す
ようにＣＩＳ結晶粒３からなる多結晶膜が形成されるが
、その結晶粒界に化学量論的組成からずれた密度の低い
欠陥の多い部分４が生ずる。
このときの膜犀は約０．５−に制限してあり、図に示す
ように結晶粒界は表面側に多い、この状態で基板を一対
の電極の陰極側に置き、アルゴンガスを用いてプラズマ
を発生させ、アルゴンイオンのスパッタ効果で表面から
約０．２−の部分をスパッタエツチングする。これによ
り欠陥部分４は除去される。このあと、基板温度を約３
００〜６００℃に保ち、再びスパッタエツチングを行う
ことにより、粒界はスパッタリングで飛び出したＣＩＳ
で埋まり、結晶成長するため、第１図山）に示すように
非常に密度の高い高品質のＣＩＳ薄膜が得られる。
ように結晶粒界は表面側に多い、この状態で基板を一対
の電極の陰極側に置き、アルゴンガスを用いてプラズマ
を発生させ、アルゴンイオンのスパッタ効果で表面から
約０．２−の部分をスパッタエツチングする。これによ
り欠陥部分４は除去される。このあと、基板温度を約３
００〜６００℃に保ち、再びスパッタエツチングを行う
ことにより、粒界はスパッタリングで飛び出したＣＩＳ
で埋まり、結晶成長するため、第１図山）に示すように
非常に密度の高い高品質のＣＩＳ薄膜が得られる。
このあと、第１図（Ｃ）に示すように再びＣＩＳ膜を形
成し、スパッタエツチングによる粒界部分４の除去と結
晶生長を繰り返すことにより、任意の厚さのＣＩＳ膜の
形成が可能である。
成し、スパッタエツチングによる粒界部分４の除去と結
晶生長を繰り返すことにより、任意の厚さのＣＩＳ膜の
形成が可能である。
第４図は、第１図について述べた方法で形成したＣｌ５
ＩＩ膜を用いての太陽電池製作プロセスを示し、このう
ちのＣ■Ｓ膜形成とスパッタエツチングを繰り返して第
５図に示すようにガラス基板１の上のＭｏ層２の上に形
成した約２−の厚さのｐ型Ｃｌ５ＩＩ膜３０の上に０．
５ ｔｎａ厚さのｎ型ＣｄＳ膜５およヒ０．５Ｊ１１１
ＩＥさのＺｏｏ膜６をそれぞれ蒸着により積層した。Ｃ
ＩＳ膜形成およびスパッタエツチングの回数を変化させ
て製作したこの太陽電池と比較のためのスパッタエツチ
ングを行わない太陽電池の特性を第６図に示す、スパッ
タエツチングプロセスを含まない場合には約３．６％の
低い変換効率がスパッタエッチを行った場合には飛躍的
に特性が向上して、３回プロセスを繰り返して作製した
場合で１１％を超える変換効率が得られている。
ＩＩ膜を用いての太陽電池製作プロセスを示し、このう
ちのＣ■Ｓ膜形成とスパッタエツチングを繰り返して第
５図に示すようにガラス基板１の上のＭｏ層２の上に形
成した約２−の厚さのｐ型Ｃｌ５ＩＩ膜３０の上に０．
５ ｔｎａ厚さのｎ型ＣｄＳ膜５およヒ０．５Ｊ１１１
ＩＥさのＺｏｏ膜６をそれぞれ蒸着により積層した。Ｃ
ＩＳ膜形成およびスパッタエツチングの回数を変化させ
て製作したこの太陽電池と比較のためのスパッタエツチ
ングを行わない太陽電池の特性を第６図に示す、スパッ
タエツチングプロセスを含まない場合には約３．６％の
低い変換効率がスパッタエッチを行った場合には飛躍的
に特性が向上して、３回プロセスを繰り返して作製した
場合で１１％を超える変換効率が得られている。
これは、本発明に基づく方法により接合界面特性が飛躍
的に向上し、開放電圧が向上すること、及び、粒界での
再結合も減るため曲線因子も向上することによるもので
ある。
的に向上し、開放電圧が向上すること、及び、粒界での
再結合も減るため曲線因子も向上することによるもので
ある。
以上、焼成法の場合の実施例を示したが、本発明は、も
ちろん同時１着法、同時スパッタ法によるＣＩＳ膜の形
成にも適用可能である。つまり、同時蒸着あるいは同時
スパッタで膜形成を行った後にスパッタエッチを行う過
程を繰り返すか、蒸着あるいはスパッタをしながら基板
表面をＲＦスパフタやイオンビームスパッタ法等により
工、チングする方法でも密度の高い、粒界欠陥の少ない
ＣＩＳ膜を得ることが可能である。
ちろん同時１着法、同時スパッタ法によるＣＩＳ膜の形
成にも適用可能である。つまり、同時蒸着あるいは同時
スパッタで膜形成を行った後にスパッタエッチを行う過
程を繰り返すか、蒸着あるいはスパッタをしながら基板
表面をＲＦスパフタやイオンビームスパッタ法等により
工、チングする方法でも密度の高い、粒界欠陥の少ない
ＣＩＳ膜を得ることが可能である。
本発明によれば、ＣＩＳ多結晶膜を形成する工程とスパ
ッタエツチング工程を組合わせることにより、結晶粒界
の欠陥の多い部分あるいは密度の低い部分を瞼去すると
共に、スパッタで飛散したＣＩＳの再沈着によって、結
晶欠陥が少なく、表面の平坦なＣｌ５ｉｌ膜を形成する
ことができた。
ッタエツチング工程を組合わせることにより、結晶粒界
の欠陥の多い部分あるいは密度の低い部分を瞼去すると
共に、スパッタで飛散したＣＩＳの再沈着によって、結
晶欠陥が少なく、表面の平坦なＣｌ５ｉｌ膜を形成する
ことができた。
従ってこのＣＩＳ太陽電池の変換効率を飛躍的に高める
ことができる。
ことができる。
第１図は本発明の一実施例のＣＩＳ薄膜形成過程を（ａ
ｌ〜ＩｃＩの順に概念的に示す断面図、第２図。 第３図は従来の方法によって形成されたＣＩＳ膜の欠陥
を示す断面図、第４図は本発明の一実施例を適用したＣ
ＩＳ太陽電池の製作プロセスを示す工程図、第５図は第
４図のプロセスで製作された太陽電池の断面図、第６図
は第４図、第５図に示した太陽電池と比較例の太陽電池
の特性を示す線図である。 ｌニガラス基板、２：Ｍｏ層、３：ＣＩＳ結晶、４：粒
界部分、−
ｌ〜ＩｃＩの順に概念的に示す断面図、第２図。 第３図は従来の方法によって形成されたＣＩＳ膜の欠陥
を示す断面図、第４図は本発明の一実施例を適用したＣ
ＩＳ太陽電池の製作プロセスを示す工程図、第５図は第
４図のプロセスで製作された太陽電池の断面図、第６図
は第４図、第５図に示した太陽電池と比較例の太陽電池
の特性を示す線図である。 ｌニガラス基板、２：Ｍｏ層、３：ＣＩＳ結晶、４：粒
界部分、−
Claims (1)
- １）基板上にＣｕＩｎＳｅ＿２の多結晶からなる膜を形
成する工程と、スパッタエッチングによりＣｕＩｎＳｅ
＿２多結晶の粒界部分を除去する工程とを含むことを特
徴とするＣｕＩｎＳｅ＿２薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2163252A JPH0456172A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ＣｕＩｎＳｅ↓２薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2163252A JPH0456172A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ＣｕＩｎＳｅ↓２薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456172A true JPH0456172A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15770259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2163252A Pending JPH0456172A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | ＣｕＩｎＳｅ↓２薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456172A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006196798A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池の検査方法 |
| WO2011152334A1 (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| WO2012043431A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
| JP2012182177A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| WO2013018689A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| US9478695B2 (en) | 2011-12-05 | 2016-10-25 | Nexcis | Interface between a I/III/VI2 layer and a back contact layer in a photovoltaic cell |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP2163252A patent/JPH0456172A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006196798A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池の検査方法 |
| WO2011152334A1 (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| JP5430758B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2014-03-05 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| US8772826B2 (en) | 2010-05-31 | 2014-07-08 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device |
| WO2012043431A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
| JP5335148B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2013-11-06 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
| JP2012182177A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| WO2013018689A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| US9478695B2 (en) | 2011-12-05 | 2016-10-25 | Nexcis | Interface between a I/III/VI2 layer and a back contact layer in a photovoltaic cell |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6534704B2 (en) | Solar cell | |
| JP3249408B2 (ja) | 薄膜太陽電池の薄膜光吸収層の製造方法及び製造装置 | |
| JPH10144946A (ja) | 薄膜太陽電池の透明導電膜及び該透明導電膜の製造 方法 | |
| JP2006013028A (ja) | 化合物太陽電池及びその製造方法 | |
| JP3040373B2 (ja) | 薄膜太陽電池のＺｎＯ系透明導電膜の製造方法 | |
| KR20080009346A (ko) | 태양전지 버퍼층의 제조방법 | |
| JP3337255B2 (ja) | カルコパイライト構造半導体薄膜とその製造方法、薄膜太陽電池の製造方法、および発光装置の製造方法 | |
| JP2922465B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP2001044464A (ja) | Ｉｂ―ＩＩＩｂ―ＶＩｂ２族化合物半導体層の形成方法、薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP3311873B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0456172A (ja) | ＣｕＩｎＳｅ↓２薄膜の形成方法 | |
| JP3468328B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JP3408618B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH0955378A (ja) | 半導体薄膜形成用前駆体及び半導体薄膜の製造方法 | |
| US9196779B2 (en) | Double sided barrier for encapsulating soda lime glass for CIS/CIGS materials | |
| JPH10150212A (ja) | 半導体薄膜形成用前駆体及び半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2975693B2 (ja) | カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法 | |
| JP2000012883A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| KR20130068565A (ko) | 전자빔 조사를 이용한 몰리브덴 박막의 전도도 향상 방법 | |
| KR101072101B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| US20170309772A1 (en) | Method for manufacturing a large-area thin film solar cell | |
| JPH10214986A (ja) | 光起電力装置およびその製造方法 | |
| JPH11298024A (ja) | 光起電力装置およびその製造方法 | |
| JP2003298091A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JPH07211927A (ja) | 太陽電池とその製造方法 |