JP5606883B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
11 アドレス端子
12 コマンド端子
21 ロウアドレスレジスタ
22 ロウプリデコーダ
23 ロウデコーダ
24 コマンドデコーダ
25 テスト回路
26 ロウ系制御回路
27 電源制御回路
30 メモリセルアレイ
31 サブワードドライバ列
32 センスアンプ列
41〜43 電源回路
41a,42a 主回路部
41b,41b 副回路部
44a 電圧生成部
44b スイッチ回路
53 パルス幅制御回路
MAT メモリセルマット
VL1〜VL4 電源配線
WL ワード線
Claims (12)
- 複数のセンスアンプ列によって複数のメモリセルマットに分割され、其々が複数のワード線を備えるメモリセルアレイと、
前記複数のメモリセルマットの内、選択された互いに隣接しない複数のメモリセルマットに其々含まれる複数のワード線を同時に立ち上げるテスト制御を行うテスト回路と、を備え、
前記センスアンプ列は、それぞれ対応する一対のビット線に接続された複数のセンスアンプを含み、
前記一対のビット線の一方は隣接する一方のメモリセルマットに設けられ、前記一対のビット線の他方は隣接する他方のメモリセルマットに設けられ、
前記選択された複数のメモリセルマット間には、それぞれ2以上のメモリセルマットが介在することを特徴とする半導体装置。 - 前記複数のメモリセルマットは、隣接して配置された3以上のメモリセルマットを一単位として複数の単位に分類され、
前記テスト回路は、各単位を構成する3以上のメモリセルマットに含まれる複数のワード線を同時に立ち上げる、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記複数の単位の中からいずれの単位を選択するかは、複数のロウアドレスビットからなるロウアドレスの第1のビット群によって行われ、
選択された単位の中からいずれのワード線を選択するかは前記第1のビット群以外の第2のビット群によって行われる、ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記テスト回路は、前記ロウアドレスの前記第1のビット群を縮退させることによって、前記複数の単位を全て選択することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記テスト回路は、前記ロウアドレスの前記第2のビット群の一部を縮退させることによって、前記複数のワード線を立ち上げることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記センスアンプ列に動作電圧を供給する第1の電源回路をさらに備え、前記テスト回路は前記第1の電源回路を通常動作時よりも長時間活性化させることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記ワード線の非活性電圧を供給する第2の電源回路をさらに備え、前記テスト回路は前記第2の電源回路から出力される前記非活性電圧を通常動作時とは異なる電圧とすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記テスト回路は前記第2の電源回路から出力される前記非活性電圧を接地電圧レベルとすることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 第1の方向に並べて配置され、前記第1の方向とは異なる第2の方向に延在する複数のワード線をそれぞれ備える複数のメモリセルマットと、
前記複数のメモリセルマットのうち前記第1の方向に隣接する2つのメモリセルマット間にそれぞれ配置された複数のセンスアンプ列と、
前記複数のワード線及び前記複数のセンスアンプ列の動作を制御するアクセス制御回路と、を備え、
前記複数のメモリセルマットは、隣接して配置された2以上のメモリセルマットを一単位として複数の単位に分類され、
前記アクセス制御回路は、テスト信号が活性化してない場合には、ロウアドレスの第1の部分に基づいて前記複数の単位の中からいずれかの単位を選択し、且つ、前記ロウアドレスの第2の部分に基づいて前記選択された単位の中からいずれかのワード線を選択し、
前記アクセス制御回路は、前記テスト信号が活性化している場合には、前記ロウアドレスの前記第1の部分を縮退させることによって前記複数の単位を全て選択し、且つ、前記ロウアドレスの前記第2の部分の一部を縮退させることによって各単位に含まれる複数のワード線を選択する、ことを特徴とする半導体装置。 - 前記センスアンプ列は、それぞれ対応する一対のビット線に接続された複数のセンスアンプを含み、
前記一対のビット線の一方は隣接する一方のメモリセルマットに設けられ、前記一対のビット線の他方は隣接する他方のメモリセルマットに設けられている、ことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。 - 前記各単位は3つのメモリセルマットによって構成されていることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記テスト回路は、複数のコマンド端子と接続されるものであって、前記複数のコマンド端子から受けるコマンド信号がテスト状態を示す時に、前記テスト制御を行い、前記コマンド信号が通常動作状態を示す時に、前記複数のメモリセルマットの内、選択された1つのメモリセルマットに含まれる1本のワード線を立ち上げるロウアドレス制御を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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