JP5603344B2 - 導電性架橋体、およびその製造方法、並びにそれを用いたトランスデューサ、フレキシブル配線板、電磁波シールド - Google Patents
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Description
上述したように、本発明の導電性架橋体は、ゴムポリマーと、有機金属化合物と、導電剤と、を含む導電性組成物から合成され、架橋構造を有する。
ゴムポリマーは、特に限定されるものではない。ゴムポリマーの一種を単独で、あるいは二種以上を混合して用いることができる。ゴムポリマーとしては、例えば、有機金属化合物中の活性水素または活性水素を持つ求核性置換基と反応可能な官能基を有するものが、望ましい。この場合、ゴムポリマーの官能基は、有機金属化合物との架橋サイトとなる。すなわち、ゴムポリマーの官能基が、有機金属化合物中の活性水素または活性水素を持つ求核性置換基と反応して、架橋構造が形成される。なお、本発明の導電性架橋体は、ゴムポリマーと有機金属化合物とが反応せずに、有機金属化合物の架橋構造中にゴムポリマーが侵入した、いわゆる相互網目構造を有していてもよい。
有機金属化合物の種類は、特に限定されるものではない。有機金属化合物は、液体でも固体でもよい。有機金属化合物としては、金属アルコキシド化合物、金属アシレート化合物、および金属キレート化合物が挙げられる。これらから選ばれる一種を単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。有機金属化合物は、ケイ素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、ガリウム、マグネシウム、亜鉛、およびホウ素から選ばれる一種以上の元素を含むことが望ましい。
M(OR)m ・・・(a)
[式(a)中、Mは金属等の原子である。Rは炭素数1〜10のアルキル基、アリール基、アルケニル基のいずれか一種以上であり、同一であっても、異なっていてもよい。mは金属等の原子Mの価数である。]
また、一分子中に、二つ以上の繰り返し単位[(MO)n;nは2以上の整数]を有する多量体であってもよい。nの数を変更することにより、ゴムポリマーとの相溶性や、反応速度等を調整することができる。このため、ゴムポリマーの種類に応じて、適宜好適な多量体を選択するとよい。
導電剤の種類は、特に限定されるものではない。カーボンブラック、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料、銀、金、銅、ニッケル、ロジウム、パラジウム、クロム、チタン、白金、鉄、およびこれらの合金等の金属材料、酸化チタン化インジウム、酸化亜鉛に他金属をドーピングした導電性酸化物から、適宜選択すればよい。導電剤は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。例えば、カーボンブラックは、ゴム成分との密着性が高く、凝集して導通経路を形成しやすい、という点で好適である。なかでも、ケッチェンブラック等の高導電性カーボンブラックが好適である。
本発明の導電性架橋体を合成する場合には、上記ゴムポリマー、有機金属化合物、および導電剤を含む導電性組成物に、触媒、補強剤、可塑剤、老化防止剤、着色剤等を適宜配合してもよい。
本発明の導電性架橋体の製造方法は、特に限定されるものではない。例えば、次の(1)または(2)の方法により製造することができる。
(1)第一の方法としては、ゴムポリマー、有機金属化合物、および導電剤を、ロールや混練機により混練りして(混練り工程)、所定の条件下で成形する(成形工程)。成形された導電性架橋体は、所定の基材に貼着して用いればよい。
(2)第二の方法としては、まず、所定の溶剤中に、ゴムポリマーおよび導電剤を添加する。次に、当該溶液中に、有機金属化合物をそのまま、あるいは所定の溶剤に溶解した状態で混合して、混合溶液を調製する(混合溶液調製工程)。その後、調製した混合溶液を基材上に塗布し、所定の条件下で乾燥させる(成形工程)。
本発明のトランスデューサは、エラストマー製の誘電膜と、該誘電膜を介して配置されている複数の電極と、複数の該電極と各々接続されている配線と、を備え、該電極および該配線の少なくとも一方は、本発明の導電性架橋体からなる。本発明のトランスデューサにおいても、上述した本発明の導電性架橋体の好適な態様を採用することが望ましい。以下、本発明のトランスデューサの例として、アクチュエータ、エラストマーセンサ、および発電素子の実施形態を説明する。
本発明の導電性架橋体からなる電極を備えたアクチュエータの実施形態を説明する。図1に、本実施形態のアクチュエータの断面模式図を示す。(a)はオフ状態、(b)はオン状態を各々示す。
本発明の導電性架橋体からなる電極および配線を備えたエラストマーセンサの一例として、静電容量型センサの実施形態を説明する。まず、本実施形態の静電容量型センサの構成について説明する。図2に、静電容量型センサの上面図を示す。図3に、図2のIII−III断面図を示す。図2、図3に示すように、静電容量型センサ2は、誘電膜20と、一対の電極21a、21bと、配線22a、22bと、カバーフィルム23a、23bと、を備えている。
本発明の導電性架橋体からなる電極を備えた発電素子の実施形態を説明する。図4に、本実施形態の発電素子の断面模式図を示す。(a)は伸長時、(b)は収縮時を各々示す。図4に示すように、発電素子3は、誘電膜30と、電極31a、31bと、配線32a〜32cと、を備えている。誘電膜30は、ウレタンゴム製である。電極31aは、誘電膜30の上面の略全体を覆うように、配置されている。同様に、電極31bは、誘電膜30の下面の略全体を覆うように、配置されている。電極31aには、配線32a、32bが接続されている。すなわち、電極31aは、配線32aを介して、外部負荷(図略)に接続されている。また、電極31aは、配線32bを介して、電源(図略)に接続されている。電極31bは、配線32cにより接地されている。電極31a、31bは、いずれも本発明の導電性架橋体からなる。
本発明のフレキシブル配線板は、伸縮可能な弾性基材と、該弾性基材の表面に配置されている配線と、を備え、該配線の少なくとも一部は、本発明の導電性架橋体からなる。本発明のフレキシブル配線板においても、上述した本発明の導電性架橋体の好適な態様を採用することが望ましい。以下、本発明のフレキシブル配線板の実施形態を説明する。
本発明の電磁波シールドは、本発明の導電性架橋体からなる。電磁波シールドは、電子機器の内部で発生した電磁波が外部に漏れるのを抑制したり、外部からの電磁波を内部へ侵入させにくくする役割を果たす。例えば、電子機器の筐体の内周面に、電磁波シールドを配置する場合には、本発明の導電性架橋体を形成するための混合溶液を、電子機器の筐体の内周面に塗布し、乾燥させればよい。また、上記トランスデューサの実施形態として示した静電容量型センサに、電磁波シールドを配置することもできる。例えば、カバーフィルム23aの上面と、カバーフィルム23bの下面と、を各々覆うように、電磁波シールドを配置すればよい(前出図2、図3参照)。この場合、本発明の導電性架橋体を形成するための混合溶液を、カバーフィルム23aの上面およびカバーフィルム23bの下面に塗布し、乾燥させればよい。さらに、電子機器の隙間にガスケットとして配置する場合には、本発明の導電性架橋体を、所望の形状に成形して用いればよい。
[実施例1〜4]
下記の表1に示す原料から、実施例1〜4の導電性架橋体を製造した。まず、カルボキシル基含有アクリルゴムポリマー(日本ゼオン(株)製「Nipol(登録商標)AR14」)、またはエポキシ基含有アクリルゴムポリマー(同「NipolAR42W」)と、導電剤(ライオン(株)製「ケッチェンブラック(登録商標)EC−600JD」)と、をロール練り機にて混練りし、ゴム組成物を調製した。次に、調製したゴム組成物を、アセチルアセトンに溶解した。続いて、この溶液に、所定の有機金属化合物を添加して、混合した。ここで、アセチルアセトンは、アクリルゴムポリマーを溶解させる溶媒であると共に、有機金属化合物のキレート剤である。その後、混合溶液を基材上にバーコート法により塗布し、乾燥させた後、150℃で約60分間加熱して導電性架橋体を得た。なお、有機金属化合物については、以下のものを使用した。
テトラ−n−ブトキシチタン:日本曹達(株)製「B−1」
ジルコニウムテトラアセチルアセトネート:マツモトファインケミカル(株)製「オルガチックス(登録商標)ZC150」
ポリヒドロキシチタンステアレート:マツモトファインケミカル(株)製「オルガチックスTPHS」
下記の表1に示す原料から、比較例1の導電性材料を製造した。まず、エポキシ基含有アクリルゴムポリマー(同上)と、架橋促進剤のジメチルジチオカルバミン酸亜鉛(大内新興化学(株)製「ノクセラー(登録商標)PZ」)、およびジメチルジチオカルバミン酸第二鉄(大内新興化学(株)製「ノクセラーTTFE」)と、をロール練り機にて混合し、ゴム組成物を調製した。次に、調製したゴム組成物を、メチルエチルケトン(MEK)に溶解した。そして、この溶液に、導電剤(同上)を添加して、分散させた。続いて、調製した溶液を、基材上にバーコート法により塗布した。その後、塗膜が形成された基材を、約170℃の乾燥炉内に約30分間静置して、塗膜を乾燥させると共に、架橋反応を進行させて、導電性材料を得た。
下記の表1に示す原料から、比較例2の導電性材料を製造した。まず、エポキシ基含有アクリルゴムポリマー(同上)を、MEKに溶解した。次に、この溶液に、導電剤(同上)を添加して、分散させた。続いて、調製した溶液を、基材上にバーコート法により塗布した。その後、塗膜が形成された基材を、約150℃の乾燥炉内に約30分間静置して、塗膜を乾燥させて、導電性材料を得た。
[架橋性]
まず、導電性架橋体等から作製した試験片1gを、MEK30gに浸漬した。そのまま室温で4時間静置した後、試験片を取り出して乾燥させた。そして、乾燥後の試験片の質量を測定し、初期の質量に対する乾燥後の質量割合(MEK不溶分)を算出した。
導電性架橋体等の弾性率を、JIS K7127(1999)に準じた引張試験における応力−伸び曲線から、算出した。試験片の形状は、試験片タイプ2とした。また、導電性架橋体等の切断時伸びを、JIS K 6251(2004)に準じて測定した。試験片には、ダンベル状5号形を用いた。
まず、導電性架橋体等から、幅10mmの短冊状の試験片を作製した。続いて、試験片の中央部を中心として、30mm間隔の標線を付けた。次に、試験片の両端をジグで把持し(把持間隔40mm)、標線間距離が60mmになるように、試験片を伸長した(伸長率100%)。この状態で、60℃のオーブンに入れ、24時間静置した。それから、試験片をオーブンから取り出して、ジグを外し、30分間室温にて静置した。その後、標線間距離を測定した。そして、永久伸びを、次式(I)により算出した。
永久伸び(%)=(d−30)/30×100・・・(I)
[d:自然収縮後の標線間距離]
導電性架橋体等の体積抵抗率を、JIS K6271(2008)の平行端子電極法に準じて測定した。この際、導電性架橋体等(試験片)を支持する絶縁樹脂製支持具として、市販のブチルゴムシート(タイガースポリマー(株)製)を用いた。
次のようにして被着体を作製した。まず、アクリロニトリルブタジエンゴムポリマー(日本ゼオン(株)製「Nipol DN202」)100質量部に、シリカ(東ソー・シリカ(株)製「Nipsil(登録商標)VN3」)10質量部を加えて、二本ロールで混練りした。続いて、架橋剤(日油(株)製「パークミル(登録商標)D−40」)10質量部を加えて混練りし、ゴム組成物を調製した。そして、調製したゴム組成物を、170℃で約15分間プレス架橋した後、さらに150℃のオーブン中で4時間保持することにより、二次架橋を行った。このようにして、薄膜状の被着体(膜厚約100μm)を作製した。作製した被着体の体積抵抗値を測定したところ、2.7×1012Ωcmであった。
まず、導電性架橋体等から、直径約20mm、厚さ約30μmの円形の試験片を、2枚作製した。次に、これらの試験片を、被着体の表裏両面に一枚ずつ配置して、試験用素子を作製した。なお、試験片は、被着体を介して対向するように配置した。それから、試験片から被着体への不純物の移動を促進させるために、試験用素子を150℃のオーブンに入れ、1時間静置した。試験用素子をオーブンから取り出して室温に戻した後、一対の試験片を電極として、100Vの電圧を印加した。そして、被着体の体積抵抗率を測定した。
まず、導電性架橋体等から、縦38mm、横20mm、厚さ約10μmの長方形の試験片を、2枚作製した。次に、これらの試験片を、縦50mm、横25mm、厚さ約100μmの長方形の被着体の表裏両面に一枚ずつ配置して、試験用素子を作製した。そして、作製した試験用素子を、試験装置に設置して、一対の試験片を電極として電圧を印加した時の、被着体に流れる電流を測定した。図6に、試験装置に取り付けられた試験用素子の表側正面図を示す。図7に、図6のVII−VII方向断面図を示す。
導電性架橋体等の評価結果を、上記表1にまとめて示す。表1に示すように、実施例の導電性架橋体におけるMEK不溶分は、100%に近い値となった。これにより、実施例の導電性架橋体においては、架橋が充分に進行していることが確認された。これに対して、比較例1の導電性材料のMEK不溶分は、78%であった。つまり、比較例1の導電性材料においては、実施例の導電性架橋体と比較して、架橋が進行していないことがわかる。なお、比較例2の導電性材料は、架橋させていないので、MEK不溶分は0%であった。
Claims (8)
- エラストマー製の誘電膜と、該誘電膜を介して配置されている複数の電極と、複数の該電極と各々接続されている配線と、を備え、
該電極および該配線の少なくとも一方は、活性水素または活性水素を持つ求核性置換基と反応可能な官能基を有するゴムポリマーと、有機金属化合物と、導電剤と、を含む導電性組成物から合成され、架橋構造を有し伸縮可能な導電性架橋体からなることを特徴とするトランスデューサ。 - 前記有機金属化合物は、金属アルコキシド化合物、金属アシレート化合物、および金属キレート化合物から選ばれる一種以上である請求項1に記載のトランスデューサ。
- 前記有機金属化合物は、ケイ素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、ガリウム、マグネシウム、亜鉛、およびホウ素から選ばれる一種以上の元素を含む請求項1または請求項2に記載のトランスデューサ。
- 前記架橋構造は、前記ゴムポリマーの前記官能基と前記有機金属化合物との反応により形成されている請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のトランスデューサ。
- 前記官能基は、カルボキシル基、ヒドロキシ基、アミノ基、およびエポキシ基から選ばれる一種以上である請求項4に記載のトランスデューサ。
- 前記導電剤は、カーボンブラックを含む請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のトランスデューサ。
- 前記導電剤の含有量は、前記導電性架橋体の体積を100vol%とした場合の0.1vol%以上35vol%以下である請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のトランスデューサ。
- 複数の前記電極間に印加された電圧に応じて、前記誘電膜が伸縮するアクチュエータである請求項1ないし請求項7のいずれかに記載のトランスデューサ。
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