JP5565494B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
また本発明は、基板上に形成された第一電極上に、少なくとも発光層および電子輸送層を含む薄膜層と、薄膜層上に形成された第二電極とを含む有機電界発光素子であって、前記電子輸送層が下記一般式(4)で表される有機化合物とドナー性化合物とを含み、ドナー性化合物がフッ化リチウム、アルカリ金属と有機物との錯体またはアルカリ土類金属と有機物との錯体であることを特徴とする発光素子である。
R 60 〜R 75 はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基および−P(=O)R 76 R 77 からなる群より選ばれる。R 76 およびR 77 はアリール基またはヘテロアリール基である。R 60 〜R 77 は隣接する置換基同士で環を形成してもよい。A 4 はアリーレン基またはヘテロアリーレン基である。但し、R 62 およびR 64 の少なくとも1つがアリール基またはヘテロアリール基であるか、もしくはR 63 がアルキル基またはシクロアルキル基である。)
本発明の発光素子は、各種機器等のバックライトとしても好ましく用いられる。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が検討されているパソコン用途のバックライトに本発明の発光素子は好ましく用いられ、従来のものより薄型で軽量なバックライトを提供できる。
ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板(ジオマテック(株)製、11Ω/□、スパッタ品)を38×46mmに切断し、エッチングを行った。得られた基板を “セミコクリーン56”(商品名、フルウチ化学(株)製)で15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10−4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔注入材料として、銅フタロシアニンを10nm、正孔輸送材料として、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニルを50nm蒸着した。次に、発光材料に、ホスト材料として化合物(H−1)を、ドーパント材料として化合物(D−1)をドープ濃度が5重量%になるようにして40nmの厚さに蒸着した。次に、有機化合物(1E−1)とドナー性化合物(フッ化リチウム)を混合した層を、電子輸送層として蒸着速度比1:1(=0.05nm/s:0.05nm/s)で20nmの厚さに蒸着して積層した。
ホスト材料、ドーパント材料、電子輸送層として表1〜2に記載した材料を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。各実施例の結果は表1〜2に示した。
電子輸送層としてドナー性化合物を用いなかったこと以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を10mA/cm2で直流駆動したところ、駆動電圧6.4V、外部量子効率4.2%の高効率青色発光が得られた。
ホスト材料、ドーパント材料、電子輸送材料として表1〜2に記載した材料を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。各比較例の結果は表1〜2に示した。
ITO透明導電膜を165nm堆積させたガラス基板(ジオマテック(株)製、11Ω/□、スパッタ品)を38×46mmに切断し、エッチングを行った。得られた基板を “セミコクリーン56”(商品名、フルウチ化学(株)製)で15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10−4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔注入材料として、1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリルを10nm、正孔輸送材料として、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニルを50nm蒸着した。次に、発光材料に、ホスト材料として化合物(H−1)を、ドーパント材料として化合物(D−2)をドープ濃度が5%になるようにして40nmの厚さに蒸着した。次に、有機化合物(1E−1)とドナー性化合物(リチウムキノリノール)を蒸着速度比1:1(=0.05nm/s:0.05nm/s)で混合した層を、電子輸送層として10nmの厚さに積層した。
ホスト材料、ドーパント材料、電子輸送層として表3〜6に記載した材料を用いた以外は、実施例13と同様にして発光素子を作製した。各実施例の結果は表3〜6に示した。
ホスト材料、ドーパント材料、電子輸送材料として表3〜6に記載した材料を用いた以外は、実施例13と同様にして発光素子を作製した。各比較例の結果は表3〜6に示した。
Claims (7)
- 基板上に形成された第一電極上に、少なくとも発光層および電子輸送層を含む薄膜層と、薄膜層上に形成された第二電極とを含む有機電界発光素子であって、前記電子輸送層が下記一般式(3)で表される有機化合物とドナー性化合物とを含み、ドナー性化合物がフッ化リチウム、アルカリ金属と有機物との錯体またはアルカリ土類金属と有機物との錯体であることを特徴とする発光素子。
- 基板上に形成された第一電極上に、少なくとも発光層および電子輸送層を含む薄膜層と、薄膜層上に形成された第二電極とを含む有機電界発光素子であって、前記電子輸送層が下記一般式(4)で表される有機化合物とドナー性化合物とを含み、ドナー性化合物がフッ化リチウム、アルカリ金属と有機物との錯体またはアルカリ土類金属と有機物との錯体であることを特徴とする発光素子。
- 前記ドナー性化合物が、アルカリ金属と有機物との錯体またはアルカリ土類金属と有機物との錯体であることを特徴とする請求項1または2記載の発光素子。
- 発光層がりん光発光材料を含有することを特徴とする1〜3のいずれか記載の発光素子。
- 前記有機化合物中のピレンが、電子受容性窒素を有するヘテロアリール環構造を含む置換基を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか記載の発光素子。
- 第二電極がマグネシウムと銀で構成されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか記載の発光素子。
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