JP5561022B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
R 8 〜R 19 はそれぞれ独立に水素、炭化水素のみからなるアルキル基または炭化水素のみからなるアリール基であり、YおよびZはピレン骨格との連結に用いられる。ただし、式(2)においては、R 10 が炭化水素のみからなるアリール基であるか、R 9 およびR 11 が炭化水素のみからなるアリール基である。
本発明の発光素子は、各種機器等のバックライトとしても好ましく用いられる。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が検討されているパソコン用途のバックライトに本発明の発光素子は好ましく用いられ、従来のものより薄型で軽量なバックライトを提供できる。
ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板(ジオマテック(株)製、11Ω/□、スパッタ品)を38×46mmに切断し、エッチングを行った。得られた基板を “セミコクリーン56”(商品名、フルウチ化学(株)製)で15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10−4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔注入材料として、1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリルを10nm、正孔輸送材料として、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニルを50nm蒸着した。次に、発光材料に、ホスト材料として化合物(H−1)を、ドーパント材料として化合物(D−1)をドープ濃度が5重量%になるようにして40nmの厚さに蒸着した。次に、化合物(E−1)とドナー性化合物(フッ化リチウム)を混合した層を、電子輸送層として蒸着速度比1:1(=0.05nm/s:0.05nm/s)で20nmの厚さに蒸着して積層した。
ホスト材料、ドーパント材料、電子輸送層として表1に記載した材料を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。各実施例の結果は表1に示した。なお、表1中、(E−3)および(2E−1)は下記に示す化合物である。
ホスト材料、ドーパント材料、電子輸送材料として表1に記載した材料を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。各比較例の結果は表1に示した。なお、表1中、(E−4)〜(E−6)は下記に示す化合物である。
ホスト材料、ドーパント材料、電子輸送層として表2に記載した材料を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。各実施例の結果は表2に示した。なお、表2中、(H−2)〜(H−8)、(D−2)〜(D−10)は下記に示す化合物である。
ホスト材料、ドーパント材料、電子輸送材料として表2に記載した材料を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。各比較例の結果は表2に示した。
ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板(ジオマテック(株)製、11Ω/□、スパッタ品)を38×46mmに切断し、エッチングを行った。得られた基板を “セミコクリーン56”(商品名、フルウチ化学(株)製)で15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10−4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔注入材料として、1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリルを10nm、正孔輸送材料として、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニルを50nm蒸着した。次に、発光材料に、ホスト材料として化合物(H−1)を、ドーパント材料として化合物(D−1)をドープ濃度が5重量%になるようにして40nmの厚さに蒸着した。次に、化合物(E−1)とドナー性化合物(2E−1:リチウムキノリノール)を蒸着速度比1:1(=0.05nm/s:0.05nm/s)で混合した層を、電子輸送層として20nmの厚さに積層した。
電子輸送層として表3に記載した材料を用いた以外は、実施例18と同様にして発光素子を作製した。各実施例の結果は表3に示した。
ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板(ジオマテック(株)製、11Ω/□、スパッタ品)を38×46mmに切断し、エッチングを行った。得られた基板を “セミコクリーン56”(商品名、フルウチ化学(株)製)で15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10−4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔注入材料として、1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリルを10nm、正孔輸送材料として、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニルを50nm蒸着した。次に、発光材料に、ホスト材料として化合物(H−1)を、ドーパント材料として化合物(D−1)をドープ濃度が5重量%になるようにして40nmの厚さに蒸着した。次に電子輸送層1として(E−1)を5nmの厚さに蒸着した後、化合物(E−7)とドナー性化合物(2E−1)を混合した層を、電子輸送層2として蒸着速度比1:1(=0.05nm/s:0.05nm/s)で15nmの厚さに蒸着して積層した。
電子輸送層2として化合物(E−8)とドナー性化合物(2E−1)を混合した層を用いた以外は、実施例20と同様にして発光素子を作製した。結果は表4に示した。
電子輸送層1として化合物(E−4)を用いた以外は、実施例24と同様にして発光素子を作製した。結果は表4に示した。
発光材料を蒸着した後、電子輸送層1を蒸着せずに直接電子輸送層2を積層した以外は実施例24と同様にして発光素子を作製した。結果は表4に示した。
Claims (6)
- 陽極と陰極の間に少なくとも発光層および電子輸送層が存在し、電気エネルギーにより発光する発光素子であって、前記電子輸送層に下記一般式(1)で表されるピレン化合物を含有することを特徴とする発光素子。
R 8 〜R 19 はそれぞれ独立に水素、炭化水素のみからなるアルキル基または炭化水素のみからなるアリール基であり、YおよびZはピレン骨格との連結に用いられる。ただし、式(2)においては、R 10 が炭化水素のみからなるアリール基であるか、R 9 およびR 11 が炭化水素のみからなるアリール基である。) - Xがtert−ブチル基であることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 電子輸送層がさらにドナー性化合物を含む請求項1または2記載の発光素子。
- ドナー性化合物がアルカリ金属、アルカリ金属を含有する無機塩、アルカリ金属と有機物との錯体、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属を含有する無機塩またはアルカリ土類金属と有機物との錯体である請求項3記載の発光素子。
- ドナー性化合物がアルカリ金属と有機物との錯体またはアルカリ土類金属と有機物との錯体である請求項5記載の発光素子。
- 陰極がマグネシウムと銀で構成される請求項1〜5のいずれか記載の発光素子。
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