TWI601803B - 發光元件 - Google Patents

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Description

發光元件
本發明係有關一種作為電荷輸送材料有用的芘化合物或蒽化合物、及使用此等之發光元件，可利用於顯示元件、平面顯示裝置、背光、照明、室內設計、標誌、看板、電子照相機及光信號發生器等範圍之發光元件。
近年來積極進行硏究有關有機薄膜發光元件，其係自陰極注入的電子與自陽極注入的電洞在夾於兩極之有機螢光體內進行再結合時發光。該發光元件之特徵為薄型且在低驅動電壓下高亮度發光、與藉由選擇發光材料之多色發光，受到注目。
該硏究係自柯達(kodak)公司之C.W. Tang等人展示具有高亮度的發光的有機薄膜元件以後，很多硏究機關進行硏究。柯達公司之硏究團隊所提案的有機薄膜發光元件之典型構成，係在ITO玻璃基板上順序設置電洞輸送性之二胺化合物、發光層之8-羥基喹啉鋁、及作為陰極之Mg:Ag者，可在約10V之驅動電壓進行1,000cd/m2之綠色發光(參照非專利文獻1)。
另外，有機薄膜發光元件由於藉由發光層中使用各種螢光材料，可得多種發光色，故盛行對於顯示裝置等實用化之硏究。在三原色中之發光材料中，綠色發光材料之硏究最先進，而現在於紅色發光材料與藍色發光材料中，著重深入硏究特性之提高。
於有機薄膜發光元件中，必須滿足發光效率之提高、驅動電壓之降低、耐久性之提高。其中，發光效率低時，無法產生所需要高亮度之影像出力，故為使企求的亮度出力時之消耗電力量增多。為提高發光效率時，開發各種發光材料(例如參照專利文獻1～5)。而且，揭示在作為電子輸送層所使用的材料中摻雜鹼金屬的技術(參照專利文獻6～10)。
專利文獻
專利文獻1：國際公開WO2005/113531號手冊
專利文獻2：國際公開WO2005/115950號手冊
專利文獻3：國際公開WO2007/29798號手冊
專利文獻4：國際公開WO2008/108256號手冊
專利文獻5：國際公開WO2008/143229號手冊
專利文獻6：日本特開2000-348864(申請專利範圍第6項)
專利文獻7：日本特開2004-277377(申請專利範圍第7項)
專利文獻8：日本特開2003-347060(申請專利範圍第1項)
專利文獻9：日本特開2002-352961(申請專利範圍第1項)
專利文獻10：日本特開2004-2297(申請專利範圍第1、15、16項)
非專利文獻
非專利文獻1：“Applied Physics Letters”，(美國)，1987年，51卷，12號，p. 913-915
然而，於專利文獻1～5之方法，有關全部RGB之發光，為改善發光效率時，必須進行改善各發光材料。作為更為簡單地提高發光效率時的方法之一，利用來自發光層之發光與來自陰極之反射光的干涉效果之方法，惟其最適合的條件係於為使薄膜層予以厚膜化時，會有導致驅動電壓上昇的情形。
另外，專利文獻6～10之習知組合中，使低電壓驅動與高發光效率之並存不充分。
本發明以解決習知技術之問題，且提供使高發光效率與低驅動電壓並存的有機薄膜發光元件為目的。
本發明之發光元件，其係含有在基板上所形成的第一電極上至少含發光層及電子輸送層之薄膜層、及在薄膜層上所形成的第二電極之有機電場發光元件，其特徵為前述電子輸送層含有以下述一般式(1)所示之有機化合物與給予性化合物。
(Y係為經取代或未經取代的芘或經取代或未經取代的蒽中任何一種。A1係為選自單鍵、亞芳基及雜亞芳基所成群者。Ar係選自咔唑基、二苯并呋喃基、及二苯并苯硫基所成群者。此等之基可經取代、亦可未經取代。n1係為1～3之整數。)
(發明之效果)
藉由本發明，可提供一種使高發光效率與低驅動電壓並存的有機電場發光裝置。
(實施發明之態樣)
詳細說明有關本發明之發光元件的實施態樣。本發明之發光元件，具有第一電極與第二電極、及存在於此等之間的有機層，該有機層至少含有發光層，該發光層藉由電能量發光。
有機層除僅由發光層所形成的構造外，例如有1)電洞輸送層/發光層/電子輸送層、2)發光層/電子輸送層、3)電洞輸送層/發光層等之積層構成。而且，上述各層可各自為單一層，或複數層中任何一種。具有數層的電洞輸送層及電子輸送層時，使連接電極側之層各稱為電洞注入層及電子注入層，於下述說明中只要沒有特別提及時，電洞注入材料含於電洞輸送材料，電子注入材料含於電子輸送材料。
於本發明之發光元件中，電子輸送層含有以下述一般式(1)所示之化合物與給予性化合物。
Y係為經取代或未經取代的芘或經取代或未經取代的蒽中任何一種。A1係為選自單鍵、亞芳基及雜亞芳基所成群者。Ar係選自咔唑基、二苯并呋喃基、及二苯并苯硫基所成群者。此等之基可經取代、亦可未經取代。n1係為1～3之整數。藉由該混合物層之作用，可促進電子自陰極輸送至發光層，使高發光效率與低驅動電壓並存。於下述中，詳細說明有關各成分。
以一般式(1)所示之化合物，例如上述專利文獻1～5中記載，具有作為發光材料、特別是藍色主材料之有效功能，惟於本發明中作為電子輸送材料之功能。其次，本發明藉由將以一般式(1)所示之化合物與特定的給予性化合物組合使用，可使高發光效率與低驅動電壓並存所成者。
一般而言，電子輸送材料必須有效地輸送來自陰極之電子，電子注入效率高，有效地輸送注入的電子為宜。因此，要求電子親和力大、電子移動度大、且安定性優異，於製造時及使用時不易產生形成阱之雜質的物質。特別是使膜厚為厚厚地積層時，由於低分子量之化合物進行結晶化等，容易導致膜質惡化，故以使用保持安定的膜質、分子量為400以上之化合物較佳。以一般式(1)所示之化合物，係為滿足該條件之化合物，由於含有芘或蒽骨架，電子輸送性、電化學安定性優異。而且，藉由使選自體積大的芳香族雜環基之咔唑啉基、二苯并呋喃基、二苯并苯硫基之取代基經由芳基或雜芳基導入，可在維持具有芘或蒽骨架之高電子輸送能力下，製得安定的膜質。另外，藉由導入上述取代基，可提高與給予性化合物之薄膜狀態的相溶性，而顯現更高的電子輸送能力。
以一般式(1)所示之化合物為具有芘骨架時，以下述之化合物較佳。
R1～R18係各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、羥基羰基、胺基甲醯基、胺基、甲矽烷基及-P-(=O)R19R20所成群者。R19及R20係為芳基或雜芳基，R1～R20亦可以相鄰的取代基彼此之間形成環。n2係為1～3之整數。X2係選自-O-、-S-及-NR21-所成群者。R21係選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、芳基、雜芳基及胺基所成群者。R21亦可與R11或R18鍵結形成環。A2係為選自單鍵、亞芳基及雜亞芳基所成群者。R1～R10中任何n2個及R11～R21中任一個與A2連接使用。惟R3、R6、R8中至少一個為與R1為不同的基。
以一般式(2)所示之芘化合物，R3、R6、R8中至少一個與R1為不同的基時，由於會降低分子之對稱性，且可形成良質的非晶質薄膜，故較佳。
而且，以一般式(2)所示之芘化合物，R1為芳基或雜芳基時，藉由A2中至少一個可在R6或R8之位置鍵結，可抑制芘化合物彼此之間之相互作用，具有高的發光效率，故較佳。R1為芳基時更佳。此外，R2為烷基或環烷基，藉由A2中至少一個可在R6或R8之位置鍵結，由於可提高分子之非晶性，形成安定的薄膜，故較佳。
本發明中以一般式(2)所示之芘化合物，就原料取得性、或容易合成而言，以一般式(3)或(4)所示之芘化合物較佳。
R30～R46係各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、羥基羰基、胺基甲醯基、胺基、甲矽烷基及-P-(=O)R47R48所成群者。R47及R48係為芳基或雜芳基。R30～R48亦可以相鄰的取代基彼此之間形成環。A3係為亞芳基或雜芳基。惟R32及R34中至少一個為芳基或雜芳基，或R33為烷基或環烷基。
R60～R75係各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、羥基羰基、胺基甲醯基、胺基、甲矽烷基及-P-(=O)R76R77所成群者。R76及R77係為芳基或雜芳基。R60～R77亦可以相鄰的取代基彼此之間形成環。A4係為亞芳基或雜芳基。惟R62及R64中至少一個為芳基或雜芳基，或R63為烷基或環烷基。
另外，可列舉較佳的態樣為例如一般式(2)中至少一個R11～R18、或一般式(3)中至少一個R39～R46係為選自烷基、環烷基、芳基及雜芳基之基，或一般式(4)中R62及R64為氫，R63為烷基，R67為芳基或雜芳基。另外，R11～R18中至少相鄰的2個、或R39～R46中至少相鄰的2個鍵結形成環，亦為較佳的態樣。藉由該構造，由於可抑制芘化合物彼此之間之相互作用，而可形成高的發光效率，且提高薄膜安定性，故較佳。
而且，以一般式(1)所示之化合物具有蒽骨架時，以下述之化合物較佳。
此處，R80～R97係各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、羰基、酯基、胺基甲醯基、胺基、甲矽烷基及-P-(=O)R98R99所成群者。R98及R99係為芳基或雜芳基。R80～R99亦可以相鄰的取代基彼此之間形成環。n5係為1～2之整數。X5係選自-O-、-S-及-NR100-所成群者。R100係選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、芳基、雜芳基及胺基所成群者。R100亦可與R90或R97鍵結形成環。A5係選自單鍵、亞芳基及雜亞芳基所成群者。R80～R89中任何n5個及R90～R100中任一個與A5連接使用。
其中，一般式(5)之R90～R97，至少一個選自氫、烷基、環烷基、烷氧基、苯基、萘基、雜芳基時，可提高薄膜安定性，且形成發光效率高的發光元件。
於本發明以一般式(5)所示之化合物中，就原料取得性、或容易合成而言，以一般式(6)或(7)所示之蒽化合物較佳。
此處，R110～R126係各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、苯基、烷基取代苯基、烷氧基取代苯基、芳基取代苯基、萘基、烷基取代萘基、烷氧基取代萘基、芳基取代萘基、菲基、烷基取代菲基、烷氧基取代菲基、芳基取代菲基、雜芳基、甲矽烷基所成群者。A6係為雜亞芳基、或碳數為6以上12以下之亞芳基。
此處，R140～R148係各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、羰基、酯基、胺基甲醯基、胺基、甲矽烷基及-P-(=O)R156R157所成群者。R156及R157係為芳基或雜芳基。R149～R155係各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、烷氧基、苯基、萘基、雜芳基。A7係為選自單鍵、亞芳基或雜芳基。
此外，一般式(6)之R114或一般式(7)之R144，較佳的態樣可列舉選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烷氧基、烷硫基、芳基、雜芳基、胺基、甲矽烷基及與相鄰取代基之間所形成的環構造所成群。藉由採用該構造，由於可抑制蒽化合物間之相互作用，而可形成高的發光效率，且可提高薄膜安定性，故較佳。
而且，於上述之取代基中，烷基例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基等之飽和脂肪族烴基，此等可具有取代基，亦可不具取代基。被取代時所添加之取代基沒有特別的限制，可列舉例如烷基、芳基、雜芳基等，該點與下述記載相同。而且，烷基之碳數沒有特別的限制，但就取得之容易性或成本而言，通常為1以上20以下，較佳者為1以上8以下之範圍。
環烷基例如環丙基、環己基、冰片基、金剛烷基等之飽和脂環式烴基，此等可具有取代基，亦可不具取代基。烷基部分之碳數，沒有特別的限制，但通常為3以上20以下之範圍。
雜環基例如吡喃環、哌啶環、環狀醯胺等之在環內具有碳數以外之原子的脂肪族環，此等可具有取代基，亦可不具取代基。雜環基之碳數沒有特別的限制，但通常為2以上20以下之範圍。
烯基例如乙烯基、烯丙基、丁二烯基等含有雙鍵之不飽和脂肪族烴基，此等可具有取代基，亦可不具取代基。烯基之碳數沒有特別的限制，但通常為2～20之範圍。
環烯基例如環戊烯基、環戊二烯基、環己烯基等含雙鍵之不飽和脂環式烴基，此等可具有取代基，亦可不具取代基。
炔基例如乙炔基等含三鍵之不飽和脂肪族烴基，此等可具有取代基，亦可不具取代基。炔基之碳數，沒有特別的限制，但通常為2～20之範圍。
烷氧基例如甲氧基、乙氧基、丙氧基等之經由醚鍵鍵結有脂肪族烴基的官能基，該脂肪族烴基可具有取代基、亦可不具取代基。烷氧基之碳數沒有特別的限制，但通常為1以上20以下之範圍。
烷硫基係為烷氧基之醚鍵的氧原子被硫原子取代者。烷硫基之烴基可具有取代基，亦可不具取代基。烷硫基之碳數沒有特別的限制，但通常為1以上20以下之範圍。
芳醚基例如苯氧基等之經由醚鍵鍵結有芳香族烴基之官能基，芳香族烴基可具有取代基、亦可不具取代基。芳醚基之碳數沒有特別的限制，但通常為6以上40以下之範圍。
芳硫醚基係為芳醚基之醚鍵的氧原子被硫原子取代者。芳醚基之芳香族烴基可具有取代基，亦可不具取代基。芳醚基之碳數沒有特別的限制，但通常為6以上40以下之範圍。
芳基例如苯基、萘基、聯苯基、菲基、聯三苯基等之芳香族烴基。芳基亦可具有取代基、亦可不具取代基。芳基之碳數沒有特別的限制，但通常為6～40之範圍。
雜芳基係為吡啶基、喹啉基、吡基、啶基、二苯并呋喃基、二苯并苯硫基、咔唑基等之在一個或複數個環內具有碳以外的原子之環狀芳香族基，此等可不經取代、亦可經取代。雜芳基之碳數沒有特別的限制，但通常為2～30之範圍。雜芳基之鍵結位置可為任意部分、例如為吡啶基時，可為2-吡啶基、3-吡啶基或4-吡啶基中任何一種。
鹵素原子係為氟、氯、溴、碘。羰基、羧基、羥基羰基、胺基甲醯基、胺基、氧化膦基，可具有取代基、亦可不具取代基，取代基例如烷基、環烷基、芳基、雜芳基等，此等取代基亦可另外被取代。
甲矽烷基例如三甲基甲矽烷基等之具有鍵結於矽原子之官能基，此等可具有取代基，亦可不具取代基。甲矽烷基之碳數，沒有特別的限制，但通常為3～20之範圍。而且，矽數通常為1～6。
亞芳基係為苯基、萘基、聯苯基、菲基、聯三苯基等之芳香族烴基所衍生的2價基，此等可具有取代基，亦可不具取代基。亞芳基之碳數沒有特別的限制，但通常為6～40之範圍。一般式(1)之A為亞芳基時，該亞芳基可具有取代基，亦可不具取代基，包含取代基之碳數為6～30之範圍。
雜亞芳基係為自吡啶基、喹啉基、吡基、啶基、二苯并呋喃基、二苯并苯硫基、咔唑基等之在一個或複數個環內具有碳以外的原子之環狀芳香族基所衍生的二價基，此等可不經取代、亦可經取代。雜亞芳基之碳數沒有特別的限制，但通常包含取代基為2～30之範圍。
在相鄰的取代基彼此之間形成環時，可使任意的相鄰2取代基(例如一般式(1)之R1與R2)互相鍵結，形成共軛或非共軛的縮合環。縮合環之構成元素，除碳以外亦可含有氮、氧、硫、磷、矽原子，另外亦可與其他的環縮合。如上述之有機化合物，沒有特別的限制，但具體列舉下述之例。
於本發明之發光元件中，第一電極與第二電極具有於元件發光時充分供應電流時之作用，為取出光時，以至少一方為透明或半透明為宜。通常，在基板上所形成的第一電極為透明電極，以該極為陽極，以第二電極為陰極。
第一電極中所使用的材料，可有效地使電洞注入有機層的材料，且為取出光時，為透明或半透明時，為氧化錫、氧化銦、氧化錫銦(ITO)、氧化鋅銦(IZO)等之導電性金屬氧化物、或金、銀、鉻等之金屬、碘化銅、硫化銅等之無機導電性物質、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺等之導電性聚合物等，沒有特別的限制，以使用ITO玻璃或奈塞玻璃(NESA GLASS)更佳。此等之電極材料，可單獨使用，亦可積層或混合數種材料使用。透明電極之電阻，只要是元件之發光可供應充分的電流即可，沒有特別的限制，就元件消耗電力而言，以低電阻較佳。例如，為300Ω/□以下之ITO基板時，作為元件電極之功能，目前可供應約10Ω/□之低電阻的基板，以約20Ω/□以下之低電阻的基板更佳。ITO之厚度，可在符合電阻值下任意選擇，通常大多在100~300nm之間使用。
另外，為保持發光元件之機械強度時，以在基板上形成發光元件較佳。基板以使用鹼玻璃或無鹼玻璃等之玻璃基板為宜。玻璃基板之厚度，由於為保持機械強度時之充分厚度即可，為0.5mm以上時即為充分。有關玻璃之材質，由於自玻璃之溶出離子少者較佳，故以無鹼玻璃較佳。此外，由於在市面上有販售施有SiO2等之障礙塗覆的鹼石灰玻璃，故可使用該物。另外，第一電極具有安定的功能時，基板不一定必須為玻璃，例如亦可在塑膠基板上形成陽極。ITO膜形成方法，不特別受到電子線束法、濺射法及化學反應法等所限制。
第二電極所使用的材料，只要是使電子有效地注入發光層的物質即可，沒有特別的限制。一般而言，以鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋁、銦等金屬、以及此等金屬與鋰、鈉、鉀、鈣、鎂等之低功函數金屬合金或多層積層等較佳。其中，主成分就電阻值或製膜處理性、膜之安定性、發光效率等而言，以鋁、銀、鎂較佳。特別是以鎂與銀所構成時，電子容易注入本發明之電子輸送層及電子注入層中，可形成低電壓驅動，故較佳。
另外，為保護第二電極時，例如以使鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋁及銦等之金屬、或使用此等金屬之合金、二氧化矽、二氧化鈦及氮化矽等之無機物、聚乙烯醇、聚氯化乙烯基、烴系高分子化合物等之有機高分子化合物積層於第二電極上作為保護膜層為較佳例。惟自第二電極側取出光之元件構造(頂部發射構造)時，保護膜層為選自在可見光範圍內具有光透過性之材料。此等電極之製作法，有電阻加熱法、電子線束法、濺射法、離子分布法及塗覆法等，沒有特別的限制。
電洞輸送層可藉由積層或混合一種或二種以上之電洞輸送材料的方法、或使用電洞輸送材料與高分子黏合劑之混合物的方法予以形成。另外，亦可於電洞輸送材料中添加如氯化鐵(III)之無機鹽，形成電洞輸送層。電洞輸送材料，必須在提供電場之電極間、有效地輸送來自正極之電洞，故以電洞注入效率高、可有效地輸送經注入的電洞為宜。因此，要求保持適當的離子化正電位，使電洞移動度大，且安定性優異，於製造時及使用時不易產生形成阱之雜質的物質。滿足該條件之物質，雖沒有特別的限制，惟以4,4’-雙(N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基)聯苯、4,4’-雙(N-(1-萘基)-N-苯基胺基)聯苯、4,4’,4”-參(3-甲基苯基(苯基)胺基)三苯基胺等之三苯基胺衍生物、雙(N-烯丙基咔唑)或雙(N-烷基咔唑)等之雙咔唑衍生物、吡唑啉衍生物、芪系化合物、腙系衍生物、苯并呋喃衍生物或噻吩衍生物、噁二唑衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物等之雜環化合物、富勒烯衍生物、聚合物系係在側鏈具有上述單體之聚碳酸酯或苯乙烯衍生物、聚噻吩、聚苯胺、聚芴、聚乙烯基咔唑及聚矽烷等較佳。
另外，亦可使用p型Si、p型SiC等之無機化合物。而且，亦可使用以下述一般式(8)所示之化合物、四氟四氰基喹二甲烷(4F-TCNQ)或氧化鉬。
R170～R175係各自相同或不同地選自鹵素、磺醯基、羰基、硝基、氰基、三氟甲基所成群者。
其中，化合物(9)(1,4,5,8,9,12-六氮雜三亞苯基六羰腈)，包含於電洞輸送層或電洞注入層中時，為自鄰接於發光層之電洞輸送層強烈地除去電子時，由於使多數的電洞注入於發光層，緩和層間之能量障礙，形成較低的電壓驅動，故較佳。
於本發明中，發光層可為單層，亦可為數層，藉由各發光材料(主要材料、摻雜材料)形成，該物可為主要材料與摻雜材料之混合物，亦可為單獨的主要材料，任一種皆可。換言之，本發明之發光元件，於各發光層中可僅由主要材料或摻雜材料發光，亦可由主要材料與摻雜材料同時發光。就有效地利用電能量，且可得高色純度之發光而言，發光層以主要材料與摻雜材料之混合物較佳。而且，主要材料與摻雜材料可各為一種類，亦可為數種類組合，任一種皆可。摻雜材料可包含於主要材料全體中，或包含於部分中。摻雜材料可被積層，亦可被分散，任一種皆可。摻雜材料可控制發光色。摻雜材料之量過多時，由於會引起濃度消光現象，對主要材料而言以使用20重量%以下較佳，以10重量%以下更佳。摻雜方法可藉由與主要材料之共蒸鍍法形成，亦可預先與主要材料混合後，同時進行蒸鍍處理。
具體而言，發光材料可使用習知作為發光體之蒽或芘等之縮合環衍生物、以參(8-喹啉酸)鋁為始的金屬螯合化羥基化物化合物、雙苯乙烯基蒽衍生物或二苯乙烯基苯衍生物等之雙苯乙烯基衍生物、四苯基丁二烯衍生物、茚衍生物、香豆素衍生物、噁二唑衍生物、吡咯并吡啶衍生物、紫環酮衍生物、環戊二烯衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑并吡啶衍生物、二苯并呋喃衍生物、咔唑衍生物、吲并咔唑衍生物、聚合物系為聚亞苯基次苯乙烯基衍生物、聚對亞苯基衍生物、以及聚噻吩衍生物等，沒有特別的限制。
發光材料中所含有的主要材料，沒有特別的限制，可使用萘、蒽、菲、芘、1,2-苯并菲、稠四苯、三鄰亞苯、苝、熒蒽、芴、茚等之具有縮合芳香環的化合物或其衍生物、N,N’-二萘基-N,N’-二苯基-4,4’-二苯基-1,1’-二胺等之芳香族胺衍生物、參(8-喹啉酸)鋁(III)為始的金屬螯合化羥基化物化合物、二苯乙烯基苯衍生物等之雙苯乙烯基衍生物、四苯基丁二烯衍生物、茚衍生物、香豆素衍生物、噁二唑衍生物、吡咯并吡啶衍生物、紫環酮衍生物、環戊二烯衍生物、吡咯并吡咯衍生物、噻二唑并吡啶衍生物、二苯并呋喃衍生物、咔唑衍生物、吲并咔唑衍生物、咔啉衍生物、吡啶并吲衍生物、三衍生物、聚合系係為聚亞苯基伸乙烯基衍生物、聚對亞苯基衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚噻吩衍生物等，沒有特別的限制。其中，發光層於進行磷光發光時所使用的主要材料，以使用金屬螯合化羥基化物化合物、1,2-苯并菲衍生物、聯萘基衍生物、二苯并呋喃衍生物、咔唑衍生物、吲并咔唑衍生物、咔啉衍生物、吡啶并吲衍生物、三衍生物等為宜。
摻雜材料沒有特別的限制，例如萘、蒽、菲、芘、1,2-苯并菲、聯三伸苯、苝、熒蒽、芴、茚等之具有縮合芳香環之化合物或其衍生物(如2-(苯并噻唑-2-基)-9,10-二苯基蒽或5,6,11,12-四苯基稠四苯等)、呋喃、吡咯、噻吩、矽咯(silole)、9-矽芴、9,9’-旋二矽芴、苯并噻吩、苯并呋喃、吲、二苯并噻吩、二苯并呋喃、咪唑并吡啶、啡啉、吡啶、吡、啶、喹啉、吡咯并吡啶、噻噸酮等之具有雜芳基環之化合物及其衍生物、硼烷衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、4,4’-雙(2-(4-二苯基胺基苯基)次乙基)聯苯、4,4’-雙(N-(苯乙烯-4-基)-N-苯基胺基)芪等之胺基苯乙烯基衍生物、芳香族乙炔衍生物、四苯基丁二烯衍生物、芪衍生物、醛連氮衍生物、亞甲吡咯衍生物、二酮吡咯并[3,4-c]吡咯衍生物、2,3,5,6-1H,4H-四氫-9-(2’-苯并噻唑基)喹啉基[9,9a,1-gh]香豆素等之香豆素衍生物、咪唑、噻唑、噻二唑、咔唑、噁唑、噁二唑、三唑等之唑衍生物及其金屬錯合物及N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲苯基)-4,4’-二苯基-1,1’-二胺等為典型的芳香族胺衍生物。此外，發光層於進行磷光發光時所使用的摻雜劑，以至少含有一種選自銥(Ir)、銣(Ru)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鋨(Os)、及錸(Re)所成群的金屬之金屬錯合物較佳，配位子以具有苯基吡啶骨架或苯基喹啉骨架等之含氮芳香族雜環較佳。然而，不受此等所限制，就所要求的發光色、元件性能、與主要化合物之關係而言，選擇適當的錯合物。
於電子輸送層中使用本發明之一般式(1)～(7)所示之化合物時，於上述中在發光層中具有磷光發光材料，由於可藉由優異的電子注入特性與電子輸送特性形成更高的發光效率，故較佳。磷光發光材料之較佳組合，可列舉例如上述金屬螯合化羥基化合物、二苯并呋喃衍生物、咔唑衍生物、吲并咔唑衍生物、咔啉衍生物、吡啶并吲衍生物、三衍生物等之組合。於發光層中使用該化合物時，可使磷光發光之量子收率高，且更為提高發光元件之發光效率。金屬螯合化羥基化合物中所含的金屬，以銥、鈀、鉑等較佳，其中以銥更佳。
較佳的磷光發光性材料或摻雜劑，沒有特別的限制，具體可例舉下所述之例。
於本發明中，電子輸送層係為自陰極注入電子，再輸送電子之層。電子輸送層以電子注入效率高，可有效地輸送經注入的電子為宜。因此，電子輸送層以電子親和力大、且電子移動度大、及安定性優異，且於於製造時及使用時不易產生形成阱之雜質的物質所構成為宜。然而，考慮電洞與電子之輸送平衡性時，為達成電子輸送層不會與來自陽極之電洞再結合下，可達成有效地阻止流入陰極側的作用的效果時，以電子輸送能力不高的材料構成，為提高發光效率之效果，以電子輸送能力高的材料構成時具有同等的效果。而且，本發明之電子輸送層中，亦可包含可有效地阻滯電動移動的電洞阻止層作為相同作用者。
以一般式(1)～(7)所示之化合物，係為滿足上述條件的化合物，由於具有高的電子注入輸送能力，適合作為電子輸送材料使用。
以一般式(1)～(7)所示之化合物，為含有芘骨架與特定取代基時，電子注入輸送性、電化學安定性優異。而且，藉由導入上述取代基，可提高下述給予性化合物之薄膜狀態下的相溶性，且具有更高的電子注入輸送能力。藉由該混合物層之作用，可促進電子自陰極輸送至發光層，且使高發光效率與低驅動電壓並存。
另外，本發明之一般式(1)～(7)所示之化合物，具有含具電子容受性氮之雜芳基環構造的取代基時，就自陰極注入電子或輸送電子能力而言較佳。該取代基以直接或經由鍵結基鍵結於芘或蒽較佳。
本發明之電子容受性氮，係表示在與相鄰原子之間形成多重鍵結之氮原子。由於氮原子具有高的電負度，該多重鍵結具有電子容受的性質。換言之，含電子容受性氮之雜芳基環，藉由具有高的電子親和性，且電子輸送能力優異，於電子輸送層中使用具有該物之材料，可減低發光元件之驅動電壓。含有電子容受性氮之雜芳基環，例如吡啶環、吡環、嘧啶環、喹啉環、啶環、嘧啶并嘧啶環、苯并喹啉環、啡啉環、咪唑環、噁唑環、噁二唑環、三唑環、噻唑環、噻二唑環、苯并噁唑環、苯并噻唑環、苯并咪唑環、菲并咪唑環等。
其中，具有吡啶環、嘧啶環、三環等之6碳環構造之以一般式(1)～(7)所示之化合物較佳，以具有吡啶環時更佳。於吡啶環中，3-吡啶基直接鍵結於芘或蒽時，由於電子注入或電子輸送能力變得更高，且形成低驅動電壓，故更佳。
而且，含有具電子容受性氮之雜芳基環構造之取代基，經由鍵結基鍵結時，鍵結基以亞芳基或雜亞芳基較佳，此等亦可以被烷基取代。特別是亦包含取代基的碳數3～12之亞芳基或雜亞芳基較佳，以亞苯基更佳。
本發明所使用的電子輸送材料，並不僅限於以本發明之一般式(1)～(7)所示化合物各一種類，混合本發明數種化合物使用，在不會損害本發明效果之範圍內，亦可使一種以上之其他的電子輸送材料與本發明化合物混合。混合的電子輸送材料，沒有特別的限制，例如萘、蒽、芘等之具有縮合芳基環之化合物或其衍生物、4,4’-雙(二苯基乙烯基)聯苯為典型的苯乙烯系芳香環衍生物、苝衍生物、紫環酮衍生物、香豆素衍生物、萘醯亞胺衍生物、蒽醌或二酚醌等之醌衍生物、氧化磷衍生物、咔唑衍生物及吲衍生物、參(8-喹啉酸)鋁(III)等之喹啉酚錯合物或羥基苯基噁唑錯合物等之羥基唑錯合物、偶氮次甲基錯合物、酚酮金屬錯合物及黃酮醇金屬錯合物，就可減低驅動電壓而言，以使用含有具電子容受性氮之雜芳基環構造的化合物較佳。
此等具有雜芳基環構造之化合物，例如苯并咪唑衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、三唑衍生物、吡衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三衍生物、啡啉衍生物、喹啉衍生素、喹啉衍生物、苯并喹啉衍生物、二吡啶或第3-吡啶等之低聚吡啶衍生物、喹啉衍生物及啶衍生物等為較佳的化合物。
其中，參(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯等之咪唑衍生物、1,3-雙[(4-第3-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑基]亞苯基等之噁二唑衍生物、N-萘基-2,5-二苯基-1,3,4-三唑等之三唑衍生物、貝索古布羅茵(Bathocuproin)或1,3-雙(1,10-啡啉-9-基)苯等之啡啉衍生物、2,2’-雙(苯并[h]喹啉-2-基)-9,9’-旋二芴等之苯并喹啉衍生物、2,5-雙(6’-(2’,2”-二吡啶基))-1,1-二甲基-3,4-二苯基矽咯等之二吡啶衍生物等之二吡啶衍生物、1,3-雙(4’-(2,2’:6’,2”-第3-吡啶基))苯等之第3-吡啶衍生物、雙(1-萘基)-4-(1,8-啶-2-基)苯基氧化膦等之萘啶衍生物，就電子輸送能力而言較佳。
其次，說明有關給予性化合物。本發明之給予性化合物，藉由改善電子注入障壁，容易使電子自第二電極或電子注入層注入電子輸送層，且提高電子輸送層之電傳導性的化合物。換言之，本發明之發光元件，為提高電子輸送能力時，在電子輸送層中為提高電子輸送能力時摻雜給予性化合物。
本發明之摻雜性化合物的較佳例，如含有鹼金屬、鹼土金屬之無機鹽、鹼金屬與有機物之錯合物、鹼土金屬、含有鹼土金屬之無機鹽或鹼土金屬與有機物之錯合物等。鹼金屬、鹼土金屬之較佳種類，可列舉以低功函數提高電子輸送能力之效果大的鋰、鈉、銫之鹼金屬、或鎂、鈣之鹼土金屬。
而且，就真空中之蒸鍍處理之容易處理性優異而言，與無機鹽、或有機物之錯合物的狀態較金屬單體為佳。此外，就在大氣中之處理性容易、且添加濃度之控制容易性而言，以與有機物之錯合物的狀態更佳。無機鹽之例子可列舉LiO、Li2O等之氧化物、氮化物、LiF、NaF、KF等之氟化物、Li2CO3、Na2CO3、K2CO3、Rb2CO3、Cs2CO3等之碳酸鹽等。而且，就原料低價、容易合成而言，鹼金屬或鹼土金屬之較佳可列舉鋰。此外，與有機物之錯合物的有機物之較佳例，如喹啉酚、苯并喹啉酚、呋喃酚、羥基咪唑吡啶、羥基苯并唑、羥基三唑等。其中，以鹼金屬與有機物之錯合物較佳，以鋰與有機物之錯合物更佳。具體而言，以鋰與具有含電子容受性氮之雜芳基環的化合物之錯合物較佳，以鋰喹啉酚更佳。
另外，電子輸送層中之給予性化合物的摻雜比例適當時，增加電子自陰極或電子注入層至電子輸送層之注入比例，且減輕陰極與電子注入層間或電子注入層與電子輸送層間之能量障礙，予以低驅動電壓化。適當的摻雜濃度，係視材料或摻雜範圍之膜厚而不同，有機化合物與給予性化合物之莫耳比例以100:1～1:100之範圍較佳，以10:1～1:10更佳。
在電子輸送層中摻雜給予性化合物，提高電子輸送能力之方法，薄膜層之膜厚變厚時，特別是發揮效果者。電子輸送層及發光層之合計膜厚為50nm以上時更佳。例如為提高發光效率時，利用干涉效果的方法，惟自發光層直接放射的光，使以陰極反射的光之相位整合，提高取光之取出效率者。該最適條件係視光之發光波長而定予以變化，電子輸送層及發光層之合計膜厚變為50nm以上，為紅色等之長波長發光時，形成約100nm之厚膜。
摻雜的電子輸送層之膜厚，可為部分或全部的電子輸送層，惟電子輸送層全體之膜厚愈厚，摻雜的濃度愈濃愈佳。部分摻雜時，以至少在電子輸送層/陰極界面設置摻雜範圍為宜，僅摻雜於陰極界面附近，仍可得低電壓化的效果。另外，給予性化合物被摻雜於發光層中時，受到發光效率降低的不良影響時，以在發光層/電子輸送層界面上設置無摻雜範圍為宜。
構成發光元件之上述各層的形成方法，為電阻加熱蒸鍍、電子束蒸鍍、濺射、分子積層法、塗覆法等，沒有特別的限制，通常就元件特性的觀點而言，以電阻加熱蒸鍍或電子束蒸鍍較佳。
有機層之厚度，由於亦視發光物質之電阻值而定，無法予以限定，以1～1000nm較佳。發光層、電子輸送層、電洞輸送層之膜厚，各以1nm以上200nm以下較佳，更佳者為5nm以上100nm以下。
本發明之發光元件，具有可使電能量變換成光之功能。此處，主要使用直流電流作為電能量，惟亦可使用脈衝電流或交流電流。電流值及電壓值沒有特別的限制，就考慮元件之消耗電力或壽命時，選擇儘可能低的能量，可得最大亮度。
本發明之發光元件，例如適合使用作為以矩陣及/或區段(segment)方式表示的顯示裝置。
矩陣方式係於顯示時之畫素予以格子狀或嵌鑲狀等二次元配置，以集合畫素來顯示文字或影像。畫素的形狀或尺寸係視用途予以決定。例如電腦、螢幕、電視之影像及文字顯示，通常使用一邊為300μm以下之四角形畫素，且為如平面顯示之大型顯示裝置時，使用一邊為mm等級之畫素。為單色顯示時，可使相同顏色的畫素配列，為彩色顯示時，可使紅色、綠色、藍色之畫素並列予以顯示。此時，典型例為數位型與條紋型。其次，該矩陣之驅動方式，可為線順序驅動方法或主動矩陣中任何一種。線順序驅動之構造簡單，就考慮動作特性時，由於主動矩陣優異，此係必須視用途而定予以區分。
本發明之區段方式為形成顯示預先決定的資訊之圖型，且為使該圖型之配置所決定的範圍予以發光的方式。例如，數位時鐘或溫度計之時間或溫度顯示、視訊機器或電磁調理器等之運作狀態顯示及汽車之平板表示等。其次，亦可使上述矩陣顯示與區段顯示共存於相同的平板中。
本發明之發光元件，較佳者亦可作為各種機器等之背光使用。背光主要以提高不會自行發光之顯示裝置的視認性為目的時使用，使用於液晶顯示裝置、時鐘、視訊裝置、汽車顯示板、顯示板及標誌等。特別是本發明之發光元件以使用於液晶顯示裝置、其中檢討薄型化之電腦用途之背光較佳，可提供較習知者更為薄型、輕量的背光。
於下述中，以實施例說明本發明，惟本發明不受此等實施例所限制。
實施例1
使堆積有150nm之ITO透明導電膜的玻璃基板(GEOMATEC)(股)製、11Ω/□、濺射品)切成38×46mm，進行蝕刻處理。使所得的基板以“SEMICOCLEAN 56”(商品名、FURUCHI化學(股)製)進行超音波洗淨15分鐘，以超純水洗淨。使該基板於製作元件前，進行UV-臭氧處理1小時，設置於真空蒸鍍裝置內，使裝置內之真空度排氣至5×10-4Pa以下為止予以排氣。藉由電阻加熱法，首先使10nm作為電洞注入材料之銅酞菁、使50nm作為電洞輸送材料之4,4’-雙(N-(1-萘基)-N-苯基胺基)聯苯予以蒸鍍。其次，在發光材料中使作為主要材料之化合物(H-1)、作為摻雜材料之化合物(D-1)以摻雜濃度為5重量%下蒸鍍成厚度40nm。然後，蒸鍍成厚度20nm之由有機化合物(1E-1)與給予性化合物(氟化鋰)以蒸鍍速度比1:1(=0.05nm/s:0.05nm/s)混合而成的層作為電子輸送層而予以積層。
然後，蒸鍍成0.5nm氟化鋰後，蒸鍍成1000nm鋁作為陰極，製作5×5mm寬之元件。此處所指的膜厚，係為水晶發振式膜厚螢幕顯示值。使該發光元件以10mA/cm2予以直流驅動時，可得驅動電壓為4.8V、外部量子效率為5.3%之高效率藍色發光。
實施例2～32
除使用表1～2記載的材料作為主要材料、摻雜材料、電子輸送層外，與實施例1相同地製作發光元件。各實施例之結果如表1～2所示。
比較例1
除沒有使用給予性化合物作為電子輸送層外，與實施例1相同地製作發光元件。使該發光元件以10mA/cm2進行直流驅動時，可得驅動電壓為6.4V、外部量子效率為4.2%之高效率藍色發光。
比較例2～8
除使用表1～2記載的材料作為主要材料、摻雜材料、電子輸送材料外，與實施例1相同地製作發光元件。各比較例之結果如表1～2。
實施例33
使堆積有165nm之ITO透明導電膜的玻璃基板GEOMATEC(股)製、11Ω/□、濺射品)切成38×46mm，進行蝕刻處理。使所得的基板以“SEMICOCLEAN 56”(商品名、FURUCHI化學(股)製)進行超音波洗淨15分鐘，以超純水洗淨。使該基板於製作元件前，進行UV-臭氧處理1小時，設置於真空蒸鍍裝置內，使裝置內之真空度排氣至5×10-4Pa以下為止予以排氣。藉由電阻加熱法，首先使10nm之1,4,5,8,9,12-六氮雜三亞苯基六羰腈作為電洞注入材料、蒸鍍成50nm之4,4’-雙(N-(1-萘基)-N-苯基胺基)聯苯作為電洞輸送材料。其次，在發光材料中使作為主要材料之化合物(H-1)、作為摻雜材料之化合物(D-2)以摻雜濃度為5重量%蒸鍍成厚度40nm。然後，積層成厚度為10nm之由有機化合物(1E-1)與給予性化合物(氟化鋰)以蒸鍍速度比1:1(=0.05nm/s:0.05nm/s)混合而成的層作為電子輸送層。
然後，蒸鍍成1nm喹啉酸鋰後，以蒸鍍速度比10:1(=0.5nm/s:0.05nm/s)蒸鍍成100nm之鎂與銀之共蒸鍍膜，作為陰極，製作5×5m寬之元件。此處所指的膜厚，係為水晶振動式膜厚螢幕顯示值。使該發光元件以10mA/cm2予以直流驅動時，可得驅動電壓為4.3V、外部量子效率為6.3%之高效率藍色發光。
實施例34～102
除使用表3～6記載的材料作為主要材料、摻雜材料、電子輸送層外，與實施例33相同地製作發光元件。各實施例之結果如表3～6所示。
比較例9～16
除使用表3～6記載的材料作為主要材料、摻雜材料、電子輸送材料外，與實施例33相同地製作發光元件。各比較例之結果如表3～6。
各實施例及比較例所使用的化合物，如下所示。
[產業上之利用價值]
本發明之發光元件材料，可提供一種可利用於發光元件等，薄膜安定性優異的發光元件材料。藉由本發明，可得高的發光效率與低驅動電壓並存的發光元件。本發明之發光元件，可利用於顯示元件、平面顯示裝置、背光、照明、室內裝置、標誌、看板、電子照相機及光信號發生器等之領域。

Claims (11)

  1. 一種發光元件，其係含有在基板上所形成的第一電極上至少含發光層及電子輸送層之薄膜層、及在薄膜層上所形成的第二電極之有機電場發光元件，其特徵為前述電子輸送層含有以下述一般式(2)或(5)所示之有機化合物與給予性化合物， (R1~R18係可各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、羥基羰基、胺基甲醯基、胺基、甲矽烷基及-P-(=O)R19R20所成群者；R19及R20係芳基或雜芳基，R1~R20亦可以相鄰的取代基彼此之間形成環，n2係1~3之整數，X2係選自-O-、-S-及-NR21-所成群者；R21係選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、芳基、雜芳基及胺基所成群者；R21亦可與R11或R18鍵結形成環；A2 係選自單鍵、亞芳基及雜亞芳基所成群者；R1~R10中任何n2個及R11~R21中任一個係用於與A2連接；惟R3、R6、R8中至少一個為與R1為不同的基；R80~R97係可各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、羰基、酯基、胺基甲醯基、胺基、甲矽烷基及-P-(=O)R98R99所成群者；R98及R99係芳基或雜芳基；R80~R99亦可以相鄰的取代基彼此之間形成環；n5係1~2之整數；X5係選自-O-、-S-及-NR100-所成群者；R100係選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、芳基、雜芳基及胺基所成群者；R100亦可與R90或R97鍵結形成環；A5係選自單鍵、亞芳基及雜亞芳基所成群者；R80~R89中任何n5個及R90~R100中任一個係用於與A5連接)。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中給予性化合物係鹼金屬、含鹼金屬之無機鹽、鹼金屬與有機物之錯合物、鹼土金屬、含鹼土金屬之無機鹽或鹼土金屬與有機物之錯合物。
  3. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中給予性化合物係鹼金屬與有機物之錯合物或鹼土金屬與有機物之錯合物。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之發光元件，其中發光層含有磷光發光材料。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之發光元件，其中電洞注入‧輸送層含有以下述一般式(8)所示之化合物， (R170~R175係可各自相同或不同地選自鹵素、磺醯基、羰基、硝基、氰基、三氟甲基所成群者)。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之發光元件，其中前述有機化合物係以下述一般式(3)所示， (R30~R46係可各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、羥基羰基、胺基甲醯基、胺基、甲矽烷基及-P-(=O)R47R48所成群者；R47及R48係芳基或雜芳基；R30~R48亦可以相鄰的取代基彼此之間形成環；A3係亞芳基或雜芳基；惟R32及R34中至少一個為芳基或雜芳基，或R33為烷基或環烷基)。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之發光元件，其中 前述有機化合物係以下述一般式(4)所示， (R60~R75係可各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、羥基羰基、胺基甲醯基、胺基、甲矽烷基及-P-(=O)R76R77所成群者；R76及R77係芳基或雜芳基；R60~R77亦可以相鄰的取代基彼此之間形成環；A4係亞芳基或雜芳基；惟R62及R64中至少一個為芳基或雜芳基，或R63為烷基或環烷基)。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之發光元件，其中前述有機化合物係以下述一般式(6)所示， (式中，R110~R126係可各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、 苯基、烷基取代苯基、烷氧基取代苯基、芳基取代苯基、萘基、烷基取代萘基、烷氧基取代萘基、芳基取代萘基、菲基、烷基取代菲基、烷氧基取代菲基、芳基取代菲基、雜芳基、甲矽烷基所成群者；A6係雜亞芳基、或羰數為6以上12以下之亞芳基)。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之發光元件，其中前述有機化合物係以下述一般式(7)所示， (式中，R140~R148係可各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、羰基、酯基、胺基甲醯基、胺基、甲矽烷基及-P-(=O)R156R157所成群者；R156及R157係芳基或雜芳基；R149~R155係可各自相同或不同地選自氫、烷基、環烷基、烷氧基、苯基、萘基、雜芳基；A7係選自單鍵、亞芳基或雜芳基)。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之發光元件，其中前述有機化合物中之芘或蒽係具有含有具電子容受性氮 之雜芳環構造的取代基。
  11. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之發光元件，其中第二電極係以鎂與銀所構成。
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