JP5326568B2 - 発光素子材料および発光素子 - Google Patents
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Description
化合物[22]の合成
1−ブロモピレン45g、4−メチルフェニルボロン酸21.7g、リン酸三カリウム34g、テトラブチルアンモニウムブロミド10.3g、酢酸パラジウム0.71gとジメチルホルムアミド1.6l(リットル)の混合溶液を窒素気流下、120℃で5時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水1.6lを注入し、室温で0.5時間撹拌した。析出した固体をろ取し、水200mlで2回洗浄した。得られた固体をジクロロメタン500mlに溶解し、硫酸マグネシウムで乾燥後、セライトを用いてろ過した。ろ液をエバポレートし、残さをメタノール200mlで2回洗浄し、析出した固体をろ取した。真空乾燥した後、1−(4−メチルフェニル)ピレン40gを得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):2.52(s, 3H), 7.38-8.37(m, 23H)。
化合物[7]の合成
4−[4−(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−2−イル)フェニル]ジベンゾフランの代わりに3−(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−2−イル)ジベンゾフランを用いた以外は合成例1と同様の方法で合成し、淡黄色結晶を得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られた淡黄色結晶が化合物[7]であることが確認された。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):2.52(s, 3H), 7.38-7.66(m, 8H), 7.86(s, 1H) , 7.98-8.26(m, 10H)。
化合物[28]の合成
4−メチルフェニルボロン酸の代わりに2−ナフタレンボロン酸を用いた以外は合成例1と同様の方法で合成し、淡黄色結晶を得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られた淡黄色結晶が化合物[28]であることが確認された。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):7.37-8.39(m, 26H)。
化合物[36]の合成
4−メチルフェニルボロン酸の代わりに4−ビフェニルボロン酸を用いた以外は合成例1と同様の方法で合成し、淡黄色結晶を得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られた淡黄色結晶が化合物[36]であることが確認された。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):7.37-8.39(m, 28H)。
化合物[132]の合成
ピレン4.1g、t−ブチルクロリド2gとジクロロメタン33mlの混合溶液を窒素気流下、0℃に冷やし、塩化アルミニウム2.7gを加えた。この混合溶液を室温で3時間撹拌した後、水30mlを注入し、ジクロロメタン30mlで抽出した。有機層を水20mlで2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥した後、2−t−ブチルピレン3g(含有率65%)を得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):1.60(s, 9H), 7.35-8.36(m, 23H)。
化合物[140]の合成
フェニルボロン酸の代わりに2−ナフタレンボロン酸を用いた以外は合成例5と同様の方法で合成し、白色結晶を得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色結晶が化合物[140]であることが確認された。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):1.61(s, 9H), 7.24-8.38(m, 25H)。
化合物[124]の合成
フェニルボロン酸の代わりに4−ジベンゾフランボロン酸、4−[4−(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−2−イル)フェニル]ジベンゾフランの代わりに4−ジベンゾフランボロン酸を用いた以外は合成例5と同様の方法で合成し、白色結晶を得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色結晶が化合物[124]であることが確認された。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):1.60(s, 9H), 7.31-7.77(m, 10H), 7.98-8.31(m, 11H)。
化合物[138]の合成
フェニルボロン酸の代わりに4−ビフェニルボロン酸を用いた以外は合成例5と同様の方法で合成し、白色結晶を得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色結晶が化合物[138]であることが確認された。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):1.61(s, 9H), 7.37-8.38(m, 27H)。
化合物[163]の合成
4−[4−(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−2−イル)フェニル]ジベンゾフランの代わりに2−[4−(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−2−イル)フェニル]ジベンゾフランを用いた以外は合成例1と同様の方法で合成し、淡黄色結晶を得た。得られた粉末の1H−NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られた淡黄色結晶が化合物[163]であることが確認された。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):2.52(s, 3H), 7.38-8.31(m, 23H)。
化合物[21]の合成
1−ブロモピレン9.4g、フェニルボロン酸4.5g、炭酸セシウム13g、(トリ−t−ブチルホスフィン)テトラフルオロホウ酸塩348mg、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)575mgと1,4−ジオキサン33mlの混合溶液を窒素気流下、100℃で3時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、セライトを用いてろ過した。ろ液をエバポレートし、濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥した後、1−フェニルピレン7.8gを得た。
1H−NMR(CDCl3(d=ppm)):7.38-8.38(m, 24H)。
30×40mmのガラス基板(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)上にITO導電膜をガラス基板中央部分に150nmの厚さで30×13mmの大きさに形成し陽極とした。陽極が形成された基板を “セミコクリン(登録商標)56”(フルウチ化学(株)製)で15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いて、イソプロピルアルコールで15分間超音波洗浄してから熱メタノールに15分間浸漬させて乾燥させた。素子を作製する直前にこの基板を1時間UV−オゾン処理し、さらに真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10−5Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔注入材料として、銅フタロシアニンを10nm、正孔輸送材料として、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニルを50nm蒸着した。次に、発光材料として、ホスト材料として、化合物[22]を、またドーパント材料として下記式に示すD−1をドープ濃度が5%になるように35nmの厚さに蒸着した。次に、電子輸送材料として、下記式に示すE−1を20nmの厚さに積層した。以上で形成した有機層上に、リチウムを0.5nmの厚さに蒸着した後、アルミニウムを1000nm蒸着して陰極とし、5×5mm角の素子を作製した。ここで言う膜厚は、水晶発振式膜厚モニターの表示値である。この発光素子を10mA/cm2で直流駆動したところ、発光効率6.6lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子を10mA/cm2の直流で連続駆動したところ、輝度半減時間は6400時間であった。
ホスト材料として表1に記載した材料を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。各実施例の結果は表1に示した。
ホスト材料として下記式に示すH−1を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を10mA/cm2で直流駆動したところ、発光効率3.0lm/Wの青色発光が得られた。この発光素子を10mA/cm2の直流で連続駆動したところ、400時間で輝度半減した。
ホスト材料として表1に記載した材料を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。各比較例の結果は表1に示した。なお表1のH−2、H−3、H−4、H−5、H−6、H−7は下記式で表される化合物である。
ドーパント材料として下記式に示すD−2をドープ濃度が2%となるように用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を10mA/cm2で直流駆動したところ、発光効率4.7lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子を10mA/cm2の直流で連続駆動したところ、輝度半減時間は4500時間であった。
ホスト材料およびドーパント材料として表2に記載した材料を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。各実施例の結果は表2に示した。なお表2のD−3、D−4、D−5、D−6、D−7、D−8は下記式で表される化合物である。
電子輸送材料として下記式で表されるE−2を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を10mA/cm2で直流駆動したところ、発光効率3.3lm/Wの高効率青色発光が得られた。この発光素子を10mA/cm2で直流駆動したところ、輝度半減時間は3200時間であった。
ホスト材料および電子輸送材料として表3に記載した材料を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。各実施例の結果は表3に示した。なお表2のE−3、E−4、E−5、E−6、E−7は下記式で表される化合物である。
ドーパント材料を用いなかったこと以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を10mA/cm2で直流駆動したところ、発光効率1.2lm/Wの青色発光が得られた。この発光素子を10mA/cm2の直流で連続駆動したところ、輝度半減時間は3500時間であった。
ホスト材料として化合物[132]を用いた以外は、実施例32と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を10mA/cm2で直流駆動したところ、発光効率0.9lm/Wの青色発光が得られた。この発光素子を10mA/cm2の直流で連続駆動したところ、輝度半減時間は3300時間であった。
ドーパント材料として下記に示すD−9をドープ濃度が5%となるように用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を10mA/cm2で直流駆動したところ、発光効率6.0lm/Wの高効率緑色発光が得られた。この発光素子を10mA/cm2の直流で連続駆動したところ、輝度半減時間は5000時間であった。
ドーパント材料として表4に記載した材料を用いた以外は、実施例34と同様にして発光素子を作製した。各実施例の結果は表4に示した。なお表4のD−10、D−11は下記式で表される化合物である。
ホスト材料として化合物[132]を用いた以外は、実施例34と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を10mA/cm2で直流駆動したところ、発光効率5.6lm/Wの高効率緑色発光が得られた。この発光素子を10mA/cm2の直流で連続駆動したところ、輝度半減時間は4900時間であった。
発光材料として、ホスト材料として化合物[22]を、ドーパント材料としてD−1をドープ濃度が5%になるように5nmの厚さに蒸着したのち、さらに発光材料として、ホスト材料として化合物[22]を、ドーパント材料として下記に示すD−12をドープ濃度が1%になるように30nmの厚さに積層した以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を10mA/cm2で直流駆動したところ、発光効率7.0lm/Wの高効率白色発光が得られた。この発光素子を10mA/cm2の直流で連続駆動したところ、輝度半減時間は7100時間であった。
ホスト材料として化合物[132]を用いた以外は、実施例38と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を10mA/cm2で直流駆動したところ、発光効率6.6lm/Wの高効率白色発光が得られた。この発光素子を10mA/cm2の直流で連続駆動したところ、輝度半減時間は6100時間であった。
30×40mmのガラス基板(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)上にITO導電膜をガラス基板中央部分に150nmの厚さで30×13mmの大きさに形成し陽極とした。陽極が形成された基板をアセトン、“セミコクリン(登録商標)56”(フルウチ化学(株)製)で各々15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いて、イソプロピルアルコールで15分間超音波洗浄してから熱メタノールに15分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、さらに真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10−4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔輸送材料として4,4’−ビス(N−(m−トリル)−N−フェニルアミノ)ビフェニルを150nm蒸着した。次に、ホスト材料として化合物[22]を、またドーパント材料としてD−1をドープ濃度が5%になるように35nmの厚さに蒸着した。次に、電子輸送材料として、E−1を20nmの厚さに積層した。ここで言う膜厚は、水晶発振式膜厚モニターの表示値である。次に、厚さ50μmのコバール板にウエットエッチングによって16本の250μm開口部(残り幅50μm、300μmピッチに相当)を設けたマスクを、真空中でITOストライプに直交するようにマスク交換し、マスクとITO基板が密着するように裏面から磁石で固定した。そしてリチウムを0.5nm有機層にドーピングした後、アルミニウムを200nm蒸着して32×16ドットマトリクス素子を作製した。本素子をマトリクス駆動させたところ、クロストークなく文字表示できた。
Claims (5)
- 一般式(1)で表されるピレン化合物を含有することを特徴とする発光素子材料。
(A)R 3 およびR 5 の少なくとも一つがアリール基またはヘテロアリール基である。
(B)R 3 およびR 5 が水素、R 4 がアルキル基、R 8 がアリール基またはヘテロアリール基である。) - Xがアリーレン基であることを特徴とする請求項1記載の発光素子材料。
- 陽極と陰極の間に少なくとも発光層が存在し、電気エネルギーにより発光する発光素子であって、発光素子が請求項1または2記載の発光素子材料を含有することを特徴とする発光素子。
- 発光層がホスト材料とドーパント材料を有し、一般式(1)で表される発光素子材料がホスト材料であることを特徴とする請求項3記載の発光素子。
- 発光層と陰極の間に少なくとも電子輸送層が存在し、電子輸送層が、電子受容性窒素を含み、さらに炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素、リンの中から選ばれる元素で構成されるヘテロアリール環構造を有する化合物を含有することを特徴とする請求項3記載の発光素子。
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