JP4962314B2 - 発光素子材料および発光素子 - Google Patents

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Description

本発明は、蛍光色素や電荷輸送材として有用なピレン化合物およびこれを用いた発光素子であって、表示素子、フラットパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標識、看板、電子写真機および光信号発生器などの分野に利用可能な発光素子に関するものである。
陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が両極に挟まれた有機発光体内で再結合する際に発光するという有機薄膜発光素子の研究が、近年活発に行われている。この発光素子は、薄型でかつ低駆動電圧下での高輝度発光と、発光材料を選ぶことによる多色発光が特徴であり、注目を集めている。
この研究は、コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって有機薄膜発光素子が高輝度に発光することが示されて以来、多くの研究機関が検討を行っている。コダック社の研究グループが提示した有機薄膜発光素子の代表的な構成は、ＩＴＯガラス基板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層であるトリス（８−キノリノラート）アルミニウム（III）、そして陰極としてＭｇ：Ａｇを順次設けたものであり、１０Ｖ程度の駆動電圧で１,０００ｃｄ／ｍ２の緑色発光が可能であった（非特許文献１参照）。
また、有機薄膜発光素子は、発光層に種々の蛍光材料を用いることにより、多様な発光色を得ることが可能であることから、ディスプレイなどへの実用化研究が盛んである。三原色の発光材料の中では緑色発光材料の研究が最も進んでおり、現在は赤色発光材料と青色発光材料において、特性向上を目指して鋭意研究がなされている。
有機薄膜発光素子における最大の課題の一つは、素子の耐久性である。特に青色に関しては、耐久性が優れ、信頼性の高い素子を提供する青色発光材料が少ない。例えば、青色ゲスト材料として、スチリルアミン誘導体（特許文献１参照）やペリレン誘導体（特許文献２参照）を用いる技術が開示されている。また、ピレン化合物を青色発光素子に用いる技術が開示されている。種々のピレン化合物（特許文献３〜５参照）を用いた青色発光素子が報告されているが、いずれも耐久性が不十分であった。
アプライド フィジックス レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）（米国）１９８７年、５１巻、１２号、ｐ．９１３−９１５ 特開平５−１７７６５号公報 （請求項１） 特開２００３−８６３８０号公報 （請求項３） 特開２００１−１１８６８２号公報（請求項１） 特開２００４−７５５６７号公報 （請求項１〜４） 国際公開第２００４／０９６９４５号パンフレット（特許請求の範囲）
上述のように、従来の有機薄膜発光素子では、発光効率が高く、かつ耐久性に優れた青色発光素子が提供されていなかった。そこで本発明は、従来技術の問題を解決し、発光効率が高く、かつ耐久性に優れた青色発光素子を可能にする発光素子材料、およびこれを用いた発光素子を提供することを目的とする。
本発明は、一般式（４）で表されるピレン化合物を含有することを特徴とする発光素子材料である。
Figure 0004962314
（Ｒ１６〜Ｒ２４はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アリール基、ヘテロアリール基の中から選ばれる。ただし、Ｒ １７ 、Ｒ ２０ 、Ｒ ２２ のうち少なくとも一つがアリール基またはヘテロアリール基である。Ｒ２５〜Ｒ２８はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、アリール基の中から選ばれる。Ｘ２は下記一般式（５）に示された基の中から選ばれる。）
Figure 0004962314
（Ｒ２９ はアルキル基、アリール基の中から選ばれる。）
また、本発明は、陽極と陰極の間に少なくとも発光層が存在し、電気エネルギーにより発光する発光素子であって、該発光素子が一般式（４）で表される発光素子材料を含有することを特徴とする発光素子である。
本発明は、発光素子等に利用可能な発光性能の高い発光素子材料を提供できる。さらに本発明によれば、上記発光素子材料を用いることによって、耐久性に優れた発光素子が得られる。
本発明における一般式（１）で表されるピレン化合物について詳細に説明する。
Figure 0004962314
Ｒ１〜Ｒ１０はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シアノ基、アミノ基の中から選ばれる。但し、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ６およびＲ８のうち少なくとも一つがアリール基またはヘテロアリール基であり、Ｒ１〜Ｒ１０のうち少なくとも一つは上記一般式（２）で表される置換基である。
Ｒ１１〜Ｒ１４はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基の中から選ばれる。Ｒ１１とＲ１２との間、Ｒ１２とＲ１３との間、またはＲ１３とＲ１４との間を介して炭素数４〜６の環を形成していても良い。但し、Ｒ１１〜Ｒ１４のうちいずれか一つは一般式（１）のピレン骨格との単結合に用いられる。Ｘ１は上記一般式（３）に示された基、Ｙ１〜Ｙ４は、窒素、炭素原子の中から選ばれる。但し、Ｙ１〜Ｙ４のうち少なくとも一つは窒素原子、かつ少なくとも一つは炭素原子であり、窒素原子の場合には窒素原子上の置換基は存在しない。
Ｒ１５は水素、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基の中から選ばれる。
これらの置換基のうち、アルキル基とは、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。置換されている場合の追加の置換基には特に制限は無く、例えば、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基等を挙げることができ、この点は、以下の記載にも共通する。また、アルキル基の炭素数は特に限定されないが、入手の容易性やコストの点から、通常１以上２０以下、より好ましくは１以上８以下の範囲である。
シクロアルキル基とは、例えば、シクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルキル基部分の炭素数は特に限定されないが、通常、３以上２０以下の範囲である。
複素環基とは、例えば、ピラン環、ピペリジン環、環状アミドなどの炭素以外の原子を環内に有する脂肪族環を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。複素環基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。
アルケニル基とは、例えば、ビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２〜２０の範囲である。
シクロアルケニル基とは、例えば、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基などの二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。
アルキニル基とは、例えば、エチニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルキニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２〜２０の範囲である。
アルコキシ基とは、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのエーテル結合を介して脂肪族炭化水素基が結合した官能基を示し、この脂肪族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、通常、１以上２０以下の範囲である。
アルキルチオ基とは、アルコキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。アルキルチオ基の炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アルキルチオ基の炭素数は特に限定されないが、通常、１以上２０以下の範囲である。
アリールエーテル基とは、例えば、フェノキシ基など、エーテル結合を介した芳香族炭化水素基が結合した官能基を示し、芳香族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アリールエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。
アリールチオエーテル基とは、アリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。アリールエーテル基における芳香族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アリールエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。
アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示す。アリール基は、置換基を有していても有していなくてもよい。アリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、６〜４０の範囲である。
ヘテロアリール基とは、例えば、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、ピリジル基、キノリニル基、カルバゾリル基などの炭素以外の原子を環内に有する芳香族基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。ヘテロアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、２〜３０の範囲である。
ハロゲン原子とは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示す。
カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、ホスフィンオキサイド基は、置換基を有していても有していなくてもよく、置換基は例えばアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基などが挙げられ、これら置換基はさらに置換されてもよい。
隣接基との間に形成される環とは、前記一般式（１）で説明すると、Ｒ１〜Ｒ１０の中から選ばれる任意の隣接２置換基（例えばＲ１とＲ２）が互いに結合して共役または非供役の縮合環を形成するものである。これら縮合環は環内構造に窒素、酸素、硫黄原子を含んでいてもよいし、さらに別の環と縮合していてもよいが、これら縮合環を構成する原子が炭素原子と水素原子のみであると、優れた耐熱性が得られるため好ましい。
本発明の一般式（１）で表されるピレン化合物は、分子中にピレン骨格と電子受容性複素環であるアゾール骨格とを有することにより、高い発光効率と優れた耐熱性を有している。ここで、一般式（１）のＲ１〜Ｒ１０のうちいずれか一つが結合する炭素と、一般式（２）のＲ１１〜Ｒ１４のうちいずれか一つが結合しているＹ1〜Ｙ4との間で、当該Ｒ１〜Ｒ１４に代えて単結合しているものが、原料の入手性や合成の容易さの点、さらに高効率発光が可能となる点から、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ８のうちいずれか一つが結合する炭素とＲ１１〜Ｒ１４のいずれか一つが結合しているＹ1〜Ｙ4との間で、当該置換基Ｒ１、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１１〜Ｒ１４に代えて単結合していることが好ましい。
また、一般式（２）のＲ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３、またはＲ１３とＲ１４の各置換基間で結合が形成されて炭素数４〜６の環を形成していると、高い発光効率と優れた耐熱性が得られるため好ましい。
さらに、原料の入手性や合成の容易さの点、さらに高効率発光と優れた耐熱性が得られる点から、一般式（４）で表されるピレン化合物であることが好ましい。
Figure 0004962314
Ｒ１６〜Ｒ２４はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シアノ基、アミノ基の中から選ばれる。Ｒ２５〜Ｒ２８はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリールエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、アミノ基の中から選ばれる。Ｘ２は下記一般式（５）に示された基の中から選ばれる。
Figure 0004962314
Ｒ２９は水素、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基の中から選ばれる。
また、本発明の一般式（１）または（４）で表されるピレン化合物は、Ｒ１〜Ｒ１０またはＲ１６〜Ｒ２４のうち少なくとも一つはアリール基またはヘテロアリール基であると、ピレン化合物同士の相互作用が抑制され、高効率発光が可能となるため好ましい。合成の容易さやピレン化合物同士の相互作用抑制効果の点から、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ８またはＲ１７、Ｒ２０、Ｒ２２のうち少なくとも一つがアリール基またはヘテロアリール基であることが好ましい。Ｒ１およびＲ６またはＲ１７およびＲ２２がアリール基またはヘテロアリール基であると、ピレン化合物同士の相互作用抑制効果が高くなるため、さらに好ましい。
上記のような一般式（１）または（４）で表されるピレン化合物として、特に限定されないが、具体的には以下のような例が挙げられる。
Figure 0004962314
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一般式（１）または（４）で表されるピレン化合物の合成には、公知の方法を使用することができる。ピレン骨格へアリール基もしくはヘテロアリール基を導入する方法は、例えば、パラジウム触媒またはニッケル触媒の存在下で、ハロゲン化ピレン誘導体とアリール誘導体もしくはヘテロアリール誘導体とのカップリング反応を用いる方法などが挙げられる。また、ピレン骨格へアゾリル基を導入する方法としては、例えば、パラジウム触媒下で、ハロゲン化ピレン誘導体とアゾール誘導体とのカップリング反応を用いる方法、ピレンアルデヒドやピレンカルボン酸誘導体と２−アミノフェノールや２−アミノチオフェノールとの縮合反応を用いる方法などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
次に、本発明における発光素子の実施形態について例をあげて詳細に説明する。本発明の発光素子は、少なくとも陽極と陰極、およびそれら陽極と陰極の間に介在する発光素子材料からなる有機層とで構成されている。
本発明で用いられる陽極は、正孔を有機層に効率よく注入できる材料であれば特に限定されないが、比較的仕事関数の大きい材料を用いるのが好ましく、例えば、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロールおよびポリアニリンなどの導電性ポリマーなどが挙げられる。これらの電極材料は、単独で用いてもよいが、複数の材料を積層または混合して用いてもよい。
電極の抵抗は、発光素子の発光に十分な電流が供給できればよく、発光素子の消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば、３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能になっていることから、１００Ω／□以下の低抵抗品を使用することが特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常１００〜３００ｎｍの間で用いられることが多い。
また、発光素子の機械的強度を保つために、発光素子を基板上に形成することが好ましい。基板としては、ソーダガラスや無アルカリガラスなどのガラス基板が好適に用いられる。ガラス基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、０．５ｍｍ以上あれば十分である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましいが、ＳｉＯ２などのバリアコートを施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用することもできる。さらに、陽極が安定に機能するのであれば、基板はガラスである必要はなく、例えば、プラスチック基板上に陽極を形成しても良い。ＩＴＯ膜形成方法は、電子線ビーム法、スパッタリング法および化学反応法など特に制限を受けるものではない。
本発明で用いられる陰極に用いられる材料としては、電子を有機層に効率良く注入できる物質であれば特に限定されないが、一般に白金、金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウムおよびこれらの合金などが挙げられる。電子注入効率をあげて素子特性を向上させるためには、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかしながら、これらの低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定であることが多く、例えば、有機層に微量のリチウムやマグネシウム（真空蒸着の膜厚計表示で１ｎｍ以下）をドーピングして安定性の高い電極を使用する方法が好ましい例として挙げることができる。また、フッ化リチウムのような無機塩の使用も可能である。更に、電極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウムおよびインジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チタニアおよび窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビニル、炭化水素系高分子化合物などを積層することが、好ましい例として挙げられる。これらの電極の作製法は、抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプレーティングおよびコーティングなど、導通を取ることができれば特に制限されない。
本発明の発光素子は、有機層が一般式（１）または（４）で表されるピレン化合物を含む発光素子材料により形成される。発光素子材料とは、自ら発光するもの、およびその発光を助けるもののいずれかに該当し、発光に関与している化合物を指すものであり、具体的には、正孔輸送材料、発光材料および電子輸送材料などが該当する。
本発明の発光素子を構成する有機層は、発光素子材料からなる少なくとも発光層から構成される。有機層の構成例としては、発光層のみからなる構成の他に、１）正孔輸送層／発光層／電子輸送層および、２）発光層／電子輸送層、３）正孔輸送層／発光層などの積層構成が挙げられる。また、上記各層は、それぞれ単一層からなってもよいし、複数層からなってもよい。正孔輸送層および電子輸送層が複数層からなる場合、電極に接する側の層をそれぞれ正孔注入層および電子注入層と呼ぶことがあるが、以下の説明では正孔注入材料は正孔輸送材料に、電子注入材料は電子輸送材料にそれぞれ含まれる。
正孔輸送層は、正孔輸送材料の一種または二種以上を積層、混合するか、正孔輸送材料と高分子結着剤の混合物により形成される。正孔輸送材料としては、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニル（フェニル）アミノ）トリフェニルアミンなどのトリフェニルアミン誘導体、ビス（Ｎ−アリルカルバゾール）またはビス（Ｎ−アルキルカルバゾール）などのビスカルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、ベンゾフラン誘導体やチオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体などの複素環化合物、ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリビニルカルバゾールおよびポリシランなどが好ましいが、発光素子の作製に必要な薄膜を形成し、陽極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されるものではない。
本発明において、発光層は単一層でも複数層からなってもどちらでもよく、それぞれ発光材料（ホスト材料、ドーパント材料）により形成され、これはホスト材料とドーパント材料との混合物であっても、ホスト材料単独であっても、いずれでもよい。すなわち、本発明の発光素子では、各発光層において、ホスト材料もしくはドーパント材料のみが発光してもよいし、ホスト材料とドーパント材料がともに発光してもよい。ホスト材料およびドーパント材料は、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであっても、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれでもよい。ドーパント材料は積層されていても、分散されていても、いずれでもよい。ドーパント材料の量は、多すぎると濃度消光現象が起きる場合があるため、ホスト材料に対して０．１重量％以上２０重量％以下で用いることが好ましく、さらに好ましくは０．５重量％以上１０重量％以下である。ドーピング方法としては、ドーパント材料とホスト材料との共蒸着法によって形成することができるが、ドーパント材料とホスト材料と予め混合してから同時に蒸着しても良い。
本発明の一般式（１）または（４）で表されるピレン化合物は発光材料として好適に用いられる。また、本発明のピレン化合物は、青色領域に強い発光を示すことから、青色発光材料として好適に用いられるが、これに限定されるものではなく、緑色〜赤色発光素子や白色発光素子用の材料としても用いることができる。本発明のピレン化合物はホスト材料として用いてもよいが、蛍光量子収率が高く、スペクトル半値幅が狭いことから、ドーパント材料として好適に用いられる。
本発明の一般式（１）または（４）で表されるピレン化合物のイオン化ポテンシャルは、特に限定されるものではないが、好ましくは５ｅＶ以上７ｅＶ以下であり、より好ましくは５．４ｅＶ以上６．４ｅＶ以下である。なお、イオン化ポテンシャルの絶対値は測定方法により異なることが報告されているが、本発明のイオン化ポテンシャルは、大気雰囲気型紫外線光電子分析装置（ＡＣ−１、理研機器（株）製）を用いて、ＩＴＯガラス基板上に３０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに蒸着した薄膜を測定した値である。
本発明で用いられるドーパント材料としては、前記ピレン化合物一種のみに限る必要はなく、複数のピレン化合物を混合して用いたり、既知のドーパント材料の一種類以上をピレン化合物と混合して用いてもよい。具体的には従来から知られている、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、トリフェニレン、ペリレン、フルオレン、インデンなどのアリール環を有する化合物やその誘導体、フラン、ピロール、チオフェン、シロール、９−シラフルオレン、９，９’−スピロビシラフルオレン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、インドール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、イミダゾピリジン、フェナントロリン、ピラジン、ナフチリジン、キノキサリン、ピロロピリジン、チオキサンテンなどのヘテロアリール環を有する化合物やその誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、アミノスチリル誘導体、芳香族アセチレン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、アルダジン誘導体、クマリン誘導体、イミダゾール、チアゾール、チアジアゾール、カルバゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾールなどのアゾール誘導体およびその金属錯体および４，４’−ビス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルに代表される芳香族アミン誘導体などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
発光材料に含有されるホスト材料としては、特に限定されるものではないが、以前から発光体として知られていたアントラセンやピレンなどの縮合アリール環を有する化合物やその誘導体、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルなどの芳香族アミン誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（III）をはじめとする金属キレート化オキシノイド化合物、ジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、インデン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルバゾール誘導体、ピロロピロール誘導体が好適に用いられる。またポリマー系としては、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体そして、ポリチオフェン誘導体が好適に用いられる。中でも、電子供与性置換基を有するアントラセン化合物をホスト材料として用いると、本発明のピレン化合物と組み合わせた際の耐久性向上効果が顕著になり、好ましい。
上記のようなアントラセン化合物として、特に限定されないが、具体的には以下のような例が挙げられる。
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本発明において、電子輸送層とは、陰極から電子が注入され、さらに電子を輸送することを司る層であり、電子注入効率が高く、注入された電子を効率良く輸送することが望ましい。そのためには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが要求される。しかしながら、正孔と電子の輸送バランスを考えた場合に、陽極からの正孔が再結合せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止できる役割を主に果たす場合には、電子輸送能力がそれ程高くなくても、発光効率を向上させる効果は電子輸送能力が高い材料と同等に有する。したがって、本発明における電子輸送層は、正孔の移動を効率よく阻止できる正孔阻止層も同義のものとして含まれる。
電子輸送層に用いられる電子輸送材料としては、特に限定されるものではないが、ナフタレン、アントラセンなどの縮合アリール環を有する化合物やその誘導体、４，４’−ビス（ジフェニルエテニル）ビフェニルに代表されるスチリル系芳香環誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノンやジフェノキノンなどのキノン誘導体、リンオキサイド誘導体、カルバゾール誘導体およびインドール誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（III）などのキノリノール錯体やヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体およびフラボノール金属錯体、電子受容性窒素を有するヘテロアリール環からなる化合物などが挙げられる。
本発明における電子受容性窒素とは、隣接原子との間に多重結合を形成している窒素原子を表す。窒素原子が高い電子陰性度を有することから、多重結合は電子受容的な性質を有する。それゆえ、電子受容性窒素を有するヘテロアリール環は、高い電子親和性を有する。電子受容性窒素を有するヘテロアリール環としては、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、キノリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、ピリミドピリミジン環、ベンゾキノリン環、フェナントロリン環、イミダゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズイミダゾール環およびフェナンスロイミダゾール環などが挙げられる。
また、本発明の電子受容性窒素を有するヘテロアリール環からなる化合物は、炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素、リンからなる群の中から選ばれる元素で構成されることが好ましい。これらの元素で構成された電子受容性窒素を有するヘテロアリール環からなる化合物は、高い電子輸送能を有し、駆動電圧を著しく低減することができる。
電子受容性窒素を有するヘテロアリール環からなり、かつ炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素、リンからなる群の中から選ばれる元素で構成される化合物としては、例えば、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、ビピリジンやターピリジンなどのオリゴピリジン誘導体、キノキサリン誘導体およびナフチリジン誘導体などが好ましい化合物として挙げられる。中でも、トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼンなどのイミダゾール誘導体、１，３−ビス［（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）１，３，４−オキサジアゾリル］フェニレンなどのオキサジアゾール誘導体、Ｎ−ナフチル−２，５−ジフェニル−１，３，４−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体、バソクプロインや１，３−ビス（２−フェニル−１，１０−フェナントロリン−９−イル）ベンゼンなどのフェナントロリン誘導体、２，２’−ビス（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレンなどのベンゾキノリン誘導体、２，５−ビス（６‘−（２’，２“−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロールなどのビピリジン誘導体、１，３−ビス（４’−（２，２’：６’２”−ターピリジニル））ベンゼンなどのターピリジン誘導体、ビス（１−ナフチル）−４−（１，８−ナフチリジン−２−イル）フェニルホスフィンオキサイドなどのナフチリジン誘導体が、電子輸送能の観点から好ましく用いられる。さらに、１，３−ビス（１，１０−フェナントロリン−９−イル）ベンゼン、２，７−ビス（１，１０−フェナントロリン−９−イル）ナフタレン、１，３−ビス（２−フェニル−１，１０−フェナントロリン−９−イル）ベンゼンなどのフェナントロリン二量体、および２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロールなどのビピリジン二量体は、本発明の一般式（１）または（４）で表されるピレン化合物と組み合わせた際の耐久性向上効果が著しく高く、特に好ましい例として挙げられる。
これらの電子輸送材料は単独でも用いられるが、上記電子輸送材料の２種以上を混合して用いたり、その他の電子輸送材料の一種以上を上記の電子輸送材料に混合して用いても構わない。また、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの金属と混合して用いることも可能である。電子輸送層のイオン化ポテンシャルは、特に限定されるものではないが、好ましくは５．８ｅＶ以上８ｅＶ以下であり、より好ましくは６ｅＶ以上７．５ｅＶ以下である。
発光素子を構成する上記各層の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コーティング法など特に限定されるものではないが、通常は、抵抗加熱蒸着または電子ビーム蒸着が素子特性の観点から好ましい。
層の厚みは、発光物質の抵抗値にもよるので限定することはできないが、１〜１０００ｎｍの間から選ばれる。発光層、電子輸送層、正孔輸送層の膜厚はそれぞれ、好ましくは１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
本発明の発光素子は、電気エネルギーを光に変換できる発光素子である。ここに電気エネルギーとは主に直流電流を指すが、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電力や寿命を考慮すると、できるだけ低いエネルギーで最大の輝度が得られるようにするべきである。
本発明の発光素子は、例えば、マトリクスおよび／またはセグメント方式で表示するディスプレイに好適に用いられる。
本発明におけるマトリクス方式とは、表示のための画素が格子状やモザイク状など二次元的に配置されたものをいい、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状やサイズは用途によって決まる。例えば、パソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が３００μｍ以下の四角形の画素が用いられ、また、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティブマトリクスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリクスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。
本発明におけるセグメント方式（タイプ）とは、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決められた領域を発光させることになる。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示および自動車のパネル表示などが挙げられる。そして、前記マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。
本発明の発光素子は、各種機器等のバックライトとしても好ましく用いられる。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途のバックライトとしては、従来のものが蛍光灯や導光板からなっているため薄型化が困難であることを考えると、本発明における発光素子を用いたバックライトは薄型で軽量であることが特徴となる。
以下、実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されない。なお、下記の各実施例にある化合物の番号は上の化学式に記載した化合物の番号を指す。また構造分析に関する評価方法を下記に示す。
１Ｈ−ＮＭＲは超伝導ＦＴＮＭＲ ＥＸ−２７０（日本電子（株）製）を用い、重クロロホルム溶液にて測定を行った。
参考例１（化合物［１４］の合成方法）
１−ブロモピレン５ｇ、Ｎ−ブロモスクシンイミド７．９ｇ、ジメチルホルムアミド１４０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、８０℃で１０時間撹拌した。室温に冷却した後、水４００ｍｌを注入し、析出物をろ過した。ろ別した固体を水５０ｍｌ、メタノール１００ｍｌ、ジクロロメタン２００ｍｌで洗浄した後、７０℃下で真空乾燥し、１，３，６−トリブロモピレン６．１ｇを淡黄土色粉末として得た。
上記２ｇの１，３，６−トリブロモピレン、４−メチルフェニルボロン酸２．５ｇ、リン酸三カリウム５．８ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．８８ｇ、酢酸パラジウム６１ｍｇと脱気したジメチルホルムアミド１３７ｍｌとの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で９時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水８００ｍｌを注入し、ジクロロメタン２００ｍｌで抽出した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートにより濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、７０℃下で真空乾燥し、１，３，６−トリ（４−メチルフェニル）ピレン１．８ｇを淡黄色粉末として得た。
上記１．５ｇの１，３，６−トリ（４−メチルフェニル）ピレン、Ｎ−ブロモスクシンイミド０．６８ｇ、ジメチルホルムアミド３０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、６０℃で６時間撹拌した。室温に冷却した後、水５０ｍｌを注入し、ジクロロメタン１００ｍｌで抽出した。有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートにより濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、７０℃下で真空乾燥し、１−ブロモ−３，６，８−トリ（４−メチルフェニル）ピレン１．５ｇを淡黄色粉末として得た。
上記４００ｍｇの１−ブロモ−３，６，８−トリ（４−メチルフェニル）ピレン、５−フェニルオキサゾール１６０ｍｇ、炭酸セシウム３５５ｍｇ、ヨウ化銅（Ｉ）２０ｍｇ、（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）テトラフルオロホウ酸塩９ｍｇ、酢酸パラジウム４ｍｇとジメチルホルムアミド１０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で６時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水３０ｍｌを注入し、ろ過した。エタノール３０ｍｌで洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、７０℃下で真空乾燥した後、化合物［１４］２５０ｍｇを黄色粉末として得た。得られた粉末の１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた粉末が化合物［１４］であることが確認された。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl３（d＝ppm））：2.50(ss, 9H), 7.09(s, 1H), 7.34-7.43(m, 17H), 8.06(s, 1H), 8.23(dd, 2H), 8.49(d, 1H), 8.87(s, 1H), 9.74(d, 1H)。
参考例２（化合物［１７］の合成方法）
１，３，６−トリブロモピレン２ｇ、４−メチル−１−ナフタレンボロン酸３．４ｇ、リン酸三カリウム５．８ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．８８ｇ、酢酸パラジウム６１ｍｇと脱気したジメチルホルムアミド１４０ｍｌとの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で９時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水５００ｍｌを注入し、ジクロロメタン２００ｍｌで抽出した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートにより濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、７０℃下で真空乾燥し、１，３，６−トリ（４−メチルナフタレン−１−イル）ピレン１．９ｇを乳白色粉末として得た。
上記１．９ｇの１，３，６−トリ（４−メチルナフタレン−１−イル）ピレン、Ｎ−ブロモスクシンイミド０．６４ｇ、ジメチルホルムアミド１５ｍｌの混合溶液を窒素気流下、６０℃で６時間撹拌した。室温に冷却した後、水５０ｍｌを注入し、ジクロロメタン１００ｍｌで抽出した。有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートにより濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、７０℃下で真空乾燥し、１−ブロモ−３，６，８−トリ（４−メチルナフタレン−１−イル）ピレン１．５ｇを淡黄色粉末として得た。
上記４００ｍｇの１−ブロモ−３，６，８−トリ（４−メチルナフタレン−１−イル）ピレン、５−フェニルオキサゾール１２０ｍｇ、炭酸セシウム２８０ｍｇ、ヨウ化銅（Ｉ）１６ｍｇ、（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）テトラフルオロホウ酸塩７ｍｇ、酢酸パラジウム３ｍｇとジメチルホルムアミド１０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で６時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水３０ｍｌを注入し、ろ過した。エタノール３０ｍｌで洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、７０℃下で真空乾燥した後、化合物［１７］２６０ｍｇを黄色粉末として得た。得られた粉末の１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた粉末が化合物［１７］であることが確認された。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl３（d＝ppm））：2.78(s, 3H), 2.82(s, 3H), 2.86(s, 3H), 7.10(s, 1H), 7.30-7.82(m, 14H), 8.06-8.14(m, 4H), 8.91(s, 1H), 9.73(d, 1H)。
実施例１（化合物［６８］の合成方法）
１，６−ジブロモピレン２ｇ、４−メチルフェニルボロン酸１．９ｇ、リン酸三カリウム５．９ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．９ｇ、酢酸パラジウム１５ｍｇとジメチルホルムアミド３０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で６時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水３０ｍｌを注入し、ろ過した。エタノール３０ｍｌで洗浄した後、トルエンから再結晶し、真空乾燥した後、１，６−ビス（４−メチルフェニル）ピレン１．３ｇを得た。
次に、１，６−ビス（４−メチルフェニル）ピレン１．３ｇとＮ−ブロモスクシンイミド０．６ｇとジメチルホルムアミド３０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、６０℃で５時間撹拌した。室温に冷却した後、水３０ｍｌを注入し、ジクロロメタン１００ｍｌで抽出した。有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。トルエンから再結晶し、真空乾燥した後、３−ブロモ−１，６−ビス（４−メチルフェニル）ピレン０．７ｇを得た。
次に、３−ブロモ−１，６−ビス（４−メチルフェニル）ピレン０．７ｇ、ベンゾオキサゾール０．２２ｇ、炭酸セシウム０．６ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）３７ｍｇ、トリフェニルホスフィン１４．５ｍｇ、酢酸パラジウム７ｍｇとジメチルホルムアミド３０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で６時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水３０ｍｌを注入し、ろ過した。エタノール３０ｍｌで洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥した後、黄色結晶０．３５ｇを得た。得られた粉末の１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄色結晶が化合物［６８］であることが確認された。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl３（d=ppm））：2.52(ss, 6H), 7.39-7.43(m, 6H), 7.57-7.67(m, 5H), 7.90(dd, 1H), 8.05(d, 1H), 8.13(d, 1H), 8.23-8.28(dd, 2H), 8.46(d, 1H), 8.87(s, 1H), 9.72(d, 1H)。
実施例２（化合物［８７］の合成方法）
１，６−ジブロモピレン５ｇ、ベンゾチアゾール２．１ｇ、炭酸セシウム５ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．３１ｇ、トリフェニルホスフィン０．１２ｇ、酢酸パラジウム５７ｍｇとジメチルホルムアミド５０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で６時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、ろ過し、ジメチルホルムアミド１０ｍｌ、ジクロロメタン１００ｍｌで洗浄した。ろ液を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥した後、６−ブロモ−１−（ベンゾチアゾール−２−イル）ピレン１．１ｇを得た。
次に、６−ブロモ−１−（ベンゾチアゾール−２−イル）ピレン０．３ｇ、４−ｔ−ブチルフェニルボロン酸０．１６ｇ、リン酸三カリウム０．３８ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド５８ｍｇ、酢酸パラジウム１ｍｇとジメチルホルムアミド５ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で６時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、ジメチルホルムアミド１０ｍｌ、水１０ｍｌ、エタノール１０ｍｌで洗浄した後、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製した。真空乾燥した後、黄色結晶０．１５ｇを得た。得られた粉末の１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄色結晶が化合物［８７］であることが確認された。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl３（d=ppm））：1.46(s, 6H), 7.51(t, 1H), 7.57-7.63(m, 5H), 8.01-8.07(m, 3H), 8.22-8.36(m, 5H), 8.44(d, 1H), 9.32(d, 1H)。
実施例３（化合物［８８］の合成方法）
３−ブロモ−１，６−ビス（４−メチルフェニル）ピレン０．５ｇ、ベンゾチアゾール０．１９ｇ、炭酸セシウム０．４４ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）２７ｍｇ、トリフェニルホスフィン１０．５ｍｇ、酢酸パラジウム５ｍｇとジメチルホルムアミド２０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で６時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、ろ過し、ジメチルホルムアミド１０ｍｌ、エタノール１０ｍｌで洗浄した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥した後、黄色結晶０．２０ｇを得た。得られた粉末の１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄色結晶が化合物［８８］であることが確認された。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl３（d=ppm））：2.51(ss, 6H), 7.37-7.48(m, 5H), 7.55-7.61(m, 5H), 8.01-8.06(m, 2H), 8.12(d, 1H), 8.21-8.27(m, 3H), 8.37(d, 1H), 8.41(s, 1H), 9.23(d, 1H)。
実施例４（化合物［１１１］の合成方法）
１，３，６−トリブロモピレン５ｇ、１−ナフチルボロン酸７．８４ｇ、リン酸三カリウム１９．４ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド２．９４ｇ、酢酸パラジウム２０５ｍｇと脱気したジメチルホルムアミド１７５ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で２時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水１００ｍｌを注入し、ろ過した。シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥した後、１，３，６−トリ（ナフタレン−１−イル）ピレンを得た。
次に、１，３，６−トリ（ナフタレン−１−イル）ピレン３．２２ｇ、Ｎ−ブロモスクシンイミド１．１７ｇとジメチルホルムアミド３０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、７０℃で２時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水１００ｍｌを注入し、ろ過した。シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥した後、１−ブロモ−３，６，８−トリ（ナフタレン−１−イル）ピレンを得た。
次に、１−ブロモ−３，６，８−トリ（ナフタレン−１−イル）ピレン４００ｍｇ、ベンゾオキサゾール１４５ｍｇ、炭酸セシウム２１８ｍｇ、臭化銅（I）１８ｍｇ、（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）テトラフルオロホウ酸塩１８ｍｇ、酢酸パラジウム７ｍｇと脱気したジメチルホルムアミド１０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１５０℃で２時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水５０ｍｌを注入し、ジクロロメタン１００ｍｌで抽出した。有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートにより濃縮した。シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥した後、化合物［１１１］を得た。得られた粉末の１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄色結晶が化合物［１１１］であることが確認された。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl３（d=ppm））：7.28-8.11（m, 28H）, 8.17（s, 1H）, 8.95（s, 1H）, 9.77（d, 1H）。
実施例５（化合物［１１５］の合成方法）
ベンゾオキサゾールの代わりに５−メチルベンゾオキサゾールを用いた以外は実施例４と同様にして化合物［１１５］を得た。得られた粉末の１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄色結晶が化合物［１１５］であることが確認された。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl３（d=ppm））：2.50（s, 3H）, 7.17-7.71（m, 19H）, 7.91-8.10（m, 8H）, 8.16（s, 1H）, 8.93（s, 1H）, 9.76（d, 1H）．
実施例６（化合物［１１６］の合成方法）
ベンゾオキサゾールの代わりに６−メチルベンゾオキサゾールを用いた以外は実施例４と同様にして化合物［１１６］を得た。得られた粉末の１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄色結晶が化合物［１１６］であることが確認された。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl３（d=ppm））：2.50（s, 3H）, 7.14-7.72（m, 19H）, 7.90-8.10（m, 8H）, 8.16（s, 1H）, 8.93（s, 1H）, 9.75（d, 1H）。
実施例７（化合物［１１７］の合成方法）
ベンゾオキサゾールの代わりに５−ｔ−ブチルベンゾオキサゾールを用いた以外は参考例１と同様にして化合物［１１７］を得た。得られた粉末の１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄色結晶が化合物［１１７］であることが確認された。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl３（d=ppm））：1.40（s, 9H）, 7.30-7.70（m, 19H）, 7.87-8.10（m, 9H）, 8.17（s, 1H）, 8.94（s, 1H）。
比較例１
ＩＴＯ透明導電膜を１５０ｎｍ堆積させたガラス基板（旭硝子（株）製、１５Ω／□、電子ビーム蒸着品）を３０×４０ｍｍに切断し、エッチングを行った。得られた基板をアセトン、“セミコクリン（登録商標）５６”（フルウチ化学（株）製）で各々１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いて、イソプロピルアルコールで１５分間超音波洗浄してから熱メタノールに１５分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素子を作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０−５Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔注入材料として、銅フタロシアニンを１０ｎｍ、正孔輸送材料として、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルを５０ｎｍ蒸着した。次に、発光材料として、ホスト材料として下記に示すＨ−１を、ドーパント材料として化合物［１４］をドープ濃度が２％になるように３５ｎｍの厚さに蒸着した。次に、電子輸送材料として、下記に示すＥ−１を２０ｎｍの厚さに積層した。次に、フッ化リチウムを０．５ｎｍ蒸着した後、アルミニウムを１０００ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。ここでいう膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。この発光素子からは、発光効率３．０ｃｄ／Ａの高効率青色発光が得られた。この発光素子は、１０ｍＡ／ｃｍ２で直流駆動したところ、輝度半減時間は３３００時間であった。
Figure 0004962314
比較例２〜１１、実施例８〜２４
ドーパント材料として表１に記載した材料を用いた以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製した。各実施例および比較例の結果は表１に示した。
Figure 0004962314
比較例１２
ドーパント材料として下記式に示すＤ−１を用いた以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２で直流駆動したところ、発光効率１．１ｃｄ／Ａの青色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２の直流で連続駆動したところ、５００時間で輝度が半減した。
Figure 0004962314
比較例１３
ドーパント材料として下記に示すＤ−２を用いた以外は、比較例１２と同様にして発光素子を作成した。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２で直流駆動したところ、発光効率１．８ｃｄ／Ａの青色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２の直流で連続駆動したところ、４００時間で輝度が半減した。
Figure 0004962314
比較例１４
ドーパント材料として下記に示すＤ−３を用いた以外は、比較例１２と同様にして発光素子を作成した。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２で直流駆動したところ、発光効率１．５ｃｄ／Ａの青色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２の直流で連続駆動したところ、４５０時間で輝度が半減した。
Figure 0004962314
比較例１５
ドーパント材料として下記に示すＤ−４を用いた以外は、比較例１２と同様にして発光素子を作成した。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２で直流駆動したところ、発光効率１．８ｃｄ／Ａの青色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２の直流で連続駆動したところ、３００時間で輝度が半減した。
Figure 0004962314
比較例１６
ホスト材料として下記に示すＨ−２を用いた以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２で直流駆動したところ、発光効率２．７ｃｄ／Ａの高効率青色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２の直流で連続駆動したところ、輝度半減時間は２５００時間であった。
Figure 0004962314
比較例１７〜２１、実施例２５〜３０
ホスト材料および電子輸送材料として表２に記載した材料を用いた以外は、比較例１６と同様にして発光素子を作製した。各実施例および比較例の結果は表２に示した。なお、表２のＨ−３は下記式で表される化合物である。
Figure 0004962314
Figure 0004962314
比較例２２
ホスト材料として化合物［２７９］を用い、電子輸送材料として下記に示すＥ−２を用いた以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２で直流駆動したところ、発光効率３．２ｃｄ／Ａの高効率青色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２で直流駆動したところ、輝度半減時間は５０００時間であった。
Figure 0004962314
比較例２３〜２６、実施例３１〜３５
ホスト材料および電子輸送材料として表３に記載した材料を用いた以外は、比較例２２と同様にして発光素子を作製した。各実施例および比較例の結果は表３に示した。なお表３のＥ−３、Ｅ−４、Ｅ−５、Ｅ−６は下記式で表される化合物である。
Figure 0004962314
Figure 0004962314
比較例２７
発光材料として、ホスト材料として化合物［２７９］を、ドーパント材料として化合物
［１４］をドープ濃度が２％になるように５ｎｍの厚さに蒸着したのち、さらに発光材料
として、ホスト材料として化合物［２７９］を、ドーパント材料として５，６，１１，１
２−テトラフェニルナフタセンをドープ濃度が１％になるように３０ｎｍの厚さに積層し
た以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率
６．５ｃｄ／Ａの高効率白色発光が得られた。この発光素子は、１０ｍＡ／ｃｍ２で直流
駆動したところ、輝度半減時間は３５００時間であった。
実施例３６
発光材料として、ホスト材料として化合物［２７９］を、ドーパント材料として化合物［１３２］をドープ濃度が２％になるように５ｎｍの厚さに蒸着したのち、さらに発光材料として、ホスト材料として化合物［２７９］を、ドーパント材料として５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセンをドープ濃度が１％になるように３０ｎｍの厚さに積層した以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率７．０ｃｄ／Ａの高効率白色発光が得られた。この発光素子は、１０ｍＡ／ｃｍ２で直流駆動したところ、輝度半減時間は５，０００時間であった。
実施例３７
発光材料として、ホスト材料として化合物［２７９］を、ドーパント材料として化合物［１３１］をドープ濃度が２％になるように５ｎｍの厚さに蒸着したのち、さらに発光材料として、ホスト材料として化合物［２７９］を、ドーパント材料として５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセンをドープ濃度が１％になるように３０ｎｍの厚さに積層した以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率７．５ｃｄ／Ａの高効率白色発光が得られた。この発光素子は、１０ｍＡ／ｃｍ２で直流駆動したところ、輝度半減時間は５，５００時間であった。
実施例３８
発光材料として、ホスト材料として化合物［２７９］を、ドーパント材料として１，３，５，７−テトラ（４−ｔ−ブチルフェニル）−８−フェニル−４，４−ジフルオロ−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジアザ−ｓ−インダセンをドープ濃度が１％になるように５ｎｍの厚さに蒸着したのち、ホスト材料として化合物［２７９］を、ドーパント材料として２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−９−（２’−ベンゾチアゾリル）キノリジノ［９，９ａ，１−ｇｈ］クマリンをドープ濃度が２％になるように５ｎｍの厚さに蒸着し、さらに発光材料として、ホスト材料として化合物［２７９］を、ドーパント材料として化合物［１１１］をドープ濃度が２％になるように３０ｎｍの厚さに積層した以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率７．５ｃｄ／Ａの高効率白色発光が得られた。この発光素子は、１０ｍＡ／ｃｍ２で直流駆動したところ、輝度半減時間は７，０００時間であった。
実施例３９
ＩＴＯ透明導電膜を１５０ｎｍ堆積させたガラス基板（旭硝子（株）製、１５Ω／□、電子ビーム蒸着品）を３０×４０ｍｍに切断し、フォトリソグラフィ法によって３００μｍピッチ（残り幅２７０μｍ）×３２本のストライプ状にパターン加工した。ＩＴＯストライプの長辺方向片側は外部との電気的接続を容易にするために１．２７ｍｍピッチ（開口部幅８００μｍ）まで広げてある。得られた基板をアセトン、“セミコクリン（登録商標）５６”（フルウチ化学（株）製）で各々１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いて、イソプロピルアルコールで１５分間超音波洗浄してから熱メタノールに１５分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素子を作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔輸送材料として４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルを１５０ｎｍ蒸着した。次に、ホスト材料としてＨ−１を、またドーパント材料として化合物［６８］をドープ濃度が２％になるように３５ｎｍの厚さに蒸着した。次に、電子輸送材料としてＥ−１を２０ｎｍの厚さに積層した。ここで言う膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。次に、厚さ５０μｍのコバール板にウエットエッチングによって１６本の２５０μｍの開口部（残り幅５０μｍ、３００μｍピッチに相当）を設けたマスクを、真空中でＩＴＯストライプに直交するようにマスク交換し、マスクとＩＴＯ基板が密着するように裏面から磁石で固定した。そしてフッ化リチウムを０．５ｎｍ蒸着した後、アルミニウムを２００ｎｍ蒸着して３２×１６ドットマトリクス素子を作製した。本素子をマトリクス駆動させたところ、クロストークなく文字表示できた。
本発明の発光素子は表示素子、フラットパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標識、看板、電子写真機および光信号発生器などの分野に好適に利用可能である。

Claims (4)

  1. 下記一般式（４）で表されるピレン化合物を含有することを特徴とする発光素子材料。
    Figure 0004962314
    （Ｒ１６〜Ｒ２４はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アリール基、ヘテロアリール基の中から選ばれる。ただし、Ｒ １７ 、Ｒ ２０ 、Ｒ ２２ のうち少なくとも一つがアリール基またはヘテロアリール基である。Ｒ２５〜Ｒ２８はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、アリール基の中から選ばれる。Ｘ２は下記一般式（５）に示された基の中から選ばれる。）
    Figure 0004962314
    （Ｒ２９ はアルキル基、アリール基の中から選ばれる。）
  2. 陽極と陰極の間に少なくとも発光層が存在し、電気エネルギーにより発光する発光素子であって、発光素子が請求項１記載の発光素子材料を含有することを特徴とする発光素子。
  3. 発光層がホスト材料とドーパント材料を有し、一般式（４）で表されるピレン化合物を含有する発光素子材料がドーパント材料であることを特徴とする請求項２記載の発光素子。
  4. 発光層と陰極の間に少なくとも電子輸送層が存在し、電子輸送層が電子受容性窒素を有するヘテロアリール環構造を有する化合物を含有し、ヘテロアリール環構造を有する化合物が炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素、リンの中から選ばれる元素で構成されていることを特徴とする請求項２または３記載の発光素子。
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