TWI602334B - 發光元件及發光裝置 - Google Patents

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Description

發光元件及發光裝置
本發明係關於一種在一對電極間具有EL層的發光元件。另外，本發明係關於一種使用該發光元件之發光裝置。
因為在一對電極間具有EL層之發光元件是自發射(self-emission)元件，可達成高能見度，彼可適用於不需要液晶顯示器裝置(LCD)所需之背光且視角無限制之較薄裝置。因此，使用發光元件之顯示器裝置在作為CRT或LCD之代替品上已引起注意且已逐漸投入實際用途。另外，發光元件是薄的平面光源，且其形狀之限制較少。因此，已預期具有發光元件作為光源之照明裝置有新的應用，以及代替一般之使用白熾燈、白熱燈、LED及類似者的照明裝置。
為要增加發光元件之照度，供應給該發光元件之電流量增加。然而，供應給發光元件之大量的電流加速EL層之劣化，而降低該發光元件之使用壽命。有鑒於此，以下所給之專利文件1揭示一種發光性(light-emissive)元件的結構，其中具有發光性層的發光性單元疊合在陽極與陰極之間且在該等單元之間提供電荷產生層。使用此種結構，當供應給發光性層之電流量的增加被抑制時，可增加發光性元件之照度。
[參考資料]
[專利文件1]日本公開的專利申請案2003-272860。
具體地，依照專利文件1，該電荷產生層含有混合物或層合層，該混合物或層合層包含具有低於5.7eV之游離電位及電子給予性之有機化合物，以及能經由其與該有機化合物之氧化還原反應而形成電荷移轉錯合物的無機或有機物質。另外，依照該文件，經由氧化還原反應形成電荷移轉錯合物在施加電壓時對確保電荷移轉是重要因素；當在該陽極與該陰極之間施加電壓時，在電荷移轉錯合物中之電荷係經移轉向陽極或陰極，以致從具有電絕緣性之電荷產生層，可將電洞注入位於該電荷產生層之陰極側上的該發光性單元，且可將電子注入位於該電荷產生層之陽極側上的該發光性單元。
另外，依照專利文件1，新近觀察到之在800奈米至2000奈米之近紅外區中的吸收光譜峰(其係由該電荷產生層所顯示)指明電荷移轉錯合物之形成。然而，如由專利文件1之圖5、圖6、及圖7中所示之吸收光譜所顯明的，認定包括電荷移轉錯合物之該電荷產生層的吸收光譜，除了在近紅外光區中的峰之外，也在300奈米至600奈米之可見光區中顯出新的峰。這意味以上之電荷產生層吸收具有在可見光區中之波長的光，此表示在該電荷產生層中所包括之電荷移轉錯合物是使來自該發光性元件之光的提 取效率降低的一個原因。
鑑於前述之技術背景，本發明之一具體例的目的是要提供能藉由增加其光提取效率以降低能量消耗的發光元件及使用該發光元件之發光裝置。
本發明人認為含有有機化合物及具有與該有機化合物相關之電子接受性的物質(下文稱為電子接受體)的複合材料的電洞注入性並非歸因於經由氧化還原反應所形成之電荷移轉錯合物。依照本發明之一具體例，即使當電荷移轉錯合物並未經由氧化還原反應在該有機化合物與該電子接受體之間形成時，優異之電洞注入性可用以下方式確保：在施加電壓時，經由來自該有機化合物之電子被該電子接受體提取，所產生之電洞從含有該複合材料之層注入鄰近層。
具體地，依照本發明之一具體例，發光元件包括複合材料，其含有具有高電洞輸送性之有機化合物及電子接受體，且其中藉由電子自旋共振(ESR)方法測得之自旋密度低於或等於1×1019旋轉數/立方公分，其中當電子接受體對該有機化合物之莫耳比大於或等於1時，該自旋密度低於或等於3×1019旋轉數/立方公分，或其中當該莫耳比大於或等於2時，該自旋密度是低於或等於5×1019旋轉數/立方公分。
在複合材料中，在以上範圍內之自旋密度是指：在該複合材料中藉由電荷移轉交互作用所產生之未成對電子的數目是小的，亦即在該複合材料中不容易發生電荷移轉交 互作用。
注意：在以上之複合材料中所包含之有機化合物的游離電位較佳是5.7 eV或更高。這是因為有機化合物之5.7 eV或更高的游離電位對於自旋密度的降低是較佳的。
與專利文件1不同地，在本發明之一具體例中使用一種複合材料，其中在該有機化合物與該電子接受體之間不容易發生電荷移轉交互作用。因此，可減少由於電荷移轉交互作用而被含有以上複合材料之層所吸收之300奈米至600奈米波長的光，以致可增加此層對於具有360奈米至830奈米波長之可見光的透射比。
注意：具有高電洞輸送性之有機化合物是一種具有輸送電洞比電子多之性質的有機化合物，其選自諸如低分子量化合物及高分子量化合物的有機化合物(例如寡聚物、樹枝狀聚合物、及聚合物)，且該有機化合物具有10-6平方公分/Vs或更高的電洞移動性。作為具有高電洞輸送性且不容易與電子接受體進行電荷移轉交互作用之有機化合物的實例，可以給予以下物質：1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯(簡稱：DBT3P-II)、9-[3,5-二(菲-9-基)苯基]菲(簡稱：Pn3P)、1-[3,5-二(萘-1-基)苯基]萘(簡稱：N3P)、1,2,3,4-四苯基萘(簡稱：P4N)、及1,3,5-三(二苯並呋喃-4-基)苯(簡稱：DBF3P-II)。
以上電子接受體之實例是7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟喹啉基二甲烷(7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane)(簡稱：F4-TCNQ)、四氯醌、 及過渡金屬之氧化物。其它實例是在週期表中屬第4至8族金屬的氧化物。此種氧化物之特定實例是氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸、等。
具體地，依照本發明之一具體例的發光元件包含至少一個EL層及其間提供該EL層之一對電極。該EL層含有一種包含有機化合物及電子接受體之複合材料。在以上複合材料中，藉由ESR方法所測得之自旋密度是低於或等於1×1019旋轉數/立方公分；可選擇地，當該電子接受體對該有機化合物之莫耳比大於或等於1時，該自旋密度是低於或等於3×1019旋轉數/立方公分，或當該莫耳比大於或等於2時，該自旋密度低於或等於5×1019旋轉數/立方公分。
依照本發明之一具體例之發光元件包含至少一個電荷產生層、在其間提供該電荷產生層之經堆疊的多個EL層、及在其間提供該電荷產生層及該多個EL層的一對電極。該電荷產生層及該多個EL層之任一者含有包含有機化合物及電子接受體之複合材料。在以上複合材料中，藉由ESR方法所測得之自旋密度是低於或等於1×1019旋轉數/立方公分；可選擇地，當該電子接受體對該有機化合物之莫耳比大於或等於1時，該自旋密度是低於或等於3×1019旋轉數/立方公分，或當該莫耳比大於或等於2時，該自旋密度低於或等於5×1019旋轉數/立方公分。
依照本發明之一具體例，具有高可見光透射比之複合 材料係用於發光元件，以致可增加來自該發光元件之光的提取效率。因此，可提供一種能降低能量消耗且顯出高照度的發光元件及使用該發光元件之發光裝置。
發明之詳述
將參考圖式描述具體例。注意：本發明不限於以下描述，且精於此技藝之人士將容易了解：可以進行改變及改良，卻不偏離本發明之精神及範圍。因此，本發明不應理解為要受限於以下具體例中的描述。
本發明之發光裝置的範疇包含一種具有發光元件在每一像素中的顯示器裝置，一種使用發光元件作為光源之照明裝置，及類似者。此種顯示器裝置之範疇包含面板(其中包含發光元件)及模組(其中在該面板上安裝積體電路，諸如控制器)。
(具體例1)
依照本發明之一具體例之發光元件包含至少一個EL層及在其間提供該EL層之一對電極。該EL層含有一種複合材料，其包含具有高電洞輸送性之有機化合物及電子接受體且其中電荷移轉交互作用不容易發生。
圖1說明依照本發明之一具體例之發光元件的結構實例。圖1中所說明之發光元件包含對應於該對電極之陽極101及陰極102，及在該陽極101與該陰極102之間所提供之EL層103。
在圖1的實例中，該EL層103包含電洞注入層104、電洞輸送層105、發光層106、電子輸送層107、電子注入層108、等。特別地，該電洞注入層104、該電洞輸送層105、該發光層106、該電子輸送層107、該電子注入層108、及該陰極102依序地堆疊在該陽極101上。
在圖1所說明之發光元件中，由具有高電洞輸送性之有機化合物及電子接受體組成之複合材料係用於該電洞注入層104。在此複合材料中，在該有機化合物與該電子接受體之間不容易發生電荷移轉交互作用且藉由電荷移轉交互作用所產生之未成對電子的數目因此是小的。特別地，在此複合材料中，藉由ESR方法所測得之自旋密度是低於或等於1×1019旋轉數/立方公分；可選擇地，當該電子接受體對該有機化合物之莫耳比大於或等於1時，該自旋密度是低於或等於3×1019旋轉數/立方公分，或當該莫耳比大於或等於2時，該自旋密度低於或等於5×1019旋轉數/立方公分。
選自諸如低分子量化合物及高分子量化合物之有機化合物(例如寡聚物、樹枝狀聚合物、及聚合物)的上述有機化合物具有輸送電洞多於電子的性質，且較佳地，該有機化合物具有10-6平方公分/Vs或更高的電洞移動性且不容易與電子接受體進行電荷移轉交互作用。為要輸送電洞，稠合之芳族化合物或稠合的雜芳族化合物是較佳的。為要使電荷移轉交互作用不容易進行，不具有氮原子之稠合芳族化合物(例如萘或菲)或稠合雜芳族化合物(例如二苯並 噻吩或二苯並呋喃)是更佳的。然而，只要可以獲得在上述範圍內之自旋密度，則無此種限制。
可用於該複合材料之有機化合物的特定實例是1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯(簡稱：DBT3P-II)、9-[3,5-二(菲-9-基)苯基]菲(簡稱：Pn3P)、1-[3,5-二(萘-1-基)苯基]萘(簡稱：N3P)、1,2,3,4-四苯基萘(簡稱：P4N)、1,3,5-三(二苯並呋喃-4-基)苯(簡稱：DBF3P-II)、等。這些有機化合物具有5.7eV或更高之游離電位。
以上電子接受體之特定實例是7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟喹啉基二甲烷(7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane)(簡稱：F4-TCNQ)、四氯醌、及過渡金屬之氧化物。其它實例是在週期表中屬第4至8族金屬的氧化物。此種氧化物之特定實例是氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸、等。
當在該陽極101與該陰極102之間施加電壓以致該陽極101之電位可高於該陰極102之電位時，在含有以上複合材料之電洞注入層104中，電子從該有機化合物被該電子接受體所提取且因此產生電洞。然後，所產生之電洞從該電洞注入層104，經由該電洞輸送層105，注入該發光層106。
在本發明之一具體例中，因為該電洞注入層104含有該複合材料(其中在具有高電洞輸送性之有機化合物與該電子接受體之間不容易發生電荷移轉交互作用)，故可減 少由於電荷移轉交互作用而被該電洞注入層104所吸收之300奈米至600奈米波長的光。因此，可增加該電洞注入層104對具有360奈米至830奈米波長的可見光的透射比。因此，在本發明之一具體例中，可增加來自發光元件之光的提取效率，以致可提供一種能減少能量消耗且顯出高照度之發光元件及一種使用該發光元件之發光裝置。
描述一特定實例，其中製造在本具體例中所述之發光元件。
對於該陽極101及該陰極102而言，可以使用任何金屬、合金、導電化合物、其混合物、等。特別地，可能使用氧化銦-氧化錫(ITO：氧化銦錫)、含矽或氧化矽之氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(氧化銦鋅)、含氧化鎢及氧化鋅之氧化銦、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、及屬週期表第1族或第2族之元素，例如鹼金屬，諸如鋰(Li)或銫(Cs)，鹼土金屬，諸如鈣(Ca)或鍶(Sr)、鎂(Mg)，含此等元素之合金(MgAg、AlLi)、稀土金屬諸如銪(Eu)或鐿(Yb)，含此等元素之合金、石墨片、或類似者。注意：陽極101及陰極102可藉由例如濺射方法、蒸發方法(包括真空蒸發方法)、或類似方法形成。
作為用於該電洞輸送層105之具有高電洞輸送性的物質，可如下列者：芳族胺化合物諸如4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(簡稱：NPB或α-NPD)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯]-4,4’-二胺(簡稱：TPD)、 4,4’,4”-參(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱：TCTA)、4,4’,4”-參(N,N-二苯胺基)三苯胺(簡稱：TDATA)、4,4’,4”-參[N-(3-甲苯基)-N-苯胺基)三苯胺(簡稱：MTDATA)、及4,4’-雙[N-(螺-9,9’-聯茀(bifluoren)-2-基)-N-苯胺基]聯苯(簡稱：BSPB)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)、等。此外，可以使用以下之咔唑衍生物及類似者：4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)、1,3,5-參[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱：TCPB)、及9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)。在此所提及之物質主要是具有10-6平方公分/Vs或更高的電洞移動性者。另外，在這些物質之外，可以使用具有輸送電洞多於電子之性質的物質。
對於電洞輸送層105而言，也可以使用高分子化合物，諸如聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡稱：PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯胺基)苯基]苯基-N’-苯胺基}苯基)甲基丙烯醯胺](簡稱：PTPDMA)、或聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺](簡稱：聚-TPD)。
發光層106是一種含有發光物質之層。發光層106可以利用一種含單一發光物質之膜或一種具有發射中心物質分散於基質材料中的膜來形成。
對於在該發光層106中可作為以上發光物質或發射中 心物質的材料並無特別限制，且由該等材料所發出之光可以是螢光或磷光。以上發光物質或發射中心物質的實例包括以下物質：螢光物質諸如N,N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基二苯乙烯-4,4’-二胺(簡稱：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(9,10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(簡稱：2YGAPPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPA)、二苝苯、2,5,8,11-四-第三丁基二苝苯(簡稱：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBAPA)、N,N”-(2-第三丁基蒽-9,10-二基二-4,1-伸苯基)雙[N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺](簡稱：DPABPA)、N,9-二苯基-N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPPA)、N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺](簡稱：2DPAPPA)、N,N,N’,N’,N”,N”,N’”,N’”-八苯基二苯並[g,p]聯三伸苯-2,7,10,15-四胺(簡稱：DBC1)、香豆素30、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCABPhA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(簡稱：2DPAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基)-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(簡稱：2DPABPhA)、9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡稱：2YGABPhA)、N,N,9-三苯基蒽-9-胺(簡稱：DPhAPhA)、 香豆素545T、N,N’-二苯基喹吖酮(簡稱：DPQd)、紅螢烯、5,12-雙(1,1’-聯苯-4-基)-6,11-二苯基稠四苯(簡稱：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲胺基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：DCM2)、N,N,N’,N’-肆(4-甲基苯基)稠四苯-5,11-二胺(簡稱：p-mPhTD)、7,14-二苯基-N,N,N’,N’-肆(4-甲基苯基)苊萘並[1,2-a]螢蒽-3,10-二胺(簡稱：p-mPhAFD)、2-{2-異丙基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：DCJTI)、2-{2-第三丁基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：DCJTB)、2-(2,6-雙{2-[4-(二甲胺基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：BisDCM)、及2-{2,6-雙[2-(8-甲氧基-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：BisDCJTM)；以及磷光物質諸如2-吡啶甲酸雙[2-(3’,5’-雙-三氟甲基苯基)吡啶並-N,C2’]銥(III)(簡稱：Ir(CF3ppy)2(pic))、乙醯丙酮酸雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶並-N,C2’]銥(III)(簡稱：FIracac)、參(2-苯基吡啶並)銥(III)(簡稱：Ir(ppy)3)、乙醯丙酮酸雙(2-苯基吡啶並)銥(III)(簡稱：Ir(ppy)2(acac))、參(乙醯基丙酮並)(單啡啉)鋱(III)(簡稱：Tb(acac)3(Phen))、乙醯丙酮酸雙(苯並[h]喹啉並)銥(III)(簡稱：Ir(bzq)2(acac))、乙醯丙酮 酸雙(2,4-二苯基-1,3-噁唑化-N,C2’)銥(III)(簡稱：Ir(dpo)2(acac))、乙醯丙酮酸雙(2-(4’-全氟苯基苯基)吡啶並)銥(III)(簡稱：Ir(p-PF-ph)2(acac))、乙醯丙酮酸雙(2-苯基苯並噻唑化-N,C2’)銥(III)(簡稱：Ir(bt)2(acac))、乙醯丙酮酸雙(2-(2’-苯並[4,5-α]噻吩基)吡啶並-N,C3’)銥(III)(簡稱：Ir(btp)2(acac))、乙醯丙酮酸雙(1-苯基異喹啉並-N,C2’)銥(III)(簡稱：Ir(piq)2(acac))、(乙醯丙酮並)雙[2,3-雙(4-氟苯基喹噁啉化)銥(III)(簡稱：Ir(Fdpq)2(acac))、(乙醯丙酮並)雙(2,3,5-三苯基吡嗪化)銥(III)(簡稱：Ir(tppr)2(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-四聯吡咯環鉑(II)(簡稱：PtOEP)、參(1,3-二苯基-1,3-丙烷二酮化)(單啡啉)銪(III)(簡稱：Eu(DBM)3(Phen))、及參[1-(2-噻吩甲醯)-3,3,3-三氟丙酮並)(單啡啉)銪(III)(簡稱：Eu(TTA)3(Phen))。
雖然對於可作為基質材料(其中待分散上述放射中心物質)之材料並無特別限制，任何以下物質可用於該基質材料，例如：金屬錯合物，諸如參(8-喹啉並)鋁(III)(簡稱：Alq)、參(4-甲基-8-喹啉並)鋁(III)(簡稱：Almq3)、雙(10-羥基苯並[h]喹啉並)鈹(II)(簡稱：BeBq2)、雙(2-甲基-8-喹啉並)(4-苯基酚化)鋁(III)(簡稱：BAlq)、雙(8-喹啉並)鋅(II)(簡稱：Znq)、雙[2-(2-苯並噁唑基)酚化)鋅(II)(簡稱：ZnPBO)、及雙[2-(2-苯並噻唑基)酚化)鋅(II)(簡稱：ZnBTZ)；雜環化合物，諸如：2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對- 第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-第三丁基苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)參(1-苯基-1H-苯並咪唑)(簡稱：TPBI)、紅二氮雜菲(簡稱：BPhen)、紅聯喹啉(bathocuproine，簡稱：BCP)、及9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CO11)；及芳族胺化合物，諸如4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(簡稱：NPB或α-NPD)、N,N’-雙(3-甲苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯]-4,4’-二胺(簡稱：TPD)、及4,4’-雙[N-(螺-9,9’-聯茀-2-基)-N-苯胺基]聯苯(簡稱：BSPB)。此外，可以給予縮合之多環芳族化合物，諸如蒽衍生物、菲衍生物、芘衍生物、聯三伸苯衍生物、及二苯並[g,p]聯三伸苯衍生物，且特定實例是9,10-二苯基蒽(簡稱：DPAnth)、N,N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：CzAlPA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：DPhPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：YGAPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPA)、N,9-二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPBA)、N,9-二苯基-N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPA)、6,12-二甲氧基-5,11-二苯基聯三伸苯、N,N,N’,N’,N”,N”,N”’,N”’-八苯基二苯並[g,p]聯三伸苯-2,7,10,15-四胺(簡稱：DBC1)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)、3,6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱： DPCzPA)、9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽(簡稱：DPPA)、9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：DNA)、2-第三丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-BuDNA)、9,9’-聯蒽(簡稱：BANT)、9,9’-(二苯乙烯-3,3’-二基)二菲(簡稱：DPNS)、9,9’-(二苯乙烯-4,4’-二基)二菲(簡稱：DPNS2)、3,3’,3”-(苯-1,3,5-三基)三芘(簡稱：TPB3)、等。
對於作為基質材料之用途，具有比上述發射中心物質廣之能量間隙的一或多種物質較佳選自這些物質及已知物質。再者，在該發射中心物質放出磷光的情況中，較佳選擇具有比該發射中心物質之三重態激發能量高之三重態激發能量(在激態與三重態激發態之間的能量差)的物質作為基質材料。
注意：該發光層106也可以是二或多層之疊合物。例如，在該發光層106是藉由順序堆疊第一發光層及第二發光層在該電洞輸送層105上所形成的情況中，具有電洞輸送性質之物質係用於第一發光層之基質材料且具有電子輸送性質之物質係用於第二發光層之基質材料。也可以使用含有不同發光物質或不同發射中心物質的發光層的疊合物。
電子輸送層107是一種含有具有高電子輸送性質的物質的層。為供該電子輸送層107，可能使用金屬錯合物，諸如Alq3、參(4-甲基-8-喹啉並)鋁(簡稱：Almq3)、雙(10-羥基苯並[h]喹啉並)鈹(簡稱：BeBq2)、BAlq、Zn(BOX)2、或雙[2-(2-羥苯基)苯並噻唑化)鋅(簡稱： Zn(BTZ)2)。也可能使用雜芳族化合物，諸如2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對-第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-第三丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、3-(4-第三丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：p-EtTAZ)、紅二氮雜菲(簡稱：BPhen)、紅聯喹啉(bathocuproine，簡稱：BCP)、或4,4’-雙(5-甲基苯並噁唑-2-基)二苯乙烯(簡稱：BzOs)。也可能使用高分子化合物，諸如聚(2,5-吡啶二基)(簡稱：PPy)、聚[(9,9-二己基茀-2,7-二基)-共-(吡啶-3,5-二基)](簡稱：PF-Py)、或聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-共-(2,2’-聯吡啶-6,6’-二基)(簡稱：PF-BPy)。在本文所述之物質主要具有10-6平方公分/Vs或更高之電子移動性。注意：除了這些物質之外，可以使用具有輸送電子多於電洞之性質的物質於該電子輸送層。
另外，該電子輸送層不限於單一層且可以是含有任何以上物質之二或多層的疊合物。
電子注入層108是一種含有具有高電子注射性之物質的層。為供該電子注入層108，可以使用鹼金屬、鹼土金屬、或其化合物，諸如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)、或鋰氧化物(LiOx)。可選擇地，可以使用稀土金屬化合物，諸如氟化鉺(ErF3)。也可以使用任何以上之用於形成該電子輸送層107的物質。
為供電子注入層108，可以使用混合有機化合物與具 有電子給予性之物質(下文稱為電子給予體)之複合材料。該電子給予體在該有機化合物中使電子產生，且因此複合材料之電子注射性及電子輸送性是優異的。有機化合物在此較佳是一種在輸送所產生之電子方面優異的材料；特定實例包含上述之用於形成該電子輸送層107之物質(例如金屬錯合物或雜芳族化合物)。該電子給予體較佳是相對於該有機化合物顯出電子給予性之物質。特別地，鹼金屬、鹼土金屬、及稀土金屬是較佳的，且可以給予鋰、銫、鎂、鈣、鉺、鐿、等。鹼金屬氧化物或鹼土金屬氧化物也是較佳的，且實例是氧化鋰、氧化鈣、氧化鋇、等。也可以使用路易士鹼，諸如氧化鎂。也可以使用有機化合物，諸如四硫富瓦烯(tetrathiafulvalene，簡稱：TTF)。
注意：上述之電洞注入層104、電洞輸送層105、發光層106、電子輸送層107、及電子注入層108分別可藉由諸如蒸發方法(包括真空蒸發方法)、噴墨方法、或塗覆方法之方法形成。
在上述發光元件中，因在該陽極101與該陰極102之間所產生之電位差，使電流流動，且電洞及電子於該EL層103中再結合，以致可發光。然後，該光發射經由該陽極101或該陰極102或二者提取至外部。因此，該陽極101或該陰極102之任一者或二者是具有透光性的電極。
(具體例2)
本具體例顯示：使用ESR方法評估各自包含具有高 電洞輸送性之有機化合物及電子接受體之複合材料的結果。
用於該測量之樣品描述於下。所有樣品係藉由在具有2.8毫米×20毫米尺寸之石英基底上的有機化合物及電子接受體的共蒸發所形成，以致藉由該共蒸發所形成之層分別含有包含該有機化合物及該電子接受體之複合材料。
如何形成該等樣品之方式係特別如下。首先，該石英基底固定至真空蒸發裝置內的支架上，以致藉由蒸發使複合材料待形成於其上之表面係朝下。在使該真空蒸發裝置內之壓力降至10-4Pa之後，該有機化合物及氧化鉬(VI)(其係電子接受體)係經共蒸發，藉此形成含有該複合材料之層在該石英基底上。對於每一樣品而言，含有該複合材料之層厚度被調節成50奈米。注意：共蒸發是一種方法，其中多種不同物質係同時地從個別不同蒸發源蒸發。
作為在該樣品中之有機化合物，可以使用1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯(簡稱：DBT3P-II)、9-[3,5-二(菲-9-基)苯基]菲(簡稱：Pn3P)、1-[3,5-二(萘-1-基)苯基]萘(簡稱：N3P)、1,2,3,4-四苯基萘(簡稱：P4N)、及1,3,5-三(二苯並呋喃-4-基)苯(簡稱：DBF3P-II)。為與這些樣品作比較，也使用其中之電荷移轉交互作用被認定是容易發生的複合材料以製備樣品；特別地，使用NPB及CzPA作為比較用樣品中之有機化合物。所用之化合物的結構式(101)至(107)說明於下。
以下表1顯示在樣品中所用之有機化合物的HOMO程度，其係藉由光電子光譜法，使用光電子光譜儀(AC-2，Riken Keiki Co.,Ltd.之產品)測量。
以下表2顯示在樣品A及E中所用之有機化合物的HOMO程度，其係藉由光電子光譜法，使用光電子光譜儀(AC-3，Riken Keiki Co.,Ltd.之產品)測量。
在每一樣品中有機化合物對氧化鉬之莫耳比係利用蒸 發速率調節。使用DBT3P-II、Pn3P、N3P、P4N、DBF3P-11、NPB、及CZPA作為有機化合物之樣品分別稱為樣品A、樣品B、樣品C、樣品D、樣品E、樣品F、及樣品G。以下表3顯示在每一樣品中有機化合物對氧化鉬之質量比及莫耳比。注意：在該ESR測量中，包含該莫耳比之該有機化合物的四層被堆疊且測量。
測量以下複合材料之吸收光譜：DBT3P-II及氧化鉬(VI)之複合材料；Pn3P及氧化鉬(VI)之複合材料；N3P及氧化鉬(VI)之複合材料；P4N及氧化鉬(VI)之複合材料；DBF3P-II及氧化鉬(VI)之複合材料；NPB及氧化鉬(VI)之複合材料；及CzPA及氧化鉬(VI)之複合材料。在每一樣品中有機化合物對氧化鉬之重量比設定成4：2。對每一樣品而言，含該複合材料之層的厚度調節成50奈米。
如何形成該等樣品之方式係描述於下。首先，該石英基底固定至真空蒸發裝置內的支架上，以致藉由蒸發待形成複合材料於其上的表面係朝下。然後，有機化合物(DBT3P-II、Pn3P、N3P、P4N、DBF3P-11、NPB、及CzPA)及氧化鉬(VI)分開地放置在個別之電阻加熱蒸發源 中，且在真空狀態下，含有該複合材料之層藉由共蒸發方法形成在石英基底上。
圖12顯示所形成之樣品的吸收光譜的測量結果。此外，圖13對應於圖12之放大視圖且顯示在波長360奈米至830奈米之可見光區中的吸收光譜。在每一圖12及圖13中，水平軸代表波長且垂直軸代表吸光率。如圖12及圖13所見的，使用NPB作為該複合材料中之有機化合物的樣品在400奈米至550奈米波長範圍內顯現出高峰。此外，使用CzPA作為該複合材料中之有機化合物的樣品在370奈米至450奈米波長範圍內顯現出高峰。相反地，使用DBT3P-II、Pn3P、N3P、P4N、及DBF3P-II作為該複合材料中之有機化合物的樣品在360奈米至830奈米波長之可見光區內不顯現出高峰；這些樣品之可見光透射比據發現是高於另外二樣品之可見光透射比。
使用ESR方法之電子自旋共振光譜的測量係利用電子自旋共振光譜儀(JES-FA200，由JEOL Ltd.製造)，在以下條件下進行：共振頻率約9.4 GHz、調節頻率約100 kHz、調節寬度約0.6 mT、時間常數是0.1秒、掃描時間是4分鐘、及測量溫度是室溫。參考Mn2+之第三及第四訊號位置進行磁場校正，且從藉由該等測量所得之電子自旋共振光譜的峰面積計算自旋密度。注意：由該電子自旋共振光譜之峰所計算之g值各是約2.00，此對應於自由電子之g值。因此，所計算之自旋密度分別反呋未成對電子之數目，且藉由該自旋密度之定量化，可以間接發現在該 有機化合物與該電子接受體間之電荷移轉交互作用發生之容易性。
圖2是在氧化鉬對該有機化合物之莫耳比與藉由樣品中電子自旋共振光譜測量所計算之自旋密度之間的關係作圖。如由圖2可見的，每一樣品A至E的自旋密度在該電子接受體對該有機化合物之莫耳比為0至1的範圍內顯出增加的趨勢。然而，雖然視樣品而定，該自旋密度在莫耳比多於1之下是飽和的，且在莫耳比超過3之範圍內，該自旋密度的數值並不改變或顯現出降低趨勢。
相反地，如圖2所見的，用於比較之每一樣品F及G之自旋密度即使在該電子接受體對該有機化合物之莫耳比超過3之範圍內顯現出增加趨勢。在相同莫耳比下，樣品A至E顯現出比樣品F及G低的自旋密度。因此，上述之自旋密度值指明：在樣品A至E中藉由電荷移轉交互作用所產生之未成對電子數目小於在樣品F及G中者。另外，如圖12及圖13可見的，在樣品A至E中不發生由於電荷移轉交互作用所致之吸收，但在樣品F及G中則發生。特別地，在使用游離電位為5.4 eV的NPB的樣品F中，此種吸收是大的。
因此，在依照本發明之一具體例的發光元件中，電荷移轉交互作用並不容易在含有複合材料之層(諸如樣品A至E)中發生。因此，藉由含複合材料之層所吸收之300奈米至600奈米波長的光因電荷移轉交互作用可被減少，以致可增加此層對於具有360奈米至830奈米波長的可見 光的透射比。
此外，圖3是圖2之放大視圖且顯出在6×1019旋轉數/立方公分或更低範圍內之自旋密度作圖。如圖3所見的，在本發明之具體例中較佳是：在含有複合材料之層中的自旋密度低於或等於1×1019旋轉數/立方公分；當氧化鉬對該有機化合物之莫耳比是大於或等於1時，該自旋密度低於或等於3×1019旋轉數/立方公分；或當該莫耳比大於或等於2時，該自旋密度低於或等於5×1019旋轉數/立方公分。
依照圖12及圖13中之吸收光譜數據及在圖2中之數據，在該吸收光譜中足以被實質觀察到的載體，係指明在該複合材料中之電荷移轉交互作用，可以說是以超過上述自旋密度之自旋密度存在。
(具體例3)
在此具體例中，提供一種與在該EL層103中之陰極102接觸而含有複合材料之層，該複合材料包含具有高電洞輸送性之有機化合物及電子接受體且其中不容易發生電荷移轉交互作用。
圖4說明依照本發明之一具體例的發光元件的結構實例。在圖4中所說明之發光元件包含對應於該對電極之陽極101及陰極102，及在該陽極101及該陰極102間所提供之EL層103。
在圖4之實例中，該EL層103除了包含該電洞注入 層104、該電洞輸送層105、該發光層106、該電子輸送層107、該電子注入層108、等之外，還包含電荷產生層110。特別地，該電洞注入層104、該電洞輸送層105、該發光層106、該電子輸送層107、該電子注入層108、該電荷產生層110、及該陰極102被順序地堆疊在該陽極101上。
在圖4所說明的發光元件中，包含具有高電洞輸送性之有機化合物及電子接受體且其中不容易發生電荷移轉交互作用之複合材料係用於該電荷產生層110。在此複合材料中，在該有機化合物與該電子接受體之間不容易發生電荷移轉交互作用，且藉由電荷移轉交互作用所產生之未成對電子的數目因此是小的。特別地，在此複合材料中，藉由ESR方法所測得之自旋密度低於或等於1×1019旋轉數/立方公分；可選擇地，當該電子接受體對該有機化合物之莫耳比大於或等於1時，該自旋密度低於或等於3×1019旋轉數/立方公分，或當該莫耳比大於或等於2時，該自旋密度低於或等於5×1019旋轉數/立方公分。
特別地，在具體例1中所述之物質可作為以上有機化合物。特別地，在具體例1中所述之物質可作為以上電子接受體。
當在該陽極101與該陰極102之間施加電壓以致該陽極101之電位可高於該陰極102之電位時，在該含有以上複合材料之電荷產生層110中，電子從該有機化合物被電子接受體所提取。然後，經提取之電子從該電子注入層 108，經該電子輸送層107，注入該發光層106。
在本發明之一具體例中，因為該電荷產生層110含有該複合材料(其中在該具有高電洞輸送性之有機化合物與該電子接受體之間不容易發生電荷移轉交互作用)，故可減少因電荷移轉交互作用而被該電荷產生層110所吸收的300奈米至600奈米波長的光。因此，可增加該電荷產生層110對於具有360奈米至830奈米波長之可見光的透射比。因此，在本發明之一具體例中，可增加來自該發光元件之光的提取效率，以致可提供一種能減少能量消耗且顯現出高的照度之發光元件及一種使用該發光元件之發光裝置。
注意：該陽極101、該陰極102、該電洞注入層104、該電洞輸送層105、該發光層106、該電子輸送層107、及該電子注入層108可具有與具體例1中者相同之結構。
本具體例可適當地與任何其他具體例結合。
(具體例4)
依照本發明之一具體例的發光元件包含至少一種電荷產生層、其間提供該電荷產生層之多個堆疊的EL層、及其間提供該電荷產生層及該多個EL層的一對電極。圖5說明依本發明之一具體例的發光元件的結構實例。
在圖5中所說明之發光元件包含對應於該對電極之陽極101及陰極102、例示該多個EL層的EL層103(1)及 103(2)、及電荷產生層109。特別地，在圖5所說明之發光元件中，該EL層103(1)與該陽極101接觸放置且該電荷產生層109與該EL層103(1)接觸放置。此外，該EL層103(2)與該電荷產生層109接觸放置且該陰極102與該EL層103(2)接觸放置。
在本發明之一具體例中，包含具有高電洞輸送性之有機化合物及電子接受體且其中不容易發生電荷移轉交互作用之複合材料係用於該電荷產生層109。
特別地，在具體例1中所述之物質可作為以上有機化合物。特別地，在具體例1中所述之物質可作為以上電子接受體。
當在該陽極101與該陰極102之間施加電壓以致該陽極101之電位高於該陰極102之電位時，在該含有以上複合材料之電荷產生層109中，電子由該有機化合物被該電子接受體提取。然後，經提取之電子注入該EL層103(1)，其位置比該電荷產生層109接近該陽極101，但經由該電子之提取所產生之電洞被注入該EL層103(2)，其位置比該電荷產生層109接近該陰極102。
在具有以上結構之發光元件中，在該電荷產生層109中，於該有機化合物與該電子接受體之間不容易發生電荷移轉交互作用。因此，可減少因電荷移轉交互作用而被該電荷產生層109所吸收之300奈米至600奈米波長的光，以致可增加該電荷產生層對具有360奈米至830奈米波長之可見光的透射比。
當該發光元件具有一種使該電荷產生層提供在該多個堆疊之EL層之間的結構時，可增加該發光元件之照度，同時減少供應至該EL層之電流的量。
注意：該陽極101及該陰極102可具有與具體例1中者相同結構。另外，例示為該EL層103(1)及該EL層103(2)之多個EL層皆可具有相同結構或至少一個該EL層可與其他不同之結構，只要每一者包含至少一個發光層。例示為EL層103(1)及EL層103(2)之該多個EL層之至少一者可具有與在具體例1或具體例3中所述之EL層103相同的結構。
為增加將電子注入該EL層103(1)(其位置比該電荷產生層109接近該陽極101)的性質，較佳提供含有一種具有高電子輸送性之物質的層或含有一種具有高電子注射性之物質的層，以與在該EL層103(1)中之電荷產生層109接觸。
另外，該電荷產生層109可由單一層或多個堆疊之層構成。
注意：EL層數在圖5之實例中是2，但可以是3或更多。圖6說明依照本發明之一具體例的發光元件的結構實例，其中使用n個EL層。
圖6所說明之發光元件包含對應於該對電極之陽極101及陰極102、例示該多個EL層之EL層103(1)至103(n)、及電荷產生層109(1)至109(n-1)(其中n假設成大於或等於3之自然數)。特別地，在圖6所說明之發光元 件中，在該陽極101與該陰極102之間，將EL層103(t-1)、電荷產生層109(t-1)、及EL層103(t)順序地堆疊在該陽極101上，其中t假設為大於或等於2且小於或等於n之自然數。
在本發明之一具體例中，包含具有高電洞輸送性之有機化合物及電子接受體且其中不容易發生電荷移轉交互作用之複合材料係用於每一電荷產生層109(1)至109(n-1)。因此，可以減少因電荷移轉交互作用而被該電荷產生層吸收之300奈米至600奈米波長的光。因此，在堆疊2或更多電荷產生層的情況中，也可以使光提取效率之降低減少。
本具體例可合適地與任何其他具體例結合。
(具體例5)
在本具體例中，描述一種被動基質發光裝置，其為依照本發明之一具體例的發光裝置實例。
圖7是被動基質發光裝置之結構實例的透視圖。注意：在圖7中，除了基底200以外之每一層被部分地省略以供清楚說明該發光裝置之堆疊結構。
在圖7所說明之發光裝置中，多個第一電極201平行排列在具有絕緣表面之該基底200上。另外，第一分隔層204放置在該基底200及該多個第一電極上。第一分隔層204具有多個開口，且部份的該多個第一電極201曝於該等開口中。多個第二分隔層205平行排列在第一分隔層 易發生電荷移轉交互作用。可選擇地，在該多個EL層之任一者中所包含的層可含有該複合材料，其包含具有高電洞輸送性之有機化合物及電子接受體且其中不容易發生電荷移轉交互作用。
注意：在依照本發明之一具體例的發光裝置中，可以利用彩色過濾方法，其中結合使用彩色過濾器及發出單一顏色(諸如白色)光之發光元件，以顯現出全彩影像。也可以利用一種使用多個發出不同色調之發光元件以顯出全彩影像的方法。此方法稱為分開的著色方法，因為各自放置在發光元件內之一對電極之間的EL層以其對應色彩來著色。
本具體例可以合適地與任何其他具體例結合。
(具體例6)
在此具體例中，描述一種活性基質發光裝置，其為依照本發明之一具體例的發光裝置的實例。
已建議用於活性基質發光裝置而具有多種電路構造的像素。通常，在每一像素中提供發光元件、控制影像訊號輸至像素的電晶體(切換用電晶體)、及控制供應給該發光元件之電流量的電晶體(驅動用電晶體)。
圖8是在該活性基質發光裝置中所含的像素的橫剖面視圖。在圖8中，在具有絕緣表面之基底300上提供切換用電晶體301及驅動用電晶體302。該切換用電晶體301及該驅動用電晶體302用絕緣膜303覆蓋，且在該絕緣膜 204上。此外，該多個第一電極201之長軸方向與該多個第二分隔層205之長軸方向交亞基。
EL層202及第二電極203順序地堆疊在該多個第一電極201、第一分隔層204及該多個第二分隔層205上。第一電極201、該EL層202、及第二電極203順序地堆疊在第一分隔層204之開口中，藉此形成發光元件206。第一電極201及第二電極203之一對應於陽極且另一者對應於陰極。
在沿著第一電極201之長軸方向上，每一第二分隔層205的交亞基部份所具有的形狀是：在第一分隔層204之表面與第二分隔層205之一邊之間所形成之錐角是小於90°，亦即所謂之倒錐形。藉由此形狀，該多個第二分隔層205將該EL層202及第二電極203分開，以致該EL層202及第二電極203部分地定位在該第二分隔層205上且部分地定位在多個第二分隔層205之間。
在依照本發明之一具體例的發光裝置中，包含具有高電洞輸送性之有機化合物及電子接受體且其中不容易發生電荷移轉交互作用的複合材料係用於在該EL層202中所含的一層。注意：雖然該發光元件206包含一EL層202的情況係在圖7中例示，該發光元件206可包含在第一電極201及第二電極203之間的至少一個電荷產生層及其間提供電荷產生層之多個堆疊的EL層，如具體例4中所述的。在此情況中，該電荷產生層可含有複合材料，其包含具有高電洞輸送性之有機化合物及電子接受體且其中不容 303上形成第一電極304。注意：第一電極304係經由通過該絕緣膜303所提供之開口電連接至該驅動器電晶體302。
具有開口之分隔層308被形成在該絕緣膜303及第一電極304上，且部份的第一電極304在此開口中被曝露。EL層305及第二電極306被順序地堆疊在第一電極304及分隔層308上。第一電極304、EL層305、及第二電極306依序地堆疊在第一分隔層308之開口中，藉此形成發光元件307。第一電極304及第二電極306之一對應於陽極，且另一者對應於陰極。
在依照本發明之一具體例之發光裝置中，包含具有高電洞輸送性之有機化合物及電子接受體且其中不容易發生電荷移轉交互作用的複合材料係用於在EL層305中所包含之層。注意：雖然發光元件307包含一EL層305之情況係在圖8中例示，發光元件307可在第一電極304與第二電極306之間包含至少一個電荷產生層及多個EL層，這些係如具體例4中所描述地，以使電荷產生層定位在該等EL層之間的方式被堆疊。在此情況中，電荷產生層較佳含有該複合材料，其包含具有高電洞輸送性之有機化合物及電子接受體且其中不容易發生電荷移轉交互作用，在此情況中可改良可見光透射比。可選擇地，在該多個EL層之任一者中所包含之層可含有該複合材料，其包含具有高電洞輸送性之有機化合物及電子接受體且其中不容易發生電荷移轉交互作用。
注意：彩色過濾方法或分開著色方法可用於以上發光裝置。
本具體例可合適地與任何其他具體例結合。
(具體例7)
圖9說明依照本發明之一具體例的發光裝置的透視圖實例。在圖9中所說明之發光裝置包含顯示器部分1601、電路板1602、及連接器部份1603。
電路板1602配備影像處理部份，從此部份，將多種訊號及能量供應電位經由連接器部分1603輸至該顯示器部份1601。可撓印刷電路板(FPC)或類似者可用於該連接器部份1603。可選擇地，COF帶(tape)可用於該連接器部份1603，在此情況中，可將該影像處理部份的電路的部件或在該顯示器部份1601中所包含之驅動器電路的部件形成在經分開製備的晶片上，且可藉由在膜上之晶片(COF)方法將該晶片連接至該COF帶。
本具體例可與任何以上具體例結合實施。
(具體例8)
依照本發明之一具體例的發光裝置可顯現出高的照度，即使減少當供應給發光元件之電流量時。因此，可減少使用該發光裝置之電子裝置的能量消耗。此外，可有利地增加該發光元件之使用壽命，且因此可增加使用該發光裝置之電子裝置的可靠性。圖10A至10C說明使用依照本 發明之一具體例的發光裝置的電子裝置的特定實例。
圖10A說明一種可攜式遊戲機，其包含外殼5001、外殼5002、影像顯示器部分5003、影像顯示器部分5004、麥克風5005、揚聲器5006、操作鍵5007、觸控筆5008、等。依照本發明之一具體例之發光裝置可作為該影像顯示器部份5003或該影像顯示器部份5004。若使用依照本發明之一具體例之發光裝置於該影像顯示器部份5003或該影像顯示器部份5004，則可提供具有低能量消耗或高可靠性之可攜式遊戲機。注意：雖然在圖10A中所說明之可攜式遊戲機具有二個影像顯示器部分5003及5004，在一個可攜式遊戲機中所包含之影像顯示器部分的數目不限於此。
圖10B說明膝上型電腦，其包括外殼5201、影像顯示器部份5202、鍵盤5203、點指(pointing)裝置5204、等。依照本發明之一具體例之發光裝置可用於該影像顯示器部份5202。若使用依照本發明之一具體例之發光裝置於該影像顯示器部份5202，則可提供具有低能量消耗或高可靠性之膝上型電腦。
圖10C說明個人數位助理，其包括外殼5401、影像顯示器部份5402、操作鍵5403、等。依照本發明之一具體例的發光裝置可作為該影像顯示器部份5402。若使用依照本發明之一具體例之發光裝置於該影像顯示器部份5402，則可提供具有低能量消耗或高可靠性之個人數位助理。
圖11A說明桌上型照明裝置，其包括外殼5601、光源5602、支持用底座5603、等。依照本發明之一具體例的顯示器裝置可作為該光源5602。若使用依照本發明之一具體例之發光裝置於該光源5602，則可提供具有低能量消耗或高可靠性之桌上型照明裝置。
圖11B說明安裝型(installation)照明裝置，其包括外殼5801、光源5802、等。依照本發明之一具體例的發光裝置可作為該光源5802。若使用依照本發明之一具體例之發光裝置於該光源5802，則可提供具有低能量消耗或高可靠性之安裝型照明裝置。
如上述，本發明之應用範圍極廣且本發明可適用於多項領域中之電子裝置。
本具體例可合適地與任何其他具體例結合。
【實施方式】 [實例1]
在此實例中，參考圖1描述發光元件1，其中9-[3,5-二菲-9-基]苯基]菲(簡稱：Pn3P)及氧化鉬(VI)係用於電洞注入層。在此實例中所用之材料的結構式說明於下；然而，在此省略在以上具體例中所給之材料的結構式。
(發光元件1之製造)
首先，藉由濺射方法將含氧化矽之氧化銦錫(ITSO)膜形成在玻璃基底上，以致形成陽極101。其厚度是110奈 米且該電極面積是2毫米×2毫米。
在用於形成該發光元件在該玻璃基底上的預處理時，在利用水清洗該玻璃基底表面之後，進行UV臭氧處理370秒且在200℃下將其燒烤1小時。
之後，該玻璃基底轉送入內部壓力已降至約10-4Pa的真空蒸發裝置，且在170℃下在該真空蒸發裝置之加熱室中真空燒烤30分鐘，然後該玻璃基底冷卻約30分鐘。
其次，將配備有該陽極101之該玻璃基底固定至在該真空蒸發裝置內之基底支架上，以致其上配備有該陽極101之表面朝下。將真空蒸發裝置之內部壓力降至約10-4Pa。然後，在該陽極101上，Pn3P及氧化鉬(VI)被共蒸發以形成電洞注入層104。該電洞注入層104之厚度設定成50奈米，且Pn3P對氧化鉬之質量比調節成4：2(=Pn3P：氧化鉬)。
其次，在該電洞注入層104上，形成3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(簡稱：PCPN)膜至10奈米厚度，藉此形成電洞輸送層105。
另外，將9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(簡稱：CzPA)及N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]芘-1,6-二胺(簡稱：1,6mMemFLPAPrn)共蒸發以形成發光層106在該電洞輸送層105上。在此，CzPA對1,6mMemFLPAPrn之質量比被調節成1：0.04(=CzPA：1,6mMemFLPAPrn)。此外，該發光層106之厚度設定成30奈米。
另外，在該發光層106上，形成CzPA膜至10奈米厚度，然後形成紅菲繞啉(簡稱：BPhen)膜至15奈米，以致形成電子輸送層107。
另外，在該電子輸送層107上，藉由蒸發形成氟化鋰(LiF)膜至1奈米厚度，藉此形成電子注入層108。
最後，在該電子注入層108上，藉由蒸發形成鋁膜至200奈米厚度，藉此形成陰極102。因此，製成本實例之發光元件1。
注意：在所有以上蒸發步驟中，藉由電阻加熱方法進行蒸發。
表4顯示如上述所得之發光元件1的元件結構。
在含氮氣體之手套盒中，所製造之發光元件1被密封，使其不曝於空氣。
(發光元件1之操作特性)
測量所製造之發光元件1的操作特性。注意：該測量係在室溫(在維持於25℃之環境中)進行。
該發光元件1之照度對電壓特性係顯示於圖14中， 且該元件之電流效率對照度特性係顯示於圖15中。在圖14中，水平軸代表電壓(V)且垂直軸代表照度(cd/平方公尺)。在圖15中，水平軸代表照度(cd/平方公尺)且垂直軸代表電流效率(cd/A)。
在約830cd/平方公尺之照度下，該發光元件1之主要特性的起初值顯示於以下表5中。
如表5中所示的，在830 cd/平方公尺照度下，發光元件1之CIE色度座標是(x,y)=(0.14,0.17)。這些結果顯示來自1,6mMemFLPAPrn之藍光發射係得自發光元件1。
如圖14及15可見的，發光元件1具有低的驅動電壓及高的發射效率。
以上結果指出：可以獲得具有高發射效率之發光元件或具有低驅動電壓之發光元件，因為不容易發生電荷移轉交互作用之複合材料係用於該發光元件之電洞注入層。
[實例2]
在此實例中，參考圖1描述發光元件2，其中1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯(簡稱：DBT3P-II)及氧化鉬(VI)係用於電洞注入層。在此實例中所用之材料的結構式在以下說明：然而，省略在以上具體例或實例中所給之材料的結 構式。
(發光元件2之製造)
首先，藉由濺射方法，將含氧化矽之氧化銦錫(ITSO)膜形成在玻璃基底上，以致形成陽極101。其厚度是110奈米且電極面積是2毫米×2毫米。
在用於形成該發光元件在該玻璃基底上的預處理時，在利用水清洗該玻璃基底表面後進行UV臭氧處理370秒且在200℃下將其燒烤1小時。
之後，該玻璃基底轉送入內部壓力已降至約10-4Pa的真空蒸發裝置，且在170℃下在該真空蒸發裝置之加熱室中真空燒烤30分鐘，然後該玻璃基底冷卻約30分鐘。
其次，將配備有該陽極101之該玻璃基底固定至在該真空蒸發裝置內之基底支架上，以致其上配備有該陽極101之表面朝下。將真空蒸發裝置之內部壓力降至約 10-4Pa。然後，在該陽極101上，將DBT3P-II及氧化鉬(VI)共蒸發以形成電洞注入層104。該電洞注入層104之厚度設定成50奈米，且DBT3P-II對氧化鉬之質量比調節成4：2(=DBT3P-II：氧化鉬)。
其次，在該電洞注入層104上，形成3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(簡稱：PCPPn)膜至10奈米厚度，藉此形成電洞輸送層105。
另外，將9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(簡稱：CzPA)及N,N’-雙[4-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-N,N’-二苯基芘-1,6-二胺(簡稱：1,6-FLPAPrn)共蒸發以形成發光層106在該電洞輸送層105上。在此，CZPA對1,6-FLPAPrn之質量比被調節成1：0.05(=CzPA：1,6-FLPAPrn)。此外，該發光層106之厚度設定成30奈米。
另外，在該發光層106上，形成CzPA膜至10奈米厚度，然後形成紅菲繞啉(簡稱：BPhen)膜至15奈米，以致形成電子輸送層107。
另外，在該電子輸送層107上，藉由蒸發形成氟化鋰(LiF)膜至1奈米厚度，藉此形成電子注入層108。
最後，在該電子注入層108上，藉由蒸發形成鋁膜至200奈米厚度，藉此形成陰極102。因此，製成本實例之發光元件2。
注意：在所有以上蒸發步驟中，藉由電阻加熱方法進行蒸發。
表6顯示如上述之發光元件2的元件結構。
在含氮氣體之手套盒中，所製造之發光元件2被密封，使其不曝於空氣。
(發光元件2之操作特性)
測量所製造之發光元件2的操作特性。注意：該測量係在室溫(在維持於25℃之環境中)進行。
該發光元件2之照度對電壓特性係顯示於圖16中，且該元件之電流效率對照度特性係顯示於圖17中。在圖16中，水平軸代表電壓(V)且垂直軸代表照度(cd/平方公尺)。在圖17中，水平軸代表照度(cd/平方公尺)且垂直軸代表電流效率(cd/A)。
在約720cd/平方公尺之照度下，該發光元件2之主要特性的起初值顯示於以下表7中。
如表7中所示的，在720 cd/平方公尺照度之下，該發光元件2之CIE色度座標是(x,y)=(0.15,0.22)。這些結果顯示：源自1,6-FLPAPrn之藍光發射係得自該發光元件2。
如圖16及17可見的，發光元件2具有低的驅動電壓及高的發射效率。
以上結果指出：可以獲得具有高發射效率之發光元件或具有低驅動電壓之發光元件，因為不容易發生電荷移轉交互作用之複合材料係用於該發光元件之電洞注入層。
[實例3]
在此實例中，參考圖5描述一發光元件3，其中9-[3,5-二菲-9-基]苯基]菲(簡稱：Pn3P)及氧化鉬(VI)係用於電荷產生層。在此實例中所用之材料的結構式說明於下；然而，在此省略在以上具體例或實例中所給之材料的結構式。
(發光元件3之製造)
首先，藉由濺射方法將含氧化矽之氧化銦錫(ITSO)膜形成在玻璃基底上，以致形成陽極101。其厚度是110奈米且該電極面積是2毫米×2毫米。
在用於形成該發光元件在該玻璃基底上的預處理時，在利用水清洗該玻璃基底表面之後，進行UV臭氧處理370秒且在200℃下將其燒烤1小時。
之後，該玻璃基底轉送入內部壓力已降至約10-4Pa的真空蒸發裝置，且在170℃下在該真空蒸發裝置之加熱室中真空燒烤30分鐘，然後該玻璃基底冷卻約30分鐘。
其次，將配備有該陽極101之該玻璃基底固定至在該 真空蒸發裝置內之基底支架上，以致其上配備有該陽極101之表面朝下。將在真空蒸發裝置之內部壓力降至約10-4Pa。然後，在該陽極101上，將Pn3P及氧化鉬(VI)共蒸發以形成在該EL層103(1)中所包含之電洞注入層(第一電洞注入層)。第一電洞注入層之厚度設定成33奈米，且Pn3P對氧化鉬之質量比調節成1：0.5(=Pn3P：氧化鉬)。
其次，在第一電洞注入層上，形成3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(簡稱：PCPN)膜至30奈米厚度，藉此形成在該EL層103(1)中所包含之電洞輸送層(第一電洞輸送層)。
另外，將9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(簡稱：CzPA)及N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]芘-1,6-二胺(簡稱：1,6mMemFLPAPrn)共蒸發以在第一電洞輸送層上形成在該EL層103(1)中所包含之發光層(第一發光層)。在此，CzPA對1,6mMemFLPAPrn之質量比被調節成1：0.05(=CzPA：1,6mMemFLPAPrn)。此外，第一發光層厚度設定成30奈米。
另外，在第一發光層上，形成CzPA膜至5奈米厚度，然後形成紅菲繞啉(簡稱：BPhen)膜至15奈米，以致形成在該EL層103(1)中所包含之電子輸送層(第一電子輸送層)。
另外，在第一電子輸送層上，藉由蒸發形成氧化鋰(Li2O)膜至0.1奈米厚度，以形成在該EL層103(1)中所包含之電子注入層(第一電子注入層)。
之後，在第一電子注入層上，藉由蒸發形成銅酞青(簡稱：CuPc)膜至2奈米厚度，以致形成電子繼電器層。
其次，在該電子繼電器層上，將Pn3P及氧化鉬(VI)共蒸發以形成電荷產生層。該電荷產生層厚度設定成40奈米且Pn3P對氧化鉬之質量比調節成1：0.5(=Pn3P：氧化鉬)。
其次，在該電荷產生層上，形成PCPN膜至20奈米厚度，藉此形成在該EL層103(2)中所包含之電洞輸送層(第二電洞輸送層)。
另外，將2mDBTPDBq-II、4-苯基-4’-[9-苯基9H-咔唑-3-基]]三苯胺(簡稱：PCBA1BP)及(乙醯丙酮並)雙[4,6-二苯基嘧啶化]銥(III)(簡稱：[Ir(dppm)2(acac)])共蒸發以在第二電洞輸送層上形成在該EL層103(2)中所包含之發光層(第二發光層)。在此，2mDBTPDBq-II對PCBA1BP對[Ir(dppm)2(acac)]之質量比被調節成0.8：0.2：0.06(=2mDBTPDBq-II：PCBA1BP：[Ir(dppm)2(acac)])。此外，第二發光層厚度設定成40奈米。
其次，在第二發光層上，形成2mDBTPDBq-II膜至15奈米厚度且形成BPhen膜至15奈米厚度，以形成在該EL層103(2)中所包含之電子輸送層(第二電子輸送層)。
另外，在第二電子輸送層上，藉由蒸發形成LiF膜至1奈米厚度，藉此形成在該EL層103(2)中所含之電子注入層(第二電子注入層)。
最後，在第二電子注入層上，藉由蒸發形成鋁膜至 200奈米厚度，藉此形成在該EL層103(2)中所包含之陰極102。因此，製成本實例之發光元件3。
注意：在所有以上蒸發步驟中，藉由電阻加熱方法進行蒸發。
表8顯示如上述所得之發光元件3的元件結構。
在含氮氣體之手套盒中，所製造之發光元件3被密封，使其不曝於空氣。
(發光元件3之操作特性)
測量所製造之發光元件3的操作特性。注意：該測量係在室溫(在維持於25℃之環境中)進行。
該發光元件3之電流效率對照度特性係顯示於圖18中。在圖18中，水平軸代表照度(cd/平方公尺)且垂直軸代表電流效率(cd/A)。在圖19中顯示該元件之電流對電 壓特性。在圖19中，水平軸代表電壓(V)且垂直軸代表電流(mA)。在圖20中顯示該元件之色度座標對照度特性。在圖20中，水平軸代表照度(cd/平方公尺)且垂直軸代表色度座標(x座標或y座標)。圖21顯示：當使0.1mA電流在發光元件3中流動時，所得之發光元件3之發射光譜。在圖21中，水平軸代表波長(奈米)且垂直軸代表發射強度(任意單位)。另外，表9顯示：在890 cd/平方公尺之照度下，發光元件3之電壓(V)、CIE色度座標(x,y)、電流效率(cd/A)、外部量子效率(%)、及經校正之彩色溫度(K)。
如表9中所示的，在890 cd/平方公尺照度下，發光元件3之CIE色度座標是(x,y)=(0.43,0.38)。另外，圖21指明：在發光元件3中，發藍光材料(1,6mMemFLPAPrn)及發橘光材料([Ir(dppm)2(acac)])發出具有良好平衡之光。此外，圖20顯示：發光元件3依照照度有小的色度改變，此指明其優異之載體平衡。
如圖18及19可見的，發光元件3具有低的驅動電壓及高的發射效率。
以上結果指出：可以獲得具有高發射效率之發光元件或具有低驅動電壓之發光元件，因為不容易發生電荷移轉 交互作用之複合材料係用於該發光元件之電荷產生層及電洞注入層。
[實例4]
在此實例中，參考圖5描述本發明之一具體例的發光元件。在此實例中所用之材料的結構式說明於下；然而，在此省略在以上具體例或實例中所給之材料的結構式。
此實例之發光元件4之製造方法描述於下。
(發光元件4之製造)
首先，藉由濺射方法將ITSO膜形成在玻璃基底上，以致形成陽極101。其厚度是110奈米且該電極面積是2毫米×2毫米。
在用於形成該發光元件在該玻璃基底上的預處理時，在利用水清洗該玻璃基底表面之後，進行UV臭氧處理370秒且在200℃下進行燒烤1小時。
之後，該玻璃基底轉送入內部壓力已降至約10-4Pa的真空蒸發裝置，且在170℃下在該真空蒸發裝置之加熱室中真空燒烤30分鐘，然後該玻璃基底冷卻約30分鐘。
其次，將配備有該陽極101之該玻璃基底固定至在該真空蒸發裝置內之基底支架上，以致其上配備有該陽極101之表面朝下。將在真空蒸發裝置之內部壓力降至約10-4Pa。然後，在該陽極101上，將DBT3P-II及氧化鉬(VI)共蒸發以形成在該EL層103(1)中所包含之電洞注入 層(第一電洞注入層)。第一電洞注入層之厚度設定成50奈米，且DBT3P-II對氧化鉬之質量比調節成4：2(=DBT3P-II：氧化鉬)。
其次，在第一電洞注入層上，形成PCPN膜至10奈米厚度，藉此形成在該EL層103(1)中所包含之電洞輸送層(第一電洞輸送層)。
另外，將CzPA及1,6-FLPAPrn共蒸發以在第一電洞輸送層上形成在該EL層103(1)中所包含之發光層(第一發光層)。在此，CzPA對1,6-FLPAPrn之質量比被調節成1：0.05(=CzPA：1,6-FLPAPrn)。此外，第一發光層厚度設定成30奈米。
另外，在第一發光層上，形成CzPA膜至10奈米厚度，且形成BPhen膜至15奈米厚度，以致形成在該EL層103(1)中所包含之電子輸送層(第一電子輸送層)。
另外，在第一電子輸送層上，藉由蒸發形成氧化鋰(Li2O)膜至0.1奈米厚度，以形成在該EL層103(1)中所包含之電子注入層(第一電子注入層)。
之後，在第一電子注入層上，藉由蒸發形成銅酞青(簡稱：CuPc)膜至2奈米厚度，以致形成電子繼電器層。
其次，在該電子繼電器層上，將DBT3P-II及氧化鉬(VI)共蒸發以形成電荷產生層。該電荷產生層厚度設定成50奈米且DBT3P-II對氧化鉬之質量比調節成4：2(=DBT3P-II：氧化鉬)。
其次，在該電荷產生層上，形成PCPN膜至10奈米 厚度，藉此形成在該EL層103(2)中所包含之電洞輸送層(第二電洞輸送層)。
另外，將CzPA及1,6-FLPAPrn共蒸發以在第二電洞輸送層上形成在該EL層103(2)中所包含之發光層(第二發光層)。在此，CzPA對1,6-FLPAPrn之質量比被調節成1：0.05(=CzPA：1,6-FLPAPrn)。第二發光層厚度設定成30奈米。
其次，在第二發光層上，形成CzPA膜至10奈米厚度且形成BPhen膜至15奈米厚度，以形成在該EL層103(2)中所包含之電子輸送層(第二電子輸送層)。
另外，在第二電子輸送層上，藉由蒸發形成LiF膜至1奈米厚度，藉此形成在該EL層103(2)中所含之電子注入層(第二電子注入層)。
最後，藉由蒸發形成鋁膜至200奈米厚度，以形成陰極102。因此，製成本實例之發光元件4。
注意：在所有以上蒸發步驟中，藉由電阻加熱方法進行蒸發。
表10顯示如上述所得之發光元件4的元件結構。
在含氮氣體之手套盒中，所製造之發光元件4被密封，使其不曝於空氣。
(發光元件4之操作特性)
測量所製造之發光元件4的操作特性。注意：該測量係在室溫(在維持於25℃之環境中)進行。
該發光元件4之照度對電壓特性係顯示於圖22中。在圖22中，水平軸代表電壓(V)且垂直軸代表照度(cd/平方公尺)。該元件之電流效率對照度特性顯示於圖23中。在圖23中，水平軸代表照度(cd/平方公尺)且垂直軸代表電流效率(cd/A)。另外，表11顯示：在1130 cd/平方公尺之照度下，發光元件4之電壓(V)、CIE色度座標(x,y)、電流效率(cd/A)、能量效率(lm/W)、外部量子效率(%)。
如表11中所示的，在1130 cd/平方公尺照度下，發光元件4之CIE色度座標是(x,y)=(0.14,0.20)。
如圖22及23可見的，發光元件4具有低的驅動電壓及高的發射效率。
以上結果指出：可以獲得具有高發射效率之發光元件或具有低驅動電壓之發光元件，因為不容易發生電荷移轉交互作用之複合材料係用於該發光元件之電荷產生層及電洞注入層。
[實例5]
在此實例中，參考圖1描述發光元件5，其中1,3,5-三(二苯並呋喃-4-基)苯(簡稱：DBF3P-II)及氧化鉬(VI)係用於電洞注入層。
(發光元件5之製造)
首先，藉由濺射方法將含氧化矽之氧化銦錫(ITSO)膜形成在玻璃基底上，以致形成陽極101。其厚度是110奈米且該電極面積是2毫米×2毫米。
在用於形成該發光元件在該玻璃基底上的預處理時，在利用水清洗該玻璃基底表面之後，進行UV臭氧處理 370秒在200℃下進行燒烤1小時。
之後，該玻璃基底轉送入內部壓力已降至約10-4Pa的真空蒸發裝置，且在170℃下在該真空蒸發裝置之加熱室中真空燒烤30分鐘，然後該玻璃基底冷卻約30分鐘。
其次，將配備有該陽極101之該玻璃基底固定至在該真空蒸發裝置內之基底支架上，以致其上配備有該陽極101之表面朝下。將在真空蒸發裝置之內部壓力降至約10-4Pa。然後，在該陽極101上，將DBF3P-II及氧化鉬(VI)共蒸發以形成電洞注入層104。該電洞注入層104之厚度設定成50奈米，且DBF3P-II對氧化鉬之質量比調節成4：2(=DBF3P-II：氧化鉬)。
其次，在該電洞注入層104上，形成3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(簡稱：PCPPn)膜至10奈米厚度，藉此形成電洞輸送層105。
另外，將9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(簡稱：CzPA)及N,N’-雙[4-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-N,N’-二苯基芘-1,6-二胺(簡稱：1,6-FLPAPrn)共蒸發以在該電洞輸送層105上形成發光層106。在此，CzPA對1,6-FLPAPrn之質量比被調節成1：0.05(=CZPA：1,6-FLPAPrn)。此外，該發光層106之厚度設定成30奈米。
另外，在該發光層106上，形成CzPA膜至10奈米厚度，然後形成紅菲繞啉(簡稱：BPhen)膜至15奈米厚度，以致形成電子輸送層107。
另外，在該電子輸送層107上，藉由蒸發形成氟化鋰 (LiF)膜至1奈米厚度，藉此形成電子注入層108。
最後，在該電子注入層108上，藉由蒸發形成鋁膜至200奈米厚度，藉此形成陰極102。因此，製成本實例之發光元件5。
注意：在所有以上蒸發步驟中，藉由電阻加熱方法進行蒸發。
表12顯示如上述之發光元件5的元件結構。
在含氮氣體之手套盒中，所製造之發光元件5被密封，使其不曝於空氣。
(發光元件5之操作特性)
測量所製造之發光元件5的操作特性。注意：該測量係在室溫(在維持於25℃之環境中)進行。
該發光元件5之照度對電壓特性係顯示於圖24中，且該元件之電流效率對照度特性係顯示於圖25中。在圖24中，水平軸代表電壓(V)且垂直軸代表照度(cd/平方公尺)。在圖25中，水平軸代表照度(cd/平方公尺)且垂直軸代表電流效率(cd/A)。
在約1180cd/平方公尺之照度下，該發光元件5之主要特性的起初值顯示於以下表13中。
如表13中所示的，在1180 cd/平方公尺照度下，發光元件5之CIE色度座標是(x,y)=(0.15,0.24)。這些結果顯示來自1,6-FLPAPrn之藍光發射係得自發光元件5。
如由圖24及25可見的，發光元件5具有低的驅動電壓及高的發射效率。
以上結果指出：可以獲得具有高發射效率之發光元件或具有低驅動電壓之發光元件，因為不容易發生電荷移轉交互作用之複合材料係用於該發光元件之電洞注入層。
本申請案是基於在2011年5月13日向日本專利局提出之日本專利申請案2011-108559及在2011年6月1日向日本專利局提出之日本專利申請案2011-123451，將其整體內容以引用方式併入本文。
101‧‧‧陽極
102‧‧‧陰極
103,103(1),103(2)‧‧‧EL層
104‧‧‧電洞注入層
105‧‧‧電洞輸送層
106‧‧‧發光層
107‧‧‧電子輸送層
108‧‧‧電子注入層
109,110‧‧‧電荷產生層
200‧‧‧基底
201‧‧‧第一電極
202‧‧‧EL層
203‧‧‧第二電極
204‧‧‧第一分隔層
205‧‧‧第二分隔層
206‧‧‧發光元件
300‧‧‧基底
301‧‧‧切換用電晶體
302‧‧‧驅動器電晶體
303‧‧‧絕緣膜
304‧‧‧電極
305‧‧‧EL層
306‧‧‧第二電極
307‧‧‧發光元件
308‧‧‧分隔層
1601‧‧‧顯示器部份
1602‧‧‧電路板
1603‧‧‧連接器部份
5001,5002‧‧‧外殼
5003,5004‧‧‧影像顯示器部份
5005‧‧‧麥克風
5006‧‧‧揚聲器
5007‧‧‧操作鍵
5008‧‧‧觸控筆
5201‧‧‧外殼
5202‧‧‧影像顯示器部份
5203‧‧‧鍵盤
5204‧‧‧點指裝置
5401‧‧‧外殼
5402‧‧‧影像顯示器部份
5403‧‧‧操作鍵
5601‧‧‧外殼
5602‧‧‧光源
5603‧‧‧支持用底座
5801‧‧‧外殼
5802‧‧‧光源
在所附圖式中：圖1說明發光元件之結構；圖2是顯示氧化鉬對有機化合物之莫耳比與藉由電子自旋共振光譜之測量所計算之自旋密度之間的關係的 作圖；圖3是顯示氧化鉬對有機化合物之莫耳比與藉由電子自旋共振光譜之測量所計算之自旋密度之間的關係的作圖；圖4說明發光元件之結構；圖5說明發光元件之結構；圖6說明發光元件之結構；圖7是說明發光裝置的透視圖；圖8是說明發光裝置的剖面視圖；圖9是說明發光裝置的透視圖；圖10A至10C說明電子裝置；圖11A及11B說明照明裝置；圖12顯示複合材料之吸收光譜；圖13顯示複合材料之吸收光譜；圖14顯示發光元件1之照度對電壓特性；圖15顯示發光元件1之電流效率對照度特性；圖16顯示發光元件2之照度對電壓特性；圖17顯示發光元件2之電流效率對照度特性；圖18顯示發光元件3之電流效率對照度特性；圖19顯示發光元件3之電流對電壓特性；圖20顯示發光元件3之色度座標對照度特性；圖21顯示發光元件3之發射光譜；圖22顯示發光元件4之照度對電壓特性；圖23顯示發光元件4之電流效率對照度特性； 圖24顯示發光元件5之照度對電壓特性；及圖25顯示發光元件5之電流效率對照明特性。
101‧‧‧陽極
102‧‧‧陰極
103‧‧‧EL層
104‧‧‧電洞注入層
105‧‧‧電洞輸送層
106‧‧‧發光層
107‧‧‧電子輸送層
108‧‧‧電子注入層

Claims (8)

  1. 一種發光元件，其包含：第一電極；該第一電極之上之包含發光物質的層；及該層之上之第二電極，其中該層另外包含複合材料，其中該複合材料包含有機化合物及電子接受體，其中該有機化合物包含1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯、9-[3,5-二(菲-9-基)苯基]菲、1-[3,5-二(萘-1-基)苯基]萘、1,2,3,4-四苯基萘、及1,3,5-三(二苯並呋喃-4-基)苯之至少一者，及其中在該複合材料中之自旋密度低於或等於1×1019旋轉數/立方公分。
  2. 一種發光元件，其包含：第一電極；該第一電極之上之包含發光物質的層；及該層之上之第二電極，其中該層另外包含複合材料，其中該複合材料包含有機化合物及電子接受體，其中該有機化合物包含1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯、9-[3,5-二(菲-9-基)苯基]菲、1-[3,5-二(萘-1-基)苯基]萘、1,2,3,4-四苯基萘、及1,3,5-三(二苯並呋喃-4-基)苯之至少一者，其中該電子接受體對該有機化合物之莫耳比大於或等 於1，及其中在該複合材料中之自旋密度低於或等於3×1019旋轉數/立方公分。
  3. 一種發光元件，其包含：第一電極；該第一電極之上之包含發光物質的層；及該層之上之第二電極，其中該層另外包含複合材料，其中該複合材料包含有機化合物及電子接受體，其中該有機化合物包含1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯、9-[3,5-二(菲-9-基)苯基]菲、1-[3,5-二(萘-1-基)苯基]萘、1,2,3,4-四苯基萘、及1,3,5-三(二苯並呋喃-4-基)苯之至少一者，其中該電子接受體對該有機化合物之莫耳比大於或等於2，及其中在該複合材料中之自旋密度低於或等於5×1019旋轉數/立方公分。
  4. 一種發光元件，其包含：第一電極；該第一電極之上之包含發光物質的第一層；該第一層之上之電荷產生層；該電荷產生層之上之包含發光物質的第二層；及該第二層之上之第二電極，其中該電荷產生層包含複合材料， 其中該複合材料包含有機化合物及電子接受體，其中該有機化合物包含1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯、9-[3,5-二(菲-9-基)苯基]菲、1-[3,5-二(萘-1-基)苯基]萘、1,2,3,4-四苯基萘、及1,3,5-三(二苯並呋喃-4-基)苯之至少一者，及其中在該複合材料中之自旋密度低於或等於1×1019旋轉數/立方公分。
  5. 一種發光元件，其包含：第一電極；該第一電極之上之包含發光物質的第一層；該第一層之上之電荷產生層；該電荷產生層之上之包含發光物質的第二層；及該第二層之上之第二電極，其中該電荷產生層包含複合材料，其中該複合材料包含有機化合物及電子接受體，其中該有機化合物包含1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯、9-[3,5-二(菲-9-基)苯基]菲、1-[3,5-二(萘-1-基)苯基]萘、1,2,3,4-四苯基萘、及1,3,5-三(二苯並呋喃-4-基)苯之至少一者，其中該電子接受體對該有機化合物之莫耳比大於或等於1，及其中在該複合材料中之自旋密度低於或等於3×1019旋轉數/立方公分。
  6. 一種發光元件，其包含： 第一電極；該第一電極之上之包含發光物質的第一層；該第一層之上之電荷產生層；該電荷產生層之上之包含發光物質的第二層；及該第二層之上之第二電極，其中該電荷產生層包含複合材料，其中該複合材料包含有機化合物及電子接受體，其中該有機化合物包含1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯、9-[3,5-二(菲-9-基)苯基]菲、1-[3,5-二(萘-1-基)苯基]萘、1,2,3,4-四苯基萘、及1,3,5-三(二苯並呋喃-4-基)苯之至少一者，其中該電子接受體對該有機化合物之莫耳比大於或等於2，及其中在該複合材料中之自旋密度低於或等於5×1019旋轉數/立方公分。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之發光元件，其中該電子接受體包含氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、及氧化錸之至少一者。
  8. 一種發光裝置，其包含如申請專利範圍第1至6項中任一項之發光元件。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
KR102279459B1 (ko) 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI513077B (zh) * 2013-12-11 2015-12-11 Ultimate Image Corp 有機發光二極體照明裝置
KR102377366B1 (ko) * 2014-12-12 2022-03-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102399414B1 (ko) * 2014-12-30 2022-05-18 엘지디스플레이 주식회사 다층의 스택 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치
KR102623039B1 (ko) 2015-05-15 2024-01-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치
CN107056806A (zh) * 2016-04-25 2017-08-18 中节能万润股份有限公司 一种含有均苯骨架结构的化合物及其在有机电致发光器件中的应用
US11094903B2 (en) * 2017-04-07 2021-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element having an organic compound and a transition metal forming SOMO
WO2019216575A1 (ko) * 2018-05-08 2019-11-14 서울대학교산학협력단 축합환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN112970130B (zh) * 2018-10-30 2024-02-09 夏普株式会社 发光元件、发光元件的制造方法
WO2020217128A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置
KR20220003356A (ko) * 2020-07-01 2022-01-10 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN111697150A (zh) * 2020-08-11 2020-09-22 河南大学 一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200704638A (en) * 2005-03-23 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Composite material, and light emitting element and light emitting device using the composite material
US20110031476A1 (en) * 2009-08-05 2011-02-10 Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology Organic electroluminescence element

Family Cites Families (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2697120B2 (ja) 1989-04-28 1998-01-14 日本電気株式会社 薄膜発光素子およびその製造方法
JP2926845B2 (ja) 1990-03-23 1999-07-28 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JP2824411B2 (ja) 1995-08-25 1998-11-11 株式会社豊田中央研究所 有機薄膜発光素子
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
US5989737A (en) 1997-02-27 1999-11-23 Xerox Corporation Organic electroluminescent devices
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11307264A (ja) 1998-04-17 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JPH11307259A (ja) 1998-04-23 1999-11-05 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
WO2000001203A1 (fr) 1998-06-26 2000-01-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dispositif luminescent
US6172459B1 (en) 1998-07-28 2001-01-09 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer providing a modified interface between an organic light-emitting structure and a cathode buffer layer
US6361886B2 (en) 1998-12-09 2002-03-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved hole transport layer
TW474114B (en) 1999-09-29 2002-01-21 Junji Kido Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device assembly and method of controlling the emission spectrum in the device
JP3870102B2 (ja) 2001-02-22 2007-01-17 キヤノン株式会社 有機発光素子
US6841932B2 (en) 2001-03-08 2005-01-11 Xerox Corporation Display devices with organic-metal mixed layer
JP2002343576A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
US7141817B2 (en) 2001-11-30 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7158161B2 (en) 2002-09-20 2007-01-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element
US6936961B2 (en) 2003-05-13 2005-08-30 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers
JP4624653B2 (ja) 2003-05-20 2011-02-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP2005026121A (ja) 2003-07-03 2005-01-27 Fujitsu Ltd 有機ｅｌ素子及びその製造方法並びに有機ｅｌディスプレイ
US20050025993A1 (en) 2003-07-25 2005-02-03 Thompson Mark E. Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices
JP2005123164A (ja) 2003-09-24 2005-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
CN101777628B (zh) 2003-09-26 2013-03-13 株式会社半导体能源研究所 发光元件及其制造方法
JP4683829B2 (ja) 2003-10-17 2011-05-18 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法
JP4476594B2 (ja) 2003-10-17 2010-06-09 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4243237B2 (ja) 2003-11-10 2009-03-25 淳二 城戸 有機素子、有機ｅｌ素子、有機太陽電池、及び、有機ｆｅｔ構造、並びに、有機素子の製造方法
JP4300176B2 (ja) 2003-11-13 2009-07-22 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US7605534B2 (en) 2003-12-02 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element having metal oxide and light-emitting device using the same
JP2005190998A (ja) 2003-12-02 2005-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
KR20060110323A (ko) 2003-12-16 2006-10-24 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법
JP2005251587A (ja) 2004-03-04 2005-09-15 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US7619258B2 (en) 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN100531497C (zh) 2004-05-21 2009-08-19 株式会社半导体能源研究所 发光元件和发光设备
JP4925569B2 (ja) 2004-07-08 2012-04-25 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2006295104A (ja) 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
WO2006057420A1 (en) 2004-11-26 2006-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US7892657B2 (en) 2004-11-30 2011-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
WO2006101016A1 (en) 2005-03-23 2006-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light emitting element and light emitting device
JP5089063B2 (ja) * 2005-03-23 2012-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 複合材料および複合材料を用いた発光素子並びに発光装置
KR101290099B1 (ko) 2005-03-23 2013-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합재료, 발광소자용 재료, 발광소자, 발광장치 및전자기기
US20090026922A1 (en) 2005-04-21 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
EP1724852A3 (en) 2005-05-20 2010-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US8017252B2 (en) 2005-06-22 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8659008B2 (en) 2005-07-08 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material
WO2007013478A1 (en) 2005-07-25 2007-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance
JP4667999B2 (ja) * 2005-08-08 2011-04-13 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子用基板、および有機エレクトロルミネッセント素子
JP4668000B2 (ja) * 2005-08-08 2011-04-13 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子用基板、および有機エレクトロルミネッセント素子
JP2007048528A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子用基板、および有機エレクトロルミネッセント素子
WO2007026587A1 (en) 2005-08-29 2007-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anthracene derivative and hole transporting material, light emitting element, and electronic appliance using the same
JP4807013B2 (ja) 2005-09-02 2011-11-02 東レ株式会社 発光素子材料および発光素子
JP5078329B2 (ja) * 2005-11-30 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置並びに電子機器
US20070290604A1 (en) 2006-06-16 2007-12-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method of producing the same
JP2007335737A (ja) 2006-06-16 2007-12-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法
US7989802B2 (en) 2007-03-07 2011-08-02 Toray Industries, Inc. Light emitting device material and light emitting device
EP2075850A3 (en) 2007-12-28 2011-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
TWI522007B (zh) 2008-12-01 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、照明裝置、及電子裝置
WO2010137509A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
US9741955B2 (en) 2009-05-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same
KR101691395B1 (ko) 2009-09-04 2017-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 및 이의 제조방법
SG176831A1 (en) * 2009-09-07 2012-01-30 Semiconductor Energy Lab Light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic device
US8771840B2 (en) 2009-11-13 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP2011139044A (ja) 2009-12-01 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
DE112011103341B4 (de) * 2010-10-04 2024-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verbundmaterial, dessen Verwendung und lichtemittierendes Element
US8421346B2 (en) 2011-01-28 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, electronic device, and fluorene derivative
EP2503618B1 (en) * 2011-03-23 2014-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200704638A (en) * 2005-03-23 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Composite material, and light emitting element and light emitting device using the composite material
US20110031476A1 (en) * 2009-08-05 2011-02-10 Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology Organic electroluminescence element

Also Published As

Publication number Publication date
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