JP6804869B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器に関する。

陽極と陰極との間に発光層を含む有機薄膜層を備え、発光層に注入された正孔と電子との再結合によって生じる励起子（エキシトン）エネルギーから発光を得る有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と記載することもある）が知られている。
有機ＥＬ素子は、自発光型素子としての利点を活かし、高発光効率、高画質、低消費電力さらには薄型のデザイン性に優れた発光素子として期待されている。発光層を、ホストにドーパントとして発光材料をドーピングしたホスト／ドーパント発光層にすることが知られている。
ホスト／ドーパント発光層では、ホストに注入された電荷から効率よく励起子を生成することができる。そして、生成された励起子のエネルギーをドーパントに移動させ、ドーパントから高効率の発光を得ることができる。
近年では有機ＥＬ素子の性能向上を果たすべく、ホスト／ドーパントシステムに関してもさらなる研究が行われており、好適なホスト材料及びその他の有機ＥＬ素子用材料の探索が続いている（例えば、特許文献１及び２）。

国際公開第２０１１／１３２８６６号 国際公開第２０１２／０３５９３４号

本発明の目的は、深い青色発光し、かつ長寿命な有機ＥＬ素子を提供することである。また、他の目的は、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供することである。

本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、有機薄膜層の少なくとも１層が、特定の縮環様式を持つピロロピロール骨格を有する化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子、及び当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器が上記課題を解決し得ることを見出した。

すなわち、本発明の一態様によれば、下記［１］〜［３］が提供される。
［１］陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に一層以上の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記一層以上の有機薄膜層が発光層を含む層であり、前記一層以上の有機薄膜層の少なくとも１層が下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。

［式（Ｉ）中、Ｒ_１は、それぞれ独立に、水素原子、−ＣＯＯＲ（Ｒは、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基又はアミノ基）、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基（アルキル基の炭素数は１〜１０）、−ＣＮ、−ＳＯ_３Ｈ、−ＣＨＯ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＮＯ_２、又は−ＮＨ_２を表す。２つのＲ_１はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ_２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基を表す。２つのＲ_２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環である。２つのＸはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
［２］前記一般式（Ｉ）に記載の化合物からなる、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
［３］前記有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した、電子機器。

本発明によれば、深い青色発光し、かつ長寿命な有機ＥＬ素子、及びそのような有機ＥＬ素子を提供し得る有機ＥＬ素子用材料を提供できる。また、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供できる。

本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。

本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。

本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジニル基は環形成炭素数５であり、フラニル基は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。

また、本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。

また、本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）及び三重水素（ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。
本明細書中において、「ヘテロアリール基」、「ヘテロアリーレン基」及び「複素環基」は、環形成原子として、少なくとも１つのヘテロ原子を含む基であり、該へテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子及びセレン原子から選ばれる１種以上であることが好ましい。

本明細書中において、「置換もしくは無置換のカルバゾリル基」は、下記のカルバゾリル基、

及び上記の基に対して、さらに任意の置換基を有する置換カルバゾリル基を表す。
なお、当該置換カルバゾリル基は、任意の置換基同士が互いに結合して縮環してもよく、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子及びセレン原子等のヘテロ原子を含んでもよく、また、結合位置は１位〜９位のいずれであってもよい。このような置換カルバゾリル基の具体例として、例えば、下記に示す基が挙げられる。

本明細書において、「置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基」及び「置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基」は、下記のジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基、

及び上記の基に対して、さらに任意の置換基を有する置換ジベンゾフラニル基及び置換ジベンゾチオフェニル基を表す。
なお、当該置換ジベンゾフラニル基及び置換ジベンゾチオフェニル基は、任意の置換基同士が互いに結合して縮環してもよく、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子及びセレン原子等のヘテロ原子を含んでもよく、また、結合位置は１位〜８位のいずれであってもよい。
このような置換ジベンゾフラニル基及び置換ジベンゾチオフェニル基の具体例として、例えば、下記に示す基が挙げられる。

［上記式中、Ｘは酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｙは酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ^ａ（Ｒ^ａはアルキル基又はアリール基である。）、ＣＨ_２、又は、ＣＲ^ｂ _２（Ｒ^ｂはアルキル基又はアリール基である。）を表す。］

また、「置換基」、又は「置換もしくは無置換」との記載における置換基としては、炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基；環形成炭素数３〜５０（好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜８、さらに好ましくは５又は６）のシクロアルキル基；環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基；環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基を有する炭素数７〜５１（好ましくは７〜３０、より好ましくは７〜２０）のアラルキル基；アミノ基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基を有するアルコキシ基；環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基を有するアリールオキシ基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基；環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３）のヘテロアリール基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のハロアルキル基；ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）；シアノ基；ニトロ基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基から選ばれる置換基を有するスルホニル基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基から選ばれる置換基を有するジ置換ホスフォリル基；アルキルスルホニルオキシ基；アリールスルホニルオキシ基；アルキルカルボニルオキシ基；アリールカルボニルオキシ基；ホウ素含有基；亜鉛含有基；スズ含有基；ケイ素含有基；マグネシウム含有基；リチウム含有基；ヒドロキシ基；アルキル置換又はアリール置換カルボニル基；カルボキシル基；ビニル基；（メタ）アクリロイル基；エポキシ基；並びにオキセタニル基からなる群より選ばれる少なくとも１つが好ましいが、特にこれらに制限されるものではない。
これらの置換基は、さらに上述の任意の置換基により置換されていてもよい。また、これらの置換基は、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。
また、「置換もしくは無置換のＺＺ基」との記載における「無置換のＺＺ基」とは、ＺＺ基の水素原子がこれらの置換基で置換されていないことを意味する。

上記置換基の中でも、より好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０（好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜８、さらに好ましくは５又は６）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３）のヘテロアリール基、ハロゲン原子、シアノ基である。

本明細書中、好ましいとする態様（例えば、化合物、各種基、数値範囲等）は、他のあらゆる態様（例えば、化合物、各種基、数値範囲等）と任意に組み合わせることができ、また、好ましいとする態様（より好ましい態様、更に好ましい態様、特に好ましい態様を含む。）同士の組み合わせはより好ましいと言える。

［有機エレクトロルミネッセンス素子用材料］
本発明の一態様においては、下記一般式（Ｉ）で表される化合物［化合物（Ｉ）と略称することがある。］を有機エレクトロルミネッセンス素子の材料として用いる。当該化合物は有機ＥＬ素子に好適な化合物であり、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として有用である。

［式（Ｉ）中、Ｒ_１は、それぞれ独立に、水素原子、−ＣＯＯＲ（Ｒは、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基又はアミノ基）、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基（アルキル基の炭素数は１〜１０）、−ＣＮ、−ＳＯ_３Ｈ、−ＣＨＯ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＮＯ_２、又は−ＮＨ_２を表す。２つのＲ_１はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ_２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基を表す。２つのＲ_２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環である。２つのＸはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］

（一般式（Ｉ）中の各基についての説明）
前記Ｒ_１及びＲ_２の炭素数１〜５０のアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状であってもよい。該アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基（異性体を含む）、ヘキシル基（異性体を含む）、ヘプチル基（異性体を含む）、オクチル基（異性体を含む）、ノニル基（異性体を含む）、デシル基（異性体を含む）、ウンデシル基（異性体を含む）、及びドデシル基（異性体を含む）、トリデシル基、テトラデシル基、オクタデシル基、テトラコサニル基、テトラコンタニル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基が好ましい。該アルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、さらに好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、特に好ましくは炭素数１〜５のアルキル基である。

前記Ｒ_１及びＲ_２の炭素数１〜５０のアルコキシ基は、−ＯＹ_１で表され、Ｙ_１は炭素数１〜５０のアルキル基である。該アルキル基の例としては、上記した例が挙げられ、好ましい炭素数も同様である。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、フロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等が挙げられ、メトキシ基が好ましい。

前記Ｒ_１のジアルキルアミノ基（アルキル基の炭素数は１〜１０）としては、−Ｎ（Ｙ_２）_２で表され、Ｙ_２は炭素数１〜１０のアルキル基である。該アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基（異性体を含む）、ヘキシル基（異性体を含む）、ヘプチル基（異性体を含む）、オクチル基（異性体を含む）、ノニル基（異性体を含む）、デシル基（異性体を含む）等が挙げられ、２つのＹ_２は同一でも異なっていても良い。ジアルキルアミノ基の具体例としては、ジエチルアミノ基、ジメチルアミノ基等が挙げられ、ジメチルアミノ基が好ましい。

前記Ｒ_２の炭素数３〜５０のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられ、好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜８、さらに好ましくは５又は６である。

前記Ｘの環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン、インデン、ナフタレン等が挙げられ、ベンゼン、インデンが好ましい。また、インデンについては、３位が２つのアルキル基で置換されていると好ましく、２つのｎ−オクチル基で置換されていると好ましい。
該芳香族炭化水素環の環形成炭素数としては、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜９である。

前記Ｘの環形成原子数数５〜５０の芳香族複素環としては、チオフェン、ベンゾチオフェン、フラン、ベンゾフラン等が挙げられ、チオフェン、ベンゾチオフェンが好ましい。
該芳香族複素環の好ましい環形成原子数としては、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３、さらに好ましくは６〜９である。

前記式（Ｉ）において、２つのＲ_１が同一であると好ましい。前記式（Ｉ）において、２つのＲ_２が同一であると好ましい。前記式（Ｉ）において、２つのＸが同一であると好ましい。
前記式（Ｉ）において、２つのＲ_１、２つのＲ_２、２つのＸが、それぞれ同一であることにより、化合物構造が対称となる事で、材料の発光スペクトルをより好適な形状にすることができる。

前記式（Ｉ）のＲ_１が、それぞれ独立に、水素原子、−ＣＮ、−ＣＯＯＣＨ_３、−ＣＯＯＣ_２Ｈ_５、−ＳＯ_３Ｈ、−ＣＨＯ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＮＯ_２、−ＯＣＨ_３、−ＮＨ_２又は−Ｎ（ＣＨ_３）_２であると好ましく、水素原子又は−ＣＮであると好ましい。
また、前記式（Ｉ）のＲ_１が、いずれも水素原子であるか、いずれも−ＣＮであると好ましい。

前記式（Ｉ）のＲ_２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基であると好ましく、ｔ−ブチル基又はｎ−オクチル基であるとより好ましい。
前記式（Ｉ）のＸが、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環であると好ましく、ベンゼン、又はインデンであるとより好ましい。

化合物（Ｉ）の中でも、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、下記一般式（II）〜（VI）のいずれかで表される化合物が好ましい。

式（II）〜（VI）中、Ｒ_１及びＲ_２は、式（Ｉ）と同じであり、その具体例や好ましい炭素数も同じである。
式(III)のＲ_３と式（IV）のＲ_４は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基である。該アルキル基の具体例や好ましい炭素数は、前記式（Ｉ）のＲ及びＲ_２と同じである。
式(III)において、複数のＲ_３は同一でも異なっていてもよい。式（IV）において、２つのＲ_４は同一でも異なっていてもよい。

前記化合物（Ｉ）の具体例としては以下の化合物が挙げられる。

上記化合物（１）の製造方法に特に制限は無いが、例えば、以下の様に合成できる。
（１）化合物Ａ０の合成
（式中、Ｒ_１、Ｒ_２及びＸは、前記式（Ｉ）と同じである）

環流冷却器とマグネティックスターラーを備えた２５ｍｌの丸底フラスコに、アリールアミン６ｍｍｏｌ、芳香族アルデヒド６ｍｍｏｌ、及びＴｓＯＨ（ｐ−トルエンスルホン酸） ０．６ｍｍｏｌを入れた後、氷酢酸６ｍｌを追加し、その混合物を９０℃で３０分間反応させた。その後、ブタン−２，３−ジオン２４６ｍｌ（３ｍｍｏｌ）を添加し、その混合物を９０℃で３時間反応させた後、冷却した。得られた沈殿物を濾過し、冷却した氷酢酸で洗浄し、ＡｃＯＥｔ（酢酸エチル）から再結晶させ、減圧乾燥して生成物として化合物Ａ０を得た。

（２）式（Ｉ）で表される化合物の合成

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２及びＸは、前記式（Ｉ）と同じである）

アルゴン気流下で、環流冷却器とマグネティックスターラーを備えた５０ｍｌの丸底フラスコに、乾燥塩化メチレン（ＤＣＭ）１２ｍｌと化合物Ａ０ １ｍｍｏｌを入れた。その後、ニトロメタン１２ｍｌ中に溶解した塩化第２鉄２０ｍｍｏｌをシリンジを介して添加し、室温で３０分間反応させた。その後、１５ｍｌの水を添加し、生成物を１５分間攪拌した。２層に分かれたため、水層を塩化メチレン１０ｍｌで３回抽出した。有機層を混合、乾燥して、溶媒を蒸発させ、粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、減圧乾燥して生成物として式（Ｉ）で表される化合物を得た。

［有機エレクトロルミネッセンス素子］
次に、本発明の一態様の有機ＥＬ素子について説明する。
有機ＥＬ素子は、陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に一層以上の有機薄膜層を有する。この一層以上の有機薄膜層は発光層を含み、有機薄膜層の少なくとも１層が本発明の前記化合物（前記化合物（Ｉ）や、それに包含される下位概念の前記各化合物（II）〜（VI））を含む。
本発明の前記化合物が含まれる有機薄膜層の例としては、陽極と発光層との間に設けられる陽極側有機薄膜層（正孔輸送層、正孔注入層等）、発光層、陰極と発光層との間に設けられる陰極側有機薄膜層（電子輸送層、電子注入層等）、スペース層、障壁層等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記化合物（Ｉ）は、上記いずれの層に含まれていてもよい。特に、蛍光発光ユニットの発光層が本発明の前記化合物を含むことが好ましく、その場合、本発明の前記化合物はドーパント材料として機能し得る。

本発明の一態様において、有機ＥＬ素子は、蛍光発光型の単色発光素子であっても、蛍光／燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよい。ここで、「発光ユニット」とは、一層以上の有機層を含み、そのうちの一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光することができる最小単位をいう。

従って、シンプル型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（１）陽極／発光ユニット／陰極
また、上記発光ユニットは、蛍光発光層のみならず燐光発光層を有する積層型であってもよく、その場合、各発光層の間に、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、スペース層を有していてもよい。発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。
（ａ）正孔輸送層／発光層（／電子輸送層）
（ｂ）正孔輸送層／第一蛍光発光層／第二蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｃ）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｄ）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｅ）正孔輸送層／第一燐光発光層／スペース層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｆ）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／第一蛍光発光層／第二蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｇ）正孔輸送層／電子障壁層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｈ）正孔輸送層／蛍光発光層／正孔障壁層（／電子輸送層）
（ｉ）正孔輸送層／蛍光発光層／トリプレット障壁層（／電子輸送層）

上記各蛍光発光層又は燐光発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を示すものとすることができる。具体的には、上記積層発光ユニット（ｄ）において、正孔輸送層／第一燐光発光層（赤色発光）／第二燐光発光層（緑色発光）／スペース層／蛍光発光層（青色発光）／電子輸送層といった層構成等が挙げられる。
なお、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子障壁層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔障壁層を設けてもよい。電子障壁層や正孔障壁層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。

タンデム型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（２）陽極／第一発光ユニット／中間層／第二発光ユニット／陰極
ここで、上記第一発光ユニット及び第二発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットと同様のものを選択することができる。
上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第一発光ユニットに電子を、第二発光ユニットに正孔を供給する、公知の材料構成を用いることができる。

図１に、前記有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。有機ＥＬ素子１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット１０とを有する。発光ユニット１０は、蛍光ホスト材料と蛍光ドーパント材料（蛍光発光材料）を含む少なくとも１つの蛍光発光層を含む発光層５を有する。発光層５と陽極３との間に正孔注入・輸送層（陽極側有機薄膜層、又は正孔輸送領域などとも称する。）６等、発光層５と陰極４との間に電子注入・輸送層（陰極側有機薄膜層、又は電子輸送領域などとも称する。）７等を形成してもよい。また、発光層５の陽極３側に電子障壁層（図示せず）を、発光層５の陰極４側に正孔障壁層（図示せず）を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層５に閉じ込めて、発光層５における励起子の生成確率をさらに高めることができる。
なお、蛍光ドーパント材料（蛍光発光材料）と組み合わされたホスト材料を蛍光ホスト材料と称する。

（基板）
基板は、発光素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどを用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。

（陽極）
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

（陰極）
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）等、並びに希土類金属およびこれを含む合金等が挙げられる。

（発光層のドーパント材料）
発光層は、発光性の高い物質を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、発光性の高い物質としては、蛍光を発光する蛍光性化合物を用いることができ、少なくとも前記化合物（Ｉ）を用いることが好ましい。蛍光性化合物は一重項励起状態から発光可能な化合物である。

前記化合物（Ｉ）以外では、発光層に用いることができる青色系の蛍光発光材料として、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ'−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルスチルベン−４，４'−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４'−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４'−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。
また、緑色系の蛍光発光材料として、芳香族アミン誘導体等を使用できる。具体的には、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１'−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１'−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１'−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。
また、赤色系の蛍光発光材料として、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

（発光層のホスト材料）
発光層としては、上述した発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。発光性の高い物質を分散させるための物質としては、各種のものを用いることができ、発光性の高い物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
発光性の高い物質を分散させるための物質（ホスト材料）としては、例えば、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、若しくは亜鉛錯体等の金属錯体、２）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、若しくはフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、３）カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、若しくはクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、４）トリアリールアミン誘導体、若しくは縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物を使用できる。より具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（III）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（III）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（II）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（III）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（II）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（II）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（II）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２'，２''−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９'−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９'−（スチルベン−３，３'−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９'−（スチルベン−４，４'−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３'，３''−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる。また、発光性の高い物質（ドーパント材料）を分散させるための物質（ホスト材料）は複数種用いることができる。

前記化合物（Ｉ）を発光層に含有させる場合、該発光層はさらにホスト材料を含有することが好ましい。その場合、前記化合物（Ｉ）とホスト材料との含有比率（化合物（Ｉ）／ホスト材料）は、質量比で、好ましくは１／９９〜２０／８０、より好ましくは１／９９〜１５／８５、さらに好ましくは２／９８〜１０／９０、特に好ましくは２／９８〜７／９３である。
なお、前記ホスト材料の三重項励起準位［Ｔ_１（Ｈ）］は、化合物（Ｉ）の三重項励起準位［Ｔ_１（Ｄ）］よりも小さいことが好ましい。これにより、三重項励起子が発光層内のホスト材料に閉じ込められＴＴＦ（Triplet-Triplet-Fusion）現象を効率的に起こして蛍光素子の高効率化に寄与するからである（ＷＯ２０１１／０８６９４１等参照）。

前記化合物（Ｉ）を発光層に含有させる場合、発光層がさらに含有するホスト材料としては、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０（好ましくは１０〜３０、より好ましくは１０〜２０、さらに好ましくは１０〜１４）の芳香族縮合環を含有する縮合多環芳香族化合物であるか、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０（好ましくは１０〜３０、より好ましくは１０〜２０、さらに好ましくは１０〜１４）の芳香族縮合環と置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜５０（好ましくは１０〜３０、より好ましくは１０〜２０、さらに好ましくは１０〜１３）のヘテロ芳香族縮合環とを含有する縮合多環ヘテロ芳香族化合物であることが好ましい。
上記縮合多環芳香族化合物の環形成炭素数の合計は、好ましくは３０〜７０、より好ましくは３０〜６０、さらに好ましくは３０〜５０、特に好ましくは３０〜４０である。縮合多環ヘテロ芳香族化合物の環形成原子数の合計は、好ましくは３０〜７０、より好ましくは３０〜６０、さらに好ましくは３０〜５５、特に好ましくは３０〜４５である。

また、前記化合物（Ｉ）を発光層に含有させる場合、発光層がさらに含有するホスト材料としては、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、下記一般式（１）で表される縮合多環芳香族化合物又は縮合多環ヘテロ芳香族化合物であることがより好ましい。

［一般式（１）中、Ａｒ^１ａ及びＡｒ^２ａは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の非縮合アリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の非縮合ヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリーレン基を表す。
Ａｒ^１ｂ及びＡｒ^２ｂは、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の非縮合アリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の非縮合ヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリーレン基を表す。
Ａｒ^１ｃ及びＡｒ^２ｃは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の非縮合アリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の非縮合ヘテロアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリール基を表す。
Ｒ^１０１〜Ｒ^１０８は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の非縮合アリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の非縮合ヘテロアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリール基であるか、又は、前記非縮合アリール基、前記非縮合ヘテロアリール基、前記縮合アリール基及び前記縮合ヘテロアリール基から選択される少なくとも２つの組み合わせからなる基であるか、又は、
置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、環形成炭素数６〜５０のアリール基を有する置換もしくは無置換の炭素数７〜５１のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、シリル基であるか、又は、
炭素数１〜５０のアルキル基、環形成炭素数６〜５０の非縮合アリール基及び環形成炭素数１０〜５０の縮合アリール基から選択される置換基を有する、モノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基である。］

Ａｒ^１ａ、Ａｒ^２ａ、Ａｒ^１ｂ及びＡｒ^２ｂが表す非縮合アリーレン基の環形成炭素数は、高性能化の観点から、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１４、特に好ましくは６〜１２である。非縮合アリーレン基としては、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基などのフェニレン基が好ましい。
非縮合ヘテロアリーレン基の環形成原子数は、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１０である。
縮合アリーレン基の環形成炭素数は、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、好ましくは１０〜３０、より好ましくは１０〜２０、さらに好ましくは１０〜１４である。縮合アリーレン基としては、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、１，４−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基などのナフチレン基が好ましい。
縮合ヘテロアリーレン基の環形成原子数は、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、好ましくは８〜３０、より好ましくは８〜２０、さらに好ましくは８〜１３である。

Ａｒ^１ａ及びＡｒ^２ａは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリーレン基であることが好ましい。
Ａｒ^１ａ及びＡｒ^２ａのうちの一方が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の非縮合アリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の非縮合ヘテロアリーレン基であり、他方が、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリーレン基であるのも好ましい。
Ａｒ^１ａ及びＡｒ^２ａがいずれも、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の非縮合アリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の非縮合ヘテロアリーレン基であるのも好ましい。
Ａｒ^１ａ及びＡｒ^２ａがいずれも、置換もしくは無置換のフェニレン基であるのも好ましい。
Ａｒ^１ａが置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリーレン基であり、Ａｒ^２ａが無置換のフェニレン基であるのも好ましい。
Ａｒ^１ａが置換もしくは無置換のフェニレン基であり、Ａｒ^２ａが無置換のフェニレン基であるのも好ましい。
Ａｒ^１ａが置換もしくは無置換のナフチレン基であり、Ａｒ^１ｂが置換もしくは無置換のフェニレン基であるのも好ましい。
Ａｒ^２ａが、カルバゾール、ジベンゾフラン又はジベンゾチオフェンの二価の基（該２価の基は置換基を有していてもよい）であるのも好ましい。
Ａｒ^２ｃが、置換もしくは無置換のＮ−カルバゾリル基、置換もしくは無置換のＣ−カルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基又は置換もしくは無置換のジベンゾチエニル基であるのも好ましい。

Ａｒ^１ｃ及びＡｒ^２ｃが表す非縮合アリール基の環形成炭素数は、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１４、特に好ましくは６〜１２である。非縮合アリール基としては、フェニル基が好ましい。
非縮合ヘテロアリール基の環形成原子数は、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１０である。
縮合アリール基の環形成炭素数は、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、好ましくは１０〜３０、より好ましくは１０〜２０、さらに好ましくは１０〜１４である。縮合アリール基としては、１−ナフチル基、２−ナフチル基などのナフチル基；９−フェナントリル基などのフェナントリル基；２−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基が好ましく、ナフチル基、フェナントリル基がより好ましい。
縮合ヘテロアリール基の環形成原子数は、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、好ましくは８〜３０、より好ましくは８〜２０、さらに好ましくは８〜１３である。縮合ヘテロアリール基としては、２−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基などのジベンゾフラニル基；２−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基などのジベンゾチオフェニル基が好ましい。

Ｒ^１０１〜Ｒ^１０８が表す非縮合アリール基の環形成炭素数は、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１４、特に好ましくは６〜１２である。非縮合ヘテロアリール基の環形成原子数は、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１０である。縮合アリール基の環形成炭素数は、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、好ましくは１０〜３０、より好ましくは１０〜２０、さらに好ましくは１０〜１４である。縮合ヘテロアリール基の環形成原子数は、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、好ましくは８〜３０、より好ましくは８〜２０、さらに好ましくは８〜１３である。
アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜３０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、特に好ましくは１〜３である。シクロアルキル基の環形成炭素数は、好ましくは３〜３０、より好ましくは３〜１０、さらに好ましくは３〜６である。アルコキシ基の炭素数は、好ましくは１〜３０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、特に好ましくは１〜３である。環形成炭素数６〜５０のアリール基を有する置換もしくは無置換の炭素数７〜５１のアラルキル基については、アリール基の好ましい環形成炭素数は、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１４、特に好ましくは６〜１２であり、そのとき、アラルキル基の炭素数は、好ましくは７〜３１、より好ましくは７〜２１、さらに好ましくは７〜１５、特に好ましくは７〜１３である。アリールオキシ基の環形成炭素数は、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは６〜１４、特に好ましくは６〜１２である。
モノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基としては、トリ置換シリル基が好ましく、トリアルキルシリル基（アルキル基の炭素数は１〜５０、好ましくは１〜３０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、特に好ましくは１〜３）がより好ましい。トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基が好ましい。
なお、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０８としては、それぞれ独立に、水素原子、前記アルキル基、又は、前記モノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基であることが好ましく、水素原子、無置換のアルキル基、又はトリ置換シリル基であることがより好ましく、いずれも水素原子であることがさらに好ましい。

前記一般式（１）で表される縮合多環芳香族化合物又は縮合多環ヘテロ芳香族化合物の中でも、有機ＥＬ素子の高性能化の観点から、下記一般式（２）〜（５）のいずれかで表される縮合多環芳香族化合物又は縮合多環ヘテロ芳香族化合物であることがより好ましい。

［一般式（２）中、Ａｒ^１ａ、Ａｒ^２ａ、Ａｒ^１ｂ、Ａｒ^１ｃ及びＲ^１０１〜Ｒ^１０８は、前記一般式（１）中の定義の通りであり、好ましいものも同じである。但し、Ａｒ^１ｂは単結合ではなく、且つＡｒ^１ｃは水素原子ではない。］

［一般式（３）中、Ａｒ^１ａ、Ａｒ^２ａ、Ａｒ^１ｃ、Ａｒ^２ｃ及びＲ^１０１〜Ｒ^１０８は、前記一般式（１）中の定義の通りであり、好ましいものも同じである。但し、Ａｒ^１ｃ及びＡｒ^２ｃは、いずれも水素原子ではない。］

［一般式（４）中、Ａｒ^１ａ、Ａｒ^２ａ、Ａｒ^１ｃ及びＲ^１０１〜Ｒ^１０８は、前記一般式（１）中の定義の通りであり、好ましいものも同じである。但し、Ａｒ^１ｃは水素原子ではない。］

［一般式（５）中、Ａｒ^１ａ、Ａｒ^２ａ及びＲ^１０１〜Ｒ^１０８は、前記一般式（１）中の定義の通りであり、好ましいものも同じである。］

前記一般式（１）で表される縮合多環芳香族化合物又は縮合多環ヘテロ芳香族化合物の具体例としては、以下のものが挙げられる。

（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。

（電子注入層）
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。
なお、電子注入層と電子輸送層とを併せて電子輸送領域と称することがある。

（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、芳香族アミン化合物、又は高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）等も使用できる。

（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
なお、正孔注入層と正孔輸送層とを併せて正孔輸送領域と称することがある。本発明においては、一層以上の有機薄膜層が、発光層と陽極との間に正孔輸送領域を有しており、該正孔輸送領域が前記化合物（Ｉ）を含有するのも好ましい。

本発明の一態様において、有機ＥＬ素子の各層は従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等により形成することができる。例えば、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）、あるいは、層を形成する化合物の溶液を用いた、ディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。

各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い駆動電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

前記化合物（Ｉ）を含有する層（発光層又は正孔輸送領域など）は、真空蒸着法により成膜することが好ましい。その際、ホスト材料と一緒に共蒸着することが好ましい。
また、前記化合物（Ｉ）を含有する層以外の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の一実施態様である有機ＥＬ素子に用いる、本発明の他の実施態様である化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）、あるいは当該化合物を溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。

［電子機器］
本発明の化合物を用いて得られる有機ＥＬ素子は、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の表示装置、及び、照明、車両用灯具の発光装置等の電子機器に使用できる。つまり、本発明は、前記有機ＥＬ素子を搭載した電子機器をも提供する。

次に、実施例および比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例の記載内容になんら制限されるものではない。

合成例１［化合物７の合成］
（１）化合物Ａの合成
環流冷却器とマグネティックスターラーを備えた２５ｍｌの丸底フラスコに、４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリン６ｍｍｏｌ、４−ホルミル−３−フェニルベンゾニトリル６ｍｍｏｌ、及びＴｓＯＨ ０．６ｍｍｏｌを入れた後、氷酢酸を追加し、その混合物を９０℃で３０分間攪拌した。その後、ブタン−２，３−ジオン ３ｍｍｏｌをシリンジを介してよりゆっくりと添加し、その混合物を９０℃で３時間攪拌した後、室温まで冷却した。得られた沈殿物を濾過し、冷却した氷酢酸で洗浄し、ＡｃＯＥｔから再結晶させ、減圧乾燥して高純度の生成物を得た。
得られた生成物は、^１ＨＮＭＲ分析及びＨＥＭＳ分析により、下記化合物Ａ（2,5-Bis(5-cyano-[1,1’-biphenyl]-2-yl)-1,4-bis(4-tert-butylphenyl)-1,4-dihydropyrrolo[3,2-b]pyrrole）であることを確認した。収率は４１％であった。

（２）化合物７の合成
アルゴン気流下で、環流冷却器とマグネティックスターラーを備えた５０ｍｌの丸底フラスコに、乾燥塩化メチレン１２ｍｌと化合物Ａ １ｍｍｏｌを入れた。その後、ニトロメタン中に溶解した塩化第２鉄をシリンジを介して添加し、室温で３０分間反応させた。その後、１５ｍｌの水を添加し、生成物を１５分間攪拌した。２層に分かれたため、水層を塩化メチレン１０ｍｌで３回抽出した。有機層を混合、乾燥して、溶媒を蒸発させ、粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製した。
得られた生成物は、ＨＥＭＳ分析により、下記化合物７（3,12-Dicyano-9,18-bis(4-tert-butylphenyl)-9,18-dihydrodibenzo[e,g]-dibenzo[4,5:6,7]indolo[3,2-b]indole）であることを確認した。収率は７０％であった。

実施例１
２５ｍｍ×２５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行った後、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして下記化合物（ＨＩ−１）を蒸着して膜厚６０ｎｍのＨＩ−１膜を成膜し、正孔注入層を形成した。次に、この正孔注入層上に、正孔輸送材料として上記化合物（ＨＴ−１）を蒸着して膜厚２０ｎｍのＨＴ−１膜を成膜し、正孔輸送層を形成した。こうして、正孔輸送領域を形成した。
さらに、このＨＴ−１膜上に膜厚４０ｎｍで、ホスト材料として上記化合物（ＢＨ−１）と、ドーパント材料として前記化合物７とを化合物７が重量比で５％含まれるように共蒸着により成膜し、発光層とした。
次に、下記化合物（ＥＴ−１）を膜厚２０ｎｍで蒸着し、電子輸送層とした。その上に、弗化リチウムを膜厚１ｎｍで蒸着し、次いでアルミニウムを膜厚８０ｎｍで蒸着した。このアルミニウム／弗化リチウムは陰極として働く。このようにして蛍光発光性の有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子において、色度［ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）］及び色純度［発光ピーク波長λ_p（単位：ｎｍ）］を測定した。また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２において駆動した際に輝度が初期輝度の８０％となるまでの時間（ＬＴ８０）を測定した。それらの結果を表１に示す。

以下に、有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物を示す。

比較例１〜２
実施例１において、化合物７の代わりに下記構造の比較化合物１、２を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１に示す。

表１より、化合物７をドーパント材料として用いた実施例１の素子は、色度及び蛍光ピーク波長の数値より、比較例１及び２に対し、深い青色であり、かつ寿命も長いことが確認できる。

１ 有機ＥＬ素子
３ 陽極
４ 陰極
５ 発光層
６ 陽極側有機薄膜層
７ 陰極側有機薄膜層
１０ 発光ユニット

Claims (31)

1. 陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に一層以上の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
   前記一層以上の有機薄膜層が発光層を含む層であり、前記発光層が下記式（Ｉ）で表される化合物と、ホスト材料とを含み、
   前記ホスト材料が、下記一般式（１）で表される縮合多環芳香族化合物又は縮合多環ヘテロ芳香族化合物である、有機エレクトロルミネッセンス素子。
   
   ［式（Ｉ）中、Ｒ_１は、それぞれ独立に、水素原子、−ＣＯＯＲ（Ｒは、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基又はアミノ基）、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基（アルキル基の炭素数は１〜１０）、−ＣＮ、−ＳＯ_３Ｈ、−ＣＨＯ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＮＯ_２、又は−ＮＨ_２を表す。２つのＲ_１はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ_２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基を表す。２つのＲ_２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｘは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環である。２つのＸはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
   
   ［一般式（１）中、Ａｒ ^１ａ 及びＡｒ ^２ａ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の非縮合アリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の非縮合ヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリーレン基を表す。
   Ａｒ ^１ｂ 及びＡｒ ^２ｂ は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の非縮合アリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の非縮合ヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリーレン基を表す。
   Ａｒ ^１ｃ 及びＡｒ ^２ｃ は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の非縮合アリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の非縮合ヘテロアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリール基を表す。
   Ｒ ^１０１ 〜Ｒ ^１０８ は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の非縮合アリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の非縮合ヘテロアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリール基であるか、又は、前記非縮合アリール基、前記非縮合ヘテロアリール基、前記縮合アリール基及び前記縮合ヘテロアリール基から選択される少なくとも２つの組み合わせからなる基であるか、又は、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、環形成炭素数６〜５０のアリール基を有する置換もしくは無置換の炭素数７〜５１のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、シリル基であるか、又は、
   炭素数１〜５０のアルキル基、環形成炭素数６〜５０の非縮合アリール基及び環形成炭素数１０〜５０の縮合アリール基から選択される置換基を有する、モノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基である。］
2. 前記式（Ｉ）において、２つのＲ_１が同一である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 前記式（Ｉ）において、２つのＲ_２が同一である、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 前記式（Ｉ）において、２つのＸが同一である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. 前記式（Ｉ）のＲ_１が、それぞれ独立に、水素原子、−ＣＮ、−ＣＯＯＣＨ_３、−ＣＯＯＣ_２Ｈ_５、−ＳＯ_３Ｈ、−ＣＨＯ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＮＯ_２、−ＯＣＨ_３、−ＮＨ_２又は−Ｎ（ＣＨ_３）_２である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 前記式（Ｉ）のＲ_１が、それぞれ独立に、水素原子又は−ＣＮである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 前記式（Ｉ）のＲ_１が、いずれも水素原子である請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 前記式（Ｉ）のＲ_１が、いずれも−ＣＮである請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 前記式（Ｉ）のＲ_２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 前記式（Ｉ）のＲ_２が、それぞれ独立に、ｔ−ブチル基又はｎ−オクチル基である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 前記式（Ｉ）のＸが、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素環である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 前記式（Ｉ）のＸが、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゼン、置換もしくは無置換のインデン、置換もしくは無置換のチオフェン、又は置換もしくは無置換のベンゾチオフェンである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
13. 前記式（Ｉ）が、下記式（II）〜（VI）のいずれかで表されることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    ［式（II）〜（VI）中、Ｒ_１及びＲ_２は、式（Ｉ）と同じである。式(III)のＲ_３と式（IV）のＲ_４は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基である。式(III)において、複数のＲ_３は同一でも異なっていてもよい。式（IV）において、２つのＲ_４は同一でも異なっていてもよい。］
14. 前記化合物の少なくとも１つが以下の化合物１〜７の群から選択される、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    
15. 前記化合物とホスト材料との含有比率（前記化合物／ホスト材料）が、質量比で、１／９９〜２０／８０である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
16. 前記ホスト材料の三重項励起準位［Ｔ_１（Ｈ）］が、前記化合物の三重項励起準位［Ｔ_１（Ｄ）］よりも小さい、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
17. 前記ホスト材料が、下記一般式（２）で表される縮合多環芳香族化合物又は縮合多環ヘテロ芳香族化合物である、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    
    ［一般式（２）中、Ａｒ^１ａ、Ａｒ^２ａ、Ａｒ^１ｂ、Ａｒ^１ｃ及びＲ^１０１〜Ｒ^１０８は、前記定義の通りである。但し、Ａｒ^１ｂは単結合ではなく、且つＡｒ^１ｃは水素原子ではない。］
18. 前記ホスト材料が、下記一般式（３）で表される縮合多環芳香族化合物又は縮合多環ヘテロ芳香族化合物である、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    
    ［一般式（３）中、Ａｒ^１ａ、Ａｒ^２ａ、Ａｒ^１ｃ、Ａｒ^２ｃ及びＲ^１０１〜Ｒ^１０８は、前記定義の通りである。但し、Ａｒ^１ｃ及びＡｒ^２ｃは、いずれも水素原子ではない。］
19. 前記ホスト材料が、下記一般式（４）で表される縮合多環芳香族化合物又は縮合多環ヘテロ芳香族化合物である、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    
    ［一般式（４）中、Ａｒ^１ａ、Ａｒ^２ａ、Ａｒ^１ｃ及びＲ^１０１〜Ｒ^１０８は、前記定義の通りである。但し、Ａｒ^１ｃは水素原子ではない。］
20. 前記ホスト材料が、下記一般式（５）で表される縮合多環芳香族化合物又は縮合多環ヘテロ芳香族化合物である、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    
    ［一般式（５）中、Ａｒ^１ａ、Ａｒ^２ａ及びＲ^１０１〜Ｒ^１０８は、前記定義の通りである。］
21. Ａｒ^１ａ及びＡｒ^２ａが、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリーレン基である、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
22. Ａｒ^１ａ及びＡｒ^２ａのうちの一方が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の非縮合アリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の非縮合ヘテロアリーレン基であり、他方が、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリーレン基である、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
23. Ａｒ^１ａ及びＡｒ^２ａがいずれも、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の非縮合アリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の非縮合ヘテロアリーレン基である、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
24. Ａｒ^１ａ及びＡｒ^２ａがいずれも、置換もしくは無置換のフェニレン基である、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
25. Ａｒ^１ａが置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合アリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数８〜５０の縮合ヘテロアリーレン基であり、Ａｒ^２ａが無置換のフェニレン基である、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
26. Ａｒ^１ａが置換もしくは無置換のフェニレン基であり、Ａｒ^２ａが無置換のフェニレン基である、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
27. Ａｒ^１ａが置換もしくは無置換のナフチレン基であり、Ａｒ^１ｂが置換もしくは無置換のフェニレン基である、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
28. Ａｒ^２ａが、カルバゾール、ジベンゾフラン又はジベンゾチオフェンの二価の基であり、該２価の基は置換基を有していてもよい、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
29. Ａｒ^２ｃが、置換もしくは無置換のＮ−カルバゾリル基、置換もしくは無置換のＣ−カルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基又は置換もしくは無置換のジベンゾチエニル基である、請求項１〜１６、及び１８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
30. 一層以上の有機薄膜層が、発光層と陽極との間に正孔輸送領域を有しており、該正孔輸送領域が前記化合物を含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
31. 請求項１〜３０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した、電子機器。