WO2021230653A1 - 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 - Google Patents
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- C07F9/6584—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms having phosphorus and nitrogen atoms with or without oxygen or sulfur atoms, as ring hetero atoms having one phosphorus atom as ring hetero atom
- C07F9/65842—Cyclic amide derivatives of acids of phosphorus, in which one nitrogen atom belongs to the ring
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- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
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- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
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Definitions
- the present invention relates to an organic light emitting compound and an organic light emitting device including the same, and more particularly, by employing an anthracene derivative having a characteristic structure as a host compound and a polycyclic aromatic derivative compound as a dopant compound in the light emitting layer, such as significantly improved low voltage driving, etc. It relates to an organic light emitting device having excellent light emitting characteristics.
- an organic light emitting device In an organic light emitting device, electrons injected from an electron injection electrode (cathode electrode) and holes injected from a hole injection electrode (anode electrode) combine in a light emitting layer to form excitons, and the excitons release energy It is a self-luminous device that emits light while emitting light, and such an organic light-emitting device has a low driving voltage, high luminance, wide viewing angle, and fast response speed, and is in the spotlight as a next-generation light source because of its advantages that it can be applied to a full-color flat panel light emitting display. .
- the structure of the organic layer in the device is optimized, and the material constituting each organic layer is a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, an electron injection material, an electron blocking material. It should be preceded by a stable and efficient material, but there is still a need for a stable and efficient structure of an organic layer for an organic light emitting device and development of each material.
- the energy bandgap of the host and the dopant must be appropriately combined so that holes and electrons move to the dopant through a stable electrochemical path, respectively, to form excitons.
- an object of the present invention is to provide an organic light emitting device having excellent light emitting characteristics such as improved low voltage driving by employing a characteristic host material and a dopant material in the light emitting layer in the organic light emitting device.
- the present invention provides a compound represented by the following [Formula I], which is employed as a host compound in an organic layer in a device, preferably in a light emitting layer.
- the present invention includes a first electrode, a second electrode opposite to the first electrode, and a light emitting layer interposed between the first electrode and the second electrode, It provides an organic light emitting device including the displayed compound in the light emitting layer.
- the organic light emitting device further comprises a compound represented by the following [Formula A-1] or [Formula A-2] as a dopant compound together with the compound represented by the [Formula I] in the light emitting layer do it with
- the organic light emitting device is characterized in that it further comprises a compound represented by the following [Formula B] as a dopant compound together with the compound represented by the [Formula I] in the light emitting layer.
- the organic light emitting device is characterized in that it further comprises a compound represented by the following [Formula C] as a dopant compound together with the compound represented by the [Formula I] in the light emitting layer.
- the organic light emitting device employs an anthracene derivative compound having a characteristic structure as a host and a polycyclic aromatic derivative compound as a dopant in the light emitting layer to realize improved low voltage driving characteristics. It can be usefully used for various display devices such as displays.
- One aspect of the present invention relates to a compound represented by the following [Formula I], structurally comprising at least one dibenzofuran or dibenzothiophene in the structure, and through this, the light emitting layer of the organic light emitting device It may be employed as a host compound to obtain improved low-voltage driving characteristics of the device.
- a 1 to A 4 , B 1 and B 2 are the same as or different from each other and each independently represent a substituted or unsubstituted dibenzofuran, a substituted or unsubstituted dibenzothiophene, or a substituted or unsubstituted It is a C6-C30 aromatic hydrocarbon group.
- n, o and p are each an integer from 0 to 1
- m+n+o+p is an integer from 1 to 3.
- R is the same or different from each other in a plurality of cases, and each independently represents hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 to 30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylthioxy group, substituted or unsubstituted C5 to C30 arylthiooxy group, substituted or Any one selected from an unsubstituted C1-C30 alkylsilyl group and a substituted or unsubstituted C6-C30 arylsilyl group.
- the [Formula I] may be a compound represented by the following [Formula I-1], structurally comprising at least one dibenzofuran or dibenzothiophene in the structure do it with
- a 1 to A 3 , B 1 and B 2 are the same as or different from each other and each independently represent a substituted or unsubstituted dibenzofuran, a substituted or unsubstituted dibenzothiophene, or a substituted or unsubstituted It is a C6-C30 aromatic hydrocarbon group.
- n and n are each an integer of 0 to 1, preferably m+n is an integer of 1.
- Another aspect of the present invention relates to an organic light emitting device including an anthracene derivative compound represented by the above [Formula I] in an emission layer, and according to an embodiment of the present invention, the following [Formula A-1] or [Formula A- 2], a dopant compound represented by [Formula B], [Formula C] may be included in the light emitting layer together.
- Q 1 to Q 3 are the same as or different from each other, and each independently represent a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring having 6 to 50 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle having 2 to 50 carbon atoms.
- Y is any one selected from NR 1 , CR 2 R 3 , O, S, Se, and SiR 4 R 5
- a plurality of Ys are the same or different
- R 1 To R 5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl group, a substituted or unsubstituted A cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, substituted Or an unsubstituted C1-C30 alkylthioxy group, a substituted or unsubstituted C5-C30 arylthioxy group, a substituted or unsubstituted C1-C30 alkylamine group, a substituted or unsubstituted C5-30 of an aryl
- each of R 1 to R 5 may be combined with the Q 1 to Q 3 ring to additionally form an alicyclic or aromatic monocyclic or polycyclic ring, wherein R 2 and R 3 and R 4 and R 5 are Each may be connected to each other to additionally form an alicyclic or aromatic monocyclic or polycyclic ring.
- the [Formula A-1] or [Formula A-2] may be any one of the following [Formula A-3] to [Formula A-6] may be represented.
- Z is CR or N, wherein R is hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl group, or substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cyclo An alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to 30 alkylthioxy group, substituted or unsubstituted C5 to C30 arylthioxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylamine group, substituted or unsubstituted C5 to C30 arylamine group, substituted or an unsubstituted alkylsilyl group having 1 to 30 carbon atom
- the plurality of R may be bonded to each other or connected to adjacent substituents to form an alicyclic, aromatic monocyclic or polycyclic ring, and the carbon atoms of the formed alicyclic, aromatic monocyclic or polycyclic ring may be selected from among N, S and O It may be substituted with any one or more heteroatoms selected.
- X and Y are the same as defined in [Formula A-1] and [Formula A-2], respectively.
- Q 1 to Q 3 are the same as or different from each other, and each independently represent a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring having 6 to 50 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle having 2 to 50 carbon atoms.
- R 6 To R 8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl group, a substituted or unsubstituted A cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, substituted Or an unsubstituted C1-C30 alkylthio group, a substituted or unsubstituted C5-C30 arylthioxy group, a substituted or unsubstituted C1-C30 alkylamine group, a substituted or unsubstituted C5-30 of an aryl
- each of R 6 to R 8 may be combined with the Q 2 ring or the Q 3 ring to additionally form an alicyclic or aromatic monocyclic or polycyclic ring, wherein R 7 and R 8 are each connected to each other to form an alicyclic ring A monocyclic or polycyclic ring of a group or aromatic may be additionally formed.
- Cy1 is connected to the nitrogen (N) atom and the aromatic carbon atom in the Q1 ring to form a condensed ring, wherein the Cy1 ring formed is an aromatic in the Q1 ring bonded to a nitrogen (N) atom and a nitrogen (N) atom
- a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, preferably 2 to 5 carbon atoms, except for carbon atoms and aromatic carbon atoms in the Q1 ring to be bonded to Cy1.
- Cy2 is added to Cy1 to form a saturated hydrocarbon ring, wherein the formed Cy2 ring is a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, except for carbon atoms included in Cy1.
- At least one of Q 1 to Q 3 in the [Formula B] according to the present invention is characterized in that the arylamino group represented by the following [Structural Formula 1] is bonded in the ring.
- "*" means a site bonded to at least one ring among Q 1 to Q 3 , Ar 11 and Ar 12 are the same or different from each other and each independently a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl group, or A substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 50 carbon atoms, preferably a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 18 carbon atoms.
- the [Formula B] may be a compound represented by the following [Formula B-1].
- Ar 1 and R are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted halogenated straight chain having 1 to 30 carbon atoms, branched or A cyclic alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon number 1 to 30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryloxy group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylthioxy group, substituted or unsubstituted C5 to C30 arylthiooxy group, substituted Or an unsubstituted
- Ar 2 is the same as or different from each other and each independently represents a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C 2 to C 50 heteroaryl group.
- Each of Ar 1 may be connected to Q 2 or Q 3 to additionally form an alicyclic or aromatic monocyclic or polycyclic ring.
- n is an integer of 1 to 7, and when n is 2 or more, each R is the same as or different from each other.
- L is a single bond, or any one selected from a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 1 to 30 carbon atoms.
- Q 1 to Q 3 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring having 6 to 50 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic ring having 2 to 50 carbon atoms,
- Y is any one selected from NR 9 , CR 10 R 11 , O, S and Se (a plurality of Ys are the same or different from each other),
- R 9 to R 11 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl group, a substituted or unsubstituted A cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, substituted Or an unsubstituted C1-C30 alkylthio group, a substituted or unsubstituted C5-C30 arylthioxy group, a substituted or unsubstituted C1-C30 alkylamine group, a substituted or unsubstituted C5-30 of an aryl
- the R 9 to R 11 may be combined with the Q 2 ring or the Q 3 ring to additionally form an alicyclic or aromatic monocyclic or polycyclic ring,
- Each of R 10 and R 11 may be connected to each other to additionally form an alicyclic or aromatic monocyclic or polycyclic ring.
- the term 'substituted or unsubstituted' refers to each substituent in [Formula I], [Formula A-1] or [Formula A-2], [Formula B], [Formula C], etc.
- the carbon number range of the alkyl group or aryl group in the 'substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms', 'substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms', etc. considers the portion in which the substituent is substituted. It refers to the total number of carbon atoms constituting the alkyl part or the aryl part when viewed as unsubstituted.
- a phenyl group substituted with a butyl group at the para position corresponds to an aryl group having 6 carbon atoms substituted with a butyl group having 4 carbon atoms.
- the meaning that adjacent groups are bonded to each other to form a ring means that adjacent groups can be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted alicyclic or aromatic ring, and 'adjacent substituents'
- the substituent may refer to a substituent substituted on an atom directly connected to the substituted atom, a substituent positioned closest to the steric structure to the substituent, or another substituent substituted with the atom in which the substituent is substituted.
- two substituents substituted at an ortho position in a benzene ring and two substituents substituted at the same carbon in an aliphatic ring may be interpreted as 'adjacent substituents'.
- the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 20.
- Specific examples include methyl group, ethyl group, propyl group, n-propyl group, isopropyl group, butyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, sec-butyl group, 1-methyl-butyl group, 1- Ethyl-butyl group, pentyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, hexyl group, n-hexyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 4-methyl- 2-pentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, heptyl group, n-heptyl group, 1-methylhexyl group, 2-
- the alkenyl group includes a straight or branched chain, and may be further substituted by other substituents, specifically, a vinyl group, 1-propenyl group, isopropenyl group, 1-butenyl group, 2-bute Nyl group, 3-butenyl group, 1-pentenyl group, 2-pentenyl group, 3-pentenyl group, 3-methyl-1-butenyl group, 1,3-butadienyl group, allyl group, 1-phenylvinyl-1-yl group , 2-phenylvinyl-1-yl group, 2,2-diphenylvinyl-1-yl group, 2-phenyl-2-(naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl group, 2,2-bis(diphenyl -1-yl) vinyl-1-yl group, stilbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.
- substituents specifically, a vinyl group, 1-propenyl group
- the alkynyl group also includes a straight or branched chain, and may be further substituted by other substituents, and may include ethynyl, 2-propynyl, and the like, but is limited thereto. it doesn't happen
- the cycloalkyl group includes a monocyclic or polycyclic ring, and may be further substituted by another substituent
- the polycyclic refers to a group in which a cycloalkyl group is directly connected or condensed with another ring group, and the other ring group is a cycloalkyl group.
- the heterocycloalkyl group includes a heteroatom such as O, S, Se, N or Si, and also includes monocyclic or polycyclic, and may be further substituted by other substituents, and polycyclic means heterocyclo
- the alkyl group refers to a group directly connected or condensed with another ring group, and the other ring group may be a heterocycloalkyl group, but may be a different type of ring group, such as a cycloalkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, or the like.
- the aryl group may be monocyclic or polycyclic, and examples of the monocyclic aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, and a stilbene group, and examples of the polycyclic aryl group include a naphthyl group and an anthracenyl group. , phenanthrenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, tetracenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, acenaphthacenyl group, triphenylene group, fluoranthene group, etc., but the scope of the present invention is limited only to these examples it's not going to be
- the heteroaryl group is a heterocyclic group containing heteroatoms, and examples thereof include a thiophene group, a furan group, a pyrrole group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, Bipyridyl group, pyrimidyl group, triazine group, triazole group, acridyl group, pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazoline group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyridopyrimidinyl group, pyrido Pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, benzooxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole
- the alkoxy group may be specifically methoxy, ethoxy, propoxy, isobutyloxy, sec-butyloxy, pentyloxy, iso-amyloxy, hexyloxy, and the like, but is not limited thereto.
- the silyl group refers to a silyl group substituted with alkyl or a silyl group substituted with aryl
- specific examples of the silyl group include trimethylsilyl, triethylsilyl, triphenylsilyl, trimethoxysilyl, and dimethoxyphenylsilyl. , diphenylmethylsilyl, diphenylvinylsilyl, methylcyclobutylsilyl, dimethylfurylsilyl, and the like.
- the amine group may be -NH 2 , an alkylamine group, an arylamine group, etc.
- the arylamine group means an amine substituted with an aryl
- the alkylamine group means an amine substituted with an alkyl
- an arylamine group examples of these include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, a substituted or unsubstituted diarylamine group, or a substituted or unsubstituted triarylamine group
- the aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group, and It may be a cyclic aryl group
- the arylamine group including two or more aryl groups may include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time.
- the aryl group in the arylamine group may be selected from the examples of
- the aryl group in the aryloxy group and the arylthioxy group is the same as the above-described aryl group, and specifically, the aryloxy group includes a phenoxy group, p-tolyloxy group, m-tolyloxy group, 3,5- Dimethyl-phenoxy group, 2,4,6-trimethylphenoxy group, p-tert-butylphenoxy group, 3-biphenyloxy group, 4-biphenyloxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 4 -Methyl-1-naphthyloxy group, 5-methyl-2-naphthyloxy group, 1-anthryloxy group, 2-anthryloxy group, 9-anthryloxy group, 1-phenanthryloxy group, 3-phenane and a toryloxy group, a 9-phenanthryloxy group, and the like, and the arylthioxy group includes, but is not limited to, a phenoxy group,
- examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
- the [Formula I] may be any one selected from compounds represented by the following [Formula 1] to [Formula 123], but the scope is not limited thereto.
- the [Formula A-1] or [Formula A-2] may be any one selected from the following [Formula A1] to [Formula A212], whereby the range is It is not limited.
- the [Formula B] may be any one selected from the following [Formula B1] to [Formula B135], thereby, the range is not limited thereto.
- the [Formula C] may be any one selected from the following [Formula C1] to [Formula C30], thereby, the range is not limited thereto.
- the organic light emitting device relates to an organic light emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and one or more organic layers interposed between the first and second electrodes, in the organic layer, preferably in the light emitting layer. It is characterized in that it comprises an anthracene derivative compound represented by the [Formula I].
- the organic light emitting device is characterized in that it further comprises a dopant compound represented by [Formula A-1] or [Formula A-2], [Formula B], and [Formula C] in the light emitting layer in the device. .
- the organic layer of the organic light emitting device according to the present invention may have a single layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic layers are stacked.
- it may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, a light emitting layer, an electron blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like.
- the present invention is not limited thereto and may include a smaller number or a larger number of organic layers, and the organic material layer structure of the preferred organic light emitting device according to the present invention will be described in more detail in the Examples to be described later.
- the organic electroluminescent device includes a substrate, a first electrode (anode), an organic material layer, a second electrode (cathode) and a capping layer, the capping layer is the first electrode lower (Bottom emission) ) or may be formed on the second electrode top (Top emission).
- the light formed in the light emitting layer is emitted toward the cathode, and the light emitted toward the cathode passes through the capping layer (CPL) formed of the compound according to the present invention having a relatively high refractive index.
- the wavelength is amplified and thus the light efficiency is increased.
- the light efficiency of the organic electric device is improved by employing the compound according to the present invention in the capping layer according to the same principle as the method of forming the first electrode lower (bottom emission).
- the organic light emitting device includes an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and a cathode, and if necessary, may further include a hole injection layer between the anode and the hole transport layer, and also between the electron transport layer and the cathode It may further include an injection layer, and in addition to that, it is also possible to further form an intermediate layer of one or two layers, and a hole blocking layer or an electron blocking layer may be further formed.
- An organic layer having various functions may be further included according to characteristics.
- an anode is formed by coating a material for an anode electrode on a substrate.
- a substrate used in a conventional organic light emitting device is used, and an organic substrate or a transparent plastic substrate excellent in transparency, surface smoothness, handling and water resistance is preferable.
- a material for the anode electrode indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), etc., which are transparent and have excellent conductivity, are used.
- a hole injection layer is formed by vacuum thermal evaporation or spin coating of a hole injection layer material on the anode electrode, and then vacuum thermal evaporation or spin coating of a hole transport layer material on the hole injection layer to form a hole transport layer .
- the hole injection layer material may be used without particular limitation as long as it is commonly used in the art, and as a specific example, 2-TNATA [4,4',4"-tris(2-naphthylphenyl-phenylamino)-triphenylamine] , NPD[N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine)], TPD[N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'- biphenyl-4,4'-diamine], DNTPD[N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine ] can be used.
- the hole transport layer material is also not particularly limited as long as it is commonly used in the art, for example, N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1- Biphenyl]-4,4'-diamine (TPD) or N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenylbenzidine (?-NPD), etc. can be used.
- TPD N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1- Biphenyl]-4,4'-diamine
- ?-NPD N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenylbenzidine
- a hole auxiliary layer and a light emitting layer are sequentially stacked on the hole transport layer, and a hole blocking layer is selectively deposited on the light emitting layer by a vacuum deposition method or a spin coating method to form a thin film.
- the hole blocking layer serves to prevent this problem by using a material having a very low HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) level because the lifetime and efficiency of the device are reduced when holes are introduced into the cathode through the organic light emitting layer.
- the hole blocking material used is not particularly limited, but has an electron transport ability and has an ionization potential higher than that of a light emitting compound, and typically BAlq, BCP, TPBI, or the like may be used.
- BAlq As a material used for the hole blocking layer, BAlq, BCP, Bphen, TPBI, NTAZ, BeBq 2 , OXD-7, Liq, etc. may be used, but the present invention is not limited thereto.
- the present invention by forming an electron injection layer after depositing an electron transport layer on the hole blocking layer through a vacuum deposition method or a spin coating method, and vacuum thermal evaporation of a metal for forming a cathode on the electron injection layer to form a cathode electrode An organic light emitting diode according to an embodiment is completed.
- lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium-silver ( Mg-Ag) may be used, and in order to obtain a top light emitting device, a transmissive cathode using ITO or IZO may be used.
- the electron transport layer material serves to stably transport electrons injected from the cathode, and a known electron transport material may be used.
- known electron transport materials include quinoline derivatives, in particular tris(8-quinolinolate)aluminum (Alq3), TAZ, Balq, beryllium bis(benzoquinolin-10- Materials such as olate: Bebq2), ADN, and oxadiazole derivatives (PBD, BMD, BND, etc.) may be used.
- each of the organic layers may be formed by a monomolecular deposition method or a solution process, wherein the deposition method evaporates a material used as a material for forming each layer through heating in a vacuum or low pressure state. It refers to a method of forming a thin film, and the solution process mixes a material used as a material for forming each layer with a solvent, and uses it inkjet printing, roll-to-roll coating, screen printing, spray coating, dip coating, spin coating It refers to a method of forming a thin film through a method such as, for example.
- the organic light emitting diode according to the present invention can be used in a device selected from a flat panel display device, a flexible display device, a device for flat panel lighting of a single color or a white color, and a device for a flexible lighting device of a single color or a white color.
- Synthesis Example [Formula 41] was obtained by synthesizing in the same manner as in 1-1 to 1-4, except that 1-naphthyl boronic acid was used instead of phenyl boronic acid in 1-4. (Yield 42%)
- Synthesis example 28 Synthesis of Chemical Formula 88
- Synthesis example 33 Synthesis of Chemical Formula 93
- Synthesis example 45 Synthesis of Chemical Formula 108
- Synthesis example 47 Synthesis of Chemical Formula 111
- the light emitting area of the ITO glass was patterned to have a size of 2 mm ⁇ 2 mm and then washed. After the ITO glass was mounted in a vacuum chamber and the base pressure was set to 1 ⁇ 10 -7 torr, a film was formed on the ITO in the order of DNTPD (700 ⁇ ) and ⁇ -NPD (300 ⁇ ).
- the light emitting layer is formed by mixing the host compound according to the present invention and the dopant compound (3 wt%) according to the present invention described in Tables 1 to 4 below (250 ⁇ ), and then as an electron transport layer [ [Formula E-1] and [Formula E-2] in a 1:1 ratio of 300 ⁇ , [Formula E-1] as an electron injection layer was formed into a film in the order of 5 ⁇ , Al (1000 ⁇ ) to prepare an organic light emitting device . The emission characteristics of the organic light emitting device were measured at 0.4 mA.
- the organic light emitting device for the comparative example was manufactured in the same way except that the host and dopant compounds described in Table 1 to Table 4 were used in combination instead of the compound according to the present invention in the device structure of the above Examples. , The emission characteristics of the organic light emitting device were measured at 0.4 mA.
- the structures of BH1 to BH9 and BD1 to BD3 are as follows.
- Example 11 compound 40 BD2 3.13 8.6
- Example 12 compound 41 BD2 3.36 8.5
- Example 13 compound 45 BD2 3.68 8.5
- Example 14 compound 47 BD2 3.63 8.4
- Example 15 compound 50 BD2 3.63 8.5
- Example 16 compound 58 BD2 3.52 8.8
- Example 17 compound 64 BD2 3.33 8.4
- Example 18 compound 70 BD2 3.65 8.6
- Example 19 compound 73 BD2 3.75 8.7
- Example 20 compound 79 A31 3.70 8.5
- Example 21 compound 80 A31 3.78 8.6
- Example 22 compound 81 A62 3.55 8.7
- Example 23 compound 82 A145 3.60 8.9
- Example 24 compound 83 A62 3.71 8.6
- Example 25 compound 84 A80 3.68 8.6
- Example 26 compound 85 A180 3.70 8.6
- Example 27 compound 86 A181 3.67 8.7
- Example 28 compound 87 A153 3.68 8.5
- Example 29 compound 88 A179 3.61 8.6
- Example 30 compound 89 A
- the device including the anthracene derivative of the characteristic structure represented by [Formula I] according to the present invention as a host compound in the light emitting layer is an anthracene derivative according to the present invention.
- the external quantum efficiency is excellent and has improved low-voltage driving characteristics.
- the organic light emitting device including the compound represented by ] as a dopant in the light emitting layer is more excellent in external quantum efficiency and has improved low voltage driving characteristics.
- an anthracene derivative having a characteristic structure represented by [Formula I] according to the present invention as a host compound, and a compound represented by [Formula A-1] to [Formula A-2] according to the present invention as a dopant in the light emitting layer The organic light emitting device included together has significantly improved long life characteristics along with improved low voltage driving and excellent external quantum efficiency.
- the organic light emitting device employs an anthracene derivative compound having a characteristic structure as a host and a polycyclic aromatic derivative compound as a dopant in the light emitting layer to realize improved low voltage driving characteristics. It can be industrially usefully used for various display devices such as displays.
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Abstract
본 발명은 특징적 구조의 안트라센 유도체 화합물과 이를 포함한 저전압 구동 특성을 갖는 유기발광소자에 관한 것이며, 또한 특징적 구조의 다환 방향족 유도체 화합물을 도펀트 화합물로 발광층에 함께 채용하여 더욱 향상된 저전압 구동 등의 우수한 발광 특성을 갖는 유기발광소자에 관한 것이다.
Description
본 발명은 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 특징적 구조의 안트라센 유도체를 호스트 화합물로, 다환 방향족 유도체 화합물을 도펀트 화합물로 발광층에 함께 채용하여 현저히 향상된 저전압 구동 등의 우수한 발광 특성을 갖는 유기발광소자에 관한 것이다.
유기발광소자는 전자 주입 전극 (캐소드 전극)으로부터 주입된 전자 (electron)와 정공 주입 전극 (애노드 전극)으로부터 주입된 정공 (hole)이 발광층에서 결합하여 엑시톤 (exiton)을 형성하고 그 엑시톤이 에너지를 방출하면서 발광하는 자체 발광형 소자이며, 이와 같은 유기발광소자는 낮은 구동 전압, 높은 휘도, 넓은 시야각 및 빠른 응답속도를 가지며 풀-컬러 평판 발광 디스플레이에 적용 가능하다는 이점 때문에 차세대 광원으로서 각광을 받고 있다.
이러한 유기발광소자가 상기와 같은 특징을 발휘하기 위해서는 소자 내 유기층의 구조를 최적화하고, 각 유기층을 이루는 물질인 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질, 전자저지 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 여전히 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기층의 구조 및 각 재료의 개발이 계속하여 필요한 실정이다.
특히, 발광층에서 최대의 효율을 얻기 위해서는 홀과 전자가 각각 안정적인 전기화학적 경로를 통하여 도펀트로 이동하여 엑시톤을 형성할 수 있도록 호스트와 도펀트의 에너지 밴드갭이 적절한 조합을 이루어야 한다.
따라서, 본 발명은 유기발광소자 내의 발광층에 특징적인 호스트 재료와 도펀트 재료를 채용하여 향상된 저전압 구동 등의 우수한 발광 특성을 갖는 유기발광소자를 제공하고자 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여, 소자 내 유기층, 바람직하게는 발광층 호스트 화합물로 채용되는 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 Ⅰ]
상기 [화학식 Ⅰ]의 특징적인 구조 및 각 치환기, 이의 구체적인 화합물에 대한 설명은 후술하기로 한다.
또한, 본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여, 제1 전극, 상기 제1 전극에 대향된 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 개재된 발광층을 포함하고, 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 화합물을 상기 발광층에 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 발광층 내에 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 화합물과 함께 하기 [화학식 A-1] 또는 [화학식 A-2]로 표시되는 화합물을 도펀트 화합물로 채용하여 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 A-1] [화학식 A-2]
상기 [화학식 A-1] 내지 [화학식 A-2]의 특징적인 구조 및 각 치환기, 이의 구체적인 화합물에 대한 설명은 후술하기로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 발광층 내에 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 화합물과 함께 하기 [화학식 B]로 표시되는 화합물을 도펀트 화합물로 채용하여 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 B]
상기 [화학식 B]의 특징적인 구조 및 각 치환기, 이의 구체적인 화합물에 대한 설명은 후술하기로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 발광층 내에 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 화합물과 함께 하기 [화학식 C]로 표시되는 화합물을 도펀트 화합물로 채용하여 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 C]
상기 [화학식 C]의 특징적인 구조 및 각 치환기, 이의 구체적인 화합물에 대한 설명은 후술하기로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 특징적 구조를 갖는 안트라센 유도체 화합물을 호스트로, 다환 방향족 유도체 화합물을 도펀트로 발광층에 함께 채용하여 향상된 저전압 구동 특성을 구현할 수 있어서 조명 소자는 물론이고, 평판, 플렉시블, 웨어러블 디스플레이 등 다양한 디스플레이 소자에 유용하게 활용할 수 있다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 측면은 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 화합물에 관한 것으로서, 구조적으로 적어도 하나의 디벤조퓨란 또는 디벤조싸이오펜을 구조에 포함하는 것을 특징으로 하고, 이를 통하여 유기발광소자의 발광층에 호스트 화합물로 채용되어 소자의 향상된 저전압 구동 특성을 거둘 수 있다.
[화학식 Ⅰ]
상기 [화학식 Ⅰ]에서,
A
1 내지 A
4, B
1 및 B
2는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란 (dibenzofuran), 치환 또는 비치환된 디벤조싸이오펜 (dibenzothiophen) 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이다.
m, n, o 및 p는 각각 0 내지 1의 정수이고, m+n+o+p는 1 내지 3의 정수이다.
R은 복수의 경우 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 중에서 선택되는 어느 하나이다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 [화학식 Ⅰ]은 하기 [화학식 Ⅰ-1]로 표시되는 화합물일 수 있으며, 구조적으로 적어도 하나의 디벤조퓨란 또는 디벤조싸이오펜을 구조에 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 Ⅰ-1]
상기 [화학식 Ⅰ-1]에서,
A
1 내지 A
3, B
1 및 B
2는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란 (dibenzofuran), 치환 또는 비치환된 디벤조싸이오펜 (dibenzothiophen) 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이다.
m 및 n은 각각 0 내지 1의 정수이고, 바람직하게 m+n은 1의 정수이다.
본 발명의 다른 일 측면은 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 안트라센 유도체 화합물을 발광층에 포함하는 유기발광소자에 관한 것이며, 본 발명의 일 실시예에 의하면 하기 [화학식 A-1] 또는 [화학식 A-2], [화학식 B], [화학식 C]로 표시되는 도펀트 화합물을 발광층에 함께 포함할 수 있다.
[화학식 A-1] [화학식 A-2]
상기 [화학식 A-1]과 [화학식 A-2]에서,
Q
1 내지 Q
3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소 고리이거나, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 방향족 헤테로고리이다.
X는 B, P 및 P=O 중에서 선택되는 어느 하나이고, Y는 N-R
1, CR
2R
3, O, S, Se 및 SiR
4R
5 중에서 선택되는 어느 하나이며, 복수의 Y는 서로 동일하거나 상이하다.
상기 R
1 내지 R
5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴실릴기, 니트로기, 시아노기 및 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이다.
또한, 상기 R
1 내지 R
5는 각각 상기 Q
1 내지 Q
3 고리와 결합하여 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환 고리를 추가적으로 형성할 수 있으며, 상기 R
2와 R
3 및 R
4와 R
5는 각각 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 [화학식 A-1] 또는 [화학식 A-2]는 하기 [화학식 A-3] 내지 [화학식 A-6] 중에서 어느 하나 표시될 수 있다.
[화학식 A-3] [화학식 A-4]
[화학식 A-5] [화학식 A-6]
상기 [화학식 A-3] 내지 [화학식 A-6]에서,
Z는 CR 또는 N이고, 상기 R은 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴실릴기, 니트로기, 시아노기 및 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며, 복수의 Z 및 R은 서로 동일하거나 상이하다.
상기 복수의 R은 서로 결합하거나 인접한 치환기와 연결되어 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리의 탄소원자는 N, S 및 O 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있다.
X 및 Y는 각각 상기 [화학식 A-1]과 [화학식 A-2]에서의 정의와 동일하다.
[화학식 B]
상기 [화학식 B]에서,
Q
1 내지 Q
3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 방향족 헤테로고리이다.
X는 B, P 및 P=O 중에서 선택되는 어느 하나이고, Y는 N-R
6, CR
7R
8, O, S 및 Se 중에서 선택되는 어느 하나이다.
상기 R
6 내지 R
8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴실릴기, 니트로기, 시아노기 및 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이다.
또한, 상기 R
6 내지 R
8은 각각 상기 Q
2 고리 또는 Q
3 고리와 결합하여 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있으며, 상기 R
7 및 R
8은 각각 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있다.
Cy1은 상기 질소(N) 원자 및 상기 Q1 고리 내 방향족 탄소원자와 각각 연결되어 축합고리를 형성하고, 이때 형성된 상기 Cy1 고리는 질소(N) 원자, 질소(N) 원자와 결합된 Q1 고리 내 방향족 탄소원자 및 상기 Cy1과 결합될 Q1 고리 내 방향족 탄소원자를 제외하면, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고, 바람직하게는 2 내지 5의 탄소수이다.
Cy2는 상기 Cy1에 부가되어 포화 탄화수소 고리를 형성하며, 이때 형성된 Cy2 고리는 Cy1에 포함되는 탄소원자를 제외하면, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이다.
본 발명에 따른 상기 [화학식 B]에서의 상기 Q
1 내지 Q
3 중 적어도 하나는 고리 내에 하기 [구조식 1]로 표시되는 아릴아미노기가 결합된 것을 특징으로 한다.
[구조식 1]
상기 [구조식 1]에서,
"*"는 Q
1 내지 Q
3 중 적어도 하나의 고리에 결합하는 사이트를 의미하고, Ar
11 및 Ar
12는 서로 동일하거나 상이하며 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기이고, 바람직하게는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 [화학식 B]에서의 Q
2 고리에 나프틸이 치환된상기 아민기, 즉 Q
2 고리에 [구조식 1]을 포함하면서 Ar
11 및 Ar
12 중 어느 하나 이상이 나프틸기를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 [화학식 B]는 하기 [화학식 B-1]로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 B-1]
상기 [화학식 B-1]에서,
Q
1 내지 Q
3, Cy1 및 Cy2는 상기 [화학식 B]에서의 정의와 동일하다.
Ar
1 및 R은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 할로겐화된 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 니트로기, 시아노기 및 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이다.
Ar
2는 서로 동일하거나 상이하며 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기이다.
상기 Ar
1은 각각 Q
2 또는 Q
3와 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있다.
n은 1 내지 7의 정수이고, 상기 n이 2 이상인 경우에 각각의 R은 서로 동일하거나 상이하다.
L은 단일결합이거나, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되는 어느 하나이다.
[화학식 C]
상기 [화학식 C]에서,
Q
1 내지 Q
3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 방향족 헤테로고리이고,
Y는 N-R
9, CR
10R
11, O, S 및 Se 중에서 선택되는 어느 하나이며 (복수의 Y는 서로 동일하거나 상이함),
상기 R
9 내지 R
11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴실릴기, 니트로기, 시아노기 및 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 R
9 내지 R
11은 각각 상기 Q
2 고리 또는 Q
3 고리와 결합하여 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있으며,
상기 R
10 및 R
11은 각각 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있다.
한편, 본 발명에서 '치환 또는 비치환된'이라는 용어는 [화학식 Ⅰ], [화학식 A-1] 또는 [화학식 A-2], [화학식 B], [화학식 C]에서의 각 치환기 등이 각각 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기, 탄소수 3 내지 24의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알케닐기, 탄소수 1 내지 24의 알키닐기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 1 내지 24의 아릴아미노기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 탄소수 1 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 1 내지 24의 아릴옥시기로로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
또한, 상기 '치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기', '치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기' 등에서의 상기 알킬기 또는 아릴기의 탄소수 범위는 상기 치환기가 치환된 부분을 고려하지 않고 비치환된 것으로 보았을 때의 알킬 부분 또는 아릴 부분을 구성하는 전체 탄소수를 의미하는 것이다. 예컨대, 파라위치에 부틸기가 치환된 페닐기는 탄소수 4의 부틸기로 치환된 탄소수 6의 아릴기에 해당하는 것을 의미한다.
또한, 본 발명에 있어서 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지환족, 방향족 고리를 형성할 수 있는 것을 의미하며, '인접하는 치환기'는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체 구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘 (ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 '인접하는 치환기'로 해석될 수 있다.
본 발명에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, 1-메틸-부틸기, 1-에틸-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 헵틸기, n-헵틸기, 1-메틸헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥틸메틸기, 옥틸기, n-옥틸기, tert-옥틸기, 1-메틸헵틸기, 2-에틸헥실기, 2-프로필펜틸기, n-노닐기, 2,2-디메틸헵틸기, 1-에틸-프로필기, 1,1-디메틸-프로필기, 이소헥실기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있고, 구체적으로는 비닐기, 1-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 3-펜테닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 1,3-부타디에닐기, 알릴기, 1-페닐비닐-1-일기, 2-페닐비닐-1-일기, 2,2-디페닐비닐-1-일기, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일기, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일기, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서, 알키닐기 역시 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있고, 에티닐(ethynyl), 2-프로파닐(2-propynyl) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에 있어서, 시클로알킬기는 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있고, 다환이란 시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미하는 것으로서, 다른 고리기란 시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 구체적으로, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 3-메틸시클로펜틸기, 2,3-디메틸시클로펜틸기, 시클로헥실기, 3-메틸시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 2,3-디메틸시클로헥실기, 3,4,5-트리메틸시클로헥실기, 4-tert-부틸시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서, 헤테로시클로알킬기는 O, S, Se, N 또는 Si 등의 이종원자를 포함하는 것으로서, 역시 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있고, 다환이란 헤테로시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미하는 것으로서, 다른 고리기란 헤테로시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다.
본 발명에 있어서, 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있고, 단환식 아릴기의 예로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 스틸벤기 등이 있고, 다환식 아릴기의 예로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 테트라세닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 아세나프타센닐기, 트리페닐렌기, 플루오란텐기 등이 있으나, 본 발명의 범위가 이들 예로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자를 포함하는 헤테로고리기로서, 그 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 디벤조퓨라닐기, 페난트롤린기, 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 알콕시기는 구체적으로 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소부틸옥시, sec-부틸옥시, 펜틸옥시, iso-아밀옥시, 헥실옥시 등일 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 실릴기는 알킬로 치환된 실릴기 또는 아릴로 치환된 실릴기를 의미하는 것으로서, 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 트리페닐실릴, 트리메톡시실릴, 디메톡시페닐실릴, 디페닐메틸실릴, 디페닐비닐실릴, 메틸사이클로뷰틸실릴, 디메틸퓨릴실릴 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 아민기는 -NH
2, 알킬아민기, 아릴아민기 등일 수 있고, 아릴아민기는 아릴로 치환된 아민을 의미하고, 알킬아민기는 알킬로 치환된 아민을 의미하는 것이며, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있고, 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있으며, 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 또한, 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 발명에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같으며, 구체적으로 아릴옥시기로는 페녹시기, p-토릴옥시기, m-토릴옥시기, 3,5-디메틸-페녹시기, 2,4,6-트리메틸페녹시기, p-tert-부틸페녹시기, 3-바이페닐옥시기, 4-바이페닐옥시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 4-메틸-1-나프틸옥시기, 5-메틸-2-나프틸옥시기, 1-안트릴옥시기, 2-안트릴옥시기, 9-안트릴옥시기, 1-페난트릴옥시기, 3-페난트릴옥시기, 9-페난트릴옥시기 등이 있고, 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기, 2-메틸페닐티옥시기, 4-tert-부틸페닐티옥시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 [화학식 Ⅰ]은 하기 [화학식 1] 내지 [화학식 123]으로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있으며, 다만 이에 의하여 그 범위가 제한되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 [화학식 A-1] 또는 [화학식 A-2]는 하기 [화학식 A1] 내지 [화학식 A212] 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있으며, 이에 의하여 그 범위가 제한되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 [화학식 B]는 하기 [화학식 B1] 내지 [화학식 B135] 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있으며, 이에 의하여 그 범위가 제한되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 [화학식 C]는 하기 [화학식 C1] 내지 [화학식 C30] 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있으며, 이에 의하여 그 범위가 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 개재되는 1층 이상의 유기층으로 이루어진 유기발광소자에 관한 것으로서, 상기 유기층에, 바람직하게는 발광층에 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 안트라센 유도체 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광소자는 소자 내 발광층에 [화학식 A-1] 또는 [화학식 A-2], [화학식 B], [화학식 C]로 표시되는 도펀트 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자의 유기층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 정공주입층, 정공수송층, 정공저지층, 발광층, 전자저지층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기층을 포함할 수도 있으며, 본 발명에 따른 바람직한 유기발광소자의 유기물층 구조 등에 대해서는 후술하는 실시예에서 보다 상세하게 설명한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기발광소자는 기판, 제1 전극(양극), 유기물층, 제2전극(음극) 및 캡핑층을 포함하며, 상기 캡핑층은 제1 전극 하부 (Bottom emission) 또는 제2 전극 상부 (Top emission)에 형성될 수 있다.
제2 전극 상부 (Top emission)에 형성되는 방식은 발광층에서 형성된 빛이 캐소드쪽으로 방출되는데 캐소드쪽으로 방출되는 빛이 굴절률이 상대적으로 높은 본 발명에 따른 화합물로 형성된 캡핑층 (CPL)을 통과하면서 빛의 파장이 증폭되고 따라서 광효율이 상승하게 된다. 또한, 제1 전극 하부 (Bottom emission)에 형성되는 방식 역시 마찬가지 원리에 의해 본 발명에 따른 화합물을 캡핑층에 채용하여 유기전기소자의 광효율이 향상된다.
이하에서는 본 발명에 따른 유기발광소자의 일 실시예에 대하여 보다 상세히 설명하고자 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 애노드, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드을 포함하며, 필요에 따라서는 애노드와 정공수송층 사이에 정공주입층을 더 포함할 수 있고, 또한 전자수송층과 캐소드 사이에 전자주입층을 더 포함할 수 있으며, 그 이외에도 1층 또는 2층의 중간층을 더 형성하는 것도 가능하며, 정공저지층 또는 전자저지층을 더 형성시킬 수도 있으며, 상술한 바와 같이 캡핑층 등과 같이 소자의 특성에 따라 다양한 기능을 갖는 유기층을 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 구체적인 구조, 그 제조방법 및 각 유기층 재료에 대하여 살펴보면 다음과 같다.
먼저 기판 상부에 애노드 전극용 물질을 코팅하여 애노드를 형성한다. 여기에서 기판으로는 통상적인 유기발광소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유기 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 그리고, 애노드 전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석 (ITO), 산화인듐아연 (IZO), 산화주석 (SnO
2), 산화아연 (ZnO) 등을 사용한다.
상기 애노드 전극 상부에 정공주입층 물질을 진공 열증착 또는 스핀 코팅하여 정공주입층을 형성하고, 그 다음으로 상기 정공주입층의 상부에 정공수송층 물질을 진공 열증착 또는 스핀 코팅하여 정공수송층을 형성한다.
상기 정공주입층 재료는 당업계에서 통상적으로 사용되는 것이라면, 특별히 제한되지 않고 사용할 수 있으며, 구체적인 예시로서, 2-TNATA[4,4',4"-tris(2-naphthylphenyl-phenylamino)-triphenylamine], NPD[N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine)], TPD[N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine], DNTPD[N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine] 등을 사용할 수 있다.
또한, 상기 정공수송층 재료 역시 당업계에 통상적으로 사용되는 것이라면, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민 (TPD) 또는 N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐벤지딘 (α-NPD) 등을 사용할 수 있다.
이어서, 상기 정공수송층의 상부에 정공보조층 및 발광층을 이어서 적층하고 상기 발광층의 상부에 선택적으로 정공저지층을 진공 증착 방법, 또는 스핀 코팅 방법으로서 박막을 형성할 수 있다. 상기 정공저지층은 정공이 유기발광층을 통과하여 캐소드로 유입되는 경우에는 소자의 수명과 효율이 감소되기 때문에 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨이 매우 낮은 물질을 사용함으로써 이러한 문제를 방지하는 역할을 한다. 이 때, 사용되는 정공 저지 물질은 특별히 제한되지는 않으나 전자수송능력을 가지면서 발광 화합물보다 높은 이온화 포텐셜을 가져야 하며 대표적으로 BAlq, BCP, TPBI 등이 사용될 수 있다.
상기 정공저지층에 사용되는 물질로서, BAlq, BCP, Bphen, TPBI, NTAZ, BeBq
2, OXD-7, Liq 등을 사용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 정공저지층 위에 전자수송층을 진공 증착 방법, 또는 스핀 코팅 방법을 통해 증착한 후에 전자주입층을 형성하고 상기 전자주입층의 상부에 캐소드 형성용 금속을 진공 열증착하여 캐소드 전극을 형성함으로써 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자가 완성된다.
여기에서 캐소드 형성용 금속으로는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리듐(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등을 사용할 수 있으며, 전면 발광 소자를 얻기 위해서는 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수 있다.
상기 전자수송층 재료로는 캐소드로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서, 공지의 전자 수송 물질을 이용할 수 있다. 공지의 전자 수송 물질의 예로는, 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Balq, 베릴륨 비스(벤조퀴놀리-10-노에이트)(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate: Bebq2), ADN, 옥사디아졸 유도체 (PBD, BMD, BND 등)와 같은 재료를 사용할 수도 있다.
또한, 상기 유기층 각각은 단분자 증착방식 또는 용액공정에 의하여 형성될 수 있으며, 여기서 상기 증착 방식은 상기 각각의 층을 형성하기 위한 재료로 사용되는 물질을 진공 또는 저압상태에서 가열 등을 통해 증발시켜 박막을 형성하는 방법을 의미하고, 상기 용액공정은 상기 각각의 층을 형성하기 위한 재료로 사용되는 물질을 용매와 혼합하고 이를 잉크젯 인쇄, 롤투롤 코팅, 스크린 인쇄, 스프레이 코팅, 딥 코팅, 스핀 코팅 등과 같은 방법을 통하여 박막을 형성하는 방법을 의미한다.
또한, 본 발명에 따른 유기발광소자는 평판 디스플레이 장치, 플렉시블 디스플레이 장치, 단색 또는 백색의 평판 조명용 장치 및 단색 또는 백색의 플렉시블 조명용 장치에서 선택되는 장치에 사용될 수 있다.
이하, 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않는다는 것은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
<화학식 Ⅰ의 합성>
합성예
1 : 화학식 1의 합성
합성예
1-(1) : 1-a의 합성
[1-a]
질소 분위기 하에 테트라하이드로퓨란 150 mL가 들어있는 둥근 바닥 플라스크에 브로모벤젠 15.6 g (0.1 mol), 넣고 -78 ℃로 냉각시킨 후 1.6 M N-부틸리튬 58.3 mL (93 mmol)을 천천히 적가하였다. -78 ℃에서 2시간 교반한 후, 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 10 g (31 mmol)을 테트라하이드로퓨란 100 mL에 희석하여 천천히 적가하였다. 적가가 끝난 후, 실온으로 상온 후, 3시간 교반하였다. 반응 완료 후 2 N HCl 수용액으로 산처리 후, 물과 에틸아세테이트를 이용하여 추출 후 농축하여 [1-a]을 얻었다. (수율 105%)
합성예
1-(2) : 1-b의 합성
[1-b]
질소 분위기 하에 [1-a] 18.3 g을 아세틱 산에 녹인 후, 포타슘 아이오다이드 5.49 g (93 mmol), 소디움하이포포스파이트 19.78 g (0.18 mol)을 넣고 2시간 환류시켰다. 반응 종료 후, 여과하여 물과 메탄올로 충분히 씻어준 후, 메틸렌 클로라이드와 물로 추출, 농축하였다. 농축 후 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [1-b]를 얻었다. (수율 50%)
합성예
1-(3) : 1-c의 합성
[1-c]
둥근바닥 플라스크에 [1-b] 6.9 g (116 mmol), 4-다이벤조퓨란 보론산 3.1 g (15 mmol), 탄산칼륨 2.6 g (19 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.36 g (0 mmol)을 넣고 톨루엔 50 mL, 물 15 mL 넣고 5시간 환류시켰다. 반응 종료 후 상온으로 냉각시킨 후, 메탄올 50 mL을 넣고 교반 후 감압 여과하였다. 고체를 톨루엔으로 재결정하여 [1-c]를 얻었다. (수율 65%)
합성예
1-(4) : 화학식 1의 합성
[화학식 1]
둥근바닥플라스크에 [1-c] 5.8 g (11 mmol), 페닐보론산 1.6 g (13 mmol), 탄산칼륨 3.01 g (22 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.5 g을 넣고 톨루엔 50 mL, 1,4-다이옥산 50 mL, 물 15 mL 넣고 12시간 환류시켰다. 반응 종료 후 상온으로 냉각시킨 후 메탄올 50 mL을 넣고 교반 후 감압 여과하였다. 고체를 톨루엔, 아세톤으로 재결정하여 [화학식 1]를 얻었다. (수율 30%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 572.21 [M+]
합성예
2 : 화학식 3의 합성
합성예
2-(1) : 2-a의 합성
[2-a]
합성예 1-3에서 사용한 4-다이벤죠퓨란 보론산 대신 1-다이벤죠퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [2-a]를 얻었다. (수율 60%)
합성예
2-(2) : 화학식 3의 합성
[화학식 3]
합성예 1-4 에서 사용한 페닐 보론산 대신 9-페난스렌 보론산, [1-c] 대신 [2-a]을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 3]를 얻었다. (수율 38%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 672.25 [M+]
합성예
3 : 화학식 4의 합성
[화학식 4]
합성예 1-4 에서 사용한 페닐 보론산 대신 페닐(d5) 보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 4]를 얻었다. (수율 27%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 577.25 [M+]
합성예
4 : 화학식 9의 합성
합성예
4-(1) : 4-a의 합성
[4-a]
질소 분위기 하에 2-브로모-1.3-디메톡시벤젠 50 g (230 mmol), 테트라하이드로퓨란 400 mL에 녹인다 -78 ℃로 냉각시킨 후 1.6 M N-부틸리튬 167 mL (280 mmol)을 천천히 적가하였다. 동일 온도에서 2시간 교반한 후, 트리메틸보레이트 36 mL (320 mmol)을 넣고 실온에서 5시간 교반하였다. 반응 완료 후 2 N 염산을 천천히 적가하여 산성화하였다. 물과 에틸아세테이트를 이용하여 추출 후 농축한 후 헵탄, 톨루엔으로 재결정하여 [4-a]을 얻었다. (수율 50%)
합성예
4-(2) : 4-b의 합성
[4-b]
합성예 1-4에서 사용한 페닐 보론산 대신 [4-a], [1-c] 대신 1-브로모-2플루오로-3-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [4-b]를 얻었다. (수율 63%)
합성예
4-(3) : 4-c의 합성
[4-c]
합성예 1-4 에서 사용한 페닐 보론산 대신 페닐(d5) 보론산, [1-c] 대신 [4-b]을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [4-c]를 얻었다. (수율 72%)
합성예
4-(4) : 4-d의 합성
[4-d]
둥근바닥 플라스크에 [4-d] 16.6 g (53 mmol), 브롬화수소산 48 mL (280 mmol), 아세트산 100 mL를 넣고 12시간 교반하였다. 반응 완료 후 상온으로 식힌 후 물을 부어 교반했다. 반응물을 물과 에틸아세테이트로 추출하여 유기층을 분리하였다. 유기층은 감압농축하여 햅탄으로 재결정하여 [4-d] 를 얻었다. (수율 95%)
합성예
4-(5) : 4-e의 합성
[4-e]
둥근바닥 플라스크에 [4-d] 14.3 g (50 mmol), 탄산칼슘 20.7 g (150 mmol), N-메틸-2-피롤리돈 112 mL를 넣고 12시간 교반하였다. 반응 완료 후 상온 냉각 후 물과 에틸아세테이트로 추출하여 유기층을 분리하였다. 유기층을 감압농축한 후, 햅탄으로 재결정하여 [4-e]를 얻었다. (수율 80%)
합성예
4-(6) : 4-f의 합성
[4-f]
질소 분위기 하에 [4-e] 10 g (38 mmol), 피리딘 3.9 mL (49 mmol), 메틸렌클로라이드 300 mL을 넣고 0 ℃로 온도를 낮추었다. 그 후, 트리프로로메탄설포닉언하이드라이드 11.7 g (41 mmol)를 천천히 적가한 후 1시간 동안 교반했다. 반응 종료 후, 5 ℃ 증류수를 사용하여 추출한 뒤 메틸렌클로라이드와 헥산으로 재결정하여 [4-f]를 얻었다. (수율 70%)
합성예
4-(7) : 4-g의 합성
[4-g]
[4-f] 10.5 g (27 mmol), 비스피나콜라토디보론 10.1 g (40 mmol), 팔라듐(Ⅱ) 염화-1,1'-비스(다이페닐포스피노)페로센 0.7 g (1 mmol), 칼륨 아세테이트 7.8 g (80 mmol), 톨루엔 100 mL을 넣고 10시간 동안 환류교반하였다. 반응 종료 후, 감압 여과하고, 여액을 농축하여 컬럼크로마토그래피를 하여 [4-f]를 얻었다. (수율 64%)
합성예
4-(8) : 4-h의 합성
[4-h]
합성예 1-3에서 사용한 4-다이벤죠퓨란 보론산 대신 [4-g]를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [4-h]를 얻었다. (수율 61%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 611.21 [M+]
합성예
4-(9) : 화학식 9의 합성
[화학식 9]
합성예 1-4에서 사용한 [1-c] 대신 [4-h]을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 9]를 얻었다. (수율 33%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 653.28 [M+]
합성예
5 : 화학식 10의 합성
[화학식 10]
합성예 1-1에서 사용한 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 대신 2-브로모-7-클로로-안트라퀴논을 사용하고, 합성예 1-4에서 사용한 페닐 보론산 대신 2-나프틸 보론산을 사용한 것을 제외하고는 1-1 내지 1-4와 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 10]를 얻었다. (수율 36%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 622.23 [M+]
합성예
6 : 화학식 12의 합성
[화학식 12]
합성예 1-1에서 사용한 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 대신 2-브로모-7-클로로-안트라퀴논을 사용하고, 합성예 1-3에서 사용한 4-다이벤조퓨란 보론산 대신 3-다이벤조퓨란 보론산을 사용하며, 합성예 1-4에서 사용한 페닐 보론산 대신 2-페난스렌 보론산을 사용한 것을 제외하고는 1-1 내지 1-4와 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 12]를 얻었다. (수율 34%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 672.25 [M+]
합성예
7 : 화학식 24의 합성
[화학식 24]
합성예 1-1에서 사용한 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 대신 2-브로모-안트라퀴논을 사용하고, 합성예 4-3에서 사용한 페닐(d5) 보론산 대신 페닐 보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성예 1-1 내지 1-4, 4-1 내지 4-7과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 24]를 얻었다. (수율 43%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 572.21 [M+]
합성예
8 : 화학식 30의 합성
[화학식 30]
합성예 1-1에서 사용한 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 대신 2-브로모안트라퀴논을 사용하고, 브로모벤젠 대신 1-브로모 나프탈렌을 사용하여 합성했다. 합성예 4-3에서 사용한 페닐(d5) 보론산 대신 페닐 보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성예 1-1 내지 1-4, 4-1 내지 4-7과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 30]를 얻었다. (수율 41%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 672.25 [M+]
합성예
9 : 화학식 31의 합성
합성예
9-(1) : 9-a의 합성
[9-a]
합성예 1-4에서 사용한 [1-c] 대신 브로모벤질 브로마이드을 사용, 페닐 보론산 대신 4-바이페닐 보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [9-a]를 얻었다. (수율 81%)
합성예
9-(2) : 9-b의 합성
[9-b]
합성예 4-1에서 사용한 2-브로모-1.3-디메톡시벤젠 대신 [9-a]을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [9-b]를 얻었다. (수율 75%)
합성예
9-(3) : 9-c의 합성
[9-c]
합성예 1-4에서 사용한 [1-c] 대신 벤조일클로라이드를 사용, 페닐 보론산 대신 [9-b]을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [9-c]를 얻었다. (수율 52%)
합성예
9-(4) : 9-d의 합성
[9-d]
둥근바닥 플라스크에 [9-d] 38 g (0.109 mol), 인듐(Ⅲ)트리프루오로메탄설포네이트 6 g (11 mmol), 1,2-디클로로에탄 190 mL를 넣고 12시간 환류시켰다. 반응액을 메틸렌클로라이드와 물로 추출 후, 유기층을 농축하여 컬럼크로마토그래피를 하여 [9-d]를 얻었다. (수율 82%)
합성예
9-(5) : 9-e의 합성
[9-e]
둥근바닥 플라스크에 [9-d] 30 g (91 mmol), 메틸렌클로라이드 300 mL 넣고 0 ℃로 냉각 교반한다. 브로민 15 mL를 메틸렌클로라이드 60 mL에 희석시킨 후 천천히 첨가했다. 반응 종료 후 나트륨사이오설페이트 수용액에 반응액을 재침전시키고 메틸렌클로라이드와 물로 추출했다. 유기층을 농축 후 톨루엔으로 재결정하여 [9-e]를 얻었다. (수율 86%)
합성예
9-(6) : 화학식 31의 합성
[화학식 31]
합성예 1-4에서 사용한 [1-c] 대신 [9-e]을 사용, 페닐 보론산 대신 1-다이벤조퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 31]를 얻었다. (수율 55%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 496.18 [M+]
합성예
10 : 화학식 34의 합성
[화학식 34]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 1-페닐-4-다이벤조퓨란 보론산을 사용하고, 합성예 9-6에서 1-다이벤조퓨란 보론산 대신 4-바이페닐 보론산을 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 34]를 얻었다. (수율 53%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 572.21 [M+]
합성예
11 : 화학식 40의 합성
[화학식 40]
합성예 1-1에서 사용한 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 대신 2,7-디브로모-안트라퀴논을 사용하고, 브로모벤젠 대신 1-브로모다이벤죠퓨란을 사용한 것을 제외하고는 1-1 내지 1-4와 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 40]를 얻었다. (수율 48%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 662.22 [M+]
합성예
12 : 화학식 41의 합성
[화학식 41]
합성예 1-1에서 사용한 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 대신 2,7-디브로모-안트라퀴논을 사용하고, 브로모벤젠 대신 2-브로모다이벤죠퓨란을 사용하며, 합성예 1-4에서 페닐 보론산 대신 1-나프틸 보론산을 사용한 것을 제외하고는 1-1 내지 1-4와 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 41]를 얻었다. (수율 42%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 762.26 [M+]
합성예
13 : 화학식 45의 합성
[화학식 45]
합성예 1-1에서 사용한 브로모벤젠 대신 3-브로모다이벤죠퓨란을 사용하고, 합성예 1-3에서 4-다이벤조퓨란 보론산 대신 1-나프틸 보론산을 사용하였다. 또한 합성예 1-4에서 페닐 보론산 대신 페닐(d5) 보론산을 사용한 것을 제외하고는 1-1 내지 1-4와 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 45]를 얻었다. (수율 33%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 717.27 [M+]
합성예
14 : 화학식 47의 합성
[화학식 47]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 4-페닐-1-다이벤조퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 47]를 얻었다. (수율 41%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 586.19 [M+]
합성예
15 : 화학식 50의 합성
합성예
15-(1) : 15-a의 합성
[15-a]
합성예 1-4에서 사용한 [1-c] 대신4-브로모1-1,2-디아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [15-a]를 얻었다. (수율 73%)
합성예
15-(2) : 15-b의 합성
[15-b]
합성예 4-1에서 사용한 2-브로모-1.3-디메톡시벤젠 대신 [15-a]을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [15-b]를 얻었다. (수율 70%)
합성예
15-(3) : 화학식 50의 합성
[화학식 50]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 [15-b]를 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 50]를 얻었다. (수율 47%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 572.21 [M+]
합성예
16 : 화학식 58의 합성
[화학식 58]
합성예 9-3에서 사용한 벤조일클로라이드 대신 벤조일(d5)클로라이드를 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 58]를 얻었다. (수율 42%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 501.21 [M+]
합성예
17 : 화학식 64의 합성
[화학식 64]
합성예 1-1에서 사용한 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 대신 2-브로모-안트라퀴논을 사용하고, 브로모벤젠 대신 1-다이벤조퓨란 보론산을 사용하였다. 합성예 1-4에서 사용한 페닐 보론산 대신 페닐(d5) 보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성예 1-1 내지 1-4과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 64]를 얻었다. (수율 38%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 591.22 [M+]
합성예
18 : 화학식 70의 합성
[화학식 70]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 4-트리페닐 보론산를 사용하고, 합성예 9-3에서 사용한 벤조일클로라이드 대신 벤조일(d5)클로라이드를 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 70]를 얻었다. (수율 41%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 577.25 [M+]
합성예
19 : 화학식 73의 합성
[화학식 73]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 3-바이페닐 보론산를 사용하고, 합성예 9-3에서 사용한 벤조일클로라이드 대신 벤조일(d5)클로라이드를 사용했다. 또한 합성법 4-3에서 페닐(d5) 보론산 대신 페닐 보론산을 사용한 것을 제외하고는 합성예 9-1 내지 9-6, 4-1 내지 4-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 73]를 얻었다. (수율 38%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 577.25 [M+]
합성예
20 : 화학식 79의 합성
합성예
20-(1) : 79-a의 합성
[79-a]
합성예 1-4에서 사용한 [1-c] 대신 1,4-아이오도브로모벤젠을 사용, 페닐 보론산 대신 1-다이벤조퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [79-a]를 얻었다. (수율 65%)
합성예
20-(2) : 79-b의 합성
[79-b]
합성예 4-1에서 사용한 2-브로모-1.3-디메톡시벤젠 대신 [79-a] 을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [79-b]를 얻었다. (수율 59%)
합성예
20-(3) : 화합물 79의 합성
[화학식 79]
합성예 1-4에서 사용한 [1-c] 대신 [9-e]을 사용, 페닐 보론산 대신 2-다이벤조퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 79]를 얻었다. (수율 49%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 572.21 [M+]
합성예
21 : 화합물 81의 합성
[화학식 81]
합성예 1-4에서 사용한 [1-c] 대신 [9-e]을 사용, 합성법 4-2에서 1-브로모-2-플루오로-3-아이오도벤젠 대신 1-브로모-3-플루오로-4-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 합성예 9-1 내지 9-6, 4-1 내지 4-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 81]를 얻었다. (수율 45%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 577.25 [M+]
합성예
22 : 화학식 82의 합성
[화학식 82]
합성예 1-4에서 사용한 [1-c] 대신 [9-e]을 사용, 페닐 보론산 대신 2-다이벤조퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 82]를 얻었다. (수율 57%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 496.18 [M+]
합성예
23 : 화학식 83의 합성
[화학식 83]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 (4-(1-나프틸)페닐)보론산 사용, 9-6에서 1-다이벤죠퓨란보론산 대신 [79-b]를 사용한 것을 제외하고는 합성예 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 83]를 얻었다. (수율 57%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 622.23 [M+]
합성예
24 : 화학식 84의 합성
합성예
24-(1) : 84-a의 합성
[84-a]
합성예 20-1에서 사용한 1,4-브로모아이오도벤젠 대신 1,3-브로모아이오도벤젠을 사용하여 20-1 내지 20-2의 합성법과 동일한 방법으로 합성하여 [84-a]를 얻었다. (수율 59%)
합성예
24-(2) : 화학식 84의 합성
[화학식 84]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 (4-(1-나프틸)페닐)보론산 사용, 9-6에서 1-다이벤죠퓨란보론산 대신 [84-a]를 사용한 것을 제외하고는 합성예 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 84]를 얻었다. (수율 64%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 622.23 [M+]
합성예
25 : 화학식 85의 합성
합성예
25-(1) : 85-a의 합성
[85-a]
합성예 20-1에서 사용한 1-다이벤죠퓨란보론산 대신 2-다이벤죠보론산을 사용하여 20-1 내지 20-2의 합성법과 동일한 방법으로 합성하여 [85-a]를 얻었다. (수율 65%)
합성예
25-(2) : 화학식 85의 합성
[화학식 85]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 (4-(1-나프틸)페닐)보론산 사용, 9-6에서 1-다이벤죠퓨란보론산 대신 [85-a]를 사용한 것을 제외하고는 합성예 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 85]를 얻었다. (수율 49%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 622.23 [M+]
합성예
26 : 화학식 86의 합성
합성예
26-(1) : 86-a의 합성
[86-a]
합성예 25-1에서 사용한 1-1,4-브로모아이오도벤젠 대신 1,3-브로모아이오도벤젠을 사용하여 25-1 내지 25-2의 합성법과 동일한 방법으로 합성하여 [86-a]를 얻었다. (수율 71%)
합성예
26-(2) : 화학식 86의 합성
[화학식 86]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 (4-(1-나프틸)페닐)보론산 사용, 9-6에서 1-다이벤죠퓨란보론산 대신 [86-a]를 사용한 것을 제외하고는 합성예 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 86]를 얻었다. (수율 38%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 622.23 [M+]
합성예
27 : 화학식 87의 합성
[화학식 87]
합성예 1-4에서 사용한 [1-c] 대신 [9-e]을 사용, 페닐 보론산 대신 [86-a]을 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 87]를 얻었다. (수율 43%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 572.21 [M+]
합성예
28 : 화학식 88의 합성
[화학식 88]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 (4-(1-나프틸)페닐)보론산 사용한 것을 제외하고는 합성예 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 88]를 얻었다. (수율 62%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 546.20 [M+]
합성예
29 : 화학식 89의 합성
[화학식 89]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 (4-(1-나프틸)페닐)보론산 사용, 합성예 9-6에서 1-다이벤죠퓨란 보론산 대신 2-다이벤죠퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 합성예 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 89]를 얻었다. (수율 51%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 546.20 [M+]
합성예
30 : 화학식 90의 합성
[화학식 90]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 4-페닐-1-다이벤조퓨란 보론산을 사용하고, 9-6에서 1-다이벤죠퓨란 보론산 대신 1-파이렌보론산을 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 90]를 얻었다. (수율 38%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 622.23 [M+]
합성예
31 : 화학식 91의 합성
[화학식 91]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 (4-(1-나프틸)페닐)보론산 사용, 합성예 9-6에서 1-다이벤죠퓨란 보론산 대신 [4-g]을 사용한 것을 제외하고는 합성예 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 91]를 얻었다. (수율 51%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 627.26 [M+]
합성예
32 : 화학식 92의 합성
[화학식 92]
합성예 1-4에서 사용한 [1-c] 대신 [9-e]을 사용, 페닐 보론산 대신 [84-a]을 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 92]를 얻었다. (수율 44%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 572.21 [M+]
합성예
33 : 화학식 93의 합성
[화학식 93]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 3-바이페닐 보론산를 사용하고, 합성법 4-3에서 페닐(d5) 보론산 대신 페닐 보론산을 사용한 것을 제외하고는 합성예 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 93]를 얻었다. (수율 43%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 496.18 [M+]
합성예
34 : 화학식 94의 합성
[화학식 94]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 3-바이페닐 보론산를 사용하고, 합성예 4-3에서 페닐(d5) 보론산 대신 페닐 보론산을 사용한 것을 제외하고는 합성예 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 94]를 얻었다. (수율 40%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 496.18 [M+]
합성예
35 : 화학식 95의 합성
합성예
35-(1) : 95-a의 합성
[95-a]
합성예 4-1에서 사용한 2-브로모-1.3-디메톡시벤젠 대신 2-브로모-1.4-디메톡시벤젠으로 사용하고, 합성예 4-3에서 페닐(d5) 보론산 대신 페닐 보론산을 사용한 것을 제외하고 합성예 4-1 내지 4-7과 동일한 방법으로 합성하여 [95-a]를 얻었다. (수율 71%)
합성예
35-(2) : 화학식 95의 합성
[화학식 95]
합성예 1-4에서 사용한 [1-c] 대신 [9-e]을 사용, 페닐 보론산 대신 [95-a]을 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 95]를 얻었다. (수율 52%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 572.21 [M+]
합성예
36 : 화학식 96의 합성
[화학식 96]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 (3-(1-나프틸)페닐)보론산 사용하고, 합성예 4-3에서 페닐(d5) 보론산 대신 2-다이벤죠퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 합성예 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 96]를 얻었다. (수율 39%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 546.20 [M+]
합성예
37 : 화학식 97의 합성
[화학식 97]
합성예 1-1에서 사용한 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 대신 2-브로모-안트라퀴논을 사용하고, 합성예 1-4에서 사용한 페닐 보론산 대신 1-다이벤죠퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성예 1-1 내지 1-4과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 97]를 얻었다. (수율 68%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 496.18 [M+]
합성예
38 : 화학식 98의 합성
[화학식 98]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 4-페닐-2-다이벤조퓨란 보론산을 사용한것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 98]를 얻었다. (수율 51%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 586.19 [M+]
합성예
39 : 화학식 99의 합성
[화학식 99]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 4-페닐-2-다이벤조퓨란 보론산을 사용하고, 합성예 9-6에서 사용한 1-다이벤죠퓨란 보론산 대신 2-다이벤죠퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 99]를 얻었다. (수율 56%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 586.19 [M+]
합성예
40 : 화학식 100의 합성
[화학식 100]
합성예 1-1에서 사용한 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 대신 2-브로모-안트라퀴논을 사용하고, 합성예 1-4에서 사용한 페닐 보론산 대신 2-다이벤죠퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성예 1-1 내지 1-4과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 100]를 얻었다. (수율 63%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 496.18 [M+]
합성예
41 : 화학식 101의 합성
[화학식 101]
합성예 1-1에서 사용한 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 대신 2-브로모-안트라퀴논을 사용하고, 합성예 1-4에서 사용한 페닐 보론산 대신 3-다이벤죠퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성예 1-1 내지 1-4과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 101]를 얻었다. (수율 53%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 496.18 [M+]
합성예
42 : 화학식 104의 합성
[화학식 104]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 4-페닐-1-다이벤조퓨란 보론산을 사용하고, 합성예 9-6에서 1-다이벤죠퓨란 보론산 대신 1-나프틸 보론산을 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 104]를 얻었다. (수율 60%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 546.20 [M+]
합성예
43 : 화학식 105의 합성
[화학식 105]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 4-페닐-9-페난쓰렌 보론산을 사용하고, 합성예 9-6에서 사용한 1-다이벤죠퓨란 보론산 대신 2-다이벤죠퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 105]를 얻었다. (수율 58%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 596.21 [M+]
합성예
44 : 화학식 107의 합성
[화학식 107]
합성예 1-1에서 사용한 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 대신 2-브로모-안트라퀴논을 사용하고, 합성예 1-4에서 사용한 페닐 보론산 대신 4-다이벤죠퓨란 보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성예 1-1 내지 1-4과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 107]를 얻었다. (수율 52%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 496.18 [M+]
합성예
45 : 화학식 108의 합성
[화학식 108]
합성예 9-1에서 사용한 4-바이페닐 보론산 대신 4-페닐-1-다이벤조퓨란 보론산을 사용하고, 합성예 9-6에서 1-다이벤죠퓨란 보론산 대신 3-페닐-1-나프틸 보론산을 사용한 것을 제외하고는 9-1 내지 9-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 108]를 얻었다. (수율 48%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 622.23 [M+]
합성예
46 : 화학식 110의 합성
[화학식 110]
합성예 1-1에서 사용한 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 대신 2-브로모-안트라퀴논을 사용하고, 합성예 1-4에서 사용한 페닐 보론산 대신 [4-g]을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성예 1-1 내지 1-4과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 110]를 얻었다. (수율 52%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 577.25 [M+]
합성예
47 : 화학식 111의 합성
[화학식 111]
합성예 1-1에서 사용한 2-브로모-6-클로로-안트라퀴논 대신 2-브로모-안트라퀴논을 사용하고, 합성법 4-2에서 1-브로모-2-플루오로-3-아이오도벤젠 대신 1-브로모-3-플루오로-4-아이오도벤젠을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성예 1-1 내지 1-4, 4-1 내지 4-6과 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 111]를 얻었다. (수율 52%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 577.25 [M+]
<화학식 A-1의 합성>
합성예
A1. A1의 합성
합성예
A1-1. A1-a의 합성
[A1-a]
1 L 반응기에 벤조퓨란 50 g (423 mmol), 디클로로메탄 500 mL를 넣고 교반하였다. -10 ℃로 냉각한 후, 브로민 67.7 g (423 mmol)를 디클로로메탄 100 mL에 희석하여 적가한 후 0 ℃에서 2 시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 소듐씨오설페이트 수용액을 넣고 교반 후 에틸아세테이트와 H
2O로 추출 후 에탄올로 재결정하여 [A1-a] 100 g을 얻었다. (수율 93 %)
합성예
A1-2. A1-b의 합성
[A1-b]
1 L 반응기에 포타슘하이드록사이드 48.6 g (866 mmol)과 에탄올 400 mL을 넣고 녹였다. 0 ℃에서 [A1-a] 120 g (433 mmol)을 에탄올에 녹여 적가한 후 2시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종료 후 감압농축하고 에틸아세테이트와 물로 추출하여 유기층을 농축하고 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [A1-b] 42 g 얻었다. (수율 50 %)
합성예
A1-3. A1-c의 합성
[A1-c]
100 mL 반응기에 1-브로모-3-클로로벤젠 4.5 g (16 mmol), 아닐린 5.8 g (16 mmol), 팔라듐 아세테이트 0.1 g (1 mmol), 소듐터셔리부톡사이드 3 g (32 mmol), 비스(디페닐포스피노)-1,1'-바이나프틸 0.2 g (1 mmol), 톨루엔 45 mL를 넣고 24 시간 동안 환류 교반하였다. 반응종료 후 여과하여 농축하고 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [A1-c] 5.2 g을 얻었다. (수율82 %)
합성예
A1-4. A1-d의 합성
[A1-d]
250 mL 반응기에 [A1-c] 20 g (98 mmol), [A1-b] 18.4 g (98 mmol), 팔라듐 아세테이트 0.5 g (2 mmol), 소듐터셔리부톡사이드 18.9 g (196 mmol), 트리 터셔리부틸포스핀 0.8 g (4 mmol), 톨루엔 200 mL를 넣고 환류 교반하였다. 반응종료 후 여과하여 농축하고 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [A1-d] 22 g을 얻었다. (수율 75 %)
합성예
A1-5. A1-e의 합성
[A1-e]
상기 합성예 A1-3에서 1-브로모-3-클로로벤젠 대신 [A1-d]을 사용하여 동일한 방법으로 [A1-e] 18.5 g을 얻었다. (수율 74.1 %)
합성예
A1-6. A1-f의 합성
[A1-f]
상기 합성예 A1-4에서 [A1-c]와 [A1-b] 대신 [A1-e]와 1-브로모-2-아이오도벤젠을 사용하여 동일한 방법으로 [A1-f] 12 g을 얻었다. (수율 84.1 %)
합성예
A1-7. 화학식 A1의 합성
[화학식 A1]
300 mL 반응기에 [A1-f] 12 g (23 mmol), 터트-부틸벤젠 120 mL을 넣고 -78 ℃에서 n-부틸리튬 42.5 mL (68 mmol) 적가 후 60 ℃에서 3시간 교반하고 질소를 불어 헵탄을 제거하였다. -78 ℃에서 보론 트리브로마이드 11.3 g (45 mmol)을 적가 후 상온에서 1시간 교반하고, 0 ℃에서 N,N-디아이소프로필에틸아민 5.9 g (45 mmol)을 적가 후 120 ℃에서 2시간 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 소디움 아세테이트 수용액을 넣고 교반하고, 에틸아세테이트로 추출하고 유기층을 농축 후 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [화학식 A1] 0.8 g을 얻었다. (수율 13 %)
MS (MALDI-TOF) : m/z 460.17 [M
+]
합성예
A2. 화학식 A2의 합성
합성예
A2-1. A2-a의 합성
[A2-a]
1 L 반응기에 벤조싸이오펜 50 g (373 mmol), 클로로포름 500 mL를 넣고 교반하였다. 0 ℃에서 브로민 59.5 g (373mmol) 를클로로포름 100 mL에 희석하여 적가한 후 상온에서 4 시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 소듐씨오설페이트 수용액을 넣고 교반 후 추출하고 유기층을 감압농축한 후 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [A2-a] 70 g을 얻었다. (수율 91 %)
합성예
A2-2. A2-b의 합성
[A2-b]
상기 합성예 A1-4에서 [A1-b] 대신 [A2-a]을 사용하여 동일한 방법으로 [A2-b] 32 g을 얻었다. (수율 75.4 %)
합성예
A2-3. A2-c의 합성
[A2-c]
상기 합성예 A1-3에서 1-브로모-4-아이오도벤젠 대신 [A2-b]을 사용하여 동일한 방법으로 [A2-c] 24.5 g을 얻었다. (수율 73.1 %)
합성예
A2-4. A2-d의 합성
[A2-d]
상기 합성예 A1-4에서 [A1-c]와 [A1-b] 대신 [A2-c]와 1-브로모-2-아이오도벤젠을 사용하여 동일한 방법으로 [A2-d] 21 g을 얻었다. (수율 77.5 %)
합성예
A2-5. 화학식 A2의 합성
[화학식 A2]
상기 합성예 A1-7에서 [A1-f] 대신 [A2-d]을 사용하여 동일한 방법으로 [화학식 A2] 1.5 g을 얻었다. (수율 10.1 %)
MS (MALDI-TOF) : m/z 467.15 [M
+]
합성예
A3. 화학식 A13의 합성
합성예
A3-1. A3-a의 합성
[A3-a]
1 L 반응기에 1-브로모-3(터부틸)-5-아이오도벤젠 50 g (177 mmol), 아닐린 36.2 g (389 mmol), 팔라듐 아세테이트 1.6 g (7 mmol), 소듐터셔리부톡사이드 51 g (530 mmol), 비스(디페닐포스피노)-1,1'-바이나프틸 4.4 g (7 mmol), 톨루엔 500 mL를 넣고 24시간 동안 환류 교반하였다. 반응종료 후 여과, 농축하고 컬럼크로마토그래피하여 [A3-a] 42.5 g을 얻었다. (수율 50 %)
합성예
A3-2. A3-b의 합성
[A3-b]
250 mL 반응기에 [A3-a] 11 g (42 mmol), [A1-b] 20 g(101mmol), 팔라듐 아세테이트 1 g (2 mmol), 소듐터셔리부톡사이드 12.2 g (127 mmol), 트리 터셔리부틸포스핀 0.7 g (3mmol), 톨루엔 150 mL를 넣고 환류교반하였다. 반응종료 후 여과, 농축하고 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [A3-b] 11 g을 얻었다. (수율 65 %)
합성예
A3-3. 화학식 A13의 합성
[화학식 A13]
상기 합성예 A1-7에서 [A1-f] 대신 [A3-b]을 사용하여 동일한 방법으로 [화학식 A13] 0.5 g을 얻었다. (수율 8 %)
MS (MALDI-TOF) : m/z 556.23 [M
+]
합성예
A4. 화학식 A65의 합성
합성예
A4-1. A4-a의 합성
[A4-a]
상기 합성예 A1-3에서 1-브로모-4-아이오도벤젠 대신 1-브로모-2,3-디클로로벤젠을 사용하여 동일한 방법으로 [A4-a] 35.6 g을 얻었다. (수율 71.2 %)
합성예
A4-2. A4-b의 합성
[A4-b]
2 L 반응기에 디페닐아민 60.0 g (355 mmol), 1-브로모-3-아이오도벤젠 100.3 g (355 mmol), 팔라듐 아세테이트 0.8 g (4 mmol), 잔트포스 2 g (4 mmol), 소듐터셔리부톡사이드 68.2 g (709 mmol), 톨루엔 700 mL을 넣고 2시간 환류 교반하였다. 반응 종료 후 여과, 감압 농축하고 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [A4-b] 97 g을 얻었다. (수율 91.2%)
합성예
A4-3. A4-c의 합성
[A4-c]
상기 합성예 A1-4에서 [A1-c]와 [A1-b] 대신 [A4-a]와 [A4-b]을 사용하여 동일한 방법으로 [A4-c] 31 g을 얻었다. (수율 77.7 %)
합성예
A4-4. A4-d의 합성
[A4-d]
1 L 반응기에 3-브로모아닐린 30 g (174 mmol), 페닐브론산 25.5 g (209 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 4 g (3 mmol), 탄산칼륨 48.2 g (349 mmol), 1,4-다이옥산 150 mL, 톨루엔 150 mL, 증류수 90 mL을 넣고 환류교반하였다. 반응 종료 후 층분리하여 유기층을 감압농축한 후 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [A4-d] 24 g을 얻었다. (수율 80 %)
합성예
A4-5. A4-e의 합성
[A4-e]
상기 합성예 A1-3에서 1-브로모-4-아이오도벤젠와 아닐린 대신 [A4-d]와 [A1-b]을 사용하여 동일한 방법으로 [A4-e] 31.6 g을 얻었다. (수율 68.2 %)
합성예
A4-6. A4-f의 합성
[A4-f]
상기 합성예 A1-4에서 [A1-c]와 [A1-b] 대신 [A4-c]와 [A4-e]을 사용하여 동일한 방법으로 [A4-f] 21 g을 얻었다. (수율 67.7 %)
합성예
A4-7. 화학식 A65의 합성
[화학식 A65]
250 mL 반응기에 [A4-f] 21 g (37 mmol), 터트-부틸벤젠을 넣는다. -78 ℃에서 터트-부틸리튬 42.4 mL (74 mmol) 적가 후 60 ℃에서 3시간 교반하였다. 그 후 질소를 불어 펜탄을 제거하였다. -78 ℃에서 보론 트리브로마이드 7.1 mL (74 mmol)을 적가 후 상온에서 1시간 교반하고, 0℃에서 N,N-디아이소프로필에틸아민 6 g (74 mmol)을 적가하고 120 ℃에서 2시간 교반하였다. 반응 종료 후 소디움 아세테이트 수용액을 넣고 교반하였다. 에틸아세테이트로 추출하고 유기층을 농축하고 컬럼크로마토그래피하여 [화학식 A65] 2.0 g을 얻었다. (수율 17.4 %)
MS (MALDI-TOF) : m/z 703.28 [M
+]
합성예
A5. 화학식 A73의 합성
합성예
A5-1. A5-a의 합성
[A5-a]
1 L 반응기에 4-tert-butylaniline 40 g (236 mmol)을 메틸렌클로라이드 400 mL에 녹인 후 0 ℃에서 교반한다. 그 후 N-브로모썩신이미드 42 g (236 mmol)을 넣고 상온에서 4시간 동안 교반시켰다. 반응 종료 후 H
2O를 적가한 후 메틸렌클로라드로 추출하였다. 유기층을 농축하고 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [A5-a] 48 g (수율 80 %)을 얻었다.
합성예
A5-2. A5-b의 합성
[A5-b]
2 L 반응기에 [A5-a] 80 g (351 mmol), 물 450 mL을 넣고 교반하고 황산 104 mL을 넣었다. 0 ℃에서 아질산나트륨 31.5 g (456 mmol)을 물 240 mL에 녹여 적가 후 0 ℃에서 2시간 교반하였다. 포타슘아요다이드 116.4 g (701 mmol)을 물 450 mL에 녹여 적가 후 상온에서 6시간 교반하였다. 반응 종료 후 상온에서 소디움싸이오설페이트 수용액을 넣고 교반하였다. 에틸아세테이트로 추출하고 유기층을 컬럼크로마토그래피하여 [A5-b] 58 g을 얻었다. (수율 51 %)
합성예
A5-3. A5-c의 합성
[A5-c]
상기 합성예 A3-1에서 아닐린 대신 4-tert-butylaniline을 사용하여 동일한 방법으로 [A5-c] 95 g을 얻었다. (수율 80.4 %)
합성예
A5-4. A5-d의 합성
[A5-d]
상기 합성예 A1-4에서 [A1-c] 대신 [A5-c]을 사용하여 동일한 방법으로 [A5-d] 31 g을 얻었다. (수율 71.5 %)
합성예
A5-5. A5-e의 합성
[A5-e]
상기 합성예 A1-4에서 [A1-c]와 [A1-b] 대신 [A5-d]와 [A5-b]을 사용하여 동일한 방법으로 [A5-e] 24 g을 얻었다. (수율 67.1 %)
합성예
A5-6. 화학식 A73의 합성
[화학식 A73]
상기 합성예 A1-7에서 [A1-f] 대신 [A5-e]을 사용하여 동일한 방법으로 [화학식 A73] 2.4 g을 얻었다. (수율 15 %)
MS (MALDI-TOF) : m/z 628.36 [M
+]
합성예
A6. 화학식 A109의 합성
합성예
A6-1. A6-a의 합성
[A6-a]
1 L 반응기에 1,5-다이클로로-2,4-다이나이트로벤젠 40.0 g (123 mmol), 페닐보론산 44.9 g (368 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 2.8 g (2.5 mmol), 탄산칼륨 50.9 g (368 mmol), 1,4-dioxane 120 mL, 톨루엔 200 mL과 물 120 mL를 넣고 환류 교반하였다. 반응종료 후 추출하고 유기층을 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [A6-a] 27.5 g을 얻었다. (수율 70%)
합성예
A6-2. A6-b의 합성
[A6-b]
1 L 반응기에 [A6-a] 27.5g (86 mmol), 트리페닐포스핀 57.8 g (348 mmol), 디클로로벤젠 300 mL을 넣고 3일 동안 환류교반하였다. 반응종료 후 디클로로벤젠을 제거하고 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [A6-b] 10.8 g을 얻었다. (수율 49.0%)
합성예
A6-3. A6-c의 합성
[A6-c]
250 mL 반응기에 [A6-b] 10.8 g (42 mmol), [A2-a] 11.0 g (10.8 mmol), 구리분말 10.7 g (1 mmol), 18-크라운-6-이써 4.5 g (17 mmol), 탄산칼륨 34.9 g (253 mmol)을 넣고, 디클로로벤젠 110 mL를 가한 후, 180 ℃에서 24시간 환류교반하였다. 반응종료 후 디클로로벤젠을 제거하고 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [A6-c] 9.5 g을 얻었다. (수율 52 %)
합성예
A6-4. A6-d의 합성
[A6-d]
상기 합성예 A6-3에서 [A1-c]와 [A2-a] 대신 [A6-c]와 1-브로모-2-아이오도벤젠을 사용하여 동일한 방법으로 [A6-d] 14 g을 얻었다. (수율 67.1 %)
합성예
A6-5. 화학식 A109의 합성
[화학식 A109]
상기 합성예 A1-7에서 [A1-f] 대신 [A6-d]을 사용하여 동일한 방법으로 [화학식 A109] 2.1 g을 얻었다. (수율 14 %)
MS (MALDI-TOF) : m/z 472.12 [M
+]
합성예
A7. 화학식 A126의 합성
합성예
A7-1. A7-a의 합성
[A7-a]
500 mL 반응기에 [A2-b] 30.0 g (150 mmol), 페놀 31.2 g (160 mmol), 탄산칼륨 45.7 g (300 mmol) 및 NMP 250 mL을 넣고 160 ℃에서 12시간 환류 교반하였다. 반응 종결 후 상온까지 냉각하고, NMP를 감압하에서 증류제거한 후 물과 에틸아세테이트로 추출한다. 용매를 감압 농축한후 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [A7-a] 22 g을 얻었다. (수율 68 %)
합성예
A7-2. 화학식 A126의 합성
[화학식 A126]
상기 합성예 A1-7에서 [A1-f] 대신 [A7-a]을 사용하여 동일한 방법으로 [화학식 A126] 1.2 g을 얻었다. (수율 13.4 %)
MS (MALDI-TOF) : m/z 401.10 [M
+]
합성예
A8. 화학식 A145의 합성
합성예
A8-1. A8-a의 합성
[A8-a]
상기 합성예 A1-3에서 1-브로모-3-아이오도벤와 아닐린 대신 2-브로모-5-터트-부틸-1,3-디메틸벤젠와 4-터트-부틸아닐린을 사용하여 동일한 방법으로 [A8-a] 41.6 g을 얻었다. (수율 88.2 %)
합성예
A8-2. A8-b의 합성
[A8-b]
상기 합성예 A4-2에서 디페닐아민 대신 [A8-a]을 사용하여 동일한 방법으로 [A8-b] 37.6 g을 얻었다. (수율 78.4 %)
합성예
A8-3. A8-c의 합성
[A8-c]
상기 합성예 A1-3에서 1-브로모-3-아이오도벤젠과 아닐린 대신 [A8-b]와 4-터트-부틸아닐린을 사용하여 동일한 방법으로 [A8-c] 31.2 g을 얻었다. (수율 74.2 %)
합성예
A8-4. A8-d의 합성
[A8-d]
상기 합성예 A1-3에서 1-브로모-3-아이오도벤와 아닐린 대신 1-브로모-2,3-디클로로-5-메틸벤젠와 4-터트-부틸아닐린을 사용하여 동일한 방법으로 [A8-d] 30.3 g을 얻었다. (수율 89.8 %)
합성예
A8-5. A8-e의 합성
[A8-e]
상기 합성예 A1-4에서 [A1-c]와 [A1-b] 대신 [A8-d]와 3-브로모-5-터트-부틸벤조띠오펜을 사용하여 동일한 방법으로 [A8-e] 27.4 g을 얻었다. (수율 77.1 %)
합성예
A8-6. A8-f의 합성
[A8-f]
상기 합성예 A1-4에서 [A1-c]와 [A1-b] 대신 [A8-e]와 [A8-c]을 사용하여 동일한 방법으로 [A8-f] 21 g을 얻었다. (수율 74.1 %)
합성예
A8-7. 화학식 A145의 합성
[화학식 A145]
상기 합성예 A1-7에서 [A1-f] 대신 [A8-f]을 사용하여 동일한 방법으로 [화학식 A145] 3.4 g을 얻었다. (수율 19.4 %)
MS (MALDI-TOF) : m/z 979.60 [M]
+
합성예
A9. 화학식 A150의 합성
합성예
A9-1. A9-a의 합성
[A9-a]
상기 합성예 A1-3에서 1-브로모-3-아이오도벤와 아닐린 대신 1-브로모 벤젠(D-치환)와 4-터트-부틸아닐린을 사용하여 동일한 방법으로 [A9-a] 32.7 g을 얻었다. (수율 78.2 %)
합성예
A9-2. A9-b의 합성
[A9-b]
상기 합성예 A1-4에서 [A1-c]와 [A1-b] 대신 [A8-e]와 [A9-a]을 사용하여 동일한 방법으로 [A9-b] 34.2 g을 얻었다. (수율 84.1 %)
합성예
A9-3. 화학식 A150의 합성
[화학식 A150]
상기 합성예 A1-7에서 [A1-f] 대신 [A9-b]을 사용하여 동일한 방법으로 [화학식 A150] 2.7 g을 얻었다. (수율 11.4 %)
MS (MALDI-TOF) : m/z 663.39 [M]
+
합성예
A10. 화학식 A153의 합성
합성예
A10-1. A10-a의 합성
[A10-a]
상기 합성예 A1-3에서 1-브로모-3-아이오도벤와 아닐린 대신 1-브로모-디벤조퓨란과 4-터트-부틸아닐린을 사용하여 동일한 방법으로 [A10-a] 25.6 g을 얻었다. (수율 79.2 %)
합성예
A10-2. A10-b의 합성
[A10-b]
상기 합성예 A1-4에서 [A1-c]와 [A1-b] 대신 [A8-e]와 [A10-a]을 사용하여 동일한 방법으로 [A10-b] 18.6 g을 얻었다. (수율 74.1 %)
합성예
A10-3. 화학식 A153의 합성
[화학식 A153]
상기 합성예 A1-7에서 [A1-f] 대신 [A10-b]을 사용하여 동일한 방법으로 [화학식 A153] 3.4 g을 얻었다. (수율 15.4 %)
MS (MALDI-TOF) : m/z 748.37 [M]
+
합성예
A11. 화학식 A185의 합성
상기 합성예 A3에서, 합성예 A3-1의 1-브로모-3(터부틸)-5-아이오도벤젠 대신 1-브로모-3-아이오도벤젠을, 아닐린 대신 4-터부틸아닐린을 사용하고, 합성예 3-2의 3-브로모벤조퓨란 [A1-b] 대신 3-브로모-5-메틸벤조퓨란을 사용하여 합성예 A3-1 내지 A3-3과 동일한 방법으로 [화학식 A185] 2.1 g을 얻었다. (수율 12%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 640.33 [M]
+
<화학식 B의 합성>
합성예 B1 : 화학식 B4의 합성
합성예 B1-1 : B1-a의 합성
[B1-a]
둥근 바닥 플라스크에 페닐하이드라진 100 g (0.924 mol), 아세트산 500 mL 를 교반시킨후 60 ℃로 가열하였다. 2-메틸 싸이클로헥사논 103.6 g (0.924 mol)을 천천히 적가한 후 8시간 동안 환류시켰다. 반응 완료 후 물과 에틸아세테이트를 이용하여 추출 후 농축하여 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [B1-a] 130 g를 얻었다. (수율 76%)
합성예 B1-2. B1-b의 합성
[B1-b]
질소 분위기 하에 톨루엔 750 mL가 들어있는 둥근 바닥 플라스크에 [B1-a] 75 g (405 mmol)을 넣고 - 10 ℃로 냉각시킨 후 1.6 M 메틸리튬 380 mL (608 mmol)을 천천히 적가하고 - 10 ℃에서 3시간 정도 교반시켰다. 반응 완료 후 물과 에틸아세테이트를 이용하여 추출 후 농축하여 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [B1-b] 50.5 g를 얻었다. (수율 62%)
합성예 B1-3. B1-c의 합성
[B1-c]
질소 분위기에서 둥근바닥 플라스크에 [B1-b] 50 g (251 mmol), 1-브로모-2,3-디클로로벤젠 56.7 g (251 mmol), 트리스디벤질리덴아세톤디팔라듐 4.5 g (5 mmol), 트리터셔리부틸포스핀 2 g (10 mmol), 소듐터셔리뷰톡사이드 35.8 g (373 mmol), 톨루엔 500 mL를 투입하고 24시간 동안 환류시켰다. 반응 종결 후 유기층을 감압 농축한 후, 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [B1-c] 35.6 g를 얻었다. (수율 41%)
합성예 B1-4. B1-d의 합성
[B1-d]
합성예 B1-3 에서 사용한 [B1-b] 대신 다이페닐아민를 사용하고, 1-브로모-2,3-디클로로벤젠 대신 [B1-c]을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [B1-d]를 얻었다. (수율 73%)
합성예 B1-5. 화학식 B4의 합성
[화학식 B4]
질소 분위기 하에 tert-부틸벤젠 200 mL가 들어있는 둥근 바닥 플라스크에 [중간체 B1-d] 20 g (42 mmol)을 넣고 -30 ℃로 냉각시킨 후 1.7 M tert-부틸리튬펜탄 용액 49.1 mmL (84 mmol)을 천천히 적가하였다. 적가 종료 후, 60℃까지 승온하고 3시간 교반한 후, 펜탄을 증류 제거하였다. -50 ℃까지 냉각하고 삼브롬화붕소 20.8 g (84 mmol)를 적가하고, 실온까지 승온 후 1시간 교반하였다. 다시 0 ℃ 로 냉각하고 N,N-디이소프로필에틸아민 10.7 g (84 mmol)을 가한 후, 120 ℃에서 3시간 교반하였다. 반응 완료 후 감압증류하여 tert-부틸벤젠을 제거하고 물과 에틸아세테이트를 이용하여 추출 후 농축하여 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [화학식 B4] 5.3 g를 얻었다. (수율 28%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 452.24 [M
+]
합성예 B2 : 화학식 B106의 합성
합성예 B1-3에서 사용한 1-브로모-2,3-디클로로벤젠 대신 1-브로모-2,3-디클로로-5-터셔리뷰틸벤젠을 사용하고, 합성예 B1-4에서 사용한 다이페닐아민 대신 N1,N2,N3-트리페닐-1,3-벤젠다이아민을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 B106]을 얻었다. (수율 21%)
MS(MALDI-TOF) : m/z 675.38 [M+]
합성예 B3 : 화합물 B91의 합성
합성예 B3-1 : B3-a의 합성
[B3-a]
둥근 바닥 플라스크에 페닐하이드라진 100 g (0.924 mol), 아세트산 500 mL 를 교반시킨후 60 ℃로 가열하였다. 2-메틸 싸이클로헥사논 103.6 g (0.924 mol)을 천천히 적가한 후 8시간 동안 환류시켰다. 반응 완료 후 물과 에틸아세테이트를 이용하여 추출 후 농축하여 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [B3-a] 130 g를 얻었다. (수율 76%)
합성예 B3-2. B3-b의 합성
[B3-b]
질소 분위기 하에 톨루엔 750 mL가 들어있는 둥근 바닥 플라스크에 [B3-a] 75 g (405 mmol)을 넣고 -10 ℃로 냉각시킨 후 1.6 M 메틸리튬 380 mL (608 mmol)을 천천히 적가하고 -10 ℃에서 3시간 정도 교반시켰다. 반응 완료 후 물과 에틸아세테이트를 이용하여 추출 후 농축하여 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [B3-b] 50.5 g를 얻었다. (수율 62%)
합성예 B3-3. B3-c의 합성
[B3-c]
질소 분위기에서 둥근바닥 플라스크에 [B3-b] 40 g (199 mmol), 1-브로모-2,3-디클로로-5-메틸벤젠 47.7 g (251 mmol), 트리스디벤질리덴아세톤디팔라듐 7.3 g (7.9 mmol), 트리터트부틸포스핀 3.2 g (15.9 mmol), 소듐 터트-부톡사이드 38.2 g (397 mmol), 톨루엔 400 mL를 투입하고 12시간 동안 환류시켰다. 반응 종결 후 유기층을 감압 농축한 후, 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [B3-c] 23 g를 얻었다. (수율 32%)
합성예 B3-4. B3-d의 합성
[B3-d]
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 1-브로모-3-아이오도벤젠 30 g (106 mmol), 1-나프탈렌보론산 16.4 g (95 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 1.8 g (1.6 mmol), 탄산칼륨 17.6 g (127 mmol), 테트라히드로푸란 300 mL, 톨루엔 300 mL, 물 120 mL를 투입 후 24시간 환류시킨다. 반응이 완료되어 온도를 상온으로 내린 후 추출한다. 유기층을 감압농축 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 [B3-d] 19 g을 얻었다. (수율 70.3%)
합성예 B3-5. B3-e의 합성
[B3-e]
둥근 바닥 플라스크에 [B3-d] 19 g (67 mmol), 아닐린 6.2 g (67 mmol), 트리스디벤질리덴아세톤디팔라듐 1.2 g (1 mmol), 소듐 터트-부톡사이드 7.7 g (81 mmol), 비스(디페닐포스피노)-1,1'-바이나프틸 0.8 g (1 mmol), 톨루엔 200 mL를 넣고 24시간 동안 환류 교반한다. 반응종료 후 추출하여 유기층을 감압 농축하고 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [B3-e] 15.2 g을 얻었다. (수율 77%)
합성예 B3-6. B3-f의 합성
[B3-f]
둥근 바닥 플라스크에 [B3-e] 15.2 g (51 mmol), 1-브로모-3-아이오도벤젠 18.9 g (67 mmol), 트리스디벤질리덴아세톤디팔라듐 0.9 g (1 mmol), 소듐 터트-부톡사이드 6.4 g (67 mmol), 비스(디페닐포스피노)-1,1'-바이나프틸 0.6 g (1 mmol), 톨루엔 150 mL를 넣고 24시간 동안 환류 교반한다. 반응종료 후 추출하여 유기층을 감압 농축하고 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [B3-f] 14.9 g을 얻었다. (수율 64%)
합성예 B3-7. B3-g의 합성
[B3-g]
둥근 바닥 플라스크에 [B3-f] 14.9 g (33 mmol), 아닐린 3.1 g (33 mmol), 트리스디벤질리덴아세톤디팔라듐 0.6 g (0.7 mmol), 소듐 터트-부톡사이드 3.8 g (40 mmol), 비스(디페닐포스피노)-1,1'-바이나프틸 0.4 g (0.7 mmol), 톨루엔 150 mL를 넣고 20시간 동안 환류 교반한다. 반응종료 후 추출하여 유기층을 감압 농축하고 컬럼크로마토그래피로 분리하여 [B3-g] 11.4 g을 얻었다. (수율 75%)
합성예 B3-8. B3-h의 합성
[B3-h]
둥근 바닥 플라스크에 [중간체 B3-c] 8.9 g (25 mmol), [중간체 B3-g] 11.4 g (25 mmol), 트리스디벤질리덴아세톤디팔라듐 0.5 g (0.5 mmol), 소듐 터트-부톡사이드 3.6 g (37 mmol), 트리터트부틸포스핀0.1 g (0.5 mmol), 톨루엔 120 mL를 넣고 6시간 동안 환류 교반한다. 반응종료 후 추출하여 유기층을 감압 농축하고 컬럼크로마토그래피로 분리하였다. 다이클로로메테인과 메탄올로 재결정하여 [중간체 B3-h] 12.7 g을 얻었다. (수율 65%)
합성예 B3-9. 화학식 B91의 합성
[화학식 B91]
질소 분위기의 반응기에 [B3-h] 12.7 g (16 mmol), 터트-부틸벤젠 89 mL를 넣는다. -78 ℃에서 1.6 M 터트-부틸리튬 20.2 mL (32 mmol) 적가한다. 적가 후 60 ℃에서 2시간 교반한다. -78 ℃에서 보론 삼브롬화붕소 8.1 mL (32 mmol)을 적가 한다. 적가 후 상온에서 1시간 교반하고, 0℃에서 N,N-디아이소프로필에틸아민 4.2 g (32 mmol)을 적가한다. 적가 후 120 ℃에서 3시간 교반한다. 반응 종료 후 상온에서 아세트산나트륨 수용을 넣고 교반한다. 에틸아세테이트로 추출하고 유기층을 농축하고 컬럼크로마토그래피하여 [화학식 B91] 1.3 g을 얻었다. (수율 10.6%)
합성예 B4 : 화학식 B92의 합성
합성예 B3-5에서 사용한 아닐린 대신 4-tert-butylaniline을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 B92]을 얻었다. (수율 13%)
합성예 B5 : 화학식 B112의 합성
합성예 B3-3에서 사용한 1-브로모-2,3-디클로로-5-메틸벤젠 대신 1-브로모-2,3-디클로로-5-터트-부틸벤젠 합성예 B3-5에서 사용한 [중간체 B3-d] 대신 1-브로모나프탈렌을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화학식 B112]을 얻었다. (수율 14.5%)
실시예
1 내지 54 :
유기발광소자의
제조
ITO 글래스의 발광면적이 2 mm × 2 mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 상기 ITO 글래스를 진공 챔버에 장착한 후 베이스 압력이 1 × 10
-7 torr가 되도록 한 후 상기 ITO 위에 DNTPD (700 Å), α-NPD (300 Å) 순으로 성막하였다. 발광층은 하기 [표 1] 내지 [표 4]에 기재된 본 발명에 따른 호스트 화합물과 본 발명에 따른 도판트 화합물(3 wt%)을 혼합하여 성막 (250 Å)한 다음, 이후에 전자 수송층으로 [화학식 E-1]과 [화학식 E-2]을 1:1의 비로 300 Å, 전자 주입층으로 [화학식 E-1]을 5 Å, Al (1000 Å) 순서로 성막하여 유기발광 소자를 제조하였다. 상기 유기발광 소자의 발광특성은 0.4 mA에서 측정하였다.
[DNTPD] [α-NPD]
[화학식 E-1] [화학식 E-2]
비교예
1 내지 38
비교예를 위한 유기발광소자는 상기 실시예의 소자 구조에서 본 발명에 따른 화합물 대신 하기 [표 1] 내지 [표 4]에 기재된 호스트 및 도판트 화합물을 조합하여 사용한 점을 제외하고는 동일하게 제작하였으며, 상기 유기발광소자의 발광특성은 0.4 mA에서 측정하였다. BH1 내지 BH9, BD1 내지 BD3의 구조는 다음과 같다.
[BH1] [BH2] [BH3]
[BH4] [BH5] [BH6]
[BD1] [BD2] [BD3]
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 유기발광소자에 대하여, 전압, 외부양자효율, 수명 특성을 측정하고 그 결과를 하기 [표 1] 내지 [표 4]에 나타내었다.
구분 | 호스트 | 도판트 | 전압(V) | 외부양자효율(EQE) |
실시예 1 | 화합물 1 | BD1 | 3.81 | 8.3 |
실시예 2 | 화합물 3 | BD1 | 3.75 | 8.3 |
실시예 3 | 화합물 4 | BD1 | 3.83 | 8.2 |
실시예 4 | 화합물 9 | BD1 | 3.73 | 8.5 |
실시예 5 | 화합물 10 | BD1 | 3.74 | 8.4 |
실시예 6 | 화합물 12 | BD1 | 3.73 | 8.4 |
실시예 7 | 화합물 24 | BD1 | 3.69 | 8.3 |
실시예 8 | 화합물 30 | BD1 | 3.65 | 8.4 |
실시예 9 | 화합물 31 | BD1 | 3.51 | 8.8 |
실시예10 | 화합물 34 | BD1 | 3.68 | 8.6 |
비교예 1 | BH1 | BD1 | 4.22 | 7.1 |
비교예 2 | BH2 | BD1 | 4.03 | 7.3 |
비교예 3 | BH3 | BD1 | 3.81 | 7.6 |
비교예 4 | BH4 | BD1 | 3.76 | 8.0 |
비교예 5 | BH6 | BD3 | 4.04 | 8.0 |
구분 | 호스트 | 도판트 | 전압(V) | 외부양자효율(EQE) | ||
실시예11 | 화합물 40 | BD2 | 3.13 | 8.6 | ||
실시예12 | 화합물 41 | BD2 | 3.36 | 8.5 | ||
실시예13 | 화합물 45 | BD2 | 3.68 | 8.5 | ||
실시예14 | 화합물 47 | BD2 | 3.63 | 8.4 | ||
실시예15 | 화합물 50 | BD2 | 3.63 | 8.5 | ||
실시예16 | 화합물 58 | BD2 | 3.52 | 8.8 | ||
실시예17 | 화합물 64 | BD2 | 3.33 | 8.4 | ||
실시예18 | 화합물 70 | BD2 | 3.65 | 8.6 | ||
실시예19 | 화합물 73 | BD2 | 3.75 | 8.7 | ||
실시예20 | 화합물 79 | A31 | 3.70 | 8.5 | ||
실시예21 | 화합물 80 | A31 | 3.78 | 8.6 | ||
실시예22 | 화합물 81 | A62 | 3.55 | 8.7 | ||
실시예23 | 화합물 82 | A145 | 3.60 | 8.9 | ||
실시예24 | 화합물 83 | A62 | 3.71 | 8.6 | ||
실시예25 | 화합물 84 | A80 | 3.68 | 8.6 | ||
실시예26 | 화합물 85 | A180 | 3.70 | 8.6 | ||
실시예27 | 화합물 86 | A181 | 3.67 | 8.7 | ||
실시예28 | 화합물 87 | A153 | 3.68 | 8.5 | ||
실시예29 | 화합물 88 | A179 | 3.61 | 8.6 | ||
실시예30 | 화합물 89 | A62 | 3.66 | 8.5 | ||
실시예31 | 화합물 90 | A147 | 3.65 | 8.7 | ||
실시예32 | 화합물 91 | A145 | 3.58 | 8.7 | ||
실시예33 | 화합물 92 | A146 | 3.66 | 8.5 | ||
실시예34 | 화합물 93 | A181 | 3.71 | 8.6 | ||
실시예35 | 화합물 94 | A150 | 3.67 | 9.1 | ||
실시예36 | 화합물 95 | A31 | 3.63 | 8.6 | ||
실시예37 | 화합물 96 | A185 | 3.69 | 8.5 | ||
실시예38 | 화합물 97 | A145 | 3.68 | 9.3 | ||
실시예39 | 화합물 98 | A179 | 3.42 | 8.4 | ||
실시예40 | 화합물 99 | A205 | 3.17 | 8.3 | ||
실시예41 | 화합물 100 | A206 | 3.73 | 8.7 | ||
실시예42 | 화합물 101 | A207 | 3.78 | 8.7 | ||
실시예43 | 화합물 102 | A208 | 3.67 | 8.4 | ||
실시예44 | 화합물 104 | A209 | 3.58 | 8.5 | ||
실시예45 | 화합물 105 | A210 | 3.62 | 8.5 | ||
실시예46 | 화합물 107 | A211 | 3.80 | 8.4 | ||
비교예 6 | 화합물 31 | BD3 | 3.65 | 8.3 | ||
비교예 7 | 화합물 79 | BD3 | 3.86 | 8.1 | ||
비교예 8 | 화합물 82 | BD3 | 3.77 | 8.3 | ||
비교예 9 | 화합물 89 | BD3 | 3.85 | 8.0 | ||
비교예 10 | 화합물 93 | BD3 | 3.80 | 8.0 | ||
비교예 11 | 화합물 96 | BD3 | 3.84 | 8.1 | ||
비교예 12 | 화합물 98 | BD3 | 3.61 | 7.8 | ||
비교예 13 | 화합물 100 | BD3 | 3.90 | 8.3 | ||
비교예 14 | 화합물 101 | BD3 | 3.97 | 8.2 | ||
비교예 15 | 화합물 104 | BD3 | 3.79 | 7.9 | ||
비교예 16 | 화합물 105 | BD3 | 3.82 | 8.0 | ||
비교예 17 | 화합물 108 | BD3 | 3.91 | 7.5 | ||
비교예 18 | 화합물 121 | BD3 | 3.85 | 8.2 | ||
비교예 19 | 화합물 122 | BD3 | 3.55 | 8.2 | ||
비교예 20 | 화합물 123 | BD3 | 3.60 | 8.1 | ||
비교예 21 | BH5 | BD3 | 4.08 | 8.3 |
구분 | 호스트 | 도판트 | 전압(V) | 외부양자효율(EQE) |
실시예47 | 화합물 82 | B92 | 3.66 | 8.8 |
실시예48 | 화합물 82 | B106 | 3.63 | 8.5 |
실시예49 | 화합물 82 | B112 | 3.61 | 8.8 |
실시예50 | 화합물 94 | B121 | 3.67 | 8.9 |
실시예51 | 화합물 97 | B92 | 3.66 | 9.2 |
비교예 22 | 화합물 31 | BD3 | 3.65 | 8.3 |
비교예 23 | 화합물 79 | BD3 | 3.86 | 8.1 |
비교예 24 | 화합물 82 | BD3 | 3.77 | 8.3 |
비교예 25 | 화합물 89 | BD3 | 3.85 | 8.0 |
비교예 26 | 화합물 93 | BD3 | 3.80 | 8.0 |
비교예 27 | 화합물 98 | BD3 | 3.61 | 7.8 |
비교예 28 | 화합물 100 | BD3 | 3.9 | 8.3 |
비교예 29 | 화합물 101 | BD3 | 3.97 | 8.2 |
비교예 30 | 화합물 104 | BD3 | 3.79 | 7.9 |
비교예 31 | 화합물 105 | BD3 | 3.82 | 8.0 |
비교예 32 | 화합물 108 | BD3 | 3.91 | 7.5 |
구분 | 호스트 | 도판트 | 전압(V) | 외부양자효율(EQE) | T95 |
실시예 52 | 화합물 82 | A145 | 3.60 | 8.9 | 252 |
실시예 53 | 화합물 94 | A150 | 3.67 | 9.1 | 282 |
실시예 54 | 화합물 97 | A145 | 3.68 | 9.3 | 225 |
비교예 33 | 화합물 82 | BD3 | 3.77 | 8.3 | 153 |
비교예 34 | 화합물 82 | BD1 | 3.75 | 8.0 | 159 |
비교예 35 | 화합물 94 | BD3 | 3.86 | 8.5 | 175 |
비교예 36 | 화합물 94 | BD1 | 3.83 | 8.1 | 169 |
비교예 37 | 화합물 97 | BD3 | 3.89 | 8.7 | 138 |
비교예 38 | 화합물 97 | BD1 | 3.85 | 8.3 | 141 |
상기 [표 1] 내지 [표 4]에서 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 특징적 구조의 안트라센 유도체를 호스트 화합물로 발광층에 포함하는 소자는 본 발명에 따른 안트라센 유도체가 갖는 특징적 구조와 대비되는 종래 안트라센계 호스트 화합물을 채용한 소자에 비하여 외부양자효율이 우수하고, 향상된 저전압 구동 특성을 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 특징적 구조의 안트라센 유도체를 호스트 화합물로, 그리고 본 발명에 따른 [화학식 A-1] 내지 [화학식 A-2], [화학식 B], [화학식 C]로 표시되는 화합물을 도판트로 발광층에 함께 포함한 유기발광소자는 더욱 외부양자효율이 우수하고, 향상된 저전압 구동 특성을 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 특징적 구조의 안트라센 유도체를 호스트 화합물로, 그리고 본 발명에 따른 [화학식 A-1] 내지 [화학식 A-2]로 표시되는 화합물을 도판트로 발광층에 함께 포함한 유기발광소자는 향상된 저전압 구동 및 우수한 외부양자효율과 함께 현저히 향상된 장수명 특성을 갖는다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 특징적 구조를 갖는 안트라센 유도체 화합물을 호스트로, 다환 방향족 유도체 화합물을 도펀트로 발광층에 함께 채용하여 향상된 저전압 구동 특성을 구현할 수 있어서 조명 소자는 물론이고, 평판, 플렉시블, 웨어러블 디스플레이 등 다양한 디스플레이 소자에 산업적으로 유용하게 활용할 수 있다.
Claims (14)
- 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 화합물:[화학식 Ⅰ]상기 [화학식 Ⅰ]에서,A 1 내지 A 4, B 1 및 B 2는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란 (dibenzofuran), 치환 또는 비치환된 디벤조싸이오펜 (dibenzothiophen) 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이며,m, n, o 및 p는 각각 0 내지 1의 정수이고, m+n+o+p는 1 내지 3의 정수이며,R은 복수의 경우 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 중에서 선택되는 어느 하나이며,상기 [화학식 Ⅰ]은 적어도 하나의 디벤조퓨란 또는 디벤조싸이오펜을 포함한다.
- 제1 전극, 상기 제1 전극에 대향된 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 개재된 발광층을 포함하고, 제1항에 따른 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 화합물을 상기 발광층에 포함하는 유기발광소자.
- 제3항에 있어서,상기 발광층은 하기 [화학식 A-1] 또는 [화학식 A-2]로 표시되는 화합물을 더 포함하는 유기발광소자:[화학식 A-1] [화학식 A-2]상기 [화학식 A-1]과 [화학식 A-2]에서,Q 1 내지 Q 3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소 고리이거나, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 방향족 헤테로고리이고,Y는 N-R 1, CR 2R 3, O, S, Se 및 SiR 4R 5 중에서 선택되는 어느 하나이며(복수의 Y는 서로 동일하거나 상이함), X는 B, P 및 P=O 중에서 선택되는 어느 하나이고,상기 R 1 내지 R 5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴실릴기, 니트로기, 시아노기 및 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며,상기 R 1 내지 R 5는 각각 상기 Q 1 내지 Q 3 고리와 결합하여 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환 고리를 추가적으로 형성할 수 있으며,상기 R 2와 R 3 및 R 4와 R 5는 각각 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있다.
- 제3항에 있어서,상기 [화학식 A-1] 또는 [화학식 A-2]는 하기 [화학식 A-3] 또는 [화학식 A-4] 중에서 어느 하나 표시되는 유기발광소자:[화학식 A-3] [화학식 A-4]상기 [화학식 A-3]과 [화학식 A-4]에서,Z는 CR 또는 N이고, 상기 R은 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴실릴기, 니트로기, 시아노기 및 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며 (복수의 Z 및 R은 서로 동일하거나 상이함),상기 복수의 R은 서로 결합하거나 인접한 치환기와 연결되어 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리의 탄소원자는 N, S 및 O 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있고,X 및 Y는 각각 상기 [화학식 A-1]과 [화학식 A-2]에서의 정의와 동일하다.
- 제3항에 있어서,상기 [화학식 A-1] 또는 [화학식 A-2]는 하기 [화학식 A-5] 내지 [화학식 A-6] 중에서 어느 하나 표시되는 유기발광소자:[화학식 A-5] [화학식 A-6]상기 [화학식 A-5]과 [화학식 A-6]에서,Z는 CR 또는 N이고, 상기 R은 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴실릴기, 니트로기, 시아노기 및 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며 (복수의 Z 및 R은 서로 동일하거나 상이함),상기 복수의 R은 서로 결합하거나 인접한 치환기와 연결되어 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리의 탄소원자는 N, S 및 O 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있고,X 및 Y는 각각 상기 [화학식 A-1]과 [화학식 A-2]에서의 정의와 동일하다.
- 제3항에 있어서,상기 발광층은 하기 [화학식 B]로 표시되는 화합물을 더 포함하는 유기발광소자:[화학식 B]상기 [화학식 B]에서,Q 1 내지 Q 3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 방향족 헤테로고리이고,Y는 N-R 6, CR 7R 8, O, S 및 Se 중에서 선택되는 어느 하나이며, X는 B, P 및 P=O 중에서 선택되는 어느 하나이고,상기 R 6 내지 R 8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴실릴기, 니트로기, 시아노기 및 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며,상기 R 6 내지 R 8은 각각 상기 Q 2 고리 또는 Q 3 고리와 결합하여 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있으며,상기 R 7 및 R 8은 각각 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있으며,Cy1은 상기 질소(N) 원자 및 상기 Q1 고리 내 방향족 탄소원자와 각각 연결되어 축합고리를 형성하고, 이때 형성된 상기 Cy1 고리는 질소(N) 원자, 질소(N) 원자와 결합된 Q1 고리 내 방향족 탄소원자 및 상기 Cy1과 결합될 Q1 고리 내 방향족 탄소원자를 제외하면, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,Cy2는 상기 Cy1에 부가되어 포화 탄화수소 고리를 형성하며, 이때 형성된 Cy2 고리는 Cy1에 포함되는 탄소원자를 제외하면, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이다.
- 제7항에 있어서,상기 [화학식 B]는 하기 [화학식 B-1]로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자:[화학식 B-1]상기 [화학식 B-1]에서,Q 1 내지 Q 3, Cy1 및 Cy2는 상기 [화학식 B]에서의 정의와 동일하고,Ar 1 및 R은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 할로겐화된 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 니트로기, 시아노기 및 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며,Ar 2는 서로 동일하거나 상이하며 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기이고,상기 Ar 1은 각각 Q 2 또는 Q 3와 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있으며,n은 1 내지 7의 정수이고, 상기 n이 2 이상인 경우에 각각의 R은 서로 동일하거나 상이하며,L은 단일결합이거나, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되는 어느 하나이다.
- 제3항에 있어서,상기 발광층은 하기 [화학식 C]로 표시되는 화합물을 더 포함하는 유기발광소자:[화학식 C]상기 [화학식 C]에서,Q 1 내지 Q 3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 방향족 헤테로고리이고,Y는 N-R 9, CR 10R 11, O, S 및 Se 중에서 선택되는 어느 하나이며 (복수의 Y는 서로 동일하거나 상이함),상기 R 9 내지 R 11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 아릴실릴기, 니트로기, 시아노기 및 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며,상기 R 9 내지 R 11은 각각 상기 Q 2 고리 또는 Q 3 고리와 결합하여 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있으며,상기 R 10 및 R 11은 각각 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있다.
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