JP5562243B2 - ナノスケール変形を測定する方法、デバイス及びシステム - Google Patents
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Description
i)測定エリアと呼ばれ、その結晶変形が測定されることになる第1のエリアと、基準エリアと呼ばれ、変形がなく、且つ当該第1のエリアと同一平面上にあるものと仮定される第2のエリアとを含む、概ね平行な面を有するウェーハ形態の結晶試料を準備するステップと、
ii)前記試料の結晶格子によって回折することができる放射の空間的にコヒーレントなビームを、前記試料の一方の面に照射するステップと、
iii)像平面と呼ばれる平面において2つの回折したビームの干渉が生じるように、前記試料の前記測定エリアによって回折した放射のビームと、前記基準エリアによって同じ次数で回折した同じ放射のビームとを重ね合わせるステップと、
iv)結果として生成される干渉パターンの縞の、空間的周期性及び方位を測定するステップと、
v)これから、前記基準エリアと前記測定エリアとの間の格子パラメータ及び/又は方位の差を推定するステップとを含み、当該差は前記測定エリアのナノスケール変形の状態を示す方法である。
− 顕微鏡の鏡筒の構成によれば、一般的には、対物レンズとして用いられるレンズの焦点面に絞りを挿入することはできない。それでも、一次の回折電子ビームを選択するためには、絞りが必要とされる。それゆえ、これを果たすために、必然的に主対物レンズの絞りを使用しなければならない。しかしながら、この絞りの平面において電子ビームは合焦されない。それゆえ、これらのビームは、それらのビームが到来した試料のエリアに応じた角度で、非対称に遮断されるであろう。これは像の軸外歪みを引き起こす。さらに、回折したビームを過度に遮断しないようにするには、散乱した電子を効果的に排除しない、相対的に広い絞りを使用する必要がある。この結果、像コントラストが低下する。
ただし、λは入射する電子の波長であり、dgは回折する原子面間の距離である。V0ボルトの加速電圧の場合、波長λは以下の式によって与えられる。
3次元材料内の平面(hkl)の分離は以下の式によって与えられる。
ただし、aは格子パラメータである。
以下の表は、必要とされる分解能及び電子の加速電圧の関数としてCS(長さと同じ次元)の値を示す。
− E. Snoeck, P. Hartel, H. Mueller, M. Haider 及びP. C. Tiemeijer著「Using a CEOS-Objective Lens Corrector as a Pseudo Lorentz Lens in a Tecnai F20 TEM」(Proc. IMC16 Sapporo (2006) CD)
分解能の最終的な限界は、レンズの情報限界である。この限界は、典型的には、点分解能限界よりも大きい。それは、システムの非コヒーレンス性及び不安定性によって決定される。最も重要な要因は、電子ソースのエネルギー幅に連動するレンズの色収差である。
Claims (13)
- 結晶試料の一部分(B)においてナノスケール変形を測定する方法であって、当該方法は、
i)測定エリアと呼ばれ、その結晶変形が測定されることになる第1のエリア(B)と、基準エリアと呼ばれ、変形がなく、且つ当該第1のエリアと同一平面上にあるものと仮定される第2のエリア(A)とを含む、概ね平行な面を有するウェーハ形態の結晶試料を準備するステップと、
ii)前記試料の結晶格子によって回折することができる放射の空間的にコヒーレントなビーム(Fin)を、前記試料の一方の面に照射するステップと、
iii)像平面(PI)と呼ばれる平面において2つの回折したビームの干渉が生じるように、前記試料の前記測定エリア(B)によって回折した放射のビーム(F1 B)と、前記基準エリア(A)によって同じ次数で回折した同じ放射のビーム(F1 A)とを重ね合わせるステップと、
iv)結果として生成される干渉パターン(FI)の縞の、空間的周期性及び方位を測定するステップと、
v)これから、前記基準エリアと前記測定エリアとの間の格子パラメータ及び/又は方位の差を推定するステップとを含み、
当該差は前記測定エリアのナノスケール変形の状態を示すことを特徴とする方法。 - 前記基準エリア及び前記測定エリアによって回折する前記放射の2つのビームを重ね合わせる前記ステップは、バイプリズムビーム偏向デバイス(BP)を使用することを含む、請求項1に記載の方法。
- vi)前記偏向デバイス(BP)によってもたらされる、前記回折したビーム(F1 A、F1 B)の方向の変化を測定して較正するステップをさらに含み、
前記基準エリアと前記測定エリアとの間の前記格子パラメータの差を求める前記ステップv)において、上述のように得られた情報を用いる、請求項2に記載の方法。 - 前記較正ステップにおいて、
vi−a)前記試料の前記エリアのうちの一方(A、A’)のみによって回折した、同じビームの空間的に異なる2つの部分(F1 A、F1 A’)を重ね合わせて、当該2つの部分が前記像平面において干渉するようにし、
vi−b)前記結果として生成される干渉パターンの縞の空間的周期性及び方位の測定が実行され、当該空間的周期性及び方位が、得ようとする較正情報を構成する、請求項3に記載の方法。 - 前記較正ステップにおいて、
vi−a’)前記結晶変形の測定に用いられるのと概ね同じ、コヒーレントな放射ビーム(Fin)を生成し、
vi−b’)前記偏向デバイス(PB)を用いて、前記ビームの回折しない成分が2つの部分に分解され、当該2つの部分が前記像平面において重ね合わせられて干渉し、
vi−c’)前記結果として生成される干渉パターンの縞の空間的周期性及び方位の測定が実行され、当該空間的周期性及び方位が、得ようとする較正情報を構成する、請求項3に記載の方法。 - 前記基準エリアと前記測定エリアとの間の前記格子パラメータの差を求める前記ステップv)は、
前記干渉縞の前記空間的周期性及び前記方位の測定値から、前記測定エリアによって回折したビーム及び前記基準エリアによって回折したビームの波数ベクトルの成分間の差を計算することと、
前記較正するステップvi)において、前記デバイス(BP)によってもたらされる偏向を表す波数ベクトルの成分を求めることと、
前記回折したビームの前記波数ベクトルの前記成分間の前記差から、前記デバイスによってもたらされる前記偏向を表す前記波数ベクトルの前記成分を差し引くこととを含み、
その結果、前記測定エリアのナノスケール変形を示す、前記基準エリア及び前記測定エリアの逆結晶格子ベクトルの成分間の差がもたらされる、請求項3〜5のいずれか一項に記載の方法。 - 干渉縞の前記空間的周期性を測定する前記ステップは、
iv−a)前記像平面における前記干渉パターン(FI)の像を取得することと、
iv−b)前記像をデジタル形式に変換することと、
iv−c)画像処理方法によって前記縞の前記周期性を求めることとを含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記方法は、幾何学的位相解析法である、請求項7に記載の方法。
- 前記ステップii)〜v)は、前記試料の前記測定エリア(B)についての2次元変形テンソルを求めるために繰り返され、2回目の測定は、1回目の測定の回折ベクトルと同一直線上にない回折ベクトルに従って回折したビーム(F1 A、F1 B)を使用する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ステップii)〜v)は、前記試料の前記測定エリア(B)についての3次元変形テンソルを求めるために繰り返され、3回目の測定は、1回目及び2回目の測定の回折ベクトルと同一平面上にない回折ベクトルに従って回折したビーム(F1 A、F1 B)を使用する、請求項9に記載の方法。
- 前記試料は、前記入射する放射(Fin)に対して概ね透過的であり、前記測定のために前記放射の前方回折が用いられる、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 用いられる前記放射(Fin)が電子ビームである、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法によって、結晶試料の一部分においてナノスケール変形を測定するシステムであって、当該システムは、
概ね平行な面を有するウェーハ形態の結晶試料のための支持体(18)と、
前記試料の結晶格子(A、B)によって回折することができる放射の空間的にコヒーレントなビーム(Fin)を、前記試料の一方の面に照射する照射手段(11、12)と、
像平面(PI)と呼ばれる平面において2つの回折したビームの干渉が生じるように、前記試料の第1のエリアによって回折した放射のビーム(F1 B)と、当該第1のエリアと同一平面上にある第2のエリアによって同じ次数で回折した同じ放射のビーム(F1 A)とを重ね合わせる光学アセンブリ(13、14、BP、15、16)と、
結果として生成される干渉パターンの縞の、空間的周期性を測定する手段(17)と、
前記空間的周期性から、前記試料の前記第1のエリアと前記第2のエリアとの間の格子パラメータの差を計算するデータ処理手段(20)とを備え、
当該差は、これらのエリアのうちの一方が他方に対してナノスケール変形している状態であることを示すことを特徴とするシステム。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0706711A FR2921477B1 (fr) | 2007-09-25 | 2007-09-25 | Procede et systeme de mesure de deformations a l'echelle nanometrique |
FR0706711 | 2007-09-28 | ||
FR0801662 | 2008-03-26 | ||
FR0801662 | 2008-03-26 | ||
FR0802685A FR2931261B1 (fr) | 2008-05-19 | 2008-05-19 | Dispositif pour holographie electronique |
FR0802685 | 2008-05-19 | ||
PCT/FR2008/001302 WO2009068763A2 (fr) | 2007-09-25 | 2008-09-17 | Procede, dispositif et systeme de mesure de deformations a l'echelle nanometrique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010540895A JP2010540895A (ja) | 2010-12-24 |
JP5562243B2 true JP5562243B2 (ja) | 2014-07-30 |
Family
ID=40612870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010525386A Active JP5562243B2 (ja) | 2007-09-25 | 2008-09-17 | ナノスケール変形を測定する方法、デバイス及びシステム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8502143B2 (ja) |
EP (1) | EP2193360B1 (ja) |
JP (1) | JP5562243B2 (ja) |
WO (1) | WO2009068763A2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102246081B (zh) * | 2008-12-15 | 2015-06-03 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 扫描显微镜 |
JP5160520B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2013-03-13 | 株式会社東芝 | 結晶格子モアレパターン取得方法および走査型顕微鏡 |
WO2011071015A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | 株式会社日立製作所 | 電子線バイプリズム装置および電子線装置 |
JP5736461B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-06-17 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡および試料観察方法 |
JP2013096900A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Jeol Ltd | 透過電子顕微鏡および透過電子顕微鏡像の観察方法 |
JP6173862B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-08-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡 |
US9703211B2 (en) | 2014-10-16 | 2017-07-11 | University Of Utah Research Foundation | Sub-diffraction-limited patterning and imaging |
US10170274B2 (en) * | 2015-03-18 | 2019-01-01 | Battelle Memorial Institute | TEM phase contrast imaging with image plane phase grating |
WO2016149676A1 (en) | 2015-03-18 | 2016-09-22 | Battelle Memorial Institute | Electron beam masks for compressive sensors |
US9551674B1 (en) | 2015-10-30 | 2017-01-24 | GlobalFoundries, Inc. | Method of producing an un-distorted dark field strain map at high spatial resolution through dark field electron holography |
WO2017189212A1 (en) | 2016-04-29 | 2017-11-02 | Battelle Memorial Institute | Compressive scanning spectroscopy |
JP6718782B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2020-07-08 | 日本電子株式会社 | 対物レンズおよび透過電子顕微鏡 |
US10295677B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-05-21 | Battelle Memorial Institute | Systems and methods for data storage and retrieval |
JP2019007910A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | 株式会社東芝 | 結晶解析装置及び結晶解析方法 |
FR3073956B1 (fr) * | 2017-11-22 | 2019-12-27 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Methode d'acquisition d'hologrammes par holographie electronique hors axe optique en mode precession |
JP7065503B2 (ja) * | 2018-03-22 | 2022-05-12 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 干渉光学系ユニット,荷電粒子線干渉装置、及び荷電粒子線干渉像観察方法 |
US10784078B2 (en) * | 2018-10-31 | 2020-09-22 | Bruker Axs Gmbh | Electron diffraction imaging system for determining molecular structure and conformation |
CN112179762A (zh) * | 2020-03-05 | 2021-01-05 | 成都迪泰科技有限公司 | 双棱镜辅助测量金属丝的杨氏模量 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2651154B2 (ja) * | 1987-09-04 | 1997-09-10 | 株式会社日立製作所 | 電子線ホログラフィ装置 |
US5192867A (en) * | 1989-01-13 | 1993-03-09 | Hitachi, Ltd. | Electron optical measurement apparatus |
JP3039563B2 (ja) * | 1990-11-29 | 2000-05-08 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡及び走査電子顕微方法 |
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JP2002117800A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Jeol Ltd | 電子線バイプリズム装置を備えた電子顕微鏡 |
JP3990983B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2007-10-17 | 株式会社日立製作所 | 微小領域物性計測方法及び装置 |
US6617580B2 (en) * | 2001-12-27 | 2003-09-09 | Ut-Battelle, L.L.C. | Electron holography microscope |
JP2003270312A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Fujitsu Ltd | 電子線ホログラフィーによる素子評価方法及び評価用試料 |
JP3785458B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2006-06-14 | 国立大学法人名古屋大学 | 透過型電子顕微鏡及び立体観察法 |
US7015469B2 (en) * | 2003-01-09 | 2006-03-21 | Jeol Usa, Inc. | Electron holography method |
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RU2239178C1 (ru) * | 2003-08-22 | 2004-10-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Институт рентгеновской оптики" | Способ определения наличия упругих деформаций в монокристаллических пластинах и устройство для его осуществления |
JP2005294085A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Hitachi Ltd | 走査電子線干渉装置 |
US7214935B2 (en) * | 2004-09-30 | 2007-05-08 | International Business Machines Corporation | Transmission electron microscopy sample preparation method for electron holography |
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JP4523448B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2010-08-11 | 独立行政法人理化学研究所 | 荷電粒子線装置および干渉装置 |
JP4498185B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2010-07-07 | 株式会社東芝 | 基板検査方法、半導体装置の製造方法および基板検査装置 |
JP5034295B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-09-26 | 富士通株式会社 | 応力測定方法及び装置 |
JP4919404B2 (ja) * | 2006-06-15 | 2012-04-18 | 株式会社リコー | 電子顕微鏡、電子線ホログラム作成方法及び位相再生画像作成方法 |
-
2008
- 2008-09-17 EP EP08853292.4A patent/EP2193360B1/fr active Active
- 2008-09-17 JP JP2010525386A patent/JP5562243B2/ja active Active
- 2008-09-17 WO PCT/FR2008/001302 patent/WO2009068763A2/fr active Application Filing
- 2008-09-17 US US12/680,078 patent/US8502143B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8502143B2 (en) | 2013-08-06 |
WO2009068763A2 (fr) | 2009-06-04 |
JP2010540895A (ja) | 2010-12-24 |
WO2009068763A4 (fr) | 2009-09-11 |
EP2193360A2 (fr) | 2010-06-09 |
US20100252735A1 (en) | 2010-10-07 |
WO2009068763A3 (fr) | 2009-07-23 |
EP2193360B1 (fr) | 2014-11-05 |
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JP2008091125A (ja) | 電磁レンズの非点収差測定方法、非点収差測定装置、非点収差補正方法及び電子線装置 |
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