JP2019007910A - 結晶解析装置及び結晶解析方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態の結晶解析装置は、結晶領域を含む試料の、結晶領域の結晶格子像を含む第1の画像を記憶可能とする第1の記憶部と、結晶格子像からモアレ像を生成する第1の画像処理部と、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係、及び、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係の少なくとも一方の対応関係を記憶可能とする第2の記憶部と、少なくとも一方の対応関係を参照して結晶格子像から生成されたモアレ像を解析し、結晶領域の中の結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方を検出する解析部と、を備える。
【選択図】図1
Description
本実施形態の結晶解析装置は、結晶領域を含む試料の、結晶領域の結晶格子像を含む第1の画像を記憶可能とする第1の記憶部と、結晶格子像からモアレ像を生成する第1の画像処理部と、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係、及び、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係の少なくとも一方の対応関係を記憶可能とする第2の記憶部と、少なくとも一方の対応関係を参照してモアレ像を解析し、結晶領域の中の結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方を検出する解析部と、を備える。
本実施形態の結晶解析装置及び結晶解析方法は、結晶欠陥に代えて、結晶歪を検出する点で、第1の実施形態と異なる。以下、第1の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。本実施形態の結晶解析装置の装置構成は、一部の機能が異なる以外は、第1の実施形態と同様の構成である。
本実施形態の結晶解析装置は、結晶欠陥の少なくともいずれか一方に基づく判定基準を記憶する第4の記憶部と、解析結果及び判定基準を基に、試料の良否判定を行う判定部を更に備える点で、第1の実施形態と異なっている。また、本実施形態の結晶解析方法は、結晶欠陥に基づく判定基準を基に、試料の良否判定を行う点で第1の実施形態と異なっている。以下、第1の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
本実施形態の結晶解析装置及び結晶解析方法は、半導体デバイスの半導体結晶領域に代えて、半導体デバイスの金属配線の結晶領域の結晶欠陥又は結晶歪を解析する点で、第1又は第2の実施形態と異なっている。以下、第1又は第2の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
14 出力インターフェース
16 試料画像記憶部(第1の記憶部)
18 対応関係記憶部(第2の記憶部)
20 解析結果記憶部(第3の記憶部)
22 モアレ像生成部(第1の画像処理部)
24 解析部
26 画像合成部(第2の画像処理部)
28 判定基準記憶部(第4の記憶部)
30 判定部
100 結晶解析装置
101 コンピュータ
102 ディスプレイ
Claims (20)
- 結晶領域を含む試料の、前記結晶領域の結晶格子像を含む第1の画像を記憶可能とする第1の記憶部と、
前記結晶格子像からモアレ像を生成する第1の画像処理部と、
モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係、及び、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係の少なくとも一方の対応関係を記憶可能とする第2の記憶部と、
前記少なくとも一方の対応関係を参照して前記結晶格子像から生成されたモアレ像を解析し、前記結晶領域の中の結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方を検出する解析部と、
を備える結晶解析装置。 - 前記解析部で得られた解析結果を記憶可能とする第3の記憶部を、更に備える請求項1記載の結晶解析装置。
- 前記解析部が結晶欠陥の密度を計算する請求項1又は請求項2記載の結晶解析装置。
- 前記第2の記憶部がモアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥の種類との対応関係を更に記憶し、前記解析部が前記モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥の種類との対応関係を参照して結晶欠陥の種類を識別する請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の結晶解析装置。
- 前記解析部が結晶歪の歪量を計算する請求項1ないし請求項4いずれか一項記載の結晶解析装置。
- 前記解析部で得られた解析結果を表示する表示部を更に備える請求項1ないし請求項5いずれか一項記載の結晶解析装置。
- 前記解析部で得られた解析結果と前記第1の画像を合成した第2の画像を生成する第2の画像処理部を、更に備える請求項1ないし請求項6いずれか一項の結晶解析装置。
- 結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方に基づく判定基準を記憶可能とする第4の記憶部と、
前記解析部で得られた解析結果及び前記判定基準を基に、前記試料の良否判定を行う判定部を更に備える請求項1ないし請求項7いずれか一項記載の結晶解析装置。 - 前記試料は半導体デバイスである請求項1ないし請求項8いずれか一項記載の結晶解析装置。
- 前記結晶領域は、窒化物半導体、炭化珪素、又は、シリコンである請求項1ないし請求項8いずれか一項記載の結晶解析装置。
- 結晶領域を含む試料の、前記結晶領域の結晶格子像を含む第1の画像の前記結晶格子像からモアレ像を生成し、
モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥との対応関係、及び、モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶歪との対応関係の少なくとも一方の対応関係を参照して前記結晶格子像から生成されたモアレ像を解析し、前記結晶領域の中の結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方を検出する結晶解析方法。 - 前記結晶領域の中の結晶欠陥の密度を計算する請求項11記載の結晶解析方法。
- モアレ像のモアレ縞のパターンと結晶欠陥の種類との対応関係を参照して結晶欠陥の種類を識別する請求項11又は請求項12記載の結晶解析方法。
- 前記結晶領域の中の結晶歪の歪量を計算する請求項11ないし請求項13いずれか一項記載の結晶解析方法。
- 表示部に前記結晶格子像から生成されたモアレ像の解析結果を表示する請求項11ないし請求項13いずれか一項記載の結晶解析方法。
- 検出された前記結晶領域の中の結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方の位置と前記第1の画像を合成し第2の画像を生成する請求項11ないし請求項15いずれか一項の結晶解析方法。
- 結晶欠陥及び結晶歪の少なくとも一方に基づく判定基準を基に、前記試料の良否判定を行う請求項11ないし請求項16いずれか一項記載の結晶解析方法。
- 前記試料は半導体デバイスである請求項11ないし請求項17いずれか一項記載の結晶解析方法。
- 前記結晶格子像と、前記結晶格子像の格子の周期と同一の周期を有する模様とを重ねあわせることにより前記結晶格子像からモアレ像を生成する請求項11ないし請求項18いずれか一項記載の結晶解析方法。
- あらかじめ得られている結晶欠陥又は結晶歪に対応するモアレ縞のパターンと、前記結晶格子像から生成されたモアレ像のモアレ縞のパターンの類似性を判定し解析を行う請求項11ないし請求項19いずれか一項記載の結晶解析方法。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111948235B (zh) * | 2020-08-07 | 2022-09-20 | 广西大学 | 测量半极性面ⅲ族氮化物薄膜缺陷密度的方法及其应用 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5483571A (en) * | 1994-05-31 | 1996-01-09 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Radiographic moire |
JP2000065762A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Nec Corp | 結晶歪み測定方法、結晶歪み測定装置及び記録媒体 |
WO2007142024A1 (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Sumco Corporation | 単結晶シリコンウェーハのcop評価方法 |
JP2009210309A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置およびこの欠陥検査装置に用いるパラメータ調整方法。 |
JP2009264852A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Wakayama Univ | 格子画像の位相解析方法およびそれを用いた物体の変位測定方法ならびに物体の形状測定方法 |
JP2011069734A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 結晶格子モアレパターン取得方法および走査型顕微鏡 |
JP2015142079A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | シャープ株式会社 | 光電変換装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4402004B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2010-01-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置 |
EP2193360B1 (fr) * | 2007-09-25 | 2014-11-05 | Centre National De La Recherche Scientifique | Procede et systeme de mesure de deformations a l'echelle nanometrique |
US20100158392A1 (en) * | 2008-09-22 | 2010-06-24 | Brigham Young University | Systems and Methods for Determining Crystallographic Characteristics of a Material |
JP2014153177A (ja) | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Evolve Technology Co Ltd | 検査装置および検査方法 |
KR101796129B1 (ko) | 2013-07-18 | 2017-11-10 | 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지 | 규칙성 모양에 의한 변위 분포를 위한 측정방법, 장치 및 그 프로그램 |
JP2014033215A (ja) | 2013-09-18 | 2014-02-20 | Nikon Corp | 歪計測方法 |
JP6472675B2 (ja) | 2015-02-05 | 2019-02-20 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 二次モアレ縞による顕微鏡走査ゆがみの影響を受けない変形測定方法 |
US9564494B1 (en) * | 2015-11-18 | 2017-02-07 | International Business Machines Corporation | Enhanced defect reduction for heteroepitaxy by seed shape engineering |
-
2017
- 2017-06-28 JP JP2017126112A patent/JP2019007910A/ja active Pending
-
2018
- 2018-02-26 US US15/905,326 patent/US10692206B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5483571A (en) * | 1994-05-31 | 1996-01-09 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Radiographic moire |
JP2000065762A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Nec Corp | 結晶歪み測定方法、結晶歪み測定装置及び記録媒体 |
WO2007142024A1 (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Sumco Corporation | 単結晶シリコンウェーハのcop評価方法 |
JP2009210309A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置およびこの欠陥検査装置に用いるパラメータ調整方法。 |
JP2009264852A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Wakayama Univ | 格子画像の位相解析方法およびそれを用いた物体の変位測定方法ならびに物体の形状測定方法 |
JP2011069734A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 結晶格子モアレパターン取得方法および走査型顕微鏡 |
JP2015142079A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | シャープ株式会社 | 光電変換装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
WANG, Q. 外2名: ""Developments and Applications of Moire Techniques for Deformation Measurement, Structure Character", RECENT PATENTS ON MATERIALS SCIENCE, vol. Volume 8, Number 3, JPN6020026689, 1 September 2015 (2015-09-01), pages 188 - 207, XP055519570, ISSN: 0004448292 * |
清水嘉重郎: ""モレア稿の応用"", 日本物理学会誌, vol. Volume 19, Number 10, JPN6020026691, 5 October 1964 (1964-10-05), pages 650 - 652, ISSN: 0004448293 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20190005635A1 (en) | 2019-01-03 |
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