JP5559359B2 - 統合されたセンサシステム - Google Patents
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Description
【図1A】 静電容量センサの断面図である。
【図1B】 図1Aの静電容量センサの端面図である。
【図2】 平行プレート電極構成の単純化した概略図である。
【図3】 静電容量センサプローブと、接地された導電性ターゲットとの図である。
【図4】 差動測定構成の2つの静電容量センサプローブと、接地された導電性ターゲットとの図である。
【図5】 薄膜構造を備えた静電容量センサの断面図である。
【図6A】 薄膜センサの実施形態の断面図である。
【図6B】 薄膜センサの実施形態の断面図である。
【図6C】 薄膜センサの実施形態の断面図である。
【図6D】 薄膜センサの実施形態の断面図である。
【図6E】 図6Aと図6Bのセンサの上面図である。
【図6F】 図6Dのセンサの上面図である。
【図7A】 正方形の感知電極を備えた薄膜センサの上面図である。
【図7B】 図7Aのセンサの断面図である。
【図8A】 円形の感知電極を備えた薄膜センサの上面図である。
【図8B】 図8Aのセンサの断面図である。
【図9A】 統合された差動薄膜センサの実施形態の断面図である。
【図9B】 統合された差動薄膜センサの実施形態の断面図である。
【図9C】 統合された差動薄膜センサの実施形態の断面図である。
【図9D】 統合された差動薄膜センサの上面図である。
【図10A】 薄膜静電容量センサの断面図である。
【図10B】 薄膜静電容量センサの断面図である。
【図10C】 薄膜静電容量センサの断面図である。
【図10D】 薄膜静電容量センサの断面図である。
【図11】 接続線と接触パッドとを備えたセンサの上面図である。
【図12A】 接触パッド構造の断面図である。
【図12B】 接触パッド構造の断面図である。
【図13A】 共通の基板上に形成されている、センサと、接続線と、接触パッドとの図である。
【図13B】 共通の基板上に形成されている、センサと、接続線と、接触パッドとの図である。
【図13C】 共通の基板上に形成されている、センサと、接続線と、接触パッドとの図である。
【図13D】 共通の基板上に形成されている、センサと、接続線と、接触パッドとの図である。
【図14】 リソグラフィマシンにマウントされたセンサの側面図である。
【図15A】 フレックスプリントコネクタの図である。
【図15B】 フレックスプリントコネクタの図である。
【図16A】 荷電粒子リソグラフィマシンの投影レンズのスタックの断面図である。
【図16B】 荷電粒子リソグラフィマシンの投影レンズのスタックの断面図である。
【図17A】 統合されたフレックスプリントコネクタと、複数のセンサとを有するフレキシブルプリント回路構造の図である。
【図17B】 統合されたフレックスプリントコネクタと、複数のセンサとを有するフレキシブルプリント回路構造の図である。
【図17C】 統合されたフレックスプリントコネクタと、複数のセンサとを有するフレキシブルプリント回路構造の図である。
【図17D】 統合されたフレックスプリントコネクタと、複数のセンサとを有するフレキシブルプリント回路構造の図である。
【図18】 リソグラフィマシン上のセンサの別の接続構成である。
【図19A】 統合されたフレキシブルプリント回路構造をリソグラフィマシン上にマウントする構成の図である。
【図19B】 統合されたフレキシブルプリント回路構造をリソグラフィマシン上にマウントする構成の図である。
【図20A】 マウントプレート上の静電容量センサの構成の図である。
【図20B】 マウントプレート上の静電容量センサの構成の図である。
【図20C】 対角線上に配置された静電容量センサの図である。
【図20D】 対角線上に配置された静電容量センサの図である。
【図21A】 複数の静電容量センサが上部に形成されている、薄膜構造の図である。
【図21B】 複数の静電容量センサが上部に形成されている、薄膜構造の図である。
【図21C】 統合されたフレックスプリントコネクタと、複数のセンサとを備えたフレキシブルプリント回路構造の図である。
【図21D】 統合されたフレックスプリントコネクタの断面図である。
【図22】 センサシステムと信号処理システムとの概略図である。
【図23A】 電流源を備えた高インピーダンス増幅器回路の単純化した回路図である。
【図23B】 電流源を備えた差動センサ構成の単純化した回路図である。
【図24A】 電圧源を備えたホイートストンブリッジ構成の単純化した回路図である。
【図24B】 電圧源を備えた差動センサ構成の単純化した回路図である。
【図25】 差動センサ回路構成の単純化した回路図である。
【図26】 同期検波器回路の単純化した回路図である。
【図27】 センサシステムにおける静電容量を示す概略図である。
【図28A】 センサを信号処理回路に接続するケーブルを備えた構成の単純化した回路図である。
【図28B】 センサを信号処理回路に接続するケーブルを備えた構成の単純化した回路図である。
【図29】 同期回路の別の実施形態の単純化した回路図である。
【図30】 差動ペアのセンサからの信号を処理する構成の単純化した回路図である。
【図31】 リソグラフィマシンに対するウェーハの位置を定める制御システムの概略図である。
【図32A】 図31の制御システムに使用するセンサ構成の図である。
【図32B】 図31の制御システムに使用するセンサ構成の図である。
【図32C】 投影レンズとウェーハの表面との間の距離と、ウェーハの表面にわたる傾斜値とを決定する測定方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
静電容量センサは、2枚の導電性表面間に作られた均一の電界を使用する。短い距離では、印加された電圧は、表面間の距離に比例する。単一プレートのセンサ(single-plate sensor)は、1つのセンサプレートと導電性ターゲットの表面との間の距離を測定する。
図3は、接地された導電性のターゲット9までの分離距離を測定する1つの静電容量センサプローブ1を示している。AC電流を供給されると、経路15に沿って、センサからセンサ−ターゲットの静電容量(sensor-target capacitance)16を通ってターゲットへ、更に、ターゲットからターゲット−接地のインピーダンス(target-ground impedance)17を通って接地へ、電流が流れる。距離の測定に影響を及ぼす変化又は外的影響からの妨害(disturbance)は、電圧19として、図に示されている。センサがセンサ−ターゲットの静電容量16をどれくらい正確に測定できるかによって、センサからターゲットまでの距離の測定の正確さが決まる。ターゲット−接地のインピーダンス17の静電容量は、センサ−ターゲットの静電容量16を大幅に超えることが多く、ターゲットが適切に接地されていない場合は、100倍を超えることがある。この大きな静電容量は小さなインピーダンス17をもたらすので、センサへの作用は小さい。しかしながら、インピーダンス17の変化は、距離の測定に影響を及ぼし、この作用をできるだけ小さくするのが望ましい。
図5は、薄膜構造を備えた静電容量センサの断面図を示している。導電性感知電極31と、導電性側部ガード電極32が、絶縁膜34上に形成される又は取り付けられている。導電性背部ガード電極35が、絶縁膜34の背側に配置されている。感知電極とガード電極との間のギャップ39は、狭く、一般に10分の数マイクロメータであり、エアギャップであるか、又は絶縁材料で埋められ得る。
図22は、センサシステム300を示している。センサシステム300は、1つ以上のセンサプローブ30と、信号処理システム301と、センサプローブから信号処理システムに信号を伝達する接続システム302とを具備している。信号処理システム301は、センサプローブを駆動する電流又は電圧源回路と、生のセンサ信号を増幅する増幅器/緩衝器回路と、センサガード電極にバイアスをかけてケーブル導体を接続する回路と、プローブから受信した信号を処理して、処理された信号を測定データとして出力する信号処理回路と、システムを較正する回路とを含み得る。接続システム302は、センサを信号処理システムに接続するケーブルを含み得る。
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]リソグラフィマシンのための統合されたセンサシステムであって、
前記統合されたセンサシステムは、
1本以上の露光ビームをターゲット上に集束させる投影レンズシステム(132)と、
前記ターゲット(9)を支える可動テーブル(134)と、
前記投影レンズシステムの最後の集束要素(104)と前記ターゲット(9)の表面との間の距離に関連する測定を行なう静電容量感知システム(300)と、
前記静電容量感知システムからの信号に少なくとも部分的に基づいて、前記ターゲット(9)の位置を調整するために、前記可動テーブル(134)の動きを制御する制御ユニット(400)と、
を具備しており、
前記静電容量感知システム(300)は、複数の静電容量センサ(30)を具備しており、
各静電容量センサ(30)は、薄膜構造を備えており、
前記複数の静電容量センサと前記投影レンズシステムの前記最後の集束要素(104)は、共通のベース(112)に直接にマウントされ、
前記複数の静電容量センサは、前記投影レンズシステムの前記最後の集束要素の前記縁部の直ぐ近くに配置される、統合されたセンサシステム。
[2]前記ターゲット(9)の前記表面に対して直角に交わるz軸方向において、前記ターゲットに面している前記静電容量センサ(30)の感知電極(31)の底表面が、前記投影レンズシステムの前記最後の集束要素の底表面と実質的に同じ高さであるように、前記複数の静電容量センサ(30)のうちの少なくとも幾つかの位置が定められる、前記[1]の統合されたセンサシステム。
[3]前記複数の静電容量センサ(30)のうちの少なくとも幾つかは、前記静電容量センサの感知電極(31)の底表面が前記ターゲットに面するようにさせており、
前記ターゲットは、前記ターゲットの前記表面に対して直角に交わるz軸方向において、前記投影レンズシステムの前記最後の集束要素(104)の底表面から50ミクロン以内に位置を定められる、前記[1]又は[2]の何れか1つの統合されたセンサシステム。
[4]前記複数の静電容量センサのうちの少なくとも幾つかは、前記静電容量センサの背表面から、前記ターゲットに面している前記静電容量センサの感知電極の前表面までにおいて、50乃至150ミクロン、好ましくは約100ミクロンの厚さを有する、前記[1]乃至[3]の何れか1つの統合されたセンサシステム。
[5]前記投影レンズシステムの前記最後の集束要素(104)は、100乃至150ミクロンの厚さである、前記[1]乃至[4]の何れか1つの統合されたセンサシステム。
[6]前記複数の静電容量センサは、前記最後の集束要素の前記縁部に対する前記リソグラフィマシンの視野のサイズの幅又は長さの範囲内に配置される、前記[1]乃至[5]の何れか1つの統合されたセンサシステム。
[7]前記最後の集束要素は、前記投影レンズシステムの底部の要素である、前記[1]乃至[6]の何れか1つの統合されたセンサシステム。
[8]前記複数の静電容量センサと、前記投影レンズシステムの前記最後の集束要素(104)は、一緒に直接に接続される、前記[1]乃至[7]の何れか1つの統合されたセンサシステム。
[9]前記静電容量感知システム(300)は、複数の静電容量センサ(30)を具備しており、
各静電容量センサ(30)は、薄膜構造を備えており、
前記薄膜構造は、
第1の絶縁層(34)と、
前記第1の絶縁層の第1の表面上に形成された感知電極(31)を備える第1の導電膜と、
前記第1の絶縁層(34)の第2の表面と第2の絶縁層(43)の第1の表面との上に配置された背部ガード電極(35)を備える第2の導電膜と、
を具備しており、
前記背部ガード電極の外周部分は、前記感知電極を越えて延在し、前記感知電極を囲み、前記背部ガード電極と一体をなす側部ガード電極を形成している、前記[1]乃至[8]の何れか1つの統合されたセンサシステム。
[10]前記複数の静電容量センサの前記薄膜構造は、
前記第2の絶縁層(43)の第2の表面上に配置されたシールド電極(44)を備える第3の導電膜、
を更に具備している、前記[9]の統合されたセンサシステム。
[11]前記薄膜構造は、フレキシブルである、前記[1]乃至[10]の何れか1つの統合されたセンサシステム。
[12]前記静電容量感知システム(300)は、前記感知電極から離れて配置されている能動電子素子を具備しており、
前記能動電子素子は、前記複数の静電容量センサと共に配置されていない、前記[1]乃至[11]の何れか1つの統合されたセンサシステム。
[13]各静電容量センサは、フレキシブルなメンブレンを備えた細長い接続部材(110)を更に具備しており、
前記フレキシブルなメンブレン上に、導電性トラック(114a−c)がプリントされ又は付けられていて、
前記導電性トラックは、一方の端部において、前記静電容量センサの前記感知電極(31)と前記背部ガード電極(35)とに電気的に接続され、他方の端部において、コネクタ(116)に電気的に接続されている、前記[1]乃至[12]の何れか1つの統合されたセンサシステム。
[14]前記導電性トラック(114a−c)は、前記第1の絶縁層(34)上に形成されており、
前記第1の絶縁層は、
前記感知電極(31)と前記背部ガード電極(35)とが配置されている第1のエリアと、
前記導電性トラックが形成されている第2の細長いエリアと、
を具備する、前記[13]の統合されたセンサシステム。
[15]前記複数の静電容量センサは、薄膜の絶縁性のベース層(34、102、120)上に形成されている複数の静電容量センサの複数のペアを具備しており、
前記薄膜の絶縁性のベース層は、前記共通のベースに直接にマウントされている、前記[1]乃至[14]の何れか1つの統合されたセンサシステム。
[16]前記複数の静電容量センサは、前記薄膜の絶縁性のベース層(34、102、120)上に形成されている複数の静電容量センサの複数のペアを具備しており、
前記統合されたセンサシステムは、
前記前記静電容量センサの1つペアのうちの第1のセンサに、前記複数の静電容量センサの前記1つのペアのうちの第2のセンサの電流又は電圧に対して位相が180度ずれている交流電流又は電圧で、エネルギを与えるように構成されている、1つ以上のAC電力源、
を更に具備している、前記[1]乃至[15]の何れか1つの統合されたセンサシステム。
Claims (16)
- リソグラフィマシンであって、
前記リソグラフィマシンは、
1本以上の露光ビームをターゲット上に集束させる投影レンズシステム(132)と、
前記ターゲット(9)を支える可動テーブル(134)と、
前記投影レンズシステムの最後の集束要素(104)と前記ターゲット(9)の表面との間の距離に関連する測定を行なう静電容量感知システム(300)と、
前記静電容量感知システムからの信号に少なくとも部分的に基づいて、前記ターゲット(9)の位置を調整するために、前記可動テーブル(134)の動きを制御する制御ユニット(400)と、
を具備しており、
前記静電容量感知システム(300)は、複数の静電容量センサ(30)を具備しており、
各静電容量センサ(30)は、薄膜構造を備えており、
前記薄膜構造は、感知電極と背部ガード電極とを備えており、
前記薄膜構造は、フレキシブルであり、
前記複数の静電容量センサと前記投影レンズシステムの前記最後の集束要素(104)は、共通のベース(112)に直接にマウントされ、
前記複数の静電容量センサは、前記投影レンズシステムの前記最後の集束要素の縁部の直ぐ近くに配置される、リソグラフィマシン。 - 前記投影レンズシステムの前記最後の集束要素と同じ支持要素上に前記複数の静電容量センサをマウントすることによって、前記複数の静電容量センサと前記投影レンズシステムの前記最後の集束要素(104)が直接に接続される、請求項1のリソグラフィマシン。
- 前記複数の静電容量センサは、フレキシブルなプリント回路構造に統合され、
前記フレキシブルなプリント回路構造は、フレキシブルな絶縁ベース層を具備している、請求項1又は2のリソグラフィマシン。 - 前記複数の静電容量センサ(30)のうちの少なくとも幾つかは、前記静電容量センサの感知電極(31)の底表面が前記ターゲットに面するようにさせており、
前記ターゲットは、前記ターゲットの前記表面に対して直角に交わるz軸方向において、前記投影レンズシステムの前記最後の集束要素(104)の底表面から50μm以内に位置を定められる、請求項1又は2のリソグラフィマシン。 - 前記複数の静電容量センサのうちの少なくとも幾つかは、前記静電容量センサの背表面から、前記ターゲットに面している前記静電容量センサの感知電極の前表面までにおいて、50乃至150μmの厚さを有する、請求項1又は2のリソグラフィマシン。
- 前記投影レンズシステムの前記最後の集束要素(104)は、100乃至150μmの厚さである、請求項1又は2のリソグラフィマシン。
- 前記複数の静電容量センサは、前記最後の集束要素の前記縁部までの前記リソグラフィマシンの視野のサイズの幅又は長さの範囲内に配置される、請求項1又は2のリソグラフィマシン。
- 前記静電容量感知システム(300)は、前記感知電極から離れて配置されている能動電子素子を具備しており、
前記能動電子素子は、前記複数の静電容量センサと共に配置されていない、請求項1又は2のリソグラフィマシン。 - 前記複数の静電容量センサは、複数の静電容量センサの複数のペアを含む、請求項1又は2のリソグラフィマシン。
- 前記リソグラフィマシンは、
前記複数の静電容量センサの1つペアのうちの第1のセンサに、前記複数の静電容量センサの前記1つのペアのうちの第2のセンサの電流又は電圧に対して位相が180度ずれている交流電流又は電圧で、エネルギを与えるように構成されている、1つ以上のAC電力源、
を更に具備している、請求項1又は2のリソグラフィマシン。 - 前記複数の静電容量センサの前記感知電極と前記背部ガード電極は、粘着剤を使用して前記フレキシブルな絶縁ベース層に固定されるか、粘着剤のない積層として形成されるか、又は、前記フレキシブルな絶縁ベース層上にプリントされ、
前記フレキシブルな絶縁ベース層は、前記フレキシブルなプリント回路構造をコネクタに接続する複数の細長い接続部材として機能する複数の延在部を含み、
複数の導電性トラックが前記複数の細長い接続部材にプリントされるか又は付けられ、
前記複数の導電性トラックの一方の端部は前記複数の静電容量センサの前記感知電極と前記背部ガード電極に、他方の端部は前記コネクタに電気的に接続される、請求項3のリソグラフィマシン。 - 前記背部ガード電極の外周部分は、前記感知電極を超えて、前記感知電極を囲み、前記背部ガード電極と一体の側部ガード電極を形成する、請求項1又は2のリソグラフィマシン。
- 前記薄膜構造は、
直角に曲げられており、
前記感知電極と、前記複数の導電性トラックのうちの第1の導電性トラックと、を備える第1の導電性膜と、
前記背部ガード電極と、前記複数の導電性トラックのうちの第2の導電性トラックと、を備える第2の導電性膜と、
前記複数の導電性トラックのうちの第3の導電性トラックを備える第3の導電性膜と、を具備し、
前記第1の導電性膜は、前記第2の導電性膜と前記第3の導電性膜との間に配置され、
前記第1乃至第3の導電性膜は、複数の絶縁層によって離されている、請求項1又は2のリソグラフィマシン。 - 前記複数の導電性トラックのうちの第2の導電性トラック及び前記複数の導電性トラックのうちの第3の導電性トラックが、前記複数の導電性トラックのうちの第1の導電性トラックに対する複数の側部ガード電極として機能する外周部分を有するように、前記複数の導電性トラックのうちの第2の導電性トラック及び前記複数の導電性トラックのうちの第3の導電性トラックの外周部分は、前記複数の導電性トラックのうちの第1の導電性トラックよりも幅が広い、請求項13のリソグラフィマシン。
- 前記薄膜構造は、
前記複数の導電性トラックのうちの第4の導電性トラックと、シールド電極と、を備える第4の導電性膜と、
前記複数の導電性トラックのうちの第5の導電性トラックを備える第5の導電性膜と、
を更に具備し、
前記第5の導電性膜は、前記第4の導電性膜に電気的に接続されており、
前記第2の導電性膜は、前記第4の導電性膜と前記第1の導電性膜との間に配置されており、
前記第3の導電性膜は、前記第5の導電性膜と前記第1の導電性膜との間に配置されており、
前記第1乃至第5の導電性膜は、複数の絶縁層によって離されている、請求項13のリソグラフィマシン。 - 前記フレキシブルな絶縁ベース層は、前記フレキシブルなプリント回路構造をコネクタ接続する細長い接続部材として機能する延在部を含み、
前記細長い接続部材は、折り曲げられて、前記フレキシブルなプリント回路構造から上方に延在している、請求項3のリソグラフィマシン。
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US20110261344A1 (en) * | 2009-12-31 | 2011-10-27 | Mapper Lithography Ip B.V. | Exposure method |
US8688393B2 (en) * | 2010-07-29 | 2014-04-01 | Medtronic, Inc. | Techniques for approximating a difference between two capacitances |
GB201016556D0 (en) * | 2010-10-01 | 2010-11-17 | Senergy Technology Ltd | Methods for providing for correcting data and associated apparatus |
JP5353991B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2013-11-27 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 静電容量式乗員検知装置 |
KR20120080923A (ko) * | 2011-01-10 | 2012-07-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
WO2012144903A2 (en) * | 2011-04-22 | 2012-10-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing a target, such as a wafer, a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer and a substrate for use in such a lithography system |
RU2610221C2 (ru) | 2011-06-30 | 2017-02-08 | МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. | Система для измерения входного электрического тока |
US8933712B2 (en) | 2012-01-31 | 2015-01-13 | Medtronic, Inc. | Servo techniques for approximation of differential capacitance of a sensor |
JP5909822B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-04-27 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 電流センサ及びその作製方法 |
US8961228B2 (en) * | 2012-02-29 | 2015-02-24 | Tyco Electronics Corporation | Electrical connector having shielded differential pairs |
CN104272194B (zh) | 2012-03-08 | 2017-08-25 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 处理靶材的光刻系统和方法 |
JP2015509666A (ja) | 2012-03-08 | 2015-03-30 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | アライメントセンサーとビーム測定センサーを備えている荷電粒子リソグラフィシステム |
DE102012205122A1 (de) * | 2012-03-29 | 2013-10-02 | Robert Bosch Gmbh | Kapazitives Ortungsgerät |
JP5934546B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-06-15 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置および描画方法 |
JP5981271B2 (ja) * | 2012-08-28 | 2016-08-31 | 日置電機株式会社 | 電圧測定用センサおよび電圧測定装置 |
JP5981270B2 (ja) * | 2012-08-28 | 2016-08-31 | 日置電機株式会社 | 電圧測定用センサおよび電圧測定装置 |
US9692875B2 (en) * | 2012-08-31 | 2017-06-27 | Analog Devices, Inc. | Grip detection and capacitive gesture system for mobile devices |
TWI464371B (zh) * | 2012-10-22 | 2014-12-11 | Pixart Imaging Inc | 微機電裝置與製作方法 |
CA2906480C (en) * | 2013-03-15 | 2022-07-26 | Ilium Technology, Inc. | Apparatus and method for measuring electrical properties of matter |
TW201504631A (zh) * | 2013-07-23 | 2015-02-01 | Mpi Corp | 光電元件檢測用之高頻探針卡 |
WO2015032955A1 (en) * | 2013-09-07 | 2015-03-12 | Mapper Lithography Ip B.V. | Target processing unit |
US9739816B2 (en) * | 2013-11-27 | 2017-08-22 | Analog Devices, Inc. | Capacitive sensor with differential shield |
WO2015123614A2 (en) * | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Witricity Corporation | Object detection for wireless energy transfer systems |
JP6452140B2 (ja) | 2014-02-19 | 2019-01-16 | 本田技研工業株式会社 | 距離センサ及び計測方法 |
KR102224824B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2021-03-08 | 삼성전자 주식회사 | Ito 전극패턴을 포함하는 전자장치 및 그 전자장치의 제조방법 |
US10139869B2 (en) | 2014-07-23 | 2018-11-27 | Analog Devices, Inc. | Capacitive sensors for grip sensing and finger tracking |
US9811218B2 (en) | 2014-08-16 | 2017-11-07 | Synaptics Incorporated | Location based object classification |
KR102432423B1 (ko) | 2014-11-03 | 2022-08-12 | 일리노이즈 툴 워크스 인코포레이티드 | 차량용 센서 시스템을 위한 투과성 전면 히터 |
UA114724C2 (uk) * | 2014-12-23 | 2017-07-25 | Микола Іванович Єпіфанов | Автономний модульний пристрій для підвищення безпеки транспортного засобу і кластерний пристрій для його реалізації |
US10132651B2 (en) * | 2015-03-23 | 2018-11-20 | Iee International Electronics & Engineering S.A. | Capacitive sensing system with hardware diagnostics concept for detection of sensor interruption |
KR101679204B1 (ko) * | 2015-04-22 | 2016-11-25 | 에이디반도체(주) | 감지신호 전달 장치 및 이를 이용한 정전용량 센서 장치 |
CN105185283B (zh) * | 2015-10-23 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 检测装置、基板架、检测基板架上基板位置的方法 |
DE102016202456B4 (de) | 2016-02-17 | 2017-10-26 | Olympus Winter & Ibe Gmbh | Chirurgievorrichtung mit Funktionsvorrichtung |
JP6650325B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2020-02-19 | アルプスアルパイン株式会社 | 入力装置 |
US9852833B1 (en) * | 2016-06-28 | 2017-12-26 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Magnetization alignment in a thin-film device |
US9725302B1 (en) * | 2016-08-25 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | Wafer processing equipment having exposable sensing layers |
JP6775800B2 (ja) * | 2016-10-25 | 2020-10-28 | 島根県 | 静電容量型センサ |
CN108007327A (zh) * | 2016-10-31 | 2018-05-08 | 深圳指瑞威科技有限公司 | 电容式距离传感器 |
FR3060733B1 (fr) * | 2016-12-16 | 2019-01-25 | Fogale Nanotech | Dispositif et procede de detection de l'approche et/ou de contact, et de l'appui d'un objet, relativement a une surface de detection |
FR3062205B1 (fr) * | 2017-01-23 | 2020-01-31 | Fogale Nanotech | Dispositif capacitif de detection d'un objet electriquement flottant |
EP3855129B1 (en) * | 2017-03-22 | 2023-10-25 | Knowles Electronics, LLC | Interface circuit for a capacitive sensor |
TWI613578B (zh) * | 2017-04-10 | 2018-02-01 | 友達光電股份有限公司 | 觸控電極陣列和觸控顯示裝置 |
JP6916302B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2021-08-11 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. | センサ較正 |
CN107204325B (zh) * | 2017-05-25 | 2023-06-02 | 成都线易科技有限责任公司 | 电容器阵列及制造方法 |
JP6718622B2 (ja) | 2017-05-26 | 2020-07-08 | 株式会社京岡 | 隙間センサおよび隙間測定方法 |
JP7094513B2 (ja) * | 2017-06-19 | 2022-07-04 | ユニパルス株式会社 | 厚み測定装置 |
KR101879285B1 (ko) * | 2017-08-01 | 2018-07-17 | 송청담 | 고감도 정전 센서 회로 |
GB2566053A (en) * | 2017-08-31 | 2019-03-06 | Weston Aerospace Ltd | Sensor and method of manufacturing same |
JP7058409B2 (ja) * | 2017-09-06 | 2022-04-22 | 島根県 | 設置自由度の高い静電容量型センサ |
JP7048043B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2022-04-05 | 島根県 | 非接触測定システム |
KR102394081B1 (ko) * | 2018-02-27 | 2022-05-04 | 삼성전자주식회사 | 감지 회로를 이용한 벤딩 정보에 기반하여 동작 모드를 변경하기 위한 방법, 전자 장치 및 저장 매체 |
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CN108413856B (zh) * | 2018-05-30 | 2020-07-10 | 华中科技大学 | 一种基于双变压器远距离隔离传输的电容位移传感装置 |
CN108562216B (zh) * | 2018-05-30 | 2020-07-10 | 华中科技大学 | 一种基于变压器初级远距离传输的电容位移传感装置 |
EP3594639B1 (de) * | 2018-07-13 | 2022-09-28 | Tecan Trading Ag | Vorrichtung und verfahren zur kapazitiven füllstandsmessung in flüssigkeitsbehältern |
EP3608624B1 (de) * | 2018-08-06 | 2022-06-29 | Hexagon Technology Center GmbH | Kapazitiver distanzsensor |
US11342210B2 (en) | 2018-09-04 | 2022-05-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring wafer movement and placement using vibration data |
US10847393B2 (en) | 2018-09-04 | 2020-11-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring process kit centering |
US11521872B2 (en) | 2018-09-04 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring erosion and calibrating position for a moving process kit |
US10794681B2 (en) * | 2018-09-04 | 2020-10-06 | Applied Materials, Inc. | Long range capacitive gap measurement in a wafer form sensor system |
US11404296B2 (en) * | 2018-09-04 | 2022-08-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring placement of a substrate on a heater pedestal |
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WO2020102612A1 (en) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | Kla Corporation | Multi-sensor tiled camera with flexible electronics for wafer inspection |
EP3654532B1 (en) * | 2018-11-16 | 2022-05-18 | Bently Nevada, LLC | Proximity sensing system with component compatibility testing |
CN109581511B (zh) * | 2018-11-23 | 2020-06-16 | 辽宁大学 | 一种基于感应原理的非接触式煤岩带电监测传感器标定系统及方法 |
CN113167564B (zh) * | 2018-12-11 | 2023-06-27 | 日商乐华股份有限公司 | 静电电容传感器 |
US10809048B2 (en) * | 2019-01-08 | 2020-10-20 | Formfactor Beaverton, Inc. | Probe systems and methods for calibrating capacitive height sensing measurements |
US10837803B2 (en) * | 2019-04-12 | 2020-11-17 | Kla Corporation | Inspection system with grounded capacitive sample proximity sensor |
CN110044253A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-07-23 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种微马达及内嵌式角度测量装置 |
RU2722167C1 (ru) * | 2019-08-11 | 2020-05-27 | Сергей Викторович Тюрин | Способ бесконтактного измерения смещения токоведущего проводника от геометрического центра кабельной жилы |
RU2717904C1 (ru) * | 2019-09-13 | 2020-03-26 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Конструкторское Бюро "Дорс" (Ооо "Кб "Дорс") | Способ измерения при помощи дифференциального датчика |
CN110631465B (zh) * | 2019-09-16 | 2021-04-16 | 太原理工大学 | 基于电容原理差动式测量的积灰结渣在线监测装置及方法 |
CN110779965B (zh) * | 2019-10-22 | 2022-08-02 | 电子科技大学 | 一种大面积表面损伤柔性探测装置 |
US11274037B2 (en) | 2019-10-30 | 2022-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dual micro-electro mechanical system and manufacturing method thereof |
CN112744779B (zh) * | 2019-10-30 | 2024-02-23 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 微机电系统及其制造方法 |
RU197920U1 (ru) * | 2020-01-28 | 2020-06-05 | Акционерное общество "ПК Альматек" | Печатная плата устройства для предъявления электрических импульсов при транслингвальной нейростимуляции |
US11646707B2 (en) * | 2020-05-21 | 2023-05-09 | Novatek Microelectronics Corp. | Analog front end with pulse width modulation current compensation |
US11574530B2 (en) | 2020-06-04 | 2023-02-07 | Ecolink Intelligent Technology, Inc. | Electronic sensor with flexible sensing device |
CN112325980B (zh) * | 2020-10-30 | 2024-03-01 | 中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所 | 自平衡交流电桥电容式油量传感器采集装置及方法 |
US11275312B1 (en) * | 2020-11-30 | 2022-03-15 | Waymo Llc | Systems and methods for verifying photomask cleanliness |
JP2023554388A (ja) * | 2020-12-16 | 2023-12-27 | サノフイ | 電極システム、電子システム、薬物送達デバイス、および電子システムを製造する方法 |
TWI790857B (zh) * | 2021-12-15 | 2023-01-21 | 財團法人工業技術研究院 | 差動式電容裝置與差動式電容校準方法 |
CN114526144B (zh) * | 2022-02-25 | 2023-03-21 | 潍柴动力股份有限公司 | 一种NOx传感器安装位置识别方法、装置、车辆及介质 |
EP4258320A1 (en) | 2022-04-08 | 2023-10-11 | ASML Netherlands B.V. | Sensor substrate, apparatus, and method |
EP4310885A1 (en) | 2022-07-21 | 2024-01-24 | ASML Netherlands B.V. | Electron-optical apparatus and method of obtaining topographical information about a sample surface |
TWI822621B (zh) * | 2023-03-30 | 2023-11-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 檢測裝置 |
Family Cites Families (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3522528A (en) * | 1968-02-27 | 1970-08-04 | Trw Inc | Noncontacting capacitance distance gauge having a servosystem and a position sensor |
SU932208A1 (ru) * | 1978-07-17 | 1982-05-30 | Ордена Трудового Красного Знамени Предприятие П/Я А-1742 | Устройство дл измерени рассто ний до провод щей поверхности |
GB2131176B (en) | 1982-10-07 | 1986-02-19 | Rolls Royce | Method of manufacturing a capacitance distance measuring probe |
US4539835A (en) | 1983-10-28 | 1985-09-10 | Control Data Corporation | Calibration apparatus for capacitance height gauges |
US4538069A (en) | 1983-10-28 | 1985-08-27 | Control Data Corporation | Capacitance height gage applied in reticle position detection system for electron beam lithography apparatus |
JPS615317A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-11 | Omron Tateisi Electronics Co | 自動焦点合わせ装置 |
SU1195182A1 (ru) * | 1984-07-26 | 1985-11-30 | Институт Электродинамики Ан Усср | Емкостный измеритель перемещений |
US4766368A (en) * | 1986-09-30 | 1988-08-23 | Cox Harold A | Capacitive sensor |
JP2518301B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1996-07-24 | 株式会社ニコン | 間隔測定装置 |
AT393040B (de) | 1988-03-03 | 1991-07-25 | Setec Messgeraete Gmbh | Kapazitiver naeherungsgeber |
JPH01285801A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-16 | Koko Res Kk | 近接距離センサー及び形状判別装置 |
JP2807827B2 (ja) * | 1989-07-03 | 1998-10-08 | 直之 大纒 | 静電容量型距離計 |
US5337353A (en) * | 1992-04-01 | 1994-08-09 | At&T Bell Laboratories | Capacitive proximity sensors |
JP2516666Y2 (ja) * | 1992-10-23 | 1996-11-06 | 株式会社ミツトヨ | 静電容量式変位測定装置 |
JPH0682506U (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-25 | 兼子興産株式会社 | 非接触厚さ計 |
US5539323A (en) | 1993-05-07 | 1996-07-23 | Brooks Automation, Inc. | Sensor for articles such as wafers on end effector |
JP3520881B2 (ja) * | 1995-07-03 | 2004-04-19 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JP3328710B2 (ja) | 1995-08-23 | 2002-09-30 | オムロン株式会社 | 半導体静電容量型センサ |
WO1997029391A1 (en) | 1996-02-09 | 1997-08-14 | Scandmec Ab | Device for sensing presence of an electrically conducting object |
JPH09280806A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Nissan Motor Co Ltd | 静電容量式変位計 |
US5844486A (en) | 1997-01-02 | 1998-12-01 | Advanced Safety Concepts, Inc. | Integral capacitive sensor array |
US6075375A (en) * | 1997-06-11 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for wafer detection |
JP3356043B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2002-12-09 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工装置用距離検出器 |
US5990473A (en) * | 1998-02-04 | 1999-11-23 | Sandia Corporation | Apparatus and method for sensing motion in a microelectro-mechanical system |
DE19812626A1 (de) | 1998-03-23 | 1999-09-30 | Bayerische Motoren Werke Ag | Verfahren zur kapazitiven Objekterkennung bei Fahrzeugen |
JP3246726B2 (ja) * | 1998-11-13 | 2002-01-15 | 株式会社ミツトヨ | 静電容量式変位検出器及び測定装置 |
US6249130B1 (en) * | 1998-12-21 | 2001-06-19 | Agrichem, Inc. | Shielded flat-plate proximity/dielectric properties sensor |
EP1192409A4 (en) * | 1999-02-24 | 2004-11-10 | Advanced Safety Concepts Inc | CAPACITIVE SENSORS FOR VEHICLES |
JP2001091205A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-04-06 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 物体搭載装置 |
JP4872989B2 (ja) * | 1999-07-22 | 2012-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電容量型センサ部品、物体搭載体、半導体製造装置および液晶表示素子製造装置 |
GB0000619D0 (en) * | 2000-01-13 | 2000-03-01 | British Aerospace | Accelerometer |
US6633050B1 (en) | 2000-08-15 | 2003-10-14 | Asml Holding Nv. | Virtual gauging system for use in lithographic processing |
US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
EP1231515B1 (en) * | 2001-02-08 | 2008-11-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6859260B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-02-22 | Asml Holding N.V. | Method and system for improving focus accuracy in a lithography system |
JP3980387B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2007-09-26 | 富士通株式会社 | 容量検出型センサ及びその製造方法 |
US20040207395A1 (en) * | 2002-04-08 | 2004-10-21 | Moshe Sarfaty | Eddy current-capacitance sensor for conducting film characterization |
AU2003253085B2 (en) | 2002-06-15 | 2008-11-20 | Nfab Limited | Charged particle beam generator |
US7148704B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-12-12 | Harald Philipp | Charge transfer capacitive position sensor |
FI115109B (fi) * | 2003-01-22 | 2005-02-28 | Nokia Corp | Tunnistusjärjestely ja tunnistusjärjestelyn käsittävä matkaviestin |
JP4067053B2 (ja) * | 2003-03-13 | 2008-03-26 | キヤノン株式会社 | 静電容量センサ式計測装置 |
JP4054693B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2008-02-27 | 株式会社ミツトヨ | 静電容量式変位測定器 |
US7114399B2 (en) | 2003-03-19 | 2006-10-03 | Ade Corporation | Shaped non-contact capacitive displacement sensors for measuring shaped targets |
JP4029770B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2008-01-09 | オムロン株式会社 | 厚み検出センサ |
JP4042973B2 (ja) * | 2003-11-07 | 2008-02-06 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 非接触式車両用接近体検出装置 |
JP2005156492A (ja) | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Agilent Technol Inc | 可動機構、測定装置、静電容量式距離測定装置、および、位置決め装置 |
JP2005175173A (ja) | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US20050134865A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining a map, device manufacturing method, and lithographic apparatus |
JP2005183744A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005071491A2 (en) | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
WO2005088686A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Nikon Corporation | 段差計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
US6989679B2 (en) * | 2004-06-03 | 2006-01-24 | General Electric Company | Non-contact capacitive sensor and cable with dual layer active shield |
JP4356570B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2009-11-04 | 沖電気工業株式会社 | 静電容量型距離センサ |
WO2006059720A1 (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
KR20060082223A (ko) * | 2005-01-11 | 2006-07-18 | 삼성전자주식회사 | 화상인식 반도체 모듈 |
US7342641B2 (en) * | 2005-02-22 | 2008-03-11 | Nikon Corporation | Autofocus methods and devices for lithography |
US7208960B1 (en) * | 2006-02-10 | 2007-04-24 | Milliken & Company | Printed capacitive sensor |
US7395717B2 (en) * | 2006-02-10 | 2008-07-08 | Milliken & Company | Flexible capacitive sensor |
JP2009527764A (ja) * | 2006-02-21 | 2009-07-30 | サイバーオプティクス セミコンダクタ インコーポレイテッド | 半導体加工ツールにおける静電容量距離検出 |
CA2630541A1 (en) * | 2006-02-27 | 2007-09-07 | Edwards Lifesciences Corporation | Method and apparatus for using flex circuit technology to create a reference electrode channel |
CN101449461B (zh) * | 2006-03-13 | 2013-06-12 | 艾登特技术股份公司 | 电容传感器设备 |
JP4828316B2 (ja) * | 2006-06-13 | 2011-11-30 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工機用のギャップ検出装置及びレーザ加工システム並びにレーザ加工機用のギャップ検出方法 |
RU2338997C2 (ru) * | 2006-07-13 | 2008-11-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор" | Способ измерения зазора между электродами и подвижной массой микромеханического устройства и устройство для его реализации |
RU2318183C1 (ru) * | 2006-08-09 | 2008-02-27 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Диамех 2000" | Устройство для измерения воздушного зазора |
US20080079920A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Heiko Hommen | Wafer exposure device and method |
JP4609731B2 (ja) | 2006-10-31 | 2011-01-12 | 株式会社デンソー | 静電容量式乗員検知センサ |
JP2008111758A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Yamatake Corp | 容量式電磁流量計 |
NL1036009A1 (nl) * | 2007-10-05 | 2009-04-07 | Asml Netherlands Bv | An Immersion Lithography Apparatus. |
JP2009109208A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Ono Sokki Co Ltd | 測定装置および測定方法 |
NL1036069A1 (nl) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Asml Netherlands Bv | An Immersion Lithography Apparatus. |
NL1036547A1 (nl) * | 2008-02-20 | 2009-08-24 | Asml Holding Nv | Gas gauge compatible with vacuum environments. |
NL1036516A1 (nl) * | 2008-03-05 | 2009-09-08 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
NL1036709A1 (nl) * | 2008-04-24 | 2009-10-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
US8872771B2 (en) * | 2009-07-07 | 2014-10-28 | Apple Inc. | Touch sensing device having conductive nodes |
US20110261344A1 (en) * | 2009-12-31 | 2011-10-27 | Mapper Lithography Ip B.V. | Exposure method |
-
2010
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---|---|---|
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NL2004055C2 (en) | Method for measuring target surface topology and lithography system. | |
NL2004051C2 (en) | Capacitive sensor. | |
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