JP4872989B2 - 静電容量型センサ部品、物体搭載体、半導体製造装置および液晶表示素子製造装置 - Google Patents
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Description
c)直上検出部の接地電極とその直下の検出電極との間の容量と、本来の検出物体と検出電極との間の容量とを区別するのに複雑なアンプ回路を必要とする。
i1=−Vm/Zx=−Vi/Zx
i2=(Vm−Vo)/Zf=(Vi−Vo)/Zf
ここで、i1=i2であるから、演算増幅器1の出力電圧Voは、下記となる。
Vo=Vi(1+Zf/Zx) (1)
式(1)は、演算増幅器1がインピーダンス値Zxに依存して変化する交流電圧を出力することを表している。
Vo=Vi(1+jωRf・Cx) (2)
帰還インピーダンス回路3として、抵抗とコンデンサの並列回路等を採用してもよい。その他、任意の組み合わせが可能である。
(1)演算増幅器の2つの入力端子のイマジナルショートにより、検出すべき対象物の被検出インピーダンス成分に接続された信号線とそれを包囲するシールド手段とが同一電位となるので、これらの間に形成される寄生容量に影響されることなく、被検出インピーダンス成分の値のみに依存した電圧を得ることができる。よって、インピーダンス値が非常に大きくても高精度のZ/V変換が可能になる。
(2)被検出インピーダンス成分の一方の電極が或る電位にバイアスされていても、そのインピーダンス値に対応した電圧を求めることができる。
(3)シールド手段を2重のメッシュ構造にすることにより、信号線及びシールド手段からなる同軸ケーブルに可撓性を持たせつつ、信号線からの信号リーク及び信号線への外来ノイズの回り込みを低減することができ、より高精度のZ/V変換が可能となる。
(4)帰還インピーダンス回路を被検出インピーダンス成分とした場合、2つの被検出インピーダンス成分のインピーダンス比に対応する出力電圧を、信号線の寄生容量に影響されずに高精度で得ることができる。
(5)信号線が長くなってもシールドとの寄生容量に影響されないので、非常に大きいインピーダンスを高精度に測定することができる。
Claims (6)
- 静電容量型検出部を備える静電容量型センサ部品であって、
前記静電容量型検出部は、検出電極とシールド電極とを備え、
前記検出電極は、被検出物体を検出する検出部検出電極と前記検出部検出電極まで電極を導入する電極導入部検出電極とを有し、
前記電極導入部電極は少なくとも2つのシールド電極でシールドされ、
前記少なくとも2つのシールド電極は一定振幅の交流信号を発する同一の交流信号発生手段に接続されていることを特徴とする、静電容量型センサ部品。 - 前記静電容量型センサ部品は積層構造を有し、
前記少なくとも2つのシールド電極は、
前記検出電極の背面で異なる層に形成される背面シールド電極(41)と、
前記検出電極の側面で同一の層に形成される側面シールド電極(31)と、
前記検出電極の前面で異なる層に形成されて、前記検出電極とは重ならないように配置される前面シールド電極(21)との内のいずれか2つを含む、請求項1に記載の静電容量型センサ部品。 - 前記シールド電極は、背面シールド電極と、前記側面シールド電極と、前記前面シールド電極とを含む、請求項2に記載の静電容量型センサ部品。
- 被搭載物体を搭載可能な物体搭載体であって、
請求項1〜3のいずれかに記載の静電容量型センサ部品が固定されていることを特徴とする物体搭載体。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の静電容量型センサ部品、または請求項4に記載の物体搭載体を備えることを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の静電容量型センサ部品、または請求項4に記載の物体搭載体を備えることを特徴とする液晶表示素子製造装置。
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