JP5556703B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
図1において、スイッチングデバイスM11は外部回路と接続するための端子C1,E1,C3,E3の4端子を有している。端子C1は半導体スイッチング素子Q1のコレクタ端子に接続され、端子E1はエミッタ端子に接続されている。また、端子C3は半導体スイッチング素子Q3aのコレクタ端子と接続され、端子E3はエミッタ端子に接続されている。そして、半導体スイッチング素子Q1のコレクタ端子とエミッタ端子および半導体スイッチング素子Q3aのコレクタ端子とエミッタ端子とはそれぞれ絶縁されている。
図2は、本発明に係る電力変換装置の第2の実施形態を説明するための図である。
図3は、本発明に係る電力変換装置の第3の実施形態を説明するための図である。
図4は、本発明に係る電力変換装置の第4の実施形態を説明するための図である。
図5は、本発明に係る電力変換装置の第5の実施形態を説明するための図である。
図6は、本発明に係る電力変換装置の第6の実施形態を説明するための図である。
図7は、本発明に係る電力変換装置の第7の実施形態を説明するための図である。
図8は、本発明に係る電力変換装置の第8の実施形態を説明するための図である。
上記図1〜図8に示した電力変換装置において、半導体スイッチング素子Q1とQ2とで発生する損失は同じである。また、半導体スイッチング素子Q3aとQ4aとで発生する損失は同じである。したがって、スイッチングデバイスM11〜M18とM21〜M28とで発生する損失は同じである。すなわち、図1〜図8に示したスイッチングデバイスM11〜M18とM21〜M28とを用いて電力変換装置を構成することにより、スイッチングデバイスM11〜M18とM21〜M28とで発生する損失を均等にすることができる。
そして、図1〜図4に示した半導体スイッチング素子Q3aには、第1の直流電圧源1の電圧値E/2[V]よりも高い順方向耐圧を有し、かつ半導体スイッチング素子Q1よりも低い順方向耐圧を有する半導体スイッチング素子を使用する。一方、半導体スイッチング素子Q4aには、第2の直流電圧源1の電圧値E/2[V]よりも高い順方向耐圧を有し、かつ半導体スイッチング素子Q2よりも低い順方向耐圧を有する半導体スイッチング素子を使用する。
Claims (8)
- 第1の直流電圧源と第2の直流電圧源とを直列接続してなる直流電圧源直列回路と、
前記直流電圧源直列回路の正側端子に接続される第1の端子と、負側端子に接続される第2の端子と、前記第1の直流電圧源と第2の直流電圧源との接続点に接続される第3の端子と、
ダイオードをそれぞれに逆並列接続した第1の半導体スイッチング素子と第2の半導体スイッチング素子とを直列接続してなる直列回路と、
前記直列回路の第1の半導体スイッチング素子と第2の半導体スイッチング素子の接続点に接続される第4の端子と、
第3の半導体スイッチング素子と第4の半導体スイッチング素子とを逆並列接続してなるスイッチ回路と、
を備え、
前記直列回路の両端は前記第1の端子と第2の端子とに接続され、
前記並列回路の両端は前記第3の端子と第4の端子とに接続され
る電力変換装置において、
前記第1の半導体スイッチング素子と前記第3の半導体スイッチング素子とを第1のスイッチングデバイスで構成し、
前記第2の半導体スイッチング素子と前記第4の半導体スイッチング素子とを第2のスイッチングデバイスで構成する
ことを特徴とする電力変換装置。 - 前記第1の半導体スイッチング素子の端子と前記第3の半導体スイッチング素子の端子とは前記第1のスイッチングデバイスにおいて電気的に絶縁され、
前記第2の半導体スイッチング素子の端子と前記第4の半導体スイッチング素子の端子とは前記第2のスイッチングデバイスにおいて電気的に絶縁されている
ことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記第1の半導体スイッチング素子と前記第3の半導体スイッチング素子とは前記第1のスイッチングデバイスの内部において直列に接続され、
前記第2の半導体スイッチング素子と前記第4の半導体スイッチング素子とは前記第2のスイッチングデバイスの内部において直列に接続されている
ことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記第1の半導体スイッチング素子と前記第3の半導体スイッチング素子とは前記第1のスイッチングデバイスの内部において逆直列に接続され、
前記第2の半導体スイッチング素子と前記第4の半導体スイッチング素子とは前記第2のスイッチングデバイスの内部において逆直列に接続されている
ことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記第1の半導体スイッチング素子と前記第3の半導体スイッチング素子とは前記第1のスイッチングデバイスの内部において直列または逆直列に接続され、
前記第2の半導体スイッチング素子の端子と前記第4の半導体スイッチング素子の端子とは前記第2のスイッチングデバイスの内部において電気的に絶縁されている
ことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記第1の半導体スイッチング素子の端子と前記第3の半導体スイッチング素子の端子とは前記第1のスイッチングデバイスの内部において電気的に絶縁され、
前記第2の半導体スイッチング素子と前記第4の半導体スイッチング素子とは前記第2のスイッチングデバイスの内部において直列または逆直列に接続されている
ことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記第1の直流電圧源に対して前記第1の半導体スイッチング素子と前記第3の半導体スイッチング素子とが直列に接続され、前記第2の直流電圧源に対して前記第2の半導体スイッチング素子と前記第4の半導体スイッチング素子とが直列に接続された請求項1,2,3,5,6のいずれか1項に記載の電力変換装置において、
前記第1の半導体スイッチング素子と前記第2の半導体スイッチング素子とは前記直流電圧源直列回路の両端電圧よりも高い順方向耐圧を有し、
前記第3の半導体スイッチング素子の順方向耐圧は前記第1の直流電圧源の電圧よりも高くかつ前記第1の半導体スイッチング素子の順方向耐圧よりも低く、
前記第4の半導体スイッチング素子の順方向耐圧は前記第2の直流電圧源の電圧よりも高くかつ前記第2の半導体スイッチング素子の順方向耐圧よりも低い
ことを特徴とする電力変換装置。 - 前記第1の直流電圧源に対して前記第1の半導体スイッチング素子と前記第4の半導体スイッチング素子とが直列に接続され、前記第2の直流電圧源に対して前記第2の半導体スイッチング素子と前記第3の半導体スイッチング素子とが直列に接続された請求項1,2,4,5,6のいずれか1項に記載の電力変換装置において、
前記第1の半導体スイッチング素子と前記第2の半導体スイッチング素子とは前記直流電圧源直列回路の両端電圧よりも高い順方向耐圧を有し、
前記第3の半導体スイッチング素子の順方向耐圧は前記第2の直流電圧源の電圧よりも高くかつ前記第1の半導体スイッチング素子の順方向耐圧よりも低く、
前記第4の半導体スイッチング素子の順方向耐圧は前記第1の直流電圧源の電圧よりも高くかつ前記第2の半導体スイッチング素子の順方向耐圧よりも低い
ことを特徴とする電力変換装置。
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