WO2007051321A2 - Umrichterschaltung zur schaltung einer vielzahl von schaltspannungsniveaus - Google Patents

Umrichterschaltung zur schaltung einer vielzahl von schaltspannungsniveaus Download PDF

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Peter Steimer
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Abb Research Ltd
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Definitions

  • Inverter circuit for switching a plurality of switching voltage levels
  • the invention relates to the field of power electronics. It is based on a converter circuit for switching a plurality of switching voltage levels according to the preamble of the independent claims.
  • Inverter circuits are now used in a wealth of power electronic applications.
  • the requirements for such a converter circuit are, on the one hand, to generate as few harmonics as possible of phases of an electrical alternating voltage network commonly connected to the converter circuit and, on the other hand, to transmit the highest possible power with the smallest possible number of electronic components.
  • a suitable converter circuit for switching a plurality of switching voltage levels is given in DE 692 05 413 T2.
  • Each of the first switching groups is connected in a concatenated manner to the respectively adjacent first switching group, the first and the second controllable bidirectional power semiconductor switches of the first further first switching group being connected to one another.
  • the first and second controllable bidirectional power semiconductor switches are each formed by a bipolar transistor with insulated drive electrode (IGBT - Insulated Gate Bipolartransistor) and by a bipolar transistor connected in anti-parallel diode.
  • the problem with a converter circuit for switching a plurality of switching voltage levels according to DE 692 05 413 T2 is that the electrical energy stored in the converter circuit during operation is very high. Since the electrical energy is stored in the capacitors of the n first switching groups of the converter circuit, the capacitors for this electrical energy, ie with respect to their dielectric strength and / or their capacity must be designed. However, this requires capacitors with a large size, which are correspondingly expensive. In addition, the converter circuit requires a lot of space due to the size of large capacitors, so that a space-saving design, as it is required for many applications, such as traction applications, is not possible. Furthermore, the use of the size of large capacitors causes a high installation and maintenance.
  • the converter circuit for switching a plurality of switching voltage levels according to DE 692 05 413 T2 due to the exclusive use of bipolar transistors with isolated drive electrode arranged as controllable power semiconductor switch vulnerable to high voltages, especially against overvoltages, and also has significant active power losses.
  • the object of the invention is therefore to provide a converter circuit for switching a plurality of switching voltage levels, which saves as little electrical energy during their operation, can be realized to save space, is largely insensitive to high voltages and fault conditions and has low active power losses.
  • the inventive converter circuit for switching a plurality of switching voltage levels comprises a first switching group provided for each phase, wherein the first switching group is formed by a first controllable bidirectional power semiconductor switch and a second controllable bidirectional power semiconductor switch and the first and the second controllable bidirectional power semiconductor switch of the first switching group connected together are.
  • the inventive converter circuit for switching a plurality of switching voltage levels also includes the first switching group provided for each phase and additionally n further first switching groups, where n> 1 and the first switching group then by a first controllable bidirectional power semiconductor switch and a second controllable bidirectional Power semiconductor switch is formed and the n further first switching groups are each formed by a first controllable bidirectional power semiconductor switch and a second controllable bidirectional power semiconductor switch and by a capacitor connected to the first and second controllable bidirectional power semiconductor switch.
  • Each of the first switching groups is connected in a concatenated manner to the respectively adjacent first switching group, and the first and second controllable bidirectional power semiconductor switches of the first further first switching group are connected to one another.
  • a second switching group and a third switching groups is provided, each by a first turn-off thyristor with antiparallel switched passive non-controllable electronic component with unidirectional current carrying direction and a second turn-off thyristor with antiparallel switched passive non-controllable electronic component with unidirectional current carrying direction, by a capacitor and by a Relief network is formed.
  • the second switching group is with the - A -
  • first driveable bidirectional power semiconductor switch of the first switch group and the third switch group is connected to the second drivable bidirectional power semiconductor switch of the first Schaitense.
  • a first protection device is connected to the connection point of the first controllable bidirectional power semiconductor switch with the second controllable bidirectional power semiconductor switch of the first switching group and the connection point of the second switching group with the first controllable bidirectional power semiconductor switch of the first switching group.
  • a second protection device is connected to the connection point of the first controllable bidirectional power semiconductor switch with the second controllable bidirectional power semiconductor switch of the first switching group and the connection point of the third switching group with the second controllable bidirectional power semiconductor switch of the first switching group.
  • the capacitor of the second switching group is connected to the capacitor of the third switching group, the discharge network of the second switching group connected to the discharge network of the third switching group and the second shutdown thyristor of the second switching group connected to the second shutdown thyristor of the third switching group.
  • the second switching group and the third switching group and their compounds described above the second switching group are involved, for example, only in the positive half-wave with respect to the phase output AC voltage and the third switching group only in the negative half-cycle in the operation of the inventive converter circuit.
  • the electrical energy stored in the converter circuit, in particular in the capacitors of the second and third switching groups can be advantageously reduced.
  • the first switching group and the n further first switching groups are used only for balancing the phase output AC voltage, so that at several existing first switching groups, the capacitors of the other n first switching groups in the balanced state lead substantially no power and thus store substantially no electrical energy.
  • the stored electrical energy of the converter circuit can be kept small overall, whereby the capacitors of the converter circuit only for a small electrical energy to be stored, ie with respect to their dielectric strength and / or their capacity must be designed. Due to the small size of the capacitors, the converter circuit requires very little space, so that advantageously a space-saving design, as it is for many applications, For example, for traction applications, is required is possible. In addition, the assembly and maintenance costs can be kept advantageously low due to the small size of the capacitors. In addition, the converter circuit according to the invention is advantageously made very robust by the use of the first and second turn-off thyristors as controllable power semiconductor switches in the second and third switching groups and thus less susceptible to high voltages, in particular to overvoltages.
  • the converter circuit according to the invention advantageously has only very low active power losses.
  • the availability of the converter circuit according to the invention as a whole can thus be significantly increased.
  • the components of the first switching group or of the first switching groups as well as the components of the second and third switching groups can advantageously be protected particularly effectively against fault conditions, in particular in the event of a short circuit, against overvoltages and overcurrents by means of the first and second protective device.
  • Fig. 3 shows a third embodiment of an inventive converter circuit
  • FIG. 4 shows a fourth embodiment of an inventive converter circuit.
  • the reference numerals used in the drawings and their meaning are listed in the list of reference numerals. Basically, the same parts are provided with the same reference numerals in the figures.
  • the described embodiments are exemplary of the subject invention and have no limiting effect.
  • Fig. 1 is a, in particular single-phase, first embodiment of an inventive converter circuit for switching a plurality of switching voltage levels, in particular for the switching of three switching voltage levels shown.
  • the converter circuit comprises a first switching group 1 provided for each phase R, S, T, wherein the first switching group 1 is formed by a first controllable bidirectional power semiconductor switch 2 and a second controllable bidirectional power semiconductor switch 3 and the first and the second controllable bidirectional power semiconductor switch 2, 3 of the first switching group 1 are interconnected.
  • the connection point of the first and the second controllable bidirectional power semiconductor switch 2, 3 of the first switching group 1 according to FIG. 1 forms a phase connection, in particular for the phase R.
  • FIG. 2 shows a, in particular single-phase, second embodiment of a converter circuit according to the invention for switching a plurality of switching voltage levels.
  • the converter circuit likewise comprises a first switching group 1 provided for each phase R, S, T and, as an alternative to FIG. 1, additionally n further first switching groups 1.1,..., 1.n, where n> 1 and the first switching group 1 is formed by the first controllable bidirectional power semiconductor switch 2 and the second controllable bidirectional power semiconductor switch 3 and the n further first switching groups 1.1, ..., 1.n respectively by a first controllable bidirectional power semiconductor switch 2 and a second controllable bidirectional power semiconductor switch 3 and by a the first and second controllable bidirectional power semiconductor switches 2, 3 connected capacitor 13 are formed.
  • each of the first switching groups 1, 1.1,..., 1.n is a quadrupole
  • each of the first switching groups 1, 1.1,..., 1.n is linked to the respectively adjacent first one Switching group 1, 1.1, ..., 1.n connected, wherein also the first and the second controllable bidirectional power semiconductor switch 2, 3 of the first further first switching group 1.1 are interconnected.
  • the connection point of the first and second controllable bidirectional power semiconductor switches 2, 3 of the first further first switching group 1.1 forms a phase connection, in particular for the phase R.
  • controllable power semiconductor component having a unidirectional current-carrying direction for example by a bipolar transistor with insulated drive electrode (IGBT) and by a passive non-controllable component with a unidirectional current-carrying direction, for example by a diode ,
  • IGBT bipolar transistor with insulated drive electrode
  • a second switching group 5 and a third switching group 6 are provided which are each connected by a first turn-off thyristor 7, 8 with an antiparallel-connected passive non-controllable electronic component with unidirectional current-carrying direction and a second turn-off thyristor 9.
  • 10 with antiparallel switched passive non-controllable electronic component with unidirectional current-carrying direction, by a capacitor 4, 14 and by a discharge network 11, 12 is formed.
  • the respective passive non-controllable electronic component with unidirectional current-carrying direction is according to FIG. 1 and FIG. 2, for example, a diode.
  • the second switching group 5 is connected to the first controllable bidirectional power semiconductor switch 2 of the first switching group 1
  • the third switching group 6 is connected to the second controllable bidirectional power semiconductor switch 3 of the first switching group 1.
  • a first protection device 15 is connected to the connection point of the first controllable bidirectional power semiconductor switch 2 to the second controllable bidirectional power semiconductor switch 3 of the first switching group 1 and to the connection point of the second switching group 5 to the first controllable bidirectional power semiconductor switch 2 of the first Switch group 1, wherein also according to FIG. 1 and FIG.
  • a second protection device 16 with the connection point of the first controllable bidirectional power semiconductor switch 2 with the second controllable bidirectional power semiconductor switch 3 of the first switching group 1 and with the connection point of the third switching group 6 with the second controllable bidirectional power semiconductor switch 3 of Erslen switching group 1 is connected.
  • the capacitor 4 of the second switching group 5 according to FIG. 1 and FIG. 2 is connected to the capacitor 14 of the third switching group 6.
  • the relieving network 11 of the second switching group 5 is connected to the relieving network 12 of the third switching group 6 and the second disconnecting thyristor 9 of the second switching group 5 is connected to the second disconnecting thyristor 10 of the third switching group 6.
  • the converter circuit according to the invention is therefore a "mixing circuit" with respect to the power semiconductor switches 2, 3, 7, 8, 9, 10, since the converter circuit is provided in particular with bipolar transistors each having a drive electrode 2, 3 and turn-off thyristors 7, 8, 9 arranged in isolation , 10.
  • the second switching group 5 are involved, for example, only in the positive half-wave with respect to the phase output AC voltage and the third switching group only in the negative half-cycle operation of the inventive converter circuit.
  • the electrical energy stored in the converter circuit, in particular in the capacitors 4, 14 of the second and third switch groups 5, 6, can advantageously be reduced.
  • the first switching group 1 and the n further first switching groups 1.1,..., 1. N only serve for balancing the phase output alternating voltage, so that if there are several first switching groups 1, 1. 1 n the capacitors of the n further first switching groups 1. .., 1.n in the balanced state essentially do not conduct electricity and thus save substantially no electrical energy.
  • the stored electrical energy of the converter circuit can be kept small overall, whereby the capacitors 4, 13, 14 of the converter circuit only for a small electrical energy to be stored, ie with respect to their voltage strength and / or their capacity must be designed. Due to the small size of the capacitors 4, 13, 14, the converter circuit requires very little space, so that advantageously a space-saving design, as it is required for many applications, for example for traction applications, is possible. Furthermore, due to the small size of the capacitors 4, 13, 14, the assembly and maintenance effort can advantageously be kept low.
  • the converter circuit according to the invention is advantageously made very robust by the use of the first and second turn-off thyristors 7, 8, 9, 10 as controllable power semiconductor switches in the second and third switching groups 5, 6 and thus less susceptible to high voltages, in particular to overshoots. voltages.
  • the converter circuit according to the invention advantageously has only very low active power losses. The availability of the converter circuit according to the invention as a whole can thus be significantly increased. Particularly at low switching frequency of the first and second turn-off thyristors, the active power losses are particularly low.
  • the first and second turn-off thyristors 7, 8, 9, 10 are therefore operated such that they switch at a Schaitfrequenz, which substantially corresponds to the fundamental frequency of the phase output AC voltage.
  • the first turn-off thyristor 7 of the second switching group 5 and the second turn-off thyristor 10 of the third switching group 6 switch, for example, for the time period of the positive half-cycle of the fundamental of the phase output AC voltage and the second turn-off thyristor 9 of the second switching group 5 and the first turn-off thyristor 8 of the third switching group 6 then switch for the duration of the negative half cycle of the fundamental of the phase output AC voltage.
  • the first and second controllable bidirectional power semiconductor switches 2, 3 switch the first switching group 1 according to FIG. 1 or the first and second controllable bidirectional power semiconductor switches 2, 3 the first switching groups 1, 1.1, ..., 1.n at a much higher switching frequency to advantageously produce less harmonics at the phase output, wherein for determining the actual switching times preferably a pulse width modulation method is applied.
  • the components of the first switching group 1 or the first switching groups 1.1, ..., 1.n and the components of the second and third switching group 5, 6 by means of the first and second protection device 15, 16 advantageously particularly effective against fault conditions, especially in Short circuit, protected against overvoltages and overcurrents.
  • FIG. 3 is a, in particular single-phase, third embodiment of an inventive converter circuit for switching a plurality of switching voltage levels shown.
  • FIG. 4 shows a, in particular single-phase, fourth embodiment of a converter circuit according to the invention for switching a multiplicity of switching voltage levels.
  • the third embodiment of FIG. 3 and the fourth embodiment of FIG. 4 has a third protection device 17 and a fourth protection device 18, which will be discussed in more detail.
  • the already mentioned third protective device 17 between the connection point of the second turn-off thyristor 9 of the second switching group 5 with the second turn-off thyristor 10 of the third switching group 6 and the second turn-off thyristor 9 of the second switching group 5 is turned on
  • the already mentioned fourth protection device 18 between the connection point of the second turn-off thyristor 9 of the second switching group 5 with the second turn-off thyristor 10 of the third switching group 6 and the second turn-off thyristor 10 of the third switching group 6 is turned on.
  • the third and fourth protection devices 17, 18 serve to discharge the DC side, ie, the capacitors 4, 14 of the second and third switching groups 5, 6, during the aforementioned switching operation of the turn-off thyristors 7, 8, 9, 10 of the second and third switching groups 5, 6, whereby the Ab- Switching thyristors 7, 8, 9, 10 of the second and third switching group 5, 6, but also the controllable bidirectional power semiconductor switches 2, 3 of the first switching group 1 and the first switching groups 1.1, ..., 1.n are protected against overvoltages and overcurrents can.
  • the third protection device 17 is preferably formed by a controllable bidirectional power semiconductor switch and by a resistor
  • the fourth protection device 18 is formed by a controllable bidirectional power semiconductor switch and by a resistor.
  • controllable bidirectional power semiconductor switches of the third and fourth protection devices 17, 18 are permanently switched on, while in the switching operation of the turn-off thyristors 7, 8, 9, 10 of the second and third switching groups 5, 6 used in the converter circuit in the event of a fault will be turned off.
  • the third and fourth protection means 17, 18 thus advantageously limit the discharge current of the capacitors 4, 14 of the second and third switching groups 5, 6 and the discharge current of the capacitors 13 of the n further first switching groups 1.1 1.n according to the fourth embodiment of the converter circuit 4 and thus protect, as already mentioned, the turn-off thyristors 7, 8, 9, 10 of the second and third switching groups 5, 6 and the controllable bidirectional power semiconductor switches 2, 3 of the first switching group 1 and the first switching groups 1.1
  • the discharge network 11 of the second switching group 5 is connected to the capacitor 4 of the second switching group 5 and the first turn-off thyristor 7 of the second switching group 5 and the discharge network 12 of the third switching group 6 with the capacitor 14 of the third switching group 6 and with the first turn-off thyristor eighth the third switching group 6 connected.
  • the respective relief network 11, 12 comprises a diode, a resistor, an inductance and a capacitor, wherein the abovementioned components of the relief network 11, 12 according to FIG. Fig. 2, Fig. 3 and Fig. 4 are interconnected.
  • the respective relief network 11 causes the current gradient di / dt when switching off the diodes of the turn-off thyristors 7, 8, 9, 10 is limited and thus advantageously the respective diode is protected from damage or even destruction. In addition, advantageous thermal losses can be reduced.
  • the resulting fault current then advantageously limited by the inductances of the discharge networks 11, 12 and the turn-off thyristors 7, 8, 9, 10 and the capacitors 4, 14 of the second and third switching group 5, 6 thus protected against damage or destruction.
  • the first and second power semiconductor switches 7, 9 of the second switching group 5 are connected to one another, wherein the connection point of the first and second power semiconductor switches 7, 9 of the second switching group 5 with the first controllable bidirectional power semiconductor switch 2 of the first switching group 1 is connected.
  • the first and second power semiconductor switches 8, 10 of the third switching group 6 according to Fig. 1, Fig. 2, Fig. 3 and Fig. 4 are interconnected, wherein the connection point of the first and second power semiconductor switch 8, 10 of the third switching group 6 with the second controllable bidirectional power semiconductor switch 3 of the first switching group 1 is connected.
  • the first protection device 15 is connected to the connection point of the first and second power semiconductor switches 7, 9 of the second switching group 5 to the first controllable bidirectional power semiconductor switch 2 of the first switching group 1 and the second protection device 16 connected to the connection point of the first and second power semiconductor switch 8, 10 of the third switching group 6 with the second controllable bidirectional linengurlei- terschalter 3 of the first switching group 1.
  • the first protective device 15 is preferably formed by a diode and the second protective device 16 is also formed by a diode.
  • the two first controllable bidirectional power semiconductor switches 2 are respectively adjacent first Switching groups 1, 1.1, ..., 1.n are integrated in a module and the two second controllable bidirectional power semiconductor switch 3 respectively adjacent first switching groups 1, 1.1 1.n are integrated in a module.
  • the above-mentioned modules are common standard half-bridge modules and therefore simple in construction, less susceptible to interference and also inexpensive. It is also conceivable that in the case of several existing first switching groups 1, 1.1, ..., Ln 1 as shown for example in Fig. 2 and Fig.
  • a switching group 1, 1.1 Ln is integrated in a module.
  • modules are usually standard half-bridge modules and accordingly simple in construction, less susceptible to interference and also inexpensive.
  • each of the first turn-off thyristor 7, 8 with antiparallel switched passive non-controllable electronic component with unidirectional current carrying direction of the respective switching group 5, 6 together with the second turn-off thyristor 9, 10 with antiparallel! switched passive non-controllable electronic component with unidirectional current-carrying direction of the same switching group 5, 6 is integrated in a module.
  • the above-mentioned modules of the turn-off thyristors 7, 8, 9, 10 are common standard half-bridge modules and accordingly simple in construction, little susceptible to interference and also inexpensive.
  • the second switching groups 5 of the phases R, S, T are preferably connected in parallel with each other and the third switching groups 6 of the phases R, S, T are connected in parallel.
  • the capacitors 4 of the second switching groups 5 of the phases R, S, T are preferably combined to form a capacitor.
  • the capacitors 14 of the third switching groups 6 of the phases R, S, T are preferably also combined to form a capacitor.
  • the relief networks 11 of the second switching groups 5 are combined to form a relief network and the relief networks 12 of the third switching groups 6 also combined to form a relief network.
  • the first turn-off thyristors 7 of the second switching groups 5 are at the connection point of the relief network 11 of the second switching group 5, which then has the one relief network 11, connected to the first turn-off thyristor 7 of this second switching group 5 with each other and the second turn-off thyristors 9 of the second Switching groups 5 at the connection point of the discharge network 11 of the second switching group 5, which, which then has a discharge network 11, connected to the second turn-off thyristor 9 of this second switching group 5 with each other.
  • Fig. 2 such a parallel connection of the second switching groups 5 is exemplified by the points A and B indicated.
  • the inventive converter circuit for switching a variety of switching voltage levels thus characterized by a low electrical energy stored during their operation and characterized by a space-saving design and thus uncomplicated, robust and less prone to failure solution.

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Abstract

Es wird eine Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus angegeben, bei der für jede Phase (R, S, T) eine erste Schaltgruppe (1) oder alternativ zusätzlich n weitere erste Schaltgruppen (1.1,..., l.n) vorgesehen sind, wobei n >= 1 ist. Zur Verringerung der gespeicherten Energie der Umrichterschaltung sowie zur Erhöhung der Unempfindlichkeit und Verringerung von Verlusten ist eine zweite Schaltgruppe (5) und eine dritte Schaltgruppe (6) vorgesehen, welche jeweils durch einen ersten Abschaltthyristor (7, 8) mit antiparallel geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung und einem zweiten Abschaltthyristor (9, 10) mit antiparallel geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung, durch einen Kondensator (4, 14) und durch ein Entlastungsnetzwerk (11, 12) gebildet ist, wobei die zweite Schaltgruppe (5) mit dem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) der ersten Schaltgruppe (1) verbunden ist und die dritte Schaltgruppe (6) mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) der ersten Schaltgruppe (1) verbunden ist. Fernen sind eine erste Schutzeinrichtung (15) und eine zweite Schutzeinrichtung (16) vorgesehen.

Description

Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspan- nungsniveaus
BESCHREIBUNG
Technisches Gebiet
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Leistungselektronik. Sie geht aus von einer Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus gemäss dem Oberbegriff der unabhängigen Ansprüche.
Stand der Technik
Umrichterschaitungen werden heute in einer Fülle von leistungselektronischen Anwendungen eingesetzt. Die Anforderungen an eine solche Umrichterschaltung sind dabei zum einen, möglichst wenig Oberschwingungen an Phasen eines an die Umrichterschaltung gängiger- weise angeschlossenen elektrischen Wechselspannungsnetzes zu erzeugen und zum anderen mit einer möglichst geringen Anzahl an elektronischen Bauelementen möglichst grosse Leistungen zu übertragen. Eine geeignete Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus ist in der DE 692 05 413 T2 angegeben. Darin ist eine erste Schaltgruppe und n weitere erste Schaltgruppen für jede Phase vorgesehen, wobei n > 1 ist und die erste Schaltgruppe durch einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter und einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter gebildet ist und die n weiteren ersten Schaltgruppen jeweils durch einen ersten ansteuerba- ren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter und einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter und durch einen mit dem ersten und zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter verbundenen Kondensator gebildet sind. Jede der ersten Schaltgruppen ist verkettet mit der jeweils benachbarten ersten Schaltgruppe verbunden, wobei der erste und der zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter der ersten weiteren ersten Schaltgruppe miteinander verbunden sind. Der erste und der zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter ist jeweils durch einen Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode (IGBT - Insulated Gate Bipolartransistor) und durch eine dem Bipolartransistor antiparallel geschaltete Diode gebildet.
Problematisch bei einer Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspan- nungsniveaus nach der DE 692 05 413 T2 ist, dass die in der Umrichterschaltung während des Betriebs gespeicherte elektrische Energie sehr hoch ist. Da die elektrische Energie in den Kondensatoren der n ersten Schaltgruppen der Umrichterschaltung gespeichert ist, müssen die Kondensatoren für diese elektrische Energie, d.h. bezüglich ihre Spannungsfestigkeit und/oder ihrer Kapazität, ausgelegt werden. Dies bedingt aber Kondensatoren mit grosser Baugrösse, die entsprechend teuer sind. Zudem benötigt die Umrichterschaltung aufgrund der bezüglich der Baugrösse grossen Kondensatoren viel Platz, so dass ein platzsparender Aufbau, wie er für viele Anwendungen, beispielsweise für Traktionsanwendungen, gefordert ist, nicht möglich ist. Weiterhin bewirkt der Einsatz der bezüglich der Baugrösse grossen Kondensatoren einen hohen Montage- und Wartungsaufwand. Darüberhinaus ist die Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus nach der DE 692 05 413 T2 aufgrund der ausschliesslichen Verwendung von Bipolartransistoren mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode als ansteuerbare Leistungshalbleiterschalter anfällig gegen hohe Spannungen, insbesondere gegen Überspannungen, und weist zudem erhebliche Wirkleistungsverluste auf. Darstellung der Erfindung
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, eine Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus anzugeben, die möglichst wenig elektrische Energie während ihres Betriebes speichert, platzsparend realisiert werden kann, weitestgehend unempfindlich gegen hohe Spannungen und Fehlerzustände ist und geringe Wirkleistungsverluste aufweist. Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 beziehungsweise des Anspruchs 2 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung angegeben.
Die erfindungsgemässe Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus umfasst eine für jede Phase vorgesehene erste Schaltgruppe, wobei die erste Schaltgruppe durch einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter und einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter gebildet ist und der erste und der zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter der ersten Schaltgruppe miteinander verbunden sind. Alternativ dazu umfasst die erfindungsgemässe Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus ebenfalls die für jede Phase vorgesehene erste Schaltgruppe und zusätzlich n weitere erste Schaltgruppen, wobei n > 1 ist und die erste Schaltgruppe dann durch einen ersten ansteuerbaren bidi- rektionalen Leistungshalbleiterschalter und einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter gebildet ist und die n weiteren ersten Schaltgruppen jeweils durch einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter und einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter und durch einen mit dem ersten und zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter verbundenen Kondensator gebildet sind. Jede der ersten Schaltgruppen ist verkettet mit der jeweils benachbarten ersten Schaltgruppe verbunden und der erste und der zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter der ersten weiteren ersten Schaltgruppe sind miteinander verbunden. Erfindungsgemäss ist eine zweite Schaltgruppe und eine dritte Schaltgruppen vorgesehen, welche jeweils durch einen ersten Abschaltthyristor mit antiparallel geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung und einen zweiten Abschaltthyristor mit antiparallel geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung, durch einen Kondensator und durch ein Entlastungsnetzwerk gebildet ist. Die zweite Schaltgruppe ist mit dem - A -
ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter der ersten Schaltgruppe verbunden und die dritte Schaltgruppe ist mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter der ersten Schaitgruppe verbunden. Zudem ist eine erste Schutzeinrichtung mit dem Verbindungspunkt des ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungs- halbleiterschalters mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter der ersten Schaltgruppe und mit dem Verbindungspunkt der zweiten Schaltgruppe mit dem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter der ersten Schaltgruppe verbunden. Darüber hinaus ist eine zweite Schutzeinrichtung mit dem Verbindungspunkt des ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalters mit dem zweiten ansteuer- baren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter der ersten Schaltgruppe und mit dem Verbindungspunkt der dritten Schaltgruppe mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter der ersten Schaltgruppe verbunden. Weiterhin ist der Kondensator der zweiten Schaltgruppe mit dem Kondensator der dritten Schaltgruppe verbunden, das Entlastungsnetzwerk der zweiten Schaltgruppe mit dem Entlastungsnetzwerk der dritten Schaltgruppe verbunden und der zweite Abschaltthyristor der zweiten Schaltgruppe mit dem zweiten Abschaltthyristor der dritten Schaltgruppe verbunden.
Durch die vorgesehene zweite Schaltgruppe und die dritte Schaltgruppe und deren vorstehend beschriebenen Verbindungen sind die zweite Schaltgruppe beispielsweise nur bei der positiven Halbschwingung bezüglich der Phasenausgangswechselspannung und die dritte Schaltgruppe nur bei der negativen Halbschwingung am Betrieb der erfindungsgemässen Umrichterschaltung beteiligt. Dadurch kann die in der Umrichterschaltung, insbesondere in den Kondensatoren der zweiten und dritten Schaltgruppe, gespeicherte elektrische Energie vorteilhaft reduziert werden. Weiterhin dienen die erste Schaltgruppe sowie die n weiteren ersten Schaltgruppen nur zur Balancierung der Phasenausgangswechselspannung, so dass bei mehreren vorhandenen ersten Schaltgruppen die Kondensatoren der n weiteren ersten Schaltgruppen im balancierten Zustand im wesentlichen keinen Strom führen und somit auch im wesentlichen keine elektrische Energie speichern. Somit kann die gespeicherte elektrische Energie der Umrichterschaltung insgesamt klein gehalten werden, wodurch die Kon- densatoren der Umrichterschaltung nur für eine kleine zu speichernde elektrische Energie, d.h. bezüglich ihrer Spannungsfestigkeit und/oder ihrer Kapazität, ausgelegt werden müssen. Aufgrund der geringen Baugrösse der Kondensatoren benötigt die Umrichterschaltung sehr wenig Platz, so dass vorteilhaft ein platzsparender Aufbau, wie er für viele Anwendungen, beispielsweise für Traktionsanwendungen, gefordert ist, möglich ist. Zudem kann durch die geringe Baugrösse der Kondensatoren auch der Montage- und Wartungsaufwand vorteilhaft gering gehalten werden. Darüber hinaus ist die erfindungsgemässe Umrichterschaltung durch die Verwendung der ersten und zweiten Abschaltthyristoren als ansteuerbare Leis- tungshalbleiterschalter in der zweiten und dritten Schaltgruppe mit Vorteil sehr robust ausgebildet und damit wenig anfällig gegen hohe Spannungen, insbesondere gegen Überspannungen. Ferner weist die erfindungsgemässe Umrichterschaltung durch die Verwendung der ersten und zweiten Abschaltthyristoren als ansteuerbare Leistungshalbleiterschalter in der zweiten und dritten Schaltgruppe vorteilhaft nur sehr geringe Wirkleistungsverluste auf. Die Verfügbarkeit der erfindungsgemässen Umrichterschaltung insgesamt lässt sich damit deutlich erhöhen. Desweiteren können die Bauelemente der ersten Schaltgruppe bzw. der ersten Schaltgruppen sowie die Bauelemente der zweiten und dritten Schaltgruppe mittels der ersten und zweiten Schutzeinrichtung vorteilhaft besonders effektiv gegen Fehlerzustände, insbesondere im Kurzschlussfall, gegen Überspannungen und Überströme geschützt werden.
Diese und weitere Aufgaben, Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung in Verbindung mit der Zeichnung offensichtlich.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Es zeigen:
Fig. 1 eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemässen Umrichterschaltung,
Fig. 2 eine zweite Ausführungsform einer erfindungsgemässen Umrichterschaltung,
Fig. 3 eine dritte Ausführungsform einer erfindungsgemässen Umrichterschaltung und
Fig. 4 eine vierte Ausführungsform einer erfindungsgemässen Umrichterschaltung. Die in der Zeichnung verwendeten Bezugszeichen und deren Bedeutung sind in der Bezugszeichenliste zusammengefasst aufgelistet. Grundsätzlich sind in den Figuren gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die beschriebenen Ausführungsformen stehen beispielhaft für den Erfindungsgegenstand und haben keine beschränkende Wirkung.
Wege zur Ausführung der Erfindung
In Fig. 1 ist eine, insbesondere einphasige, erste Ausführungsform einer erfindungsgemäs- sen Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus, insbesondere zur Schaltung von drei Schaltspannungsniveaus, gezeigt. Darin umfasst die Umrichterschaltung eine für jede Phase R, S, T vorgesehene erste Schaltgruppe 1 , wobei die erste Schaltgruppe 1 durch einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 2 und einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 3 ge- bildet ist und der erste und der zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter 2, 3 der ersten Schaltgruppe 1 miteinander verbunden sind. Der Verbindungspunkt des ersten und des zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalters 2, 3 der ersten Schaltgruppe 1 bildet gemäss Fig. 1 einen Phasenanschluss, insbesondere für die Phase R.
Weiterhin ist in Fig. 2 eine, insbesondere einphasige, zweite Ausführungsform einer erfin- dungsgemässen Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus dargestellt. Darin umfasst die Umrichterschaltung ebenfalls eine für jede Phase R, S, T vorgesehene erste Schaltgruppe 1 und als Alternative zu Fig. 1 zusätzlich n weitere erste Schaltgruppen 1.1 ,..., 1.n, wobei n > 1 ist und die erste Schaltgruppe 1 durch den ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 2 und den zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 3 gebildet ist und die n weiteren ersten Schaltgruppen 1.1,..., 1.n jeweils durch einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 2 und einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 3 und durch einen mit dem ersten und zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 2, 3 verbundenen Kondensator 13 gebildet sind. Da es sich gemäss Fig. 2 bei jeder der ersten Schaltgruppen 1, 1.1,..., 1.n um einen Vierpol handelt, ist jede der ersten Schaltgruppen 1, 1.1 ,..., 1.n verkettet mit der jeweils benachbarten ersten Schaltgruppe 1 , 1.1,..., 1.n verbunden, wobei zudem der erste und der zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter 2, 3 der ersten weiteren ersten Schaltgruppe 1.1 miteinander verbunden sind. Der Verbindungspunkt des ersten und des zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalters 2, 3 der ersten weiteren ersten Schaltgruppe 1.1 bildet gemäss Fig. 2 einen Phasenanschluss, insbesondere für die Phase R. Vorzugsweise ist der jeweilige erste und zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter 2, 3 gemäss Fig. 1 und Fig. 2 durch ein ansteuerbares Leistungshalbleiterbauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung, beispielsweise durch einen Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Ansteuerelektrode (IGBT - Insulated Gate Bipolartransistor), und durch ein dazu antiparallel ge- schaltetes passives nicht ansteuerbares Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung, beispielsweise durch eine Diode, gebildet.
Nach Fig. 1 und Fig. 2 ist nun erfindungsgemäss eine zweite Schaltgruppe 5 und eine dritte Schaltgruppe 6 vorgesehen, welche jeweils durch einen ersten Abschaltthyristor 7, 8 mit an- tiparallel geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung und einen zweiten Abschaltthyristor 9, 10 mit antiparallel geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung, durch einen Kondensator 4, 14 und durch ein Entlastungsnetzwerk 11 , 12 gebildet ist. Das jeweilige passive nicht ansteuerbare elektronische Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung ist gemäss Fig. 1 und Fig. 2 beispielsweise eine Diode. Gemäss Fig. 1 und Fig. 2 ist die zweite Schaltgruppe 5 mit dem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 2 der ersten Schaltgruppe 1 verbunden und die dritte Schaltgruppe 6 mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 3 der ersten Schaltgruppe 1 verbunden. Gemäss Fig. 1 und Fig. 2 ist eine erste Schutzeinrichtung 15 mit dem Verbindungspunkt des ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalters 2 mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 3 der ersten Schaltgruppe 1 und mit dem Verbindungspunkt der zweiten Schaltgruppe 5 mit dem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 2 der ersten Schaltgruppe 1 verbunden, wobei zudem gemäss Fig. 1 und Fig. 2 eine zweite Schutz- einrichtung 16 mit dem Verbindungspunkt des ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalters 2 mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 3 der ersten Schaltgruppe 1 und mit dem Verbindungspunkt der dritten Schaltgruppe 6 mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 3 der erslen Schaltgruppe 1 verbunden ist. Desweiteren ist der Kondensator 4 der zweiten Schaltgruppe 5 nach Fig. 1 und Fig. 2 mit dem Kondensator 14 der dritten Schaltgruppe 6 verbunden. Zudem ist das Entlastungsnetzwerk 11 der zweiten Schaltgruppe 5 mit dem Entlastungsnetzwerk 12 der dritten Schaltgruppe 6 verbunden und der zweite Abschaltthyristor 9 der zweiten Schaltgruppe 5 mit dem zweiten Abschaltthyristor 10 der dritten Schaltgruppe 6 verbunden. Bei der erfindungsgemässen Umrichterschaltung handelt es sich bezüglich der Leistungshalbleiterschalter 2, 3, 7, 8, 9, 10 somit um eine „Misch-Schaltung", da die Umrichterschaltung insbesondere Bipolartransistoren mit jeweils isoliert angeordneter Ansteuerelektrode 2, 3 und Abschaltthyristoren 7, 8, 9, 10 aufweist.
Mittels der vorgesehenen zweiten Schaltgruppe 5 und dritten Schaltgruppe 6 und deren vorstehend beschriebenen Verbindungen sind die zweite Schaltgruppe 5 beispielsweise nur bei der positiven Halbschwingung bezüglich der Phasenausgangswechselspannung und die dritte Schaltgruppe nur bei der negativen Halbschwingung am Betrieb der erfindungsgemässen Umrichterschaltung beteiligt. Somit kann die in der Umrichterschaltung, insbesondere in den Kondensatoren 4, 14 der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6, gespeicherte elektrische E- nergie vorteilhaft reduziert werden. Weiterhin dienen die erste Schaltgruppe 1 sowie die n weiteren ersten Schaltgruppen 1.1 ,..., 1.n lediglich zur Balancierung der Phasenausgangswechselspannung, so dass bei mehreren vorhandenen ersten Schaltgruppen 1 , 1.1 1.n die Kondensatoren der n weiteren ersten Schaltgruppen 1.1 ,..., 1.n im balancierten Zustand im wesentlichen keinen Strom führen und somit auch im wesentlichen keine elektrische E- nergie speichern. Somit kann die gespeicherte elektrische Energie der Umrichterschaltung insgesamt klein gehalten werden, wodurch die Kondensatoren 4, 13, 14 der Umrichterschaltung nur für eine kleine zu speichernde elektrische Energie, d.h. bezüglich ihrer Spannungs- festigkeit und/oder ihrer Kapazität, ausgelegt werden müssen. Aufgrund der geringen Bau- grösse der Kondensatoren 4, 13, 14 benötigt die Umrichterschaltung sehr wenig Platz, so dass vorteilhaft ein platzsparender Aufbau, wie er für viele Anwendungen, beispielsweise für Traktionsanwendungen, gefordert ist, möglich ist. Femer kann durch die geringe Baugrösse der Kondensatoren 4, 13, 14 auch der Montage- und Wartungsaufwand mit Vorteil gering gehalten werden. Darüber hinaus ist die erfindungsgemässe Umrichterschaltung durch die Verwendung der ersten und zweiten Abschaltthyristoren 7, 8, 9, 10 als ansteuerbare Leistungshalbleiterschalter in der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6 vorteilhaft sehr robust ausgebildet und damit wenig anfällig gegen hohe Spannungen, insbesondere gegen Über- spannungen. Ferner weist die erfindungsgemässe Umrichterschaltung durch die Verwendung der ersten und zweiten Abschaltthyristoren 7, 8, 9, 10 als ansteuerbare Leistungshalbleiterschalter in der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6 vorteilhaft nur sehr geringe Wirkleistungsverluste auf. Die Verfügbarkeit der erfindungsgemässen Umrichterschaltung insge- samt lässt sich damit deutlich erhöhen. Insbesondere bei tiefer Schaltfrequenz der ersten und zweiten Abschaltthyristoren sind die Wirkleistungsverluste besonders gering. Vorzugsweise werden die ersten und zweiten Abschaltthyristoren 7, 8, 9, 10 deshalb derart betrieben, dass diese bei einer Schaitfrequenz schalten, welche im wesentlichen der Grundschwingungsfrequenz der Phasenausgangswechselspannung entspricht. Daraus resultiert, dass der erste Abschaltthyristor 7 der zweiten Schaltgruppe 5 und der zweite Abschaltthyristor 10 der dritten Schaltgruppe 6 beispielsweise für die Zeitdauer der positiven Halbschwingung der Grundschwingung der Phasenausgangswechselspannung schalten und der zweite Abschaltthyristor 9 der zweiten Schaltgruppe 5 und der erste Abschaltthyristor 8 der dritten Schaltgruppe 6 dann für die Zeitdauer der negativen Halbschwingung der Grundschwingung der Phasenausgangswechselspannung schalten. Während die ersten und zweiten Abschaltthyristoren 7, 8, 9, 10 wie vorstehend detailliert erläutert betrieben werden, schalten der erste und zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter 2, 3 der ersten Schaltgruppe 1 gemäss Fig. 1 beziehungsweise die erste und zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter 2, 3 der ersten Schaltgruppen 1, 1.1,..., 1.n bei einer we- sentlich höheren Schaltfrequenz, um vorteilhaft weniger Oberschwingungen am Phasenausgang zu erzeugen, wobei zur Bestimmung der eigentlichen Schaltzeitpunkte vorzugsweise ein Pulsweitenmodulationsverfahren angewendet wird. Desweiteren können die Bauelemente der ersten Schaltgruppe 1 bzw. der ersten Schaltgruppen 1.1 ,..., 1.n sowie die Bauelemente der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6 mittels der ersten und zweiten Schutzeinrichtung 15, 16 vorteilhaft besonders effektiv gegen Fehlerzustände, insbesondere im Kurzschlussfall, gegen Überspannungen und Überströme geschützt werden.
Es hat sich als besonders vorteilhaft erwiesen, dass der erste und zweite Abschaltthyristor 7, 8, 9, 10 jeweils ein integrierter über die Ansteuereiektrode kommutierter Thyristor (IGCT - Integrated Gate-Commutated Thyristor) oder ein Gate Tum-Off Thyristor (GTO) ist, da diese Bauelemente besonders geringe Wirkleistungsverluste bei gleichzeitig hoher Robustheit, vor allem bei. hohen Spannungen und insbesondere bei Überspannungen, aufweisen. In Fig. 3 ist eine, insbesondere einphasige, dritte Ausführungsform einer erfindungsgemäs- sen Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus dargestellt. Weiterhin ist in Fig. 4 eine, insbesondere einphasige, vierte Ausführungsform einer er- findungsgemässen Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsni- veaus gezeigt. Die dritte Ausführungsform nach Fig. 3 und die vierte Ausführungsform nach Fig. 4 weist eine dritte Schutzeinrichtung 17 und eine vierte Schutzeinrichtung 18 auf, auf welche noch detailliert eingegangen wird.
Bei einem auftretenden Kurzschluss der Umrichterschaltung werden vorzugsweise sämtliche Abschaltthyristoren 7, 8, 9, 10 der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6-durchgeschaltet (fire through) und ein Kurzschlussstrom zirkuliert typischerweise in einer Phasenanschlussunter- brechungseinrichtung, welche der Unterbrechung des jeweiligen Phasenanschlusses der Umrichterschaltung beispielsweise von einem elektrischen Netz dient, jedoch der Übersichtlichkeit in Fig. 1 , Fig. 2, Fig. 3 und Fig. 4 nicht dargestellt ist. Ein derartiger Durchschalt.be- trieb wird dazu eingesetzt, die Phasenanschlussunterbrechungseinrichtung zu veranlassen, ihre Kontakte zu öffnen, wodurch die Umrichterschaltung abgetrennt wird. Gemäss Fig. 1 , Fig. 2, Fig. 3 und Fig. 4 sind der Verbindungspunkt des Kondensators 4 der zweiten Schaltgruppe 5 mit dem Kondensator 14 der dritten Schaltgruppe 6 und der Verbindungspunkt des Entlastungsnetzwerkes 11 der zweiten Schaltgruppe 5 mit dem Entlastungsnetzwerk 12 der dritten Schaltgruppe 6 und der Verbindungspunkt des zweiten Abschaltthyristors 9 der zweiten Schaltgruppe 5 mit dem zweiten Abschaltthyristor 10 der dritten Schaltgruppe 6 miteinander verbunden. Gemäss Fig. 3 und Fig. 4 ist die bereits erwähnte dritte Schutzeinrichtung 17 zwischen dem Verbindungspunkt des zweiten Abschaltthyristors 9 der zweiten Schaltgruppe 5 mit dem zweiten Abschaltthyristor 10 der dritten Schaltgruppe 6 und dem zweiten Abschaltthyristors 9 der zweiten Schaltgruppe 5 eingeschaltet, wobei die bereits genannte vierte Schutzeinrichtung 18 zwischen dem Verbindungspunkt des zweiten Abschaltthyristors 9 der zweiten Schaltgruppe 5 mit dem zweiten Abschaltthyristor 10 der dritten Schaltgruppe 6 und dem zweiten Abschaltthyristors 10 der dritten Schaltgruppe 6 eingeschaltet ist. Obwohl die in der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6 angeordneten Abschaltthyristoren 7, 8, 9, 10 größere Stossströme handhaben können, dient die dritte und vierte Schutzeinrichtung 17, 18 der Entladung der Gleichspannungsseite, d.h. der Kondensatoren 4, 14 der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6, während des vorstehend genannten Durchschaltbetriebs der Abschaltthyristoren 7, 8, 9, 10 der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6, wodurch die Ab- schaltthyristoren 7, 8, 9, 10 der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6, aber auch die ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 2, 3 der ersten Schaltgruppe 1 bzw. der ersten Schaltgruppen 1.1 ,..., 1.n gegen Überspannungen und Überströme geschützt werden können. Vorzugsweise ist die dritte Schutzeinrichtung 17 durch einen ansteuerbaren bidirek- tionaien Leistungshalbleiterschalter und durch einen Widerstand gebildet und die vierte Schutzeinrichtung 18 durch einen ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter und durch einen Widerstand gebildet. In einem normalen Betriebszustand sind ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter der dritten und vierten Schutzeinrichtung 17, 18 dauerhaft eingeschaltet, während sie bei dem Durchschaltbetrieb der Abschaltthyristoren 7, 8, 9, 10 der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6, der in der Umrichterschaltung in einem Fehlerfall eingesetzt wird, abgeschaltet werden. Die dritten und vierten Schutzeinrichtung 17, 18 begrenzen somit mit Vorteil den Entladungsstrom der Kondensatoren 4, 14 der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6 sowie den Entladungsstrom der Kondensatoren 13 der n weiteren ersten Schaltgruppen 1.1 1.n gemäss der vierten Ausführungsform der Umrichter- Schaltung nach Fig. 4 und schützen damit, wie bereits erwähnt, die Abschaltthyristoren 7, 8, 9, 10 der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6 und die ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 2, 3 der ersten Schaltgruppe 1 bzw. der ersten Schaltgruppen 1.1
1.n gegen Überspannungen und Überströme.
Weiterhin ist das Entlastungsnetzwerk 11 der zweiten Schaltgruppe 5 mit dem Kondensator 4 der zweiten Schaltgruppe 5 und mit dem ersten Abschaltthyristor 7 der zweiten Schaltgruppe 5 verbunden und das Entlastungsnetzwerk 12 der dritten Schaltgruppe 6 mit dem Kondensator 14 der dritten Schaltgruppe 6 und mit dem ersten Abschaltthyristor 8 der dritten Schaltgruppe 6 verbunden.
Das jeweilige Entlastungsnetzwerk 11 , 12 umfasst gemäss Fig. 1 , Fig. 2, Fig. 3 und Fig. 4 eine Diode, einen Widerstand, eine Induktivität und eine Kapazität, wobei die vorstehend genannten Komponenten des Entlastungsnetzwerkes 11 , 12 gemäss Fig. 1 , Fig. 2, Fig. 3 und Fig. 4 miteinander verschaltet sind. Das jeweilige Entlastungsnetzwerk 11 bewirkt, dass der Stromgradient di/dt beim Abschalten der Dioden der Abschaltthyristoren 7, 8, 9, 10 begrenzt wird und somit vorteilhaft die jeweilige Diode vor einer Beschädigung oder gar Zerstörung geschützt wird. Darüber hinaus können vorteilhaft thermische Verluste reduziert werden. Ferner wird im Falle eines Fehler in der Umrichterschaltung, beispielsweise bei einem Kurz- schluss in einer der zweiten oder dritten Schaltgruppe 5, 6 der dann resultierende Fehlerstrom durch die Induktivitäten der Entlastungsnetzwerke 11 , 12 vorteilhaft begrenzt und die Abschaltthyristoren 7, 8, 9, 10 und die Kondensatoren 4, 14 der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6 somit vor Beschädigung oder Zerstörung geschützt.
Gemäss Fig. 1 , Fig. 2, Fig. 3 und Fig. 4 sind der erste und zweite Leistungshalbleiterschalter 7, 9 der zweiten Schaltgruppe 5 miteinander verbunden sind, wobei der Verbindungspunkt des ersten und zweiten Leistungshalbleiterschalters 7, 9 der zweiten Schaltgruppe 5 mit dem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 2 der ersten Schaltgruppe 1 verbunden ist. Darüber hinaus sind der erste und zweite Leistungshalbleiterschalter 8, 10 der dritten Schaltgruppe 6 nach Fig. 1 , Fig. 2, Fig. 3 und Fig. 4 miteinander verbunden, wobei der Verbindungspunkt des ersten und zweiten Leistungshalbleiterschalters 8, 10 der dritten Schaltgruppe 6 mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 3 der ersten Schaltgruppe 1 verbunden ist. Nach Fig. 1 , Fig. 2, Fig. 3 und Fig. 4 ist die erste Schutzeinrichtung 15 mit dem Verbindungspunkt des ersten und zweiten Leistungshalbleiterschalters 7, 9 der zweiten Schaltgruppe 5 mit dem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 2 der ersten Schaltgruppe 1 verbunden und die zweite Schutzeinrichtung 16 mit dem Verbindungspunkt des ersten und zweiten Leistungshalbleiterschalters 8, 10 der dritten Schaltgruppe 6 mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalblei- terschalter 3 der ersten Schaltgruppe 1 verbunden. Die erste Schutzeinrichtung 15 ist dabei vorzugsweise durch eine Diode gebildet und die zweite Schutzeinrichtung 16 ebenfalls durch eine Diode gebildet.
Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, dass im Falle mehrerer vorhandener erster Schaltgrup- pen 1 , 1.1 ,..., 1.n, wie beispielsweise in Fig. 2 und Fig. 4 gezeigt, die zwei ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 2 jeweils benachbarter erster Schaltgruppen 1 , 1.1 ,..., 1.n in einem Modul integriert sind und die zwei zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter 3 jeweils benachbarter erster Schaltgruppen 1, 1.1 1.n in einem Modul integriert sind. Die vorstehend genannten Module sind gängigerweise Standard- Halbbrücken-Module und dementsprechend einfach aufgebaut, wenig störanfällig und zudem kostengünstig. Es ist auch denkbar, dass im Falle mehrerer vorhandener erster Schaltgruppen 1 , 1.1 ,..., Ln1 wie beispielsweise in Fig. 2 und Fig. 4 gezeigt, bei den ersten Schaltgruppen 1 , 1.1 ,..., Ln jeweils der erste ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter 2 und der zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter 3 einer Schaltgruppe 1 , 1.1 Ln in einem Modul integriert ist. Wie bereits erwähnt sind solche Module üblicherweise Standard- Halbbrücken-Module und dementsprechend einfach aufgebaut, wenig störanfällig und zudem kostengünstig.
Ferner ist es vorteilhaft, dass bei der zweiten und dritten Schaltgruppe 5, 6 jeweils der erste Abschaltthyristor 7, 8 mit antiparallel geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung der jeweiligen Schaltgruppe 5, 6 zusammen mit dem zweiten Abschaltthyristor 9, 10 mit antiparalle! geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung der derselben Schaltgruppe 5, 6 in einem Modul integriert ist. Die vorstehend genannten Mo- dule der Abschaltthyristoren 7, 8, 9, 10 sind gängigerweise Standard-Halbbrücken-Module und dementsprechend einfach aufgebaut, wenig störanfällig und zudem kostengünstig.
Bei einer mehrphasig zu realisierenden erfindungsgemässen Umrichterschaltung sind die zweiten Schaltgruppen 5 der Phasen R, S, T vorzugsweise parallel miteinander verbunden und die dritten Schaltgruppen 6 der Phasen R, S, T parallel miteinander verbunden.
Um vorteilhaft bei einer mehrphasig realisierten Umrichterschaltung Platz einsparen zu können sind die Kondensatoren 4 der zweiten Schaltgruppen 5 der Phasen R, S, T vorzugsweise zu einem Kondensator zusammengefasst. Zudem sind die Kondensatoren 14 der dritten Schaltgruppen 6 der Phasen R, S, T vorzugsweise ebenfalls zu einem Kondensator zusam- mengefasst. Weiterhin sind dann die Entlastungsnetzwerke 11 der zweiten Schaltgruppen 5 zu einem Entlastungsnetzwerk zusammengefasst und die Entlastungsnetzwerke 12 der dritten Schaltgruppen 6 ebenfalls zu einem Entlastungsnetzwerk zusammengefasst.
Für die parallelen Verbindungen der zweiten Schaltgruppen 5 der Phasen R, S, T gemäss Fig. 1 und Fig. 2 sind die ersten Abschaltthyristoren 7 der zweiten Schaltgruppen 5 am Verbindungspunkt des Entlastungsnetzwerks 11 der zweiten Schaltgruppe 5, welche das eine Entlastungsnetzwerk 11 dann aufweist, mit dem ersten Abschaltthyristor 7 dieser zweiten Schaltgruppe 5 miteinander verbunden und die zweiten Abschaltthyristoren 9 der zweiten Schaltgruppen 5 am Verbindungspunkt des Entlastungsnetzwerks 11 der zweiten Schaltgruppe 5, welche, das eine Entlastungsnetzwerk 11 dann aufweist, mit dem zweiten Abschaltthyristor 9 dieser zweiten Schaltgruppe 5 miteinander verbunden. In Fig. 2 ist eine solche parallele Verbindung der zweiten Schaltgruppen 5 beispielhaft durch die Punkte A und B angedeutet. Weiterhin sind gemäss Fig. 2 für die parallelen Verbindungen der dritten Schaltgruppen 6 der Phasen R, S, T die ersten Abschaltthyristoren 8 der dritten Schaltgruppen 8 am Verbindungspunkt des Entlastungsnetzwerks 12 der dritten Schaltgruppe 6, welche das eine Entlastungsnetzwerk 12 dann aufweist, mit dem ersten Abschaltthyristor 8 dieser dritten Schaltgruppe 6 miteinander verbunden und die zweiten Abschaltthyristoren 10 der dritten Schaltgruppen 6 am Verbindungspunkt des Entlastungsnetzwerks 12 der dritten Schaltgruppe 6, welche das eine Entlastungsnetzwerk 12 dann aufweist, mit dem zweiten Abschaltthyristor 10 dieser dritten Schaltgruppe 6 miteinander verbunden. In Fig. 2 ist eine solche parallele Verbindung der dritten Schaltgruppen 6 beispielhaft durch die Punkte C und B angedeutet.
Für die parallelen Verbindungen der zweiten Schaltgruppen 5 der Phasen R, S, T bezüglich der Ausführungsform nach Fig. 3 und Fig. 4 sind die ersten Abschaltthyristoren 7 der zweiten Schaltgruppen 5 am Verbindungspunkt des Entlastungsnetzwerks 11 der zweiten Schaltgruppe 5, welche das eine Entlastungsnetzwerk 11 dann aufweist, mit dem ersten Ab- schaltthyristor 7 dieser zweiten Schaltgruppe 5 miteinander verbunden und die zweiten Abschaltthyristoren 9 der zweiten Schaltgruppen 5 am Verbindungspunkt der dritten Schutzeinrichtung 17 der zweiten Schaltgruppe 5, welche die dritte Schutzeinrichtung 17 dann aufweist, mit dem zweiten Abschaltthyristor 9 dieser zweiten Schaltgruppe 5 miteinander verbunden. In Fig. 4 ist eine solche parallele Verbindung der zweiten Schaltgruppen 5 beispiel- haft durch die Punkte A und B1 angedeutet. Weiterhin sind gemäss Fig. 4 für die parallelen Verbindungen der dritten Schaltgruppen 6 der Phasen R, S, T die ersten Abschaltthyristoren 8 der dritten Schaltgruppen 8 am Verbindungspunkt des Entlastungsnetzwerks 12 der dritten Schaltgruppe 6, welche das eine Entlastungsnetzwerk 12 dann aufweist, mit dem ersten Abschaltthyristor 8 dieser dritten Schaltgruppe 6 miteinander verbunden und die zweiten Ab- schaltthyristoren 10 der dritten Schaltgruppen 6 am Verbindungspunkt der vierten Schutzeinrichtung 18 der dritten Schaltgruppe 6, welche die vierte Schutzeinrichtung 18 dann aufweist, mit dem zweiten Abschaltthyristor 10 dieser dritten Schaltgruppe 6 miteinander verbunden. In Fig. 4 ist eine solche parallele Verbindung der dritten Schaltgruppen 6 beispielhaft durch die Punkte C und B2 angedeutet.
Insgesamt stellt die erfindungsgemässe Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus somit eine durch eine geringe gespeicherte elektrische Energie während ihres Betriebes und durch einen platzsparenden Aufbau gekennzeichnete und damit unkomplizierte, robuste und wenig störungsanfällige Lösung dar.
Bezugszeichenliste
1 erste Schaltgruppe 1.1 , ..., 1.n weitere erste Schaltgruppen
2 erster ansteuerbarer bidirektionaler Leistungshalbleiterschalter
3 zweiter ansteuerbarer bidirektionaler Leistungshalbleiterschalter
4 Kondensator der zweiten Schaltgruppe
5 zweite Schaltgruppe 6 dritte Schaltgruppe
7 erster Abschaltthyristor der zweiten Schaltgruppe
8 erster Abschaltthyristor der dritten Schaltgruppe
9 zweiter Abschaltthyristor der zweiten Schaltgruppe
10 zweiter Abschaltthyristor der dritten Schaltgruppe 11 Entlastungsnetzwerk der zweiten Schaltgruppe
12 Entlastungsnetzwerk der dritten Schaltgruppe
13 Kondensator einer weiteren ersten Schaltgruppe
14 Kondensator der dritten Schaltgruppe
15 erste Schutzeinrichtung 16 zweite Schutzeinrichtung
17 dritte Schutzeinrichtung
18 vierte Schutzeinrichtung

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltsbannungsniveaus, mit einer für jede Phase (R, S, T) vorgesehenen ersten Schaltgruppe (1), wobei die erste Schaltgruppe (1) durch einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) und einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) gebildet ist und der erste und der zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter (2, 3) der ersten Schaltgruppe (1) miteinander verbunden sind, dadurch ge- kennzeichnet, dass eine zweite Schaltgruppe (5) und eine dritte Schaltgruppe (6) vorgesehen ist, welche jeweils durch einen ersten Abschaltthyristor (7, 8) mit antiparallel geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung und einen zweiten Abschaltthyristor (9, 10) mit antiparallel geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung, durch einen Kondensator (4, 14) und durch ein Entlastungsnetzwerk (11 , 12) gebildet ist und die zweite Schaltgruppe (5) mit dem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) der ersten Schaltgruppe (1) verbunden ist und die dritte Schaltgruppe (6) mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalblei- . terschalter (3) der ersten Schaltgruppe (1) verbunden ist, dass eine erste Schutzeinrichtung (15) mit dem Verbindungspunkt des ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalters (2) mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) der ersten Schaltgruppe (1 ) und mit dem Verbindungspunkt der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem ersten ansteuerbaren bidirekti- onalen Leistungshalbleiterschalter (2) der ersten Schaltgruppe (1 ) verbunden ist, dass eine zweite Schutzeinrichtung (16) mit dem Verbindungspunkt des ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalters (2) mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) der ersten Schaltgruppe (1 ) und mit dem Verbindungspunkt der dritten Schaltgruppe (6) mit dem zweiten ansteuerbaren bidirekti- onalen Leistungshalbleiterschalter (3) der ersten Schaltgruppe (1) verbunden ist, dass der Kondensator (4) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem Kondensator (14) der dritten Schaltgruppe (6) verbunden ist, dass das Entlastungsnetzwerk (11 ) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem Entlastungsnetzwerk (12) der dritten Schaltgruppe (6) verbunden ist, und dass der zweite Abschaltthyristor (9) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem zweiten Abschaltthyristor (10) der dritten Schaltgruppe (6) verbunden ist.
2. Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus, mit einer für jede Phase (R, S, T) vorgesehenen ersten Schaltgruppe (1 ) und n weiteren ersten
Schaltgruppen (1.1 1.n), wobei n > 1 ist und die erste Schaltgruppe (1) durch einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) und einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) gebildet ist und die n weiteren ersten Schaltgruppen (1.1 ,..., 1.n) jeweils durch einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) und einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) und durch einen mit dem ersten und zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2, 3) verbundenen Kondensator (13) ge- bildet sind, wobei jede der ersten Schaltgruppen (1 , 1.1 ,..., 1.n) verkettet mit der jeweils benachbarten ersten Schaltgruppe (1 , 1.1 ,..., 1.n) verbunden ist und der erste und der zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter (2, 3) der ersten weiteren ersten Schaltgruppe (1.1) miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Schaltgruppe (5) und eine dritte Schaltgruppe (6) vorgesehen ist, welche jeweils durch einen ersten Abschaltthyristor (7, 8) mit antiparallel geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung und einen zweiten Abschaltthyristor (9, 10) mit antiparallel geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromfüh- rungsrichtung, durch einen Kondensator (4, 14) und durch ein Entlastungsnetzwerk (11 ,
12) gebildet ist und die zweite Schaltgruppe (5) mit dem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) der ersten Schaltgruppe (1) verbunden ist und die dritte Schaltgruppe (6) mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) der ersten Schaltgruppe (1) verbunden ist, dass eine erste Schutzeinrichtung (15) mit dem Verbindungspunkt des ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalters (2) mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) der ersten Schaltgruppe (1) und mit dem Verbindungspunkt der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) der ersten Schaltgruppe (1 ) verbunden ist, dass eine zweite Schutzeinrichtung (16) mit dem Verbindungspunkt des ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalters (2) mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshaibleiterschalter (3) der ersten Schaltgruppe (1) und mit dem
Verbindungspunkt der dritten Schaltgruppe (6) mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshaibleiterschalter (3) der ersten Schaltgruppe (1) verbunden ist, dass der Kondensator (4) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem Kondensator (14) der dritten Schaltgruppe (6) verbunden ist, dass das Entlastungsnetzwerk (11) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem Entlastungsnetzwerk (12) der dritten Schaltgruppe (6) verbunden ist, und dass der zweite Abschaltthyristor (9) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem zweiten Abschaltthyristor (10) der dritten Schaltgruppe (6) verbunden ist.
3. Umrichterschaltung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und zweite Abschaltthyristor (7, 8, 9, 10) jeweils ein integrierter über die Ansteuerelektrode kommutierter Thyristor oder ein Gate Turn-Off Thyristor ist.
4. Umrichterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Verbindungspunkt des Kondensators (4) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem Kondensator (14) der dritten Schaltgruppe (6) und der Verbindungspunkt des Entlastungsnetzwerkes (11) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem Entlastungsnetzwerk (12) der dritten Schaltgruppe (6) und der Verbindungspunkt des zweiten Abschaltthyristors (9) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem zweiten Abschaltthyristor (10) der dritten Schaltgruppe (6) miteinander verbunden sind.
5. Umrichterschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine dritte Schutzeinrichtung (17) zwischen dem Verbindungspunkt des zweiten Abschaltthyristors (9) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem zweiten Abschaltthyristor (10) der dritten Schaltgruppe (6) und dem zweiten Abschaltthyristors (9) der zweiten Schaltgruppe (5) eingeschaltet ist, und dass eine vierte Schutzeinrichtung (18) zwischen dem Verbindungspunkt des zweiten Abschaltthyristors (9) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem zweiten Abschaltthyristor (10) der dritten Schaltgruppe (6) und dem zweiten Abschaltthyristors (10) der dritten Schaltgruppe (6) eingeschaltet ist.
6. Umrichterschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die dritte Schutz- einrichtung (17) durch einen ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter und durch einen Widerstand gebildet ist, und dass die vierte Schutzeinrichtung (18) durch einen ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter und durch einen Widerstand gebildet ist.
7. Umrichterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Entlastungsnetzwerk (11 ) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem Kondensator (4) der zweiten Schaltgruppe (5) und mit dem ersten Abschaltthyristor (7) der zweiten Schaltgruppe (5) verbunden ist, und dass das Entlastungsnetzwerk (12) der dritten Schaltgruppe (6) mit dem Kondensator (14) der dritten Schaltgruppe (6) und mit dem ersten Abschaltthyristor (8) der dritten
Schaltgruppe (6) verbunden ist.
8. Umrichterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und zweite Leistungshalbleiterschalter (7, 9) der zweiten Schaltgruppe (5) mit- einander verbunden sind, wobei der Verbindungspunkt des ersten und zweiten Leistungshalbleiterschalters (7, 9) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) der ersten Schaltgruppe (1 ) verbunden ist, und dass der erste und zweite Leistungshalbleiterschalter (8, 10) der dritten Schaltgruppe (6) miteinander verbunden sind, wobei der Verbindungspunkt des ersten und zweiten Leis- tungshalbleiterschaiters (8, 10) der dritten Schaltgruppe (6) mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) der ersten Schaftgruppe (1 ) verbunden ist.
9. Umrichterschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schutzeinrichtung (15) mit dem Verbindungspunkt des ersten und zweiten Leistungshalbleiterschalters (7, 9) der zweiten Schaltgruppe (5) mit dem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) der ersten Schaltgruppe (1) verbunden ist, und dass die zweite Schutzeinrichtung (16) mit dem Verbindungspunkt des ersten und zweiten Leistungshalbleiterschalters (8, 10) der dritten Schaltgruppe (6) mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) der ersten Schaltgruppe (1) verbunden ist.
10. Umrichterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schutzeinrichtung (15) durch eine Diode gebildet ist, und dass die zweite Schutzeinrichtung (16) durch eine Diode gebildet ist.
11. Umrichterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass bei den ersten Schaltgruppen (1 , 1.1 ,..., 1.n) die zwei ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) jeweils benachbarter erster Schaltgruppen (1, 1.1,..., 1.n) in einem Modul integriert sind und die zwei zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) jeweils benachbarter erster Schaltgruppen (1, 1.1 ,..., 1.n) in einem Modul integriert sind.
12. Umrichterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass bei den ersten Schaitgruppen (1, 1.1 ,..., 1.n) jeweils der erste ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter (2) und der zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungs- halbleiterschalter (3) in einem Modul integriert ist.
13. Umrichterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass bei der zweiten und dritten Schaltgruppe (5, 6) jeweils der erste Abschaltthyristor (7, 8) mit antiparallel geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung zusammen mit dem zweiten Abschaltthyristor
(9, 10) mit antiparallel geschaltetem passiven nicht ansteuerbaren elektronischen Bauelement mit unidirektionaler Stromführungsrichtung in einem Modul integriert ist.
14. Umrichterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass bei mehreren Phasen (R, S, T) die zweiten Schaltgruppen (5) der Phasen (R, S, T) parallel miteinander verbunden sind und die dritten Schaltgruppen (6) der Phasen (R, S, T) parallel miteinander verbunden sind.
15. Umrichterschaltung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Kondensatoren (4) der zweiten Schaltgruppen (5) der Phasen (R, S, T) zu einem Kondensator zu- sammengefasst sind, dass die Kondensatoren (14) der dritten Schaltgruppen (6) der Phasen (R, S, T) zu ei- nem Kondensator zusammengefasst sind, dass die Entlastungsnetzwerke (11 ) der zweiten Schaltgruppen (5) zu einem Entlastungsnetzwerk zusammengefasst sind, und dass die Entlastungsnetzwerke (12) der dritten Schaltgruppen (6) zu einem Entlastungsnetzwerk zusammengefasst sind.
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