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Technisches
Gebiet
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Die
Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Leistungselektronik. Sie
geht aus von einer Umrichterschaltung gemäss dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
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Leistungshalbleiterschalter,
insbesondere integrierte Thyristoren mit kommutierter Ansteuerelektrode
(IGCT), werden derzeit vermehrt in der Umrichtertechnik und insbesondere
in Umrichterschaltungen zur Schaltung von drei Spannungsniveaus
eingesetzt. Eine solche Umrichterschaltung zur Schaltung von drei
Spannungsniveaus ist in "Characterization
of IGCTs for Series Connected Operation, Conference Record of Annual
Meeting of IEEE Industry Applications Society, 2000, Oktober". Darin umfasst die
Umrichterschaltung einen durch zwei in Serie geschaltete Kondensatoren
gebildeten Gleichspannungskreis, wobei der Gleichspannungskreis
einen ersten Hauptanschluss und einen zweiten Hauptanschluss und
einen durch die zwei benachbarten und miteinander verbundenen Kondensatoren
gebildeten Teilanschluss aufweist. Der Kapazitätswert der beiden Kondensatoren
ist üblicherweise
gleich gross gewählt.
Zwischen dem ersten Hauptanschluss und dem zweiten Hauptanschluss
liegt eine Gleichspannung an, wobei zwischen dem ersten Hauptanschluss
und dem Teilanschluss, d.h. am einen Kondensator folglich die halbe
Gleichspannung anliegt und zwischen dem Teilanschluss und dem zweiten Hauptanschluss,
d.h. am anderen Kondensator folglich ebenfalls die halbe Gleichspannung
an.
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Ferner
weist die Umrichterschaltung ein erstes Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk
auf, wobei eine Induktivität
und ein Widerstand des ersten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks
mit dem ersten Hauptanschluss verbunden ist, eine Kapazität des ersten
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks mit dem Widerstand und mit dem
Teilanschluss verbunden ist und eine Diode des ersten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks
mit der Induktivität
und mit dem Verbindungspunkt des Widerstands mit der Kapazität verbunden
ist. Desweiteren weist die Umrichterschaltung ein zweites Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk
auf, wobei eine Induktivität
und ein Widerstand des zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks mit
dem zweiten Hauptanschluss verbunden ist, eine Kapazität des zweiten
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks mit dem Widerstand und mit dem
Teilanschluss verbunden ist und eine Diode des zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks
mit der Induktivität
und mit dem Verbindungspunkt des Widerstands mit der Kapazität verbunden
ist. Darüber
hinaus ist ein erster, zweiter, dritter und vierter ansteuerbarer
bidirektionaler Leistungshalbleiterschalter und ein fünfter und
sechster nicht ansteuerbarer unidirektionaler Leistungshalbleiterschalter
vorgesehen, wobei der erste, zweite, dritte und vierte Leistungshalbleiterschalter
in Serie geschaltet sind und der erste Leistungshalbleiterschalter
mit dem Verbindungspunkt der Induktivität und der Diode des ersten
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks und der vierte Leistungshalbleiterschalter
mit dem Verbindungspunkt der Induktivität und der Diode des zweiten
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks verbunden ist. Der fünfte und
sechste Leistungshalbleiterschalter ist in Serie geschaltet, wobei
der Verbindungspunkt des fünften
Leistungshalbleiterschalters mit dem sechsten Leistungshalbleiterschalter
mit dem Teilanschluss verbunden ist, der fünfte Leistungshalbleiterschalter
mit dem Verbindungspunkt des ersten Leistungshalbleiterschalters
mit dem zweiten Leistungshalbleiterschalter verbunden ist und der
sechste Leistungshalbleiterschalter mit dem Verbindungspunkt des
dritten Leistungshalbleiterschalters mit dem vierten Leistungshalbleiterschalter
verbunden ist.
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Zum
ersten, zweiten, dritten und vierten ansteuerbaren bidirektionalen
Leistungshalbleiterschalter ist jeweils eine Serienschaltung eines
Widerstands mit einer Kapazität
parallel geschaltet, wobei die Kapazität einen Wert von typischerweise
500nF und der Widerstand einen Wert typischerweise 1 Ohm aufweist.
Die jeweilige Serienschaltung des Widerstands mit der Kapazität mit der
vorstehend erwähnten
wertemässigen
Auslegung dient dazu, eine ausgeglichene Spannungsverteilung an
dem zugehörigen
Leistungshalbleiterschalter bei Schaltzustandsübergängen, d.h. beim Übergang
vom eingeschalteten Zustand zum ausgeschalteten Zustand oder vom
ausgeschalteten Zustand zum eingeschalteten Zustand, zu erreichen.
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Problematisch
bei einer Umrichterschaltung nach "Characterization of IGCTs for Series
Connected Operation, Conference Record of Annual Meeting of IEEE
Industry Applications Society, 2000, Oktober" ist, dass durch die beschriebene wertemässige Auslegung
des Widerstands und der Kapazität
der Serienschaltung bei der Abschaltung des zugehörigen Leistungshalbleiterschalters
ein hoher Spannungsanstieg bei gleichzeitig hohem Strom auftritt,
was zu sehr hohen Abschaltverlusten und dynamischen Überhöhungen des
elektrischen Feldes im Leistungshalbleiterschalter führt. Solche
erhöhten
Abschaltverluste und Feldstärken
am jeweiligen Leistungshalbleiterschalter können aber diesen beschädigen oder
gar zerstören.
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Darstellung
der Erfindung
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Aufgabe
der Erfindung ist es deshalb, eine Umrichterschaltung der eingangs
genannten Art derart weiterzuentwickeln, dass die Abschaltverluste
an Leistungshalbleiterschaltern der Umrichterschaltung minimiert
werden können.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. In den
abhängigen
Ansprüchen
sind vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung angegeben.
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Die
erfindungsgemässe
Umrichterschaltung umfasst einen durch zwei in Serie geschaltete
Kondensatoren gebildeten Gleichspannungskreis, wobei der Gleichspannungskreis
einen ersten Hauptanschluss und einen zweiten Hauptanschluss und
einen durch die zwei benachbarten und miteinander verbundenen Kondensatoren
gebildeten Teilanschluss aufweist. Ferner ist ein erstes Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk
vorgesehen, wobei eine Induktivität und ein Widerstand des ersten
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks mit dem ersten Hauptanschluss
verbunden ist, eine Kapazität
des ersten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks mit dem Widerstand
und mit dem Teilanschluss verbunden ist und eine Diode des ersten
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks mit der Induktivität und mit
dem Verbindungspunkt des Widerstands mit der Kapazität verbunden
ist. Desweiteren weist die erfindungsgemässe Umrichterschaltung ein
zweites Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk auf, wobei eine Induktivität und ein
Widerstand des zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks mit dem
zweiten Hauptanschluss verbunden ist, eine Kapazität des zweiten
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks mit dem Widerstand und mit dem
Teilanschluss verbunden ist und eine Diode des zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks
mit der Induktivität
und mit dem Verbindungspunkt des Widerstands mit der Kapazität verbunden
ist. Darüber
hinaus ist ein erster, zweiter, dritter und vierter ansteuerbarer
bidirektionaler Leistungshalbleiterschalter und ein fünfter und
sechster nicht ansteuerbarer unidirektionaler Leistungshalbleiterschalter
vorgesehen, wobei der erste, zweite, dritte und vierte Leistungshalbleiterschalter
in Serie geschaltet sind und der erste Leistungshalbleiterschalter
mit dem Verbindungspunkt der Induktivität und der Diode des ersten
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks und der vierte Leistungshalbleiterschalter
mit dem Verbindungspunkt der Induktivität und der Diode des zweiten
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks verbunden ist. Der fünfte und
sechste Leistungshalbleiterschalter ist in Serie geschaltet, wobei
der Verbindungspunkt des fünften
Leistungshalbleiterschalters mit dem sechsten Leistungshalbleiterschalter
mit dem Teilanschluss verbunden ist, der fünfte Leistungshalbleiterschalter
mit dem Verbindungspunkt des ersten Leistungshalbleiterschalters
mit dem zweiten Leistungshalbleiterschalter verbunden ist und der
sechste Leistungshalbleiterschalter mit dem Verbindungspunkt des
dritten Leistungshalbleiterschalters mit dem vierten Leistungshalbleiterschalter verbunden
ist. Erfindungsgemäss
ist zu dem ersten und vierten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter
und zur Serienschaltung des zweiten und dritten ansteuerbaren bidirektionalen
Leistungshalbleiterschalters jeweils eine Serienschaltung eines
Widerstands mit einer Kapazität
parallel geschaltet.
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Vorteilhaft
ist es mittels der erfindungsgemässen
jeweiligen Serienschaltung des Widerstands mit der Kapazität möglich, den
Spannungsanstieg bei der Abschaltung des zugehörigen Leistungshalbleiterschalters
zu begrenzen, was zu einer signifikanten Verringerung der Abschaltverluste
sowie zu einer signifikanten Erhöhung
des maximal abschaltbaren Stromes des Leistungshalbleiterschalters
führt.
Der jeweilige Leistungshalbleiterschalter kann dadurch weitestgehend
vor einer Beschädigung
oder Zerstörung
geschützt
werden. Zusätzlich
ermöglicht
die Spannungsbegrenzung eine wesentliche Erhöhung der Umrichterleistung.
Weiterhin kann die Bauelementeanzahl stark reduziert werden, da
nicht zu jedem Leistungshalbleiterschalter eine Serienschaltung
eines Widerstands mit einer Kapazität parallel geschaltet ist.
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Diese
und weitere Aufgaben, Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung
werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung bevorzugter
Ausführungsformen
der Erfindung in Verbindung mit der Zeichnung offensichtlich.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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Es
zeigen:
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1 eine
erste Ausführungsform
einer erfindungsgemässen
Umrichterschaltung und
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2 eine
zweite Ausführungsform
der erfindungsgemässen
Umrichterschaltung Die in der Zeichnung verwendeten Bezugszeichen
und deren Bedeutung sind in der Bezugszeichenliste zusammengefasst
aufgelistet. Grundsätzlich
sind in den Figuren gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Die beschriebenen Ausführungsformen
stehen beispielhaft für
den Erfindungsgegenstand und haben keine beschränkende Wirkung.
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Wege zur Ausführung der
Erfindung
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In 1 ist
eine erste Ausführungsform
der erfindungsgemässen
Umrichterschaltung gezeigt. Die Umrichterschaltung gemäss 1 umfast
einen durch zwei in Serie geschaltete Kondensatoren gebildeten Gleichspannungskreis 1,
wobei der Gleichspannungskreis 1 einen ersten Hauptanschluss 2 und
einen zweiten Hauptanschluss 3 und einen durch die zwei
benachbarten und miteinander verbundenen Kondensatoren gebildeten
Teilanschluss 4 aufweist. Ferner ist bei der erfindungsgemässen Umrichterschaltung
nach 1 ein erstes Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk 5 vorgesehen,
wobei gemäss 1 eine
Induktivität 6 und
ein Widerstand 7 des ersten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks 5 mit dem
ersten Hauptanschluss 2 verbunden ist, eine Kapazität 8 des
ersten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks 5 mit dem Widerstand 7 und
mit dem Teilanschluss 4 verbunden ist und eine Diode 9 des
ersten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks 5 mit der Induktivität 6 und
mit dem Verbindungspunkt des Widerstands 7 mit der Kapazität 8 verbunden
ist. Weiterhin ist gemäss 2 ein
zweites Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk 10 vorgesehen,
wobei eine Induktivität 11 und
ein Widerstand 12 des zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks 10 mit
dem zweiten Hauptanschluss 3 verbunden ist, eine Kapazität 13 des
zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks 10 mit dem Widerstand 12 und
mit dem Teilanschluss 4 verbunden ist und eine Diode 14 des
zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks 10 mit der Induktivität 11 und
mit dem Verbindungspunkt des Widerstands 12 mit der Kapazität 13 verbunden
ist. Darüber
hinaus weist die erfindungsgemässe
Umrichterschaltung einen ersten, zweiten, dritten und vierten ansteuerbaren
bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter S1, S2, S3, S4 und einen
fünften
und sechsten nicht ansteuerbaren unidirektionalen Leistungshalbleiterschalter
S5, S6 auf. Der fünfte
und sechste Leistungshalbleiterschalter S5, S6 ist ein nicht ansteuerbarer
unidirektionaler Leistungshalbleiterschalter, jeweils gebildet durch
eine Diode. Somit bildet der fünfte
und sechste Leistungshalbleiterschalter S5 und S6 eine passive Klemmschaltgruppe.
Vorzugsweise ist der erste, zweite, dritte und vierte ansteuerbare
bidirektionale Leistungshalbleiterschalter S1, S2, S3, S4 jeweils
durch einen integrierten Thyristor mit kommutierter Ansteuerelektrode und
durch eine zu dem Thyristor antiparallel geschaltete Diode gebildet.
Ferner ist der fünfte
und sechste nicht ansteuerbare unidirektionale Leistungshalbleiterschalter
S5, S6 vorzugsweise jeweils durch eine Diode gebildet.
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Gemäss 1 sind
der erste, zweite, dritte und vierte Leistungshalbleiterschalter
S1, S2, S3, S4 in Serie geschaltet und der erste Leistungshalbleiterschalter
S1 ist mit dem Verbindungspunkt der Induktivität 6 und der Diode 9 des
ersten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks 5 und der vierte
Leistungshalbleiterschalter S4 mit dem Verbindungspunkt der Induktivität 11 und
der Diode 14 des zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks 10 verbunden. Desweiteren
ist der fünfte
und sechste Leistungshalbleiterschalter S5, S6 in Serie geschaltet,
der Verbindungspunkt des fünften
Leistungshalbleiterschalters S5 mit dem sechsten Leistungshalbleiterschalter S6
mit dem Teilanschluss 4 verbunden, der fünfte Leistungshalbleiterschalter
S6 mit dem Verbindungspunkt des ersten Leistungshalbleiterschalters
S1 mit dem zwei ten Leistungshalbleiterschalter S2 verbunden und
der sechste Leistungshalbleiterschalter S6 mit dem Verbindungspunkt
des dritten Leistungshalbleiterschalters S3 mit dem vierten Leistungshalbleiterschalter
S4 verbunden. Erfindungsgemäss
ist zu dem ersten und vierten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter
S1, S4 und zur Serienschaltung des zweiten und dritten ansteuerbaren bidirektionalen
Leistungshalbleiterschalters S2, S3 jeweils eine Serienschaltung
eines Widerstands 15 mit einer Kapazität 16 parallel geschaltet.
Die jeweilige Serienschaltung des Widerstands 15 mit der
Kapazität 16 parallel
zum ersten beziehungsweise parallel zum vierten Leistungshalbleiterschalter
S1, S4 wirkt beim Abschaltvorgang des ersten beziehungsweise vierten
Leistungshalbleiterschalters S1, S4. Weiterhin wirkt die Serienschaltung
des Widerstands 15 mit der Kapazität 16 parallel zur
Serienschaltung des zweiten und dritten Leistungshalbleiterschalters S2,
S3 beim Abschaltvorgang des zweiten und dritten, aber auch des fünften und
sechsten Leistungshalbleiterschalters S2, S3, S5, S6. Die Serienschaltung
des Widerstands 15 mit der Kapazität 16 bewirkt beim
Abschaltvorgang des zugehörigen
Leistungshalbleiterschalters S1, S2, S3, S4, S5, S6, dass ein Strom
in die Kapazität 16 getrieben
wird, so dass der Spannungsanstieg am zugehörigen Leistungshalbleiterschalters
S1, S2, S3, S4, S5, S6 begrenzt wird. Dies entlastet den zugehörigen Leistungshalbleiterschalter
S1, S2, S3, S4, S5, S6 in zweierlei Hinsicht. Einerseits reduziert
sich die maximale Schaltleistung im Leistungshalbleiterschalter
S1, S2, S3, S4, S5, S6, wobei diese maximale Schaltleistung mit
dem maximal abschaltbaren Strom korreliert. Andererseits werden
auch die Schaltverluste reduziert, wenn während dem Spannungsanstieg
ein kleinerer Teil vom Strom im Leistungshalbleiterschalter S1,
S2, S3, S4, S5, S6 selbst fliesst. Diese Reduktion der Schaltverluste
ist Voraussetzung dafür,
dass man die erhöhte
Abschaltfähigkeit
zu einer Erhöhung
der Umrichterleistung nutzen kann, ohne dass sich die Betriebstemperatur
des Leistungshalbleiterschalters erhöht oder die Schaltfrequenz
der Umrichterschaltung reduziert werden muss. Insgesamt führt die
Begrenzung des Spannungsanstiegs vorteilhaft zu einer signifikanten
Verringerung der Abschaltverluste sowie zu einer signifikanten Erhöhung des
maximal abschaltbaren Stromes an den jeweiligen Leistungshalbleiterschaltern
S1, S2, S3, S4, S5, S6, wodurch diese weitestgehend vor einer Beschädigung oder Zerstörung geschützt werden
können.
Weiterhin kann die Bauelementeanzahl der Umrichterschaltung stark
reduziert werden, da nicht zu jedem Leistungshalbleiterschalter
S1, S2, S3, S4, S5, S6 eine Serienschaltung eines Widerstands 15 mit
einer Kapazität 16 parallel
geschaltet ist.
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Vorzugsweise
weist die Kapazität 16 einen Wert
in der Grössenordnung
grösser
1μF und
der Widerstand 15 einen Wert in der Grössenordnung zwischen 2Ohm und
4Ohm auf.
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Optional
ist parallel zu dem Widerstand 15 einer jeden Serienschaltung
des Widerstands 15 mit der Kapazität 16 eine Diode geschaltet,
wodurch Verluste vorteilhaft weiter reduziert werden können. Die jeweilige
Diode ist dazu in 1 und in einer zweiten Ausführungsform
der erfindungsgemässen
Umrichterschaltung nach 2 gestrichelt eingezeichnet.
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Gemäss 1 weist
die erfindungsgemässe Umrichterschaltung
ein ansteuerbares Kurzschlusselement 17 auf, welches mit
dem Teilanschluss 4 und mit dem Verbindungspunkt des zweiten
mit dem dritten Leistungshalbleiterschalter S2, S3 verbunden ist. Das
ansteuerbare Kurzschlusselement 17 lässt sich somit sehr einfach
in den bestehenden Verbund der Leistungshalbleiterschalter S1, S2,
S3, S4, S5, S6 der Umrichterschaltung integrieren, so dass vorteilhaft
Platz gespart werden kann. Das ansteuerbare Kurzschlusselement 17 dient
bei einem Kurzschluss in einem oder mehreren der ansteuerbaren Leistungshalbleiterschalter
S1, S2, S3, S4, S5, S6 dazu, dass ein durch den Kurzschluss bedingter
Kurzschlussstrom aus den Kondensatoren des Gleichspannungskreises 1 nur
sehr kurz über
den oder die kurzschlussbehafteten Leistungshalbleiterschalter S1,
S2, S3, S4, S5, S6 und dann über
das Kurzschlusselement 17 zum Teilanschluss 4 gelenkt
wird, damit das oder die kurzschlussbehafteten Leistungshalbleiterschalter
S1, S2, S3, S4, S5, S6 nicht weiter beschädigt, belastet oder zerstört werden.
Das ansteuerbare Kurzschlusselement 17 gemäss 1 dient
zudem bei einem Kurzschluss an einer oder mehreren Phasen eines
an die Umrichterschaltung angeschlossenen elektrischen Wechselspannungsnetzes
dazu, dass ein durch den Kurzschluss bedingter Kurzschlussstrom
aus den Phasen nicht oder nur mit einer kleinen Amplitude über die
Leistungshalbleiterschalter S1, S2, S3, S4, S5, S6, insbesondere über die
Dioden der die Leistungshalbleiterschalter S1, S2, S3, S4, S5, S6
fliesst, damit die Leistungshalbleiterschalter S1, S2, S3, S4, S5,
S6 nicht weiter oder überhaupt
nicht beschädigt,
belastet oder zerstört
werden. Ein solcher Kurzschlussstrom bzw. Fehlerstrom wird in diesem
Fall über
das Kurzschlusselement 17 zum Teilanschluss 4 gelenkt.
Das Kurzschlusselement 17 wird dann angesteuert, wenn mittels
einer Detektionseinrichtung ein Kurzschlussstrom detektiert wird.
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In 2 ist
eine zweite Ausführungsform
der erfindungsgemässen
Umrichterschaltung gezeigt. Die zweite Ausführungsform gemäss 2 unterscheidet
sich von der vorstehend detailliert beschriebenen ersten Ausführungsform
gemäss 1 darin, dass
ein ansteuerbares Kurzschlusselement vorgesehen ist, welches über eine
Induktivität 20 mit
dem Verbindungspunkt des zweiten mit dem dritten Leistungshalbleiterschalter
S2, S3 verbunden ist, wobei eine Serienschaltung eines Widerstands 18 mit
einer Kapazität 19 parallel
zu dem ansteuerbaren Kurzschlusselement 17 geschaltet ist.
Die Induktivität 20 und
Serienschaltung des Widerstands 18 mit der Kapazität 19 sind
optional. Die vorstehend beschriebene Verschaltung der Induktivität 20,
des Widerstands 18 und der Kapazität 19 stellt beim Einschalten
des Kurzschlusselementes 17 eine Stromanstiegsbegrenzungseinrichtung,
d.h. der Stromanstieg beim Einschalten wird begrenzt, sowie beim
Abschalten des Kurzschlusselementes 17 eine Spannungsanstiegsbegrenzungseinrichtung,
d.h. der Spannungsanstieg beim Abschalten wird begrenzt, dar. Dieses ansteuerbare
Kurzschlusselement 17 gemäss 2 dient
bei einem Kurzschluss an einer oder mehreren Phasen eines an die
Umrichterschaltung angeschlossenen elektrischen Wechselspannungsnetzes dazu,
dass ein durch den Kurzschluss bedingter Kurzschlussstrom aus den
Phasen nicht oder nur mit einer kleinen Amplitude über die
Leistungshalbleiterschalter S1, S2, S3, S4, S5, S6, insbesondere über die
Dioden der die Leistungshalbleiterschalter S1, S2, S3, S4, S5, S6
fliesst, damit die Leistungshalbleiterschalter S1, S2, S3, S4, S5,
S6 nicht weiter oder überhaupt
nicht beschädigt,
belastet oder zerstört werden.
Das Kurzschlusselement 17 wird dann angesteuert, wenn mittels
einer Detektionseinrichtung ein Kurzschlussstrom detektiert wird,
wobei das ansteuerbare Kurzschlusselement 17 dann die jeweils mit
dem Kurzschlusselement 18 verbundene Phasen kurzschliesst.
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Das
Kurzschlusselement 17 nach 1 und 2 ist
mit Vorteil aus zwei antiparallel geschalteten ansteuerbaren Leistungshalbleitern
mit jeweiliger Druckkontaktierung, wie beispielsweise Scheibenthyristoren
oder GTOs, gebildet. Der jeweilige ansteuerbare Leistungshalbleiterschalter
des ansteuerbaren Kurzschlusselementes 17 kann aber auch durch
einen integrierten Thyristor mit kommutierter Ansteuerelektrode
oder durch einen Triac gebildet sein.
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Gemäss 1 und 2 ist
parallel zur Serienschaltung des fünften und sechsten Leistungshalbleiterschalters
S5, S6 ein Symmetrierungswiderstand 21 geschaltet. Der
Sym metrierungswiderstand 21 dient mit Vorteil dazu, beispielsweise
bei einem Abschaltvorgang sämtlicher
Leistungshalbleiterschalter S1, S2, S3, S4, S5, S6 eine nahezu symmetrische
Spannungsverteilung über
den Leistungshalbleiterschalter S1, S2, S3, S4, S5, S6 zu erzielen und
somit einzelne Leistungshalbleiterschalter S1, S2, S3, S4, S5, S6
vor zu grossen Spannungen zu schützen.
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- 1
- Gleichspannungskreis
- 2
- erster
Hauptanschluss
- 3
- zweiter
Hauptanschluss
- 4
- Teilanschluss
- 5
- erstes
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk
- 6
- Induktivität des ersten
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks
- 7
- Widerstand
des ersten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks
- 8
- Kapazität des ersten
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks
- 9
- Diode
des ersten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks
- 10
- zweites
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerk
- 11
- Induktivität des zweiten
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks
- 12
- Widerstand
des zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks
- 13
- Kapazität des zweiten
Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks
- 14
- Diode
des zweiten Stromanstiegsbegrenzungsnetzwerks
- 15
- Widerstand
- 16
- Kapazität
- 17
- ansteuerbares
Kurzschlusselement
- 18
- Widerstand
- 19
- Kapazität
- 20
- Induktivität
- 21
- Symmetrierungswiderstand
- S1
- erste
Leistungshalbleiterschalter
- S2
- zweiter
Leistungshalbleiterschalter
- S3
- dritter
Leistungshalbleiterschalter
- S4
- vierter
Leistungshalbleiterschalter
- S5
- fünfter Leistungshalbleiterschalter
- S6
- sechster
Leistungshalbleiterschalter