JP5533601B2 - 高純度シリコン微粉末の製造装置 - Google Patents
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Description
言うまでも無いが上記シリコンは、ブロック状で、緻密質な高純度なシリコンを得るために行われているので、本願の発明の目的には必ずしも合致するものではなかった。
更にこれらはいずれも結晶成長を優先するために微粉末の形成を起こさない様な条件であり、またそれらからシリコンの微粉末を取り出すことは出来なかった。
なお上記はいずれも高純度/超高純度のシリコンを得ること目的としたものであり高純度を保持しながらも微細な結晶を得る条件の検討は行われていない。
01 アルゴンガス供給口
02 亜鉛溶解部
1 亜鉛ガス供給機構
10 亜鉛ガス生成部
11 亜鉛ガス温度調整部
2 四塩化ケイ素供給機構
21 四塩化ケイ素供給管
22 亜鉛ガス通過部
3 反応ガス生成機構
30 ガス乱流化手段(邪魔板)
31 ガス乱流化手段(スクエアミキサー)
4 シリコン粒を成長させ・調整する機構(垂直管)
40 シリコン粒を成長させ・調整する機構(傾斜管)
5 沈殿回収機構
50 排ガス管
51 塩化亜鉛水溶液
52 塩化亜鉛水溶液シャワー用ポンプ
6 接触液処理機構
61 濾過器
62 塩化亜鉛水溶液循環ポンプ
63 塩化亜鉛水溶液調整部
64 塩化亜鉛水溶液保持部
65 塩化亜鉛分解用電解槽
66 循環ポンプ
Claims (16)
- 高純度シリコン微細粒子の製造装置において(1)金属亜鉛を亜鉛の沸点以上で加熱蒸発すると共に生成ガスを加熱して1000℃以上の亜鉛ガスを供給する機構と(2)該亜鉛ガス中に液状の四塩化ケイ素を供給する機構と、(3)前記亜鉛ガスと前記四塩化ケイ素を混合攪拌して反応させシリコン粒子を含む反応ガスを生成する機構と、(4)前記反応ガスの温度を1000℃以下に下げてガス中に生成したシリコン粒を凝集し成長させる機構と(5)前記成長したシリコン粒を反応ガス中に含むガス物質を塩化亜鉛水溶液と接触させ水溶液中にシリコンを沈殿・回収する沈殿回収機構を含んでなることを特徴とする高純度シリコン微細粒子の製造装置。
- 前記金属亜鉛が固体の亜鉛ワイヤーであり、該亜鉛ワイヤーを前記(1)の亜鉛ガスを供給する機構へ定量的に送る手段を有することを特徴とする、請求項1の高純度シリコン微細粒子の製造装置。
- 前記金属亜鉛が融体亜鉛であり、亜鉛融体を定量的に前記(1)の亜鉛ガスを供給する機構へ送る手段を有する事を特徴とする、請求項1の高純度シリコン微細粒子の製造装置。
- 前記(1)の亜鉛ガスを供給する機構がSiC(炭化ケイ素)又は石英ガラスの容器から成り該容器にほぼ密着してヒータが設けられた亜鉛ガス生成部を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかの高純度シリコン微細粒子の製造装置。
- 前記(1)の亜鉛ガスの温度が1000℃〜1300℃であり、亜鉛ガス通路に設けた亜鉛ガス温度調整部により調整することを特徴とする請求項1〜4のいずれかの高純度シリコン微細粒子の製造装置。
- 前記(2)の四塩化ケイ素を供給する機構が、前記亜鉛ガスを供給する機構から供給された亜鉛ガスを流通するようにした亜鉛ガス通過部を有し、該通過部内に液状の四塩化ケイ素を定量的に噴霧ないし滴下する四塩化ケイ素供給管を有することを特徴とする請求項1の高純度シリコン微細粒子の製造装置。
- 前記(3)の亜鉛ガスと四塩化ケイ素を混合攪拌して反応させシリコン粒子を含む反応ガスを生成する機構が、温度1050℃〜1250℃に保持された管状体であり、該管状体内部に前記亜鉛ガス、四塩化ケイ素ガス並びに反応ガスからなる混合ガスを乱流化する手段を含むことを特徴とする請求項1の高純度シリコン微細粒子の製造装置。
- 前記混合ガスを乱流化する手段がガス流路中に不等間隔に置かれた邪魔板であることを特徴とする請求項7の高純度シリコン微細粒子の製造装置。
- 前記混合ガスを乱流化する手段がガス流路中に置かれたスクエアミキサーであることを特徴とする請求項7の高純度シリコン微細粒子の製造装置。
- 前記(4)の生成したシリコン粒を凝集し成長させる機構が垂直管状体であり、加熱手段と冷却手段を有することを特徴とする請求項1の高純度シリコン微細粒子の製造装置。
- 前記(4)の生成したシリコン粒を凝集し成長させる機構が水平に対して傾斜角90〜30度に傾斜した管状体であり、加熱手段と冷却手段を有することを特徴とする請求項1の高純度シリコン微細粒子の製造装置。
- 前記(5)の沈殿回収機構において上部に前記シリコン粒を気相中に含む気相物質を投入する手段を有し、底部に塩化亜鉛水溶液を循環する手段を有する事を特徴とする請求項1の高純度シリコン微細粒子の製造装置。
- 前記(5)の沈殿回収機構において循環してなる塩化亜鉛水溶液を気相物質を投入する手段から隔離するようにしてシャワー状に降らせるようにしたことを特徴とする請求項1又は12の高純度シリコン微細粒子の製造装置。
- 前記塩化亜鉛水溶液を循環する手段が系外に接続されたシリコン回収手段並びに塩化亜鉛水溶液調整手段を含む、連続的にシリコン微細粒子を分離・回収しながら、液循環を行うようにしたことを特徴とする請求項1のシリコン微細粒子の製造装置。
- 前記塩化亜鉛水溶液の濃度が5〜30モル%であることを特徴とする請求項1、13または14のいずれかのシリコン微細粒子の製造装置。
- シリコン微細粒子の見かけ粒径が1から100ミクロンであることを特徴とする請求項1〜15のいずれかのシリコン微細粒子の製造装置。
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