JP5524424B1 - 光半導体素子封止用シリコーン組成物および光半導体装置 - Google Patents

光半導体素子封止用シリコーン組成物および光半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5524424B1
JP5524424B1 JP2013535600A JP2013535600A JP5524424B1 JP 5524424 B1 JP5524424 B1 JP 5524424B1 JP 2013535600 A JP2013535600 A JP 2013535600A JP 2013535600 A JP2013535600 A JP 2013535600A JP 5524424 B1 JP5524424 B1 JP 5524424B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
component
optical semiconductor
semiconductor element
sio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013535600A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2014050318A1 (ja
Inventor
紀久夫 望月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Momentive Performance Materials Japan LLC
Original Assignee
Momentive Performance Materials Japan LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Momentive Performance Materials Japan LLC filed Critical Momentive Performance Materials Japan LLC
Priority to JP2013535600A priority Critical patent/JP5524424B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5524424B1 publication Critical patent/JP5524424B1/ja
Publication of JPWO2014050318A1 publication Critical patent/JPWO2014050318A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/12Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34Silicon-containing compounds
    • C08K3/36Silica
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

得られるシリコーン硬化物を光半導体素子の封止材とした場合に、十分な光透過性と機械的強度を両立し得る光半導体素子封止用シリコーン組成物および光半導体装置を提供する。分子中に2個以上のアルケニル基を有する直鎖状のポリオルガノシロキサンと分子中に1個以上のアルケニル基を有する樹脂状構造のポリオルガノシロキサンを合計で100重量部、分子中に2個以上のヒドロシリル基(Si−H基)を有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンをアルケニル基1モルあたり水素原子1〜3モルとなる量、シリカ粉末の5〜20質量部、およびヒドロシリル化反応触媒の触媒量、をそれぞれ含有し、屈折率(25℃、D線)が1.41〜1.44であることを特徴とする、光半導体素子封止用シリコーン組成物および該組成物の硬化物により光半導体素子が封止されてなる光半導体装置。

Description

本発明は、光半導体素子封止用シリコーン組成物に係り、特に得られる硬化物が優れた光透過性と機械的強度をともに有する光半導体素子封止用シリコーン組成物およびその硬化物により光半導体素子を封止した光半導体装置に関する。
光半導体装置、例えばLED発光装置として、支持基板上に搭載されたLEDチップを透明樹脂で封止したものが知られている。封止用の透明樹脂としては、従来からエポキシ樹脂が使用されてきたが、近年のLEDの高輝度化に伴う発熱量の増大や光の短波長化によって、クラッキングや黄変等による信頼性の低下が問題であった。
そこで、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が光半導体装置の封止材として使用されるようになった。しかし、使用されるシリコーン樹脂のチクソ性が劣るため、これを支持基板上のLEDチップにディスペンサーを用いて直接に適量を適用し、成形・硬化させようとしても流れてしまい、目的の形状を有する成形・硬化物が得られないという問題があった。また、シリコーン樹脂のチクソ性が不十分である結果、これを使用する製造装置も高価なものとならざるを得ないという問題もあった。
シリコーン樹脂にチクソ性を付与するものとしてシリカ微粒子が知られているが、シリカ微粒子を添加することで白濁が生じる等、透明性が低下することが問題であった。また、光学特性を向上させるためにジフェニルジメチルシリコーンを使用することも検討されているが、透明性の点で問題があった。チクソ性と透明性の両立を図る試みとして、特許文献1には、屈折率がシリカと同等となるように調整したシリコーン樹脂組成物にシリカ微粒子を配合する技術が記載されている。これによりチクソ性と透明性は一定レベル以上に保たれるものの、光半導体装置の封止材としては、機械特性の低下を引き起こす問題があった。
特開2009−235265号公報
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであって、得られるシリコーン硬化物を光半導体素子の封止材とした場合に、十分な光透過性と機械的強度を両立し得る光半導体素子封止用シリコーン組成物およびその硬化物により光半導体素子が封止された光半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物は、
(A)下記一般式(1)で表されるポリオルガノシロキサンと、(B)1分子中に少なくとも1個のアルケニル基を有し、x個のR SiO1/2単位、y個のR SiO単位、およびz個のSiO単位を含有し(ただし、各シロキサン単位中、Rはそれぞれ独立にアルケニル基またはハロゲン置換されていてもよいアルキル基を示し、R SiO単位におけるR の少なくとも1個はアルケニル基である。)、x、y、zの合計を1と換算したときのx、y、zがそれぞれ、0.3≦x≦0.5、0<y≦0.1、0.4≦z<0.7である樹脂状構造のポリオルガノシロキサンを、(A)成分と(B)成分の合計で100質量部、かつ(A)成分と(B)成分の合計量100質量部に対して(B)成分が10〜40質量部となる量、
(R SiO1/2)(R SiO)(R SiO)(R SiO1/2) …(1)
(ただし、式(1)中、Rはそれぞれ独立にアルケニル基またはハロゲン置換されていてもよいアルキル基を、Rはそれぞれ独立にアリール基を示し、Rの少なくとも2個はアルケニル基であり、0.01<m/(m+n)<0.10である。)
(C)1分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合した水素原子を有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンを、前記(A)成分および(B)成分がそれぞれ有するアルケニル基の合計量1モルに対して、ケイ素原子に結合した水素原子が1〜3モルとなる量、
(D)シリカ粉末の5〜20質量部、および
(E)ヒドロシリル化反応触媒の触媒量、
をそれぞれ含有し、屈折率(25℃、D線)が1.41〜1.44であることを特徴とする。
また、本発明の光半導体装置は、前記本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物
の硬化物により光半導体素子が封止されてなることを特徴とする。
本発明によれば、これを用いて得られるシリコーン硬化物を光半導体素子の封止材とした場合に、十分な光透過性と機械的強度を両立できる、光半導体素子封止用シリコーン組成物、および十分な光透過性と機械的強度を有するシリコーン硬化物で封止された光半導体装置が提供できる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物は、(A)上記一般式(1)で表される1分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有する直鎖状のポリオルガノシロキサンと、(B)1分子中に少なくとも1個のアルケニル基を有し、x個のR SiO1/2単位、y個のR SiO単位、およびz個のSiO単位を含有し(ただし、各シロキサン単位中、Rはそれぞれ独立にアルケニル基またはハロゲン置換されていてもよいアルキル基を示す。)、x、y、zの合計を1と換算したときのx、y、zがそれぞれ、0.3≦x≦0.5、0<y≦0.1、0.4≦z<0.7である樹脂状構造のポリオルガノシロキサンを、(A)成分と(B)成分の合計で100質量部、かつ(A)成分と(B)成分の合計量100質量部に対して(B)成分が10〜40質量部となる量、(C)1分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合した水素原子を有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンを、前記(A)成分および(B)成分がそれぞれ有するアルケニル基の合計量1モルに対して、ケイ素原子に結合した水素原子が1〜3モルとなる量、(D)シリカ粉末の5〜20質量部、および(E)ヒドロシリル化反応触媒の触媒量、をそれぞれ含有し、屈折率(25℃、D線)が1.41〜1.44であることを特徴とする。
以下、各成分について説明する。
[(A)成分]
(A)成分は、次に説明する(B)成分とともに、本発明の組成物のベースポリマーとなるアルケニル基含有のポリオルガノシロキサンである。
(A)成分は下記一般式(1)で表される1分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有する直鎖状のポリオルガノシロキサンである。以下、一般式(1)で表されるポリオルガノシロキサンをポリオルガノシロキサン(1)ということもある。
(R SiO1/2)(R SiO)(R SiO)(R SiO1/2) …(1)
(ただし、式(1)中、Rはそれぞれ独立にアルケニル基またはハロゲン置換されていてもよいアルキル基を、Rはそれぞれ独立にアリール基を示し、Rの少なくとも2個はアルケニル基であり、0.01<m/(m+n)<0.10である。)
なお、上記一般式(1)は、必ずしもブロック共重合体を意味するものではない。すなわち、中間単位の−R SiO−の数を示すm、および、−R SiO−の数を示すnは、ブロックにおける数を示すものではなく、分子全体に上記各中間単位が存在する数を合計で、それぞれ示すものである。すなわち、ポリオルガノシロキサン(1)は、ランダム共重合体であってもよい。
ポリオルガノシロキサン(1)の平均重合度、すなわちシロキサン単位の数は、上記一般式(1)において、nおよびmに末端基の数2を加えたn+m+2で示され、100〜500の範囲にあることが好ましい。平均重合度は、150〜450がより好ましく、200〜400が特に好ましい。ポリオルガノシロキサン(1)の平均重合度が上記範囲内にあれば、合成(重合)上の問題もなく、作業性も良好である。
ポリオルガノシロキサン(1)の粘度(25℃)は、500〜10000mPa・sであることが好ましく、特に1000〜5000mPa・sの範囲であることが好ましい。ポリオルガノシロキサン(1)の粘度がこの範囲内にある場合には、得られる組成物の作業性が良好であるうえに、この組成物から得られるシリコーン硬化物の物理的特性が良好である。
なお、本明細書において、粘度は特に断りのない限り、回転粘度計により25℃で測定された粘度をいう。また、測定時の回転数等の条件は、検体の粘度や使用する測定装置に応じて適宜調整される。
上記一般式(1)において、Rはそれぞれ独立にアルケニル基またはハロゲン置換されていてもよいアルキル基を示す。ポリオルガノシロキサン(1)が有するアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基などの、炭素原子数が2〜8個、より好ましくは2〜4個のものが挙げられる。ポリオルガノシロキサン(1)が有するアルケニル基は、2種以上を含んでもよいが1種のみで構成されることが好ましい。アルケニル基としては、ビニル基、アリル基がさらに好ましく、特に、ビニル基が好ましい。
上記一般式(1)におけるアルケニル基の含有数は2個以上である。また、上記一般式(1)におけるアルケニル基の含有数は40個以下であることが好ましい。
上記一般式(1)においてRの少なくとも2個はアルケニル基であり、該アルケニル基は、(R SiO1/2)で示されるRのように分子鎖末端でケイ素原子に結合していてもよく、(R SiO)で示されるRのように分子鎖の中間部分でケイ素原子に結合していてもよい。また、(R SiO)の2個のRの両方がアルケニル基であってもよく、いずれか一方がアルケニル基であってもよい。アルケニル基は、分子鎖の末端と中間部分のいずれか一方でのみケイ素原子に結合していてもよいが、分子鎖の末端と中間部分の両方でケイ素原子に結合していてもよい。
上記一般式(1)において、アルケニル基でないRはハロゲン置換されていてもよいアルキル基を示す。アルキル基としては、炭素原子数1〜10の直鎖、分岐鎖、または環状のアルキル基が挙げられる。より好ましい炭素原子数は1〜6である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基等が挙げられる。ハロゲン置換におけるハロゲン原子としては塩素原子、フッ素原子が好ましい。ハロゲン置換されたアルキル基として、具体的には、クロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等が挙げられる。ポリオルガノシロキサン(1)が有するハロゲン置換されていてもよいアルキル基は、2種以上を含んでもよいが1種のみで構成されることが好ましい。アルケニル基でないR、すなわちハロゲン置換されていてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基がさらに好ましく、特に、メチル基が好ましい。
上記一般式(1)において、Rはアリール基を示す。アリール基としては、炭素原子数6〜14のアリール基が挙げられる。具体的には、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等が挙げられる。ポリオルガノシロキサン(1)が有するアリール基は、2種以上を含んでもよいが1種のみで構成されることが好ましい。アリール基としては、特に、フェニル基が好ましい。
上記一般式(1)における、(R SiO)で示されるケイ素原子にアリール基が2個結合したD単位の数mと、(R SiO)で示されるケイ素原子にアルケニル基またはハロゲン置換されていてもよいアルキル基が2個結合したD単位の数nの関係は、0.01<m/(m+n)<0.10を満足する関係であり、好ましくは、0.04<m/(m+n)<0.07の関係である。m/(m+n)が上記範囲内であれば、得られるシリコーン硬化物において十分な光透過性と機械的強度の両立が可能となる。m/(m+n)が、0.01以下では組成物の透明性が低下し、0.1以上では引張強さや伸び等の機械的強度が低下する。
(A)成分としては、ポリオルガノシロキサン(1)の1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。なお、2種以上を併用する場合は、各ポリオルガノシロキサン(1)の粘度(25℃)については、必ずしも上記範囲にある必要はなく、これらを混合した(A)成分として粘度(25℃)が上記範囲にあることが好ましい。また、平均重合度についても同様である。ただし、ポリオルガノシロキサン(1)の2種以上を併用する場合においても、(A)成分を構成する各ポリオルガノシロキサン(1)について、平均重合度および粘度(25℃)が上記範囲にあることがより好ましい。(A)成分として、ポリオルガノシロキサン(1)の2種以上を組み合わせて用いると、粘度調整において有利である。
[(B)成分]
(B)成分は、1分子中に少なくとも1個のアルケニル基を有し、x個のR SiO1/2単位、y個のR SiO単位、およびz個のSiO単位を含有し(ただし、各シロキサン単位中、Rはそれぞれ独立にアルケニル基またはハロゲン置換されていてもよいアルキル基を示す。)、x、y、zの合計を1と換算したときのx、y、zがそれぞれ、0.3≦x≦0.5、0<y≦0.1、0.4≦z<0.7である樹脂状構造、いいかえれば三次元網状構造のポリオルガノシロキサンである。以下、上記構成のポリオルガノシロキサンをポリオルガノシロキサン(2)という。
ポリオルガノシロキサン(2)は、上記シロキサン単位以外に必要に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、RSiO3/2単位(ただし、Rは上記他のシロキサン単位の場合と同様である。)を分子中に含んでいてもよい。ポリオルガノシロキサン(2)の、ゲルパーミエーションクロマトグラフ法で測定される質量平均分子量は、1000〜10000の範囲にあることが好ましく、3000〜6000がより好ましい。ポリオルガノシロキサン(2)の質量平均分子量が上記範囲内にあれば、組成物の著しい高粘度化による作業上の問題もなく、硬化後の機械的強度も良好である。
なお、ポリオルガノシロキサン(2)は、シロキサン単位の組成が上記範囲にあれば、性状は問わず、常温(25℃)で固体状であっても、比較的粘度の高い、例えば200Pa・s以上の液状であってもよい。
ポリオルガノシロキサン(2)が含有する各シロキサン単位においてRが示すアルケニル基またはハロゲン置換されていてもよいアルキル基の種類や好ましい態様については上記一般式(1)におけるRが示すアルケニル基またはハロゲン置換されていてもよいアルキル基と同様である。
ポリオルガノシロキサン(2)は、1分子中に少なくとも1個のアルケニル基を有する。ポリオルガノシロキサン(2)は、好ましくは2個以上のアルケニル基を有する。また、ポリオルガノシロキサン(2)におけるアルケニル基の含有数は、10個以下が好ましい。
ポリオルガノシロキサン(2)が分子中に含有するR SiO1/2単位はケイ素原子にRが3個結合したM単位のシロキサン単位(以下、「Mb単位」ということもある。)であり、R SiO単位はケイ素原子にRが2個結合したD単位のシロキサン単位(以下、「Db単位」ということもある。)であり、SiO単位はケイ素原子にRが結合していないQ単位のシロキサン単位である。ポリオルガノシロキサン(2)が1分子中に1個以上有するアルケニル基は、上記Mb単位中にあってもよく、Db単位中にあってもよい。アルケニル基は、またMb単位中に複数存在してもよく、Db単位中に複数存在してもよく、Mb単位とDb単位のそれぞれに存在してもよい。
ポリオルガノシロキサン(2)が1分子中に有するMb単位の個数x、Db単位の個数y、Q単位の個数zの関係は、x、y、zの合計を1と換算したときのx、y、zがそれぞれ、0.3≦x≦0.5、0<y≦0.1、0.4≦z<0.7の関係にある。この関係において、yは、0.04〜0.09がより好ましい。また、xは0.36〜0.44がより好ましく、zは0.45〜0.60がより好ましい。
x+y+z=1として算出されるx、y、zの関係が上記関係であれば、得られるシリコーン硬化物において十分な光透過性と機械的強度の両立が可能となる。また、光半導体素子封止用シリコーン組成物を用いて封止を行う際に、該組成物が供給された際の形状が維持できるように、硬化速度を適切なものとすることができる。例えば、光半導体素子をドーム形状の封止材で覆うように封止しようとした場合にも、x、y、zの関係が上記関係であれば、組成物が供給された際のドーム形状を保ちながら、硬化を完了させることができる。
(B)成分としては、ポリオルガノシロキサン(2)の1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物において、(A)成分と(B)成分はベースポリマーとなるアルケニル基含有のポリオルガノシロキサンであり合計で100質量部を含有する。(A)成分と(B)成分の含有量の割合としては、(A)成分と(B)成分の合計量100質量部に対して(B)成分が10〜40質量部となる量であり、好ましくは15〜35質量部である。(A)成分と(B)成分の含有量の割合が上記範囲であると、硬化物に最適な硬さと十分な機械的強度を与える。
[(C)成分]
(C)成分である1分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合した水素原子を有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンは、上記(A)成分および(B)成分と反応する架橋成分として作用する。(C)成分の分子構造に特に制限はなく、例えば直鎖状、環状、分岐状、三次元網状構造(樹脂状構造)などの各種のポリオルガノハイドロジェンシロキサンを使用することができる。
(C)成分のポリオルガノハイドロジェンシロキサンは、1分子中に2個以上、好ましくは3個以上のケイ素原子に結合した水素原子、すなわちヒドロシリル基(Si−H基)を有する。(C)成分であるポリオルガノハイドロジェンシロキサンが直鎖状である場合、これらのSi−H基は分子鎖の末端および中間部分のいずれか一方のみに位置していても、その両方に位置していてもよい。(C)成分の1分子中のケイ素原子の平均数(平均重合度)は、好ましくは2〜1,000、より好ましくは3〜100程度である。(C)成分の粘度(25℃)は、500mPa・s以下であることが好ましく、特に10〜100mPa・sの範囲であることが好ましい。(C)成分の粘度がこの範囲内にある場合には、得られる組成物の作業性が良好であるうえに、この組成物から得られるシリコーン硬化物の物理的特性が良好である。
(C)成分としては、例えば、下記平均組成式(3)で示されるポリオルガノハイドロジェンシロキサンが用いられる。
SiO(4−a−b)/2 …(3)
(式(3)中、Rは、脂肪族不飽和基を有しない、炭素原子数が1〜14、より好ましくは1〜10の非置換または置換の1価の炭化水素基である。aおよびbは、0.7≦a≦2.1、0.001≦b≦1.0であり、かつ0.8≦a+b≦3.0より好ましくは1.0≦a+b≦2.5を満足する正数である。)
上記Rとしては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基;これらの炭化水素基中の水素原子の一部または全部をハロゲン原子で置換した基、例えばクロロメチル基、3−クロロプロピル基、ブロモエチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等が挙げられる。Rは、アルキル基またはアリール基であることが好ましく、より好ましくはメチル基またはフェニル基であり、特に好ましくはメチル基である。
(C)成分の具体例としては、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジエンシロキシ基封鎖ジフェニルポリシロキサン、R SiO1/2(Rは上記の通りであり、以下のRも同様である。)単位と、R HSiO1/2単位と、SiO単位とからなるポリオルガノシロキサン共重合体、R HSiO1/2単位と、SiO単位とからなるポリオルガノシロキサン共重合体、RHSiO単位と、RSiO3/2単位またはHSiO3/2単位とからなるポリオルガノシロキサン共重合体などが挙げられる。これらは1種を単独であるいは2種以上を組み合わせて使用することができる。
(C)成分としては、上記ポリオルガノハイドロジェンシロキサンのうちでも特に、ケイ素原子に結合する有機基としてメチル基のみを有するポリメチルハイドロジェンシロキサン、具体的には、上記平均組成式(3)のRが全てメチル基であるポリメチルハイドロジェンシロキサンが好ましい。
(C)成分であるポリオルガノハイドロジェンシロキサンの含有量は、上記(A)成分と(B)成分の硬化有効量であり、特に(C)成分の有するSi−H基が、(A)成分および(B)成分がそれぞれ有するアルケニル基(例えば、ビニル基)の合計量1モルに対して、1〜3モルとなる量であり、好ましくは、1.2〜2.5モルとなる量である。(C)成分を上記含有量で含有することで、硬化反応が十分に進行するとともに、未反応のSi−H基がシリコーン硬化物中に多量に残存することもないため、得られるシリコーン硬化物の物性が経時的に変化することもほとんどない。
[(D)成分]
(D)成分のシリカ粉末は、一般的にシリコーン硬化物に配合されている公知のものでよい。(D)成分は架橋前の組成物に適度の流動性、チクソ性を与え、かつ架橋して得られるポリオルガノシロキサンの架橋体に、その用途に応じて要求される高い機械的強度を付与する作用を有する。
(D)成分のシリカ粉末は、本発明の組成物に添加して上記機能を果たすために、BET法による比表面積(以下、BET比表面積という。)が、50m/g以上のものが好ましく、50〜600m/gがより好ましく、100〜400m/gが特に好ましい。シリカの種類に特に限定はないが、沈澱シリカ、煙霧質シリカ(ヒュームドシリカ)、焼成シリカ等が好適に使用される。補強性、チクソ性付与の点で、煙霧質シリカが好ましい。
(D)成分のシリカ粉末は、本発明の組成物において必須の成分であるが、未処理のシリカ表面には多数のシラノール基(Si−OH基)が存在するため、シリカ粉末をそのまま添加すると、増粘、顕著な可塑化戻りなどの問題を生じやすい。そのため、シリカ粉末の表面を疎水化処理することが好ましい。表面処理量は、シリカ表面のカーボン量を2.0質量%以上、より好ましくは3.0質量%以上とする量であることが好ましい。2.0質量%未満では、組成物の増粘、ポットライフの向上に効果が少ない。なお、カーボン量の上限は特に制限されないが、通常20質量%以下、好ましくは12質量%以下、特に8質量%以下である。(D)成分のシリカ粉末としては、予め粉体の状態で表面処理されたものを使用しても、混練プロセスで表面処理を行っても構わない。
シリカ粉末の表面処理方法としては、一般に周知の表面処理技術を採用することができる。表面処理剤として使用される有機ケイ素化合物としては、1,3-ジビニルテトラメチルジシラザン、1,3-ジメチルテトラビニルジシラザン、ヘキサメチルジシラザン等のヘキサオルガノジシラザン、オクタメチルトリシラザン、1,5−ジビニルヘキサメチルトリシラザン等のオクタオルガノトリシラザンなどのオルガノシラザン類、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン等のアルキルトリアルコキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン等のジアルキルジアルコキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリス(メトキシエトキシ)シラン等のアルケニルトリアルコキシシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン等のジアルケニルジアルコキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリエチルメトキシシラン等のトリアルキルアルコキシシラン、トリビニルメトキシシラン、トリビニルエトキシシラン等のトリアルケニルアルコキシシラン、トリメチルクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、メチルトリクロロシラン、ビニルトリクロロシラン、ジビニルジクロロシラン、トリビニルクロロシラン等のオルガノクロロシラン、およびクロロプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、ジメチルポリシロキサン(環状構造を含む)、オルガノハイドロジェンポリシロキサン等が挙げられ、これらの部分加水分解反応物であってもよい。なお、これらの中では、加水分解性基以外のケイ素原子に結合する置換基がメチル基であるシラン系カップリング剤、環状ジメチルポリシロキサンおよびオルガノシラザン類が好ましい。
(D)成分のシリカ粉末としては、市販品を使用してもよい。市販品としては、表面未処理の煙霧質シリカとして、アエロジル200(商品名、EVONIC製、BET比表面積:200m/g)、アエロジル300(商品名、EVONIC製、BET比表面積:300m/g)等が挙げられる。さらに、本発明においては、このような市販品を、オクタメチルシクロテトラシロキサンやヘキサメチルジシラザン等で表面処理したシリカ粉末の使用が好ましい。(D)成分は、1種を用いても、2種以上を併用してもよい。
本発明の組成物における(D)成分の含有量は、(A)成分と(B)成分の合計量100質量部に対して5〜20質量部であり、10〜15質量部が好ましい。(D)成分であるシリカ粉末の含有量が上記範囲にあれば、組成物の粘度は適度なものとなり成形時の作業性が良好に保たれ、さらに得られるシリコーン硬化物の機械的強度等の特性も十分に保たれる。
[(E)成分]
(E)成分であるヒドロシリル化反応触媒は、(A)成分および(B)成分にそれぞれ含まれるアルケニル基と(C)成分中のSi−H基との付加反応(ヒドロシリル化反応)を促進する触媒である。(E)成分としては、白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒等が挙げられるが、経済性の点から白金系触媒が好ましい。白金系触媒としては、例えば、塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、塩化白金酸とオレフィン類、ビニルシロキサンまたはアセチレン化合物との配位化合物などを使用することができる。これらは1種を単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
(E)成分の含有量は、ヒドロシリル化反応の触媒として有効な量であれば特に限定されないが、(A)成分、(B)成分および(C)成分の合計量(質量)に対して、白金元素に換算して0.1〜1,000ppm、より好ましくは1〜500ppm、さらに好ましくは1〜20ppmの範囲とする。含有量がこの範囲にある場合には、付加反応が十分に促進される結果十分な硬化が得られ、かつ経済的に有利である。
[任意成分−(F)成分]
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物は、さらに(F)成分として、エポキシ基、ヒドロシリル基(Si−H基)、架橋性のビニル基およびアルコキシシリル基から選ばれる少なくとも2種を含む接着性付与剤を含有することが好ましい。
(F)成分の接着性付与剤としては、例えば、下記式(4)で表されるシランカップリング剤(F1)が挙げられる。
Y−Q−SiR11 (3−p) …(4)
(ただし、式(4)中、R11は炭素原子数1〜5のアルキル基を、Xは炭素原子数1〜5のアルコキシ基を、Yはエポキシ基または置換されていてもよいビニル基を、Qは、単結合、−O−、−C(=O)−O−結合を有してもよい炭素数1〜10の2価の炭化水素基を、それぞれ示し、pは0または1であり、複数のXは同一でも異なってもよい。)
Y−Q−として、具体的には、ビニル基、ビニルフェニル基、3−アクリロキシプロピル基、3−メタクリロキシプロピル基、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、3−グリシドキシプロピル基等が挙げられる。R11としてはメチル基が好ましい。Xとしては、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。
(F)成分の接着性付与剤としては、例えば、1分子中に少なくともSi−H基を2個以上有しているオルガノシロキサンオリゴマーと、Si−H基と反応しうる官能基とエポキシ基、架橋性ビニル基およびアルコキシシリル基から選ばれる少なくとも1種を有する化合物を反応させて得られる化合物(F2)も好適に用いられる。
Si−H基を有するオルガノシロキサンオリゴマーは、ケイ素原子数が好ましくは2〜10個であり、より好ましくは2〜6個である。Si−H基を有するオルガノシロキサンオリゴマーとして、例えば、下記式(S1)〜(S4)でそれぞれ示されるオルガノシロキサンオリゴマーが挙げられる。これらの中でも、(S1)で示されるオルガノシロキサンオリゴマーが好ましい。
Figure 0005524424
(ただし、式(S4)においてqは0〜8の整数である。)
上記Si−H基を有するオルガノシロキサンオリゴマーのSi−H基と反応しうる官能基とエポキシ基、架橋性ビニル基およびアルコキシシリル基から選ばれる少なくとも1種を有する化合物としては、例えば、上記(4)で示されるシランカップリング剤のうち、Y−Q−としてビニル基、ビニルフェニル基、3−アクリロキシプロピル基、3−メタクリロキシプロピル基等を有するビニル基を有するシランカップリング剤(F1)が挙げられる。
より具体的には、(S1)で示されるオルガノシロキサンオリゴマーと3−メタクリロキシプロピル基を有するシランカップリング剤(F1)のモル比で1:1反応生成物が挙げられる。得られる反応生成物は、アルコキシシリル基とSi−H基を有する化合物(F2)である。
(F)成分の接着性付与剤としては、また、イソシアヌル酸の1,3,5位の水素をそれぞれ独立に、エポキシ基、Si−H基、架橋性のビニル基およびアルコキシシリル基から選ばれる1種を有する1価の有機基で置換したイソシアヌル酸誘導体(F3)を用いてもよい。イソシアヌル酸誘導体(F3)としては、アルコキシシリル基を有するイソシアヌル酸誘導体が好ましい。
(F)成分は、1種を用いても、2種以上を併用してもよい。好ましい組み合わせは、エポキシ基を有するシランカップリング剤(F1)の少なくとも1種と、アルコキシシリル基とSi−H基を有する化合物(F2)の少なくとも1種の組み合わせである。また、(F)成分は(A)成分および(B)成分の合計100質量に対して、0.1〜10質量部の割合で含有することが好ましく、1〜5質量部がより好ましい。
[任意成分−(G)成分]
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物は、(G)成分として、液状のチクソ性付与剤をさらに含有することが好ましい。(G)成分は、(D)成分のシリカ粉末が有する水酸基と水素結合や擬似架橋を形成することによりチクソ性を発現させるもので、液状の化合物である。なお、本明細書において液状とは、少なくとも室温(25℃)で液状、すなわち流動性を有する状態、例えば、粘度が1000mPa・s以下の状態であることをいう。
液状のチクソ性付与剤としては、ヒドロキシ基(−OH基)、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基等のオルガノオキシ基等の極性基、並びに、エポキシ基のいずれか一方をもつシラン、シリコーン化合物(オルガノポリシロキサン)やポリエーテル等の有機樹脂成分を用いることができる。具体的には、ポリオキシプロピレングリコール、アルコキシシラン類、上記官能基を含有する環状シロキサン等が挙げられる。
(G)成分は、1種を用いても、2種以上を併用してもよい。また、(G)成分は(A)成分および(B)成分の合計100質量に対して、0.005〜5質量部の割合で含有することが好ましく、0.01〜3質量部がより好ましい。
なお、上記(F)成分の化合物の中には、接着性付与の機能を有するとともに、液状であってチクソ性付与の機能を有する化合物が多く存在する。本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物においては、任意成分である(F)成分が配合されない場合や、配合されても(F)成分がチクソ性付与の機能を有しない場合には、(G)成分を上記の範囲内で調整することで、チクソ性を、例えば、後述の指標(η/η20)において十分なレベルにすることが好ましい。
また、上記のとおり、接着性付与のために(F)成分として用いた化合物を、(F)成分(接着性付与剤)として機能する十分な量、本発明の組成物に配合した際に、それによりチクソ性が、例えば、後述の指標で十分なレベルに達していない場合には、これとは別に(G)成分、好ましくは接着性付与剤としては機能しない(G)成分をチクソ性が十分なレベルに達する量、配合することが好ましい。例えば、(F)成分として、(F1)、(F2)、(F3)のような成分を上記好ましい量で配合した場合、(G)成分の配合量としては、(G)成分の種類にもよるが、(A)成分および(B)成分の合計100質量に対して、0.005〜1質量部の割合が好ましく、0.01〜0.5質量部がより好ましい。なお、この場合の(G)成分としては、ポリオキシプロピレングリコールのようなポリエーテルが好ましく用いられる。
さらに、接着性付与のために(F)成分として用いた化合物を、(F)成分(接着性付与剤)として機能する十分な量、本発明の組成物に配合した際に、それによりチクソ性が、例えば、後述の指標で十分なレベルに達している場合には、これとは別にさらに(G)成分を配合する必要はない。このように、本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物においては、(F)成分と(G)成分は組み合わせて用いた際に、接着性とチクソ性の両方が、求められるレベルに、例えば、接着性については得られる硬化物において光半導体素子や支持基板との密着性が十分に確保されるレベルに、チクソ性については後述の指標で十分なレベルに、合致するように配合されればよい。
[その他任意成分]
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物は、上記(A)〜(E)の各成分を必須成分として上記の含有量で含有し、これらに任意成分として必要に応じて、上記(F)成分、(G)成分を上記の含有量で含有する。さらに、任意成分として、ヒドロシリル化反応を抑制する反応抑制剤を添加してもよい。
反応抑制剤としては、例えば、トリフェニルホスフィンなどのリン含有化合物;トリブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、ベンゾトリアゾールなどの窒素含有化合物;硫黄含有化合物、アセチレン系化合物、アルケニル基を2個以上含む化合物、ハイドロパーオキシ化合物、マレイン酸誘導体などが挙げられ、好ましくは、3−メチル−1−ブチン−3−オール、1−エチニル−1−シクロヘキサノールなどの水酸基を有するアセチレン系化合物である。
さらに、本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物には、上記以外のポリオルガノシロキサン、粉砕シリカ(石英微粉末)、酸化アルミニウム等の上記(D)成分のシリカ粉末以外の無機充填剤、銀粉等の導電性充填剤、用いられる光半導体装置において目的とする発光色を得るための蛍光体、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、エタノール、イソプロピルアルコール、アセトン、メチルエチルケトン等の有機溶剤、染料、顔料、難燃性付与剤、耐熱性向上剤、耐酸化劣化剤、波長調整剤等を、以下に説明する本発明の組成物およびその硬化物における特性を損なわない範囲および本発明の目的を損なわない範囲で添加してもよい。
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物の製造方法としては、各成分の添加順序は特に限定されるものではなく、(A)〜(E)の必須成分と、好ましく添加される任意成分としての(F)成分、(G)成分および上述したその他任意成分を周知の混練機で混練する方法等が挙げられる。混練機としては、必要に応じて加熱手段および冷却手段を備えた例えばプラネタリーミキサー、3本ロール、ニーダー、品川ミキサー等が挙げられ、単独またはこれらを組み合わせて使用することができる。
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物は液状であり、回転粘度計による25℃における20rpmの粘度η20は、10〜50Pa・sであることが好ましい。粘度が50Pa・sを超えると、例えばLEDにポッティングする際にディスペンサーの目詰まりを生じやすい。一方、10Pa・s未満であると、ポッティングする際に液ダレを起こしやすい。
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物は、回転粘度計による25℃における2rpmの粘度ηと20rpmの粘度η20の比η/η20が、1.8〜6.0であることが好ましく、η/η20は、2.0〜5.0がより好ましい。η/η20の値は、本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物のチクソ性を評価する指標として使用できる。η/η20が上記範囲にあることで、吐出された組成物は適度なドーム状を保つことができる。適度なドーム状とは、高さ/直径の比が0.2〜0.5であることを指す。なお、回転粘度計としては、例えば、ビスメトロンVDH型(芝浦システム社製)等が好適である。
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物は、屈折率(25℃、D線)が1.41〜1.44であり、屈折率(25℃、D線)は1.42〜1.43が好ましい。なお、組成物の屈折率は、例えば、アッベ屈折率計を用いて測定できる。なお、本明細書において、屈折率とは、特に断りのない限り25℃、D線により測定される屈折率である。本組成物における屈折率が上記範囲にあることで、得られるシリコーン硬化物は光、例えば、波長400nmにおける光の透過性が高く、引張強さや伸び等の機械的強度が優れている。
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物は、これを硬化して得られるシリコーン硬化物において、厚さ2mmのシートとして測定した際に、25℃における波長400nmの光の透過率が90%以上であることが好ましく、93%以上であることがより好ましい。波長400nmの光の透過率が上記範囲であれば、光半導体素子を封止した際に、封止材として十分な光透過性を有するといえる。なお、光の透過率は、例えば、紫外・可視・近赤外分光光度計により測定できる。
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物は、また、これを硬化して得られるシリコーン硬化物において、JIS K6249に基づきTYPE A型硬度計で測定される25℃における硬度が30〜80であることが好ましく、50〜70であることがより好ましい。TYPE A型硬度計で測定される25℃における硬度が上記範囲であれば、光半導体素子を封止した際に、封止材として十分な機械的強度を有するといえる。
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物は、さらに、これを硬化して得られるシリコーン硬化物において、上記硬度を有するとともに、JIS K6249に基づき引張試験機で測定される25℃における引張強さが4MPa以上であることが好ましく、6MPa以上であることがより好ましい。また、引張強さと同時に測定される伸びが70%以上であることが好ましく、100%以上であることがより好ましい。上記引張強さおよび伸びが上記範囲であれば、光半導体素子を封止した際に、封止材として十分な機械的強度を有するといえる。
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物を硬化させるには、主として(A)成分、(B)成分および(C)成分にヒドロシリル化反応をさせることで硬化を行う。この際、硬化反応は、上記反応抑制剤の種類やその添加量に応じて適宜調整できる。好ましい硬化の条件として、50〜200℃で60〜300分間加熱する条件等が挙げられる。このようにして得られるシリコーン硬化物は、硬質のゴム状もしくは可撓性を有するレジン状であり、上記のとおり良好な光透過性と機械的強度を有するものである。
本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物の硬化物は、基板上に装着されたLED等の光半導体素子を封止する封止材として使用される。本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物を、例えば、COB(チップオンボード)用として用いた場合、まず、光半導体素子封止用シリコーン組成物は、基板上に装着された光半導体素子上にその全体を覆うように所定量が供給される。次いで、該組成物を硬化させることで封止が行われる。本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物は、光半導体素子上に供給されてから硬化が完了するまでの間、所定の形状、例えば、ドーム形状を維持することが可能であることから、特にCOB(チップオンボード)用として好適である。
本発明の光半導体装置は、上記本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物を用いて光半導体素子を封止してなる。本発明の光半導体装置において、封止される光半導体素子は特に制限されない。また、光半導体素子を装着させる支持構造体は、特に限定されずパッケージでもよいし、パッケージレスの支持基板、例えばセラミック基板、シリコン基板、ガラスエポキシ基板、ベークライト(エポキシ樹脂)基板、金属基板等でもよい。封止の方法についても特に限定されるものではなく、各種封止方法に応じて上記本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物の所定量を光半導体素子が封止されるように供給し、所定の条件で硬化させることで光半導体装置が製造できる。なお、封止方法としては上記のとおりCOBが好適である。また、本発明の光半導体装置としては、フォトダイオード、CCD、CMOS等の汎用の光半導体装置が広く挙げられる。
以下、本発明の実施例について記載するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例において各成分の粘度測定には、回転粘度計として、回転数が20rpmおよび2rpmでの測定についてはビスメトロンVDH型(芝浦システム社製)を用い、回転数が60rpmでの測定についてはビスメトロンVDA型(芝浦システム社製)を使用した。
以下の実施例および比較例において(A)成分、(B)成分、(C)成分として、以下の表1に示すポリオルガノシロキサンを用いた。表1には各成分の別、ポリオルガノシロキサンの略号、平均分子式または平均単位式(平均単位式の場合のみ単位式と表記)、回転粘度計による25℃での粘度[mPa・s]または質量平均分子量(Mw)を示す。なお、表1において(B)成分以外は、粘度を示す。さらに、粘度は(A)成分および以下の(Ac)成分については、No4ローターにより60rpmの回転条件で測定し、(C)成分についてはNo1ローターにより60rpmの回転条件で測定した。
また、表1においてリニアポリマー(A1)、(A2)は本発明の組成物に用いる(A)成分に分類される直鎖状のポリオルガノシロキサンであり、リニアポリマー(Ac1)〜(Ac4)は本発明の組成物に用いる(A)成分に分類されない比較例に用いる直鎖状のポリオルガノシロキサンである。リニアポリマー(Ac1)〜(Ac4)を(Ac)成分という。
また、(A)成分、(Ac)成分においては、PhSiO単位数をm、MeSiO単位数をnとして、m/(m+n)を算出した。結果を表1に併せて示す。リニアポリマー(A1)、(A2)は、本発明の組成物の(A)成分の範囲である0.01<m/(m+n)<0.10の範囲内であり、リニアポリマー(Ac1)〜(Ac4)は範囲外である。
また、(B)成分の樹脂状ポリマー(B1)における、各シロキサン単位の割合を上記x、y、zで示すと、x=0.40、y=0.07、z=0.53である。
Figure 0005524424
表1中、Viはビニル基を、Meはメチル基を、Phはフェニル基を示す。
また、(D)成分〜(G)成分として以下の化合物等を用いた。
(D)成分:シリカ粉末
シリカ粉末(D1):表面をヘキサメチルジシラザンで処理された、比表面積約140m/gの煙霧質シリカ。シリカ表面のカーボン量4質量%。
シリカ粉末(D2):表面をヘキサメチルジシラザンで処理された、比表面積約200m/gの煙霧質シリカ。シリカ表面のカーボン量3.5質量%。
(E)成分:ヒドロシリル化反応触媒
ビニルダイマー配位白金触媒(単に「白金触媒」という)
(F)成分:接着性付与剤
接着性付与剤1:上記式(S1)に示す(HMeSiO)(MeSiO)の1モルに対して3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの1モルを反応させて得られた反応生成物。
接着性付与剤2:3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
(G)成分:液状のチクソ性付与剤
ポリオキシプロピレングリコール(Mw:2000、粘度(25℃、No3ローター、60rpm)300[mPa・s])
[実施例1〜6、比較例1〜3]
表2に示す組成で各成分を混合し、実施例1〜6および比較例1〜3の光半導体素子封止用シリコーン組成物を製造した。なお、固体成分である(B)成分を組成物中に均一に含有させるために、以下の方法を用いた。まず、(B)成分を適度な濃度のキシレン溶液として(A)成分と混合した後、加熱および/または減圧によりキシレンを除去することで、(A)成分と(B)成分の混合物を作製した。この混合物を他の成分と混合することで各例の組成物を作製した。
なお、表2中(E)成分の含有量は、(A)成分、(B)成分および(C)成分の合計質量に対する白金元素換算の含有量(ppm)である。
[評価]
上記で得られた光半導体素子封止用シリコーン組成物およびそれを硬化して得られたシリコーン硬化物を以下の評価項目について評価した。結果を表2に併せて示す。
(1)組成物の評価
(屈折率)
各組成物について、25℃においてD線の屈折率を、アッベ屈折率計を用いて測定した。
(粘度、チクソ性評価(粘度比;η/η20))
各組成物について、回転粘度計を用いて、No6ローターによる2rpmの粘度ηと20rpmの粘度η20を測定し、その粘度比η/η20を算出することで、チクソ性を評価した。
(2)硬化物の評価
(硬化物による試験片の作製)
上記で得られた各組成物を150℃、60分間の条件で硬化させて、透過率測定用の厚さ2mmのシート状試験片を得た。また、同様に硬化させたシート状硬化物からJIS K6249に準拠した機械特性測定用試験片としてダンベル状2号形を作製した。
(透過率)
透過率測定用の厚さ2mmのシート状試験片を用いて、波長400nmの光に対する光透過率[%]を25℃において分光光度計により測定した。
(機械的強度)
機械特性測定用試験片を用いて、JIS K6249にしたがって、25℃における硬度(TYPE A)、引張強さ[MPa]、伸び[%]を測定した。
Figure 0005524424
表2から明らかなように、本発明の光半導体素子封止用シリコーン組成物は、得られるシリコーン硬化物において、光半導体装置に求められる波長400nm光の透過性が高く、かつ機械的強度にも優れる。なお、本発明の組成の範囲外の比較例1〜3の組成物においては、得られるシリコーン硬化物において、波長400nm光の透過性および/または機械的強度が十分でない。

Claims (8)

  1. (A)下記一般式(1)で表されるポリオルガノシロキサンと、(B)1分子中に少なくとも1個のアルケニル基を有し、x個のR SiO1/2単位、y個のR SiO単位、およびz個のSiO単位を含有し(ただし、各シロキサン単位中、Rはそれぞれ独立にアルケニル基またはハロゲン置換されていてもよいアルキル基を示し、R SiO単位におけるR の少なくとも1個はアルケニル基である。)、x、y、zの合計を1と換算したときのx、y、zがそれぞれ、0.3≦x≦0.5、0<y≦0.1、0.4≦z<0.7である樹脂状構造のポリオルガノシロキサンを、(A)成分と(B)成分の合計で100質量部、かつ(A)成分と(B)成分の合計量100質量部に対して(B)成分が10〜40質量部となる量、
    (R SiO1/2)(R SiO)(R SiO)(R SiO1/2) …(1)
    (ただし、式(1)中、Rはそれぞれ独立にアルケニル基またはハロゲン置換されていてもよいアルキル基を、Rはそれぞれ独立にアリール基を示し、Rの少なくとも2個はアルケニル基であり、0.01<m/(m+n)<0.10である。)
    (C)1分子中に少なくとも2個のケイ素原子に結合した水素原子を有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンを、前記(A)成分および(B)成分がそれぞれ有するアルケニル基の合計量1モルに対して、ケイ素原子に結合した水素原子が1〜3モルとなる量、
    (D)シリカ粉末の5〜20質量部、および
    (E)ヒドロシリル化反応触媒の触媒量、
    をそれぞれ含有し、屈折率(25℃、D線)が1.41〜1.44であることを特徴とする、光半導体素子封止用シリコーン組成物。
  2. さらに(F)エポキシ基、ヒドロシリル基(Si−H基)、架橋性のビニル基およびアルコキシシリル基から選ばれる少なくとも2種を含む接着性付与剤を0.1〜10質量部含む請求項1記載の光半導体素子封止用シリコーン組成物。
  3. さらに(G)液状のチクソ性付与剤を0.005〜5質量部含む請求項1または2記載の光半導体素子封止用シリコーン組成物。
  4. 厚さ2mmのシートとしたときに25℃における波長400nmの光の透過率が90%以上であるシリコーン硬化物を与えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光半導体素子封止用シリコーン組成物。
  5. 回転粘度計による25℃における2rpmの粘度ηと20rpmの粘度η20の比η/η20が、1.8〜6.0である請求項1〜4のいずれか1項に記載の光半導体素子封止用シリコーン組成物。
  6. JIS K6249に基づいて25℃で測定される、TYPE A型硬度計による硬度が30〜80であり、引張強さが4MPa以上であるシリコーン硬化物を与えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光半導体素子封止用シリコーン組成物。
  7. 前記(C)成分のポリオルガノハイドロジェンシロキサンが、ケイ素原子に結合する有機基としてメチル基のみを有するポリメチルハイドロジェンシロキサンである請求項1〜6のいずれか1項に記載の光半導体素子封止用シリコーン組成物。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の光半導体素子封止用シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子が封止されてなる光半導体装置。
JP2013535600A 2012-09-27 2013-08-07 光半導体素子封止用シリコーン組成物および光半導体装置 Active JP5524424B1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013535600A JP5524424B1 (ja) 2012-09-27 2013-08-07 光半導体素子封止用シリコーン組成物および光半導体装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012214040 2012-09-27
JP2012214040 2012-09-27
JP2013535600A JP5524424B1 (ja) 2012-09-27 2013-08-07 光半導体素子封止用シリコーン組成物および光半導体装置
PCT/JP2013/071321 WO2014050318A1 (ja) 2012-09-27 2013-08-07 光半導体素子封止用シリコーン組成物および光半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5524424B1 true JP5524424B1 (ja) 2014-06-18
JPWO2014050318A1 JPWO2014050318A1 (ja) 2016-08-22

Family

ID=50387732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013535600A Active JP5524424B1 (ja) 2012-09-27 2013-08-07 光半導体素子封止用シリコーン組成物および光半導体装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5524424B1 (ja)
KR (1) KR102065203B1 (ja)
CN (1) CN104662100B (ja)
TW (1) TWI596161B (ja)
WO (1) WO2014050318A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6006459B1 (ja) * 2015-04-08 2016-10-12 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 電気・電子部品用樹脂組成物

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6148204B2 (ja) * 2014-06-03 2017-06-14 信越化学工業株式会社 硬化性組成物及び半導体装置
JP2017036416A (ja) * 2015-08-12 2017-02-16 株式会社ダイセル 硬化性シリコーン樹脂組成物及びその硬化物
CN108025494B (zh) * 2015-11-26 2020-03-10 瓦克化学股份公司 用于通过弹道生成方法生产弹性体模制部件的高粘性硅酮组合物
JPWO2017119363A1 (ja) * 2016-01-08 2018-11-01 株式会社ダイセル 硬化性シリコーン樹脂組成物及びその硬化物、並びに光半導体装置
CN106356437B (zh) * 2016-09-30 2019-07-26 广东晶科电子股份有限公司 一种白光led封装器件及其制备方法
JP6754317B2 (ja) * 2017-04-27 2020-09-09 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物、該組成物の製造方法、シリコーン硬化物、及び光学素子
JP2019050363A (ja) * 2017-08-27 2019-03-28 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Everlight Electronics Co.,Ltd. 半導体パッケージ構造
CN108102602B (zh) * 2017-12-27 2020-12-01 东莞市贝特利新材料有限公司 一种围坝胶及其制备方法
WO2020080326A1 (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 ダウ・東レ株式会社 耐寒性に優れる硬化性オルガノポリシロキサン組成物、パターン形成方法および電子部品等
KR20210082358A (ko) * 2019-12-25 2021-07-05 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 경화성 백색 실리콘 조성물, 광 반도체 장치용 반사재, 및 광 반도체 장치
TW202248351A (zh) 2021-03-23 2022-12-16 日商陶氏東麗股份有限公司 有機聚矽氧烷組成物
KR20230032620A (ko) * 2021-08-31 2023-03-07 주식회사 케이씨씨실리콘 부가경화형 실록산 조성물

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003128920A (ja) * 2001-10-26 2003-05-08 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 硬化性液状シリコーン組成物および半導体装置
JP2007023272A (ja) * 2005-06-15 2007-02-01 Hitachi Chem Co Ltd 封止用液状エポキシ樹脂組成物、電子部品装置及びウエハーレベルチップサイズパッケージ
JP2009235265A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置
JP2012012434A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置
JP2012233035A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 付加硬化型シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2955206A1 (en) * 2005-01-24 2015-12-16 Momentive Performance Materials Japan LLC Silicone composition for sealing light emitting element, and light emitting device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003128920A (ja) * 2001-10-26 2003-05-08 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 硬化性液状シリコーン組成物および半導体装置
JP2007023272A (ja) * 2005-06-15 2007-02-01 Hitachi Chem Co Ltd 封止用液状エポキシ樹脂組成物、電子部品装置及びウエハーレベルチップサイズパッケージ
JP2009235265A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置
JP2012012434A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置
JP2012233035A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 付加硬化型シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6006459B1 (ja) * 2015-04-08 2016-10-12 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 電気・電子部品用樹脂組成物
WO2016163333A1 (ja) * 2015-04-08 2016-10-13 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 電気・電子部品用樹脂組成物
US10351702B2 (en) 2015-04-08 2019-07-16 Momentive Performance Materials Japan Llc Resin composition for electric/electronic component

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150065672A (ko) 2015-06-15
TW201422722A (zh) 2014-06-16
CN104662100B (zh) 2017-06-30
JPWO2014050318A1 (ja) 2016-08-22
WO2014050318A1 (ja) 2014-04-03
CN104662100A (zh) 2015-05-27
KR102065203B1 (ko) 2020-01-10
TWI596161B (zh) 2017-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5524424B1 (ja) 光半導体素子封止用シリコーン組成物および光半導体装置
JP4636242B2 (ja) 光半導体素子封止材及び光半導体素子
JP4519869B2 (ja) 半導体装置
JP4933179B2 (ja) 硬化性シリコーンゴム組成物及びその硬化物
JP5972511B2 (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物
KR101802736B1 (ko) 가교결합성 실리콘 조성물 및 그의 가교결합 생성물
JP6245136B2 (ja) 光半導体素子封止用シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
TWI758469B (zh) 加成硬化型聚矽氧組成物、該組成物之製造方法、聚矽氧硬化物及光學元件
JP6965346B2 (ja) ダイボンディング用硬化性シリコーン組成物
WO2006013066A2 (en) Resin-encapsulated light emitting diode and method for encapsulating light emitting diode
TWI798283B (zh) 加成硬化型聚矽氧組成物、硬化物、光學元件
JP6313722B2 (ja) 付加硬化型シリコーン組成物および半導体装置
JP6302866B2 (ja) 付加硬化型シリコーン組成物および半導体装置
CN111574839B (zh) 管芯键合用硅酮树脂组合物、固化物及光学半导体装置
JP2007191697A (ja) エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び光半導体装置
JP2020070402A (ja) 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、その硬化物、及び光半導体装置
JP6393659B2 (ja) 付加硬化型シリコーン組成物および半導体装置
CN112442276A (zh) 加成固化型有机硅组合物及光学元件
JP2020070324A (ja) 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、その硬化物、及び光半導体装置
JP7270574B2 (ja) 付加硬化型シリコーン組成物、シリコーン硬化物、及び、光学素子
TWI837415B (zh) 加成硬化型聚矽氧組成物及光學元件
JP6307470B2 (ja) 付加硬化型シリコーン組成物および半導体装置
TW202043419A (zh) 黏晶用有機改質矽氧樹脂組成物、其硬化物及光半導體元件

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140408

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140409

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5524424

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250