TWI596161B - Polysilicon composition for optical semiconductor element package and optical semiconductor device - Google Patents

Polysilicon composition for optical semiconductor element package and optical semiconductor device Download PDF

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Description

光半導體元件封裝用聚矽氧組成物及光半導體裝置
本發明係有關光半導體元件封裝用聚矽氧組成物，特別係有關一種所得到之硬化物具有優異的光透過性與機械強度之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物及藉其硬化物封裝光半導體元件之光半導體裝置。
就光半導體裝置例如LED發光裝置而言，已知有以透明樹脂封裝被搭載於支撐基板上之LED晶片者。封裝用之透明樹脂係自以往即使用起環氧樹脂，但因隨近年之LED高亮度化的發熱量增大或光之短波長化，致龜裂或黃變等所造成之信賴性降低仍有問題。
因此，耐熱性優異之聚矽氧樹脂被使用來作為光半導體裝置之封裝材。但，因所使用之聚矽氧樹脂的搖變性差，故將此使用點膠機而直接適量適用於支撐基板上之LED晶片，即使成形、硬化亦會流動，有無法得到具有目的之形狀的成形、硬化物之問題。又，聚矽氧樹脂的搖變性不充分的結果，亦有使用此之製造裝置亦必定很昂貴的問題。
就對聚矽氧樹脂賦予搖變性者已知有二氧化矽微粒子，但以添加二氧化矽微粒子致造成白濁等透明性降低的問題。又，為提昇光學特性，亦研究使用二苯基二甲基聚矽氧，但在透明性之點有問題。謀求搖變性與透明性併存的試驗，於專利文獻1中係記載著於折射率調整成與二氧化矽相同般之聚矽氧樹脂組成物中摻合二氧化矽微粒子之技術。藉此，搖變性與透明性係保持成一定程度以上，但光半導體裝置之封裝材係有引起機械特性降低之問題。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕特開2009-235265號公報
〔發明之概要〕
本發明係用以解決如此之問題所構成者，目的在於提供一種以所得到之聚矽氧硬化物作為光半導體元件的封裝材時，可使充分的光透過性與機械強度併存之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物及藉其硬化物封裝光半導體元件之光半導體裝置。
本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物，其特徵係分別含有：(A)以下述通式(1)所示之聚有機矽氧烷；與(B)使於1分子中至少具有1個烯基且含有x個之R1 3SiO1//2單元、y個之R1 2SiO單元、及z個之SiO2單元(但，各矽氧烷單元中R1係分別獨立表示烯基或亦可被鹵素取代之烷基)、x、y、z之合計換算成1時的x、y、z分別為0.3≦x≦0.5、0<y≦0.1、0.4≦z<0.7之樹脂狀構造的聚有機矽氧烷就(A)成分與(B)成分之合計為100質量份，且相對於(A)成分與(B)成分的合計量100質量份，(B)成分為10~40質量份之量；(R1 3SiO1/2)(R2 2SiO)m(R1 2SiO)n(R1 3SiO1/2)…(1)(但，式(1)中，R1係分別獨立表示烯基或亦可被鹵素取代之烷基，R2分別獨立表示芳基，R1之至少2個為烯基，為0.01<m/(m+n)<0.10)；(C)使於1分子中至少具有2個鍵結於矽原子之氫原子的聚有機氫矽氧烷，相對於前述(A)成分及(B)成分分別具有之烯基的合計量1莫耳，鍵結於矽原子之氫原子成為1~3莫耳的量；(D)二氧化矽粉末5~20質量份；及(E)氫矽烷基化反應觸媒之觸媒量；折射率(25℃、D線)為1.41~1.44。
又，本發明之光半導體裝置，其特徵係藉由前述本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物的硬化物封裝光半導體元件而成。
若依本發明，以使用此所得到之聚矽氧硬化物作為光半導體元件的封裝材時，可使充分的光透過性與機械強度併存之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物，及以具有充分之光透過性與機械強度之聚矽氧硬化物封裝的光半導體裝置。
〔用以實施發明之形態〕
以下，說明有關本發明之實施形態。
本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物，其特徵係分別含有：(A)以上述通式(1)所示之於1分子中至少具有2個烯基之直鏈狀的聚有機矽氧烷；與(B)使於1分子中至少具有1個烯基且含有x個之R1 3SiO1//2單元、y個之R1 2SiO單元、及z個之SiO2單元(但，各矽氧烷單元中R1係分別獨立表示烯基或亦可被鹵素取代之烷基)、x、y、z之合計換算成1時的x、y、z分別為0.3≦x≦0.5、0<y≦0.1、0.4≦z<0.7之樹脂狀構造的聚有機矽氧烷，就(A)成分與(B)成分之合計為100質量份，且相對於(A)成分與(B)成分的合計量100質量份，(B)成分 為10~40質量份之量；(C)使於1分子中至少具有2個鍵結於矽原子之氫原子的聚有機氫矽氧烷，相對於前述(A)成分及(B)成分分別具有之烯基的合計量1莫耳，鍵結於矽原子之氫原子成為1~3莫耳的量；(D)二氧化矽粉末5~20質量份；及(E)氫矽烷基化反應觸媒之觸媒量；折射率(25℃、D線)為1.41~1.44。
以下，說明有關各成分。
〔(A)成分〕
(A)成分係如下說明之(B)成分，同時成為本發明之組成物的基材聚合物之含烯基的聚有機矽氧烷。
(A)成分係於以下述通式(1)所示之1分子中至少具有2個烯基之直鏈狀的聚有機矽氧烷。以下，亦有時使以通式(1)所示之聚有機矽氧烷稱為聚有機矽氧烷(1)。
(R1 3SiO1/2)(R2 2SiO)m(R1 2SiO)n(R1 3SiO1/2)…(1)
(但，式(1)中，R1係分別獨立表示烯基或亦可被鹵素取代之烷基，R2分別獨立表示芳基，R1之至少2個為烯基，為0.01<m/(m+n)<0.10)
又，上述通式(1)係未必意指嵌段共聚物。亦即，表示中間單元之-R2 2SiO-的數之m、及表示-R1 2SiO-之數的n係並非表示嵌段之數，就合計分別表示於分子全體存在上述各中間單元的數。亦即，聚有機矽氧烷(1)亦可 為隨機共聚物。
聚有機矽氧烷(1)之平均聚合度亦即矽氧烷單元之數係在上述通式(1)中，以在n及m中加入末端基的數2之n+m+2所示，宜在於100~500之範圍。平均聚合度係更宜為150~450，尤宜為200~400。聚有機矽氧烷(1)之平均聚合度若在於上述範圍內，亦無合成(聚合)上之問題，作業性亦良好。
聚有機矽氧烷(1)之黏度(25℃)宜為500~10000mPa‧s，尤宜為1000~5000mPa‧s之範圍。聚有機矽氧烷(1)之黏度在於此範圍內時係所得到之組成物的作業性良好外，從此組成物所得到之聚矽氧硬化物的物理特性良好。
又，在本說明書中，黏度係只要無特別聲明，謂藉旋轉黏度計以25℃所測定的黏度。又，測定時之旋轉數等的條件係可依據檢體之黏度或使用之測定裝置而適當調整。
在上述通式(1)中，R1係分別獨立地表示烯基或亦可被鹵素取代之烷基。聚有機矽氧烷(1)具有之烯基，可舉例如乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基等之碳原子數為2~8個更佳係2~4個者。聚有機矽氧烷(1)具有之烯基係亦可含有2種以上，但宜以只1種所構成。烯基係更宜為乙烯基、烯丙基，尤宜為乙烯基。
上述通式(1)中之烯基的含有數為2個以 上。又，上述通式(1)中之烯基的含有數宜為40個以下。
在上述通式(1)中R1之至少2個為烯基，該烯基係亦可如(R1 3SiO1/2)所示之R1般於分子鏈末端鍵結於矽原子，亦可如(R1 2SiO)所示之R1般於分子鏈之中間部分鍵結於矽原子。又，(R1 2SiO)之2個R1的兩者亦可為烯基，任一者均可為烯基。烯基係亦可只在分子鏈的末端與中間部分之任一者鍵結於矽原子，但亦可在分子鏈的末端與中間部分之兩者鍵結於矽原子。
在上述通式(1)中，無烯基之R1係表示亦可被鹵素取代之烷基。烷基係可舉例如碳原子數1~10之直鏈、分枝鏈、或環狀之烷基。更佳之碳原子數為1~6。具體上係可舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、環己基、庚基等。鹵素取代中之鹵原子宜為氯原子、氟原子。被鹵素取代之烷基具體上係可舉例如氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等。聚有機矽氧烷(1)具有之亦可被鹵素取代的烷基係亦可含有2種以上，但宜只以1種所構成。無烯基之R1亦即亦可被鹵素取代之烷基係更宜為甲基、乙基、3,3,3-三氟丙基，尤宜為甲基。
在上述通式(1)中，R2表示芳基。芳基係可舉例如碳原子數6~14之芳基。具體上可舉例如苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等。聚有機矽氧烷(1)具有的芳基係亦可含有2種以上，但宜只以1種所構成。芳基尤宜為苯基。
在上述通式(1)中之以(R2 2SiO)所示的矽原子上鍵結2個芳基之D單元的數m、與以(R1 2SiO)所示的矽原子上鍵結2個烯基或亦可被鹵素取代之烷基之D單元的數n之關係係滿足0.01<m/(m+n)<0.10的關係，較佳係0.04<m/(m+n)<0.07的關係。若m/(m+n)為上述範圍內，在所得到之聚矽氧硬化物中充分的光透過性與機械強度可併存。m/(m+n)為0.01以下時係組成物之透明性降低，在0.1以上時係抗拉強度或延伸等之機械強度降低。
(A)成分係亦可單獨使用聚有機矽氧烷(1)的1種，亦可併用2種以上。又，併用2種以上時有關各聚有機矽氧烷(1)之黏度(25℃)係未必在於上述範圍，混合此等之(A)成分宜黏度(25℃)在於上述範圍。又，有關平均聚合度亦同樣。但，即使在併用聚有機矽氧烷(1)之2種以上時，有關構成(A)成分之各聚有機矽氧烷(1)，更宜平均聚合度及黏度(25℃)在於上述範圍。(A)成分若組合聚有機矽氧烷(1)之2種以上而使用，在黏度調整上很有利。
〔(B)成分〕
(B)成分係於1分子中至少具有1個烯基且含有x個之R1 3SiO1/2單元、y個之R1 2SiO單元、及z個之SiO2單元(但，各矽氧烷單元中R1係分別獨立表示烯基或亦可被鹵素取代之烷基)、x、y、z之合計換算成1時的 x、y、z分別為0.3≦x≦0.5、0<y≦0.1、0.4≦z<0.7之樹脂狀構造，換言之，為三次元網狀構造之聚有機矽氧烷。以下，使上述構成之聚有機矽氧烷稱為聚有機矽氧烷(2)。
聚有機矽氧烷(2)係上述矽氧烷單元以外依需要而在無損本發明之效果的範圍，亦可於分子中含有R1SiO3/2單元(但，R1係與上述其他之矽氧烷單元的情形相同)。聚有機矽氧烷(2)之以凝膠滲透色層分析法所測定之質量平均分子量宜在於1000~10000的範圍，更宜為3000~6000。若聚有機矽氧烷(2)之質量平均分子量在於上述範圍內，亦無組成物明顯高黏度化所造成的作業上問題，硬化後之機械強度亦良好。
又，聚有機矽氧烷(2)係矽氧烷單元之組成在於上述範圍，無論性狀，而在常溫(25℃)可為固體狀，亦可為黏度比較高例如200Pa‧s以上之液狀。
在聚有機矽氧烷(2)含有的各矽氧烷單元中R1表示之烯基或亦可被鹵素取代之烷基的種類或較佳的態樣，係與在上述通式(1)中的R1表示之烯基或亦可被鹵素取代之烷基同樣。
聚有機矽氧烷(2)係於1分子中至少具有1個烯基。聚有機矽氧烷(2)較佳係具有2個以上之烯基。又，聚有機矽氧烷(2)中之烯基的含有數宜為10個以下。
聚有機矽氧烷(2)在分子中含有之R1 3SiO1/2 單元係於矽原子鍵結3個R1之M單元的矽氧烷單元(以下，亦有時稱為「Mb單元」)，R1 2SiO單元係於矽原子鍵結2個R1之D單元的矽氧烷單元(以下，亦有時稱為「Db單元」)，SiO2單元係於矽原子未鍵結R1之Q單元的矽氧烷單元。聚有機矽氧烷(2)於1分子中具有1個以上之烯基係亦可在上述Mb單元中，亦可在Db單元中。烯基係亦可複數存在Mb單元中，亦可複數存在Db單元中，亦可分別存在於Mb單元與Db單元中。
聚有機矽氧烷(2)於1分子中具有之Mb單元的個數x、Db單元之個數y、Q單元之個數z的關係x、y、z之合計換算成1時的x、y、z分別為0.3≦x≦0.5、0<y≦0.1、0.4≦z<0.7之關係。在此關係中，y更宜為0.04~0.09。又，x更宜為0.36~0.44，z更宜為0.45~0.60。
就x+y+z=1所算出之x、y、z的關係若為上述關係，在所得到之聚矽氧硬化物中，充分之光透過性與機械強度可併存。又，使用光半導體元件封裝用聚矽氧組成物而進行封裝時，為維持供給該組成物時之形狀，可使硬化速度為適當者。例如，欲封裝成以半球(dome)形狀的封裝材被覆光半導體元件時，若x、y、z之關係為上述關係，可一邊保持供給組成物時之半球形狀，一邊完成硬化。
(B)成分係亦可1種單獨使用聚有機矽氧烷(2)，亦可併用2種以上。
在本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物中，(A)成分與(B)成分係成為基材聚合物之含烯基的聚有機矽氧烷，就合計含有100質量份。(A)成分與(B)成分之含量的比率係相對於(A)成分與(B)成分的合計量100質量份，(B)成分為10~40質量份之量，較佳係15~35質量份。(A)成分與(B)成分之含量的比率若為上述範圍，於硬化物可得到最適的硬度與充分的機械強度。
〔(C)成分〕
(C)成分之使於1分子中至少具有2個鍵結於矽原子之氫原子的聚有機氫矽氧烷係作用為與上述(A)成分及(B)成分反應之交聯成分。(C)成分之分子構造無特別限定，可使用例如直鏈狀、環狀、分枝狀、三次元網狀構造(樹脂狀構造)等之各種聚有機氫矽氧烷。
(C)成分之聚有機氫矽氧烷係於1分子中具有2個以上較佳係3個以上鍵結於矽原子之氫原子亦即氫矽烷基(Si-H基)。(C)成分之聚有機氫矽氧烷為直鏈狀時，此等之Si-H基係可只位於分子鏈的末端及中間部分之任一者，亦可位於其兩者。(C)成分之1分子中的矽原子之平均數(平均聚合度)宜為2~1000，更宜為3~100左右。(C)成分之黏度(25℃)宜為500mPa‧s以下，尤宜為10~100mPa‧s的範圍。(C)成分之黏度在於此範圍內時，係所得到之組成物的作業性良好外，從 此組成物所得到之聚矽氧硬化物的物理特性為良好。
(C)成分係可使用例如以下述平均組成式(3)所示的聚有機氫矽氧烷。
R3 aHbSiO(4-a-b)/2…(3) (式(3)中，R3係不具有脂肪族不飽和基，碳原子數為1~14，更宜為1~10之非取代或取代的1價之烴基。a及b係滿足0.7≦a≦2.1，0.001≦b≦1.0，且0.8≦a+b≦3.0，更佳係1.0≦a+b≦2.5之正數)
上述R3係可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、己基、環己基、辛基、壬基、癸基等之烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等之芳基；苯甲基、苯基乙基、苯基丙基等之芳烷基；使此等之烴基中的氫原子之一部分或全部以鹵原子取代之基例如可舉例如氯甲基、3-氯丙基、溴乙基、3,3,3-三氟丙基等。R3宜為烷基或芳基，更佳係甲基或苯基，尤宜為甲基。
(C)成分之具體例係可舉例如分子鏈兩末端三甲基矽烷氧基封鏈甲基氫聚矽氧烷、分子鏈兩末端三甲基矽烷氧基封鏈二甲基矽氧烷‧甲基氫矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端三甲基矽烷氧基封鏈二甲基矽氧烷‧甲基氫矽氧烷‧二苯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端二甲基氫矽烷氧基封鏈二甲基聚矽氧烷、分子鏈兩末端二甲基氫矽烷基 封鏈二甲基聚矽氧烷‧甲基氫矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端二甲基氫矽烷氧基封鏈二甲基矽氧烷‧二苯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端二甲基氫矽烷氧基封鏈二苯基聚矽氧烷、由R3 3SiO1/2(R3為如上述，以下之R3亦相同)單元、R3 2HSiO1/2單元與SiO2單元所構成的聚有機矽氧烷共聚物、由R3 2HSiO1/2單元與SiO2單元所構成的聚有機矽氧烷共聚物、由R3HSiO單元、R3SiO3/2單元或HSiO3/2單元所構成的聚有機矽氧烷共聚物等。此等係1種單獨或組合2種以上而使用。
(C)成分係上述聚有機氫矽氧烷之中，尤宜為只具有甲基作為鍵結於矽原子之有機基的聚甲基氫矽氧烷，具體上係上述平均組成式(3)之R3全部為甲基的聚甲基氫矽氧烷。
(C)成分之聚有機氫矽氧烷的含量係上述(A)成分與(B)成分之硬化有效量，尤其，(C)成分具有之Si-H基，相對於(A)成分及(B)成分分別具有之烯基(例如乙烯基)的合計量1莫耳，為1~3莫耳之量，較佳係1.2~2.5莫耳的量。以上述含量含有(C)成分，硬化反應充分進行，同時未反應之Si-H基未大量殘存於聚矽氧硬化物中，故亦幾乎無所得到之聚矽氧硬化物的物性隨時間變化。
〔(D)成分〕
(D)成分之二氧化矽粉末係一般可為摻合於聚矽氧 硬化物之公知者。(D)成分係具有對交聯前之組成物賦予適度的流動性、搖變性，且對交聯所得到之聚有機矽氧烷的交聯體，賦予依其用途所要求之高機械強度的作用。
(D)成分之二氧化矽粉末係為添加於本發明之組成物而發揮上述功能，以BET法所得到的比表面積(以下，稱為BET比表面積)宜為50m2/g以上者，更宜為50~600m2/g，尤宜為100~400m2/g。於二氧化矽之種類無特別限定，但可適宜使用沉澱二氧化矽、煙霧質二氧化矽(發煙二氧化矽)、燒結二氧化矽等。就補強性、賦予搖變性之點，宜為煙霧質二氧化矽。
(D)成分之二氧化矽粉末係於本發明之組成物中為必要之成分，但於未處理的二氧化矽表面存在許多矽烷醇基(Si-OH基)，故若直接添加二氧化矽粉末，易產生增黏、返回顯著可塑化等的問題。因此，宜為使二氧化矽粉末的表面進行疏水化處理。表面處理量係宜為使二氧化矽表面的碳量為2.0質量%以上，更宜為3.0質量%以上之量。未達2.0質量%時，於組成物之增黏、操作時間的提昇效果小。又，碳量之上限係無特別限制，但一般為20質量%以下，宜為12質量%以下，尤宜為8質量%以下。(D)成分之二氧化矽粉末係使用預先以粉體的狀態表面處理者亦無妨，以混練製程進行表面處理亦無妨。
二氧化矽粉末之表面處理方法一般係可採用周知的表面處理技術。可使用來作為表面處理劑之有機矽化合物，係可舉例如1,3-二乙烯基四甲基二矽氮烷、1,3- 二甲基四乙烯基二矽氮烷、六甲基二矽氮烷等之六有機二矽氮烷、八甲基三矽氮烷、1,5-二乙烯基六甲基三矽氮烷等之八有機三矽氮烷等的有機矽氮烷類、甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷等之烷基三烷氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷等之二烷基二烷氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基參(甲氧基乙氧基)矽烷等之烯基三烷氧基矽烷、二乙烯基二甲氧基矽烷、二乙烯基二乙氧基矽烷等之二烯基二烷氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、三乙基甲氧基矽烷等之三烷基烷氧基矽烷、三乙烯基甲氧基矽烷、三乙烯基乙氧基矽烷等之三烯基烷氧基矽烷、三甲基氯矽烷、二甲基二氯矽烷、甲基三氯矽烷、乙烯基三氯矽烷、二乙烯基二氯矽烷、三乙烯基氯矽烷等之有機氯矽烷、及氯丙基三甲氧基矽烷等之矽烷偶合劑、二甲基聚矽氧烷(含有環狀構造)、有機氫聚矽氧烷等，可為此等之部分水解反應物。又，此等之中，宜為鍵結於水解性基以外的矽原子之取代基為甲基的矽烷系偶合劑、環狀二甲基聚矽氧烷及有機矽氮烷類。
(D)成分之二氧化矽粉末係亦可使用市售品。市售品係就表面未處理煙霧質二氧化矽而言，可舉例如Aerosil 200(商品名，EVONIC製、BET比表面積：200m2/g)、Aerosil 300(商品名，EVONIC製、BET比表面積：300m2/g)等。進一步，在本發明中係宜使用如此 之市售品以八甲基環四矽氧烷或六甲基二矽氮烷等表面處理的二氧化矽粉末。(D)成分係可使用1種，亦可併用2種以上。
本發明之組成物中的(D)成分之含有量係相對於(A)成分與(B)成分之合計量100質量份，為5~20質量份，宜為10~15質量份。若(D)成分之二氧化矽粉末的含量在於上述範圍，組成物之黏度係成為適度者，可良好地保存成形時之作業性，亦可進一步充分保持所得到之聚矽氧硬化物的機械強度等之特性。
〔(E)成分〕
(E)成分之氫矽烷基化反應觸媒係促進於(A)成分及(B)成分分別含有之烯基、與(C)成分中之Si-H基的加成反應(氫矽烷基化反應)之觸媒。(E)成分可舉例如鉑系觸媒、鈀系觸媒、銠系觸媒等，但從經濟性之點，宜為鉑系觸媒。鉑系觸媒例如可使用氯化鉑酸、醇改性氯化鉑酸、氯化鉑酸與烯烴類、乙烯基矽氧烷或乙炔化合物之配位化合物等。此等係可1種單獨使用，亦可組合2種以上而使用。
(E)成分之含量係就氫矽烷基化反應之觸媒而言，若為有效的量，並無特別限定，但相對於(A)成分、(B)成分及(C)成分之合計量(質量)，換算成鉑元素為0.1~1000ppm，更宜為1~500ppm，最宜為1~20ppm之範圍。含量在於此範圍時，充分促進加成反應 的結果，可得到充分的硬化，且經濟上有利。
〔任意成分-(F)成分〕
本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物係進一步就(F)成分而言，宜為含有黏著性賦予劑，該黏著性賦予劑係含有由環氧基、氫矽烷基(Si-H基)、交聯性之乙烯基及烷氧基矽烷基選出的至少2種。
(F)成分之黏著性賦予劑可舉例如以下述式(4)所示之矽烷偶合劑(F1)。
Y-Q-SiR11 pX(3-p)…(4) (其中，式(4)中，R11表示碳原子數1~5之烷基，X表示碳原子數1~5之烷氧基，Y表示環氧基或亦可被取代之乙烯基，Q表示亦可具有單鍵、-O-、-C(=O)-O-鍵結之之碳數1~10的2價烴基，p為0或1，複數之X係可為相同，亦可為相異。)
就Y-Q-而言，具體上可舉例如乙烯基、乙烯基苯基、3-丙烯醯氧基丙基、3-甲基丙烯醯氧基丙基、2-(3,4-環氧基環己基)乙基、3-環氧丙氧基丙基等。R11宜為甲基。X宜為甲氧基、乙氧基。
(F)成分之黏著性賦予劑係例如亦可適宜使用化合物(F2)，化合物(F2)係例如使於1分子中至少具有2個以上Si-H基之有機矽氧烷寡聚物、與、具有可 與Si-H基反應之官能基及由環氧基、交聯性乙烯基及烷氧基矽烷基選出的至少1種之化合物反應所得到者。
具有Si-H基之有機矽氧烷寡聚物係矽原子數宜為2~10個，更宜為2~6個。具有Si-H基之有機矽氧烷寡聚物係可舉例如分別以下述式(S1)~(S4)所示的有機矽氧烷寡聚物。此等之中，亦宜為以(S1)所示之有機矽氧烷寡聚物。
(其中，在式(S4)中q為0~8之整數)
具有可與上述具有Si-H基之有機矽氧烷寡聚物的Si-H基反應之官能基與由環氧基、交聯性乙烯基及烷氧基矽烷基選出的至少1種之化合物係例如以上述 (4)所示之矽烷偶合劑之中，可舉例如具有乙烯基、乙烯基苯基、3-丙烯醯氧基丙基、3-甲基丙烯醯氧基丙基等作為Y-Q-之具有乙烯基的矽烷偶合劑(F1)。
更具體地係可舉例如以(S1)所示之有機矽氧烷寡聚物與具有3-甲基丙烯醯氧基丙基之矽烷偶合劑(F1)的莫耳比為1：1反應生成物。所得到之反應生成物係具有烷氧基矽烷基與Si-H基的化合物(F2)。
(F)成分之黏著性賦予劑係亦可使用三聚異氰酸衍生物(F3)，其係使三聚異氰酸之1,3,5的氫分別獨立地具有由環氧基、Si-H基、交聯性之乙烯基及烷氧基矽烷基選出的1種之以1價有機基取代者。三聚異氰酸衍生物(F3)宜為具有烷氧基矽烷基之三聚異氰酸衍生物。
(F)成分係可使用1種，亦可併用2種以上。較佳之組合係具有環氧基之矽烷偶合劑(F1)的至少1種、與具有烷氧基矽烷基與Si-H基的化合物(F2)之至少1種的組合。又，(F)成分係相對於(A)成分及(B)成分之合計100質量，宜為以0.1~10質量份的比率含有，更宜為1~5質量份。
〔任意成分-(G)成分〕
本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物係宜進一步含有液狀之搖變性賦予劑作為(G)成分。(G)成分係藉由與(D)成分之二氧化矽粉末具有的羥基形成氫鍵或準交聯，以顯現搖變性，為液狀之化合物。又，在本說 明書中所謂液狀係至少在室溫(25℃)為液狀，亦即具有流動性之狀態例如黏度為1000mPa‧s以下之狀態。
液狀之搖變性賦予劑係可使用具有羥基(-OH基)、烷氧基、烯氧基、芳氧基等之有機氧基等的極性基、以及、環氧基之任一者的矽烷、聚矽氧化合物(有機聚矽氧烷)或聚醚等之有機樹脂成分。具體上係可舉例如聚氧丙二醇、烷氧基矽烷類、含有上述官能基之環狀矽氧烷等。
(G)成分係可使用1種，亦可併用2種以上。又，(G)成分係相對於(A)成分及(B)成分之合計100質量份，宜為含有0.005~5質量份的比率，更宜為0.01~3質量份。
又，上述(F)成分之化合物中係具有黏著性賦予功能，同時為液狀且存在許多具有搖變性賦予功能之化合物。在本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物中係不摻合任意成分之(F)成分時，或即使摻合，(F)成分亦不具有搖變性賦予功能時，係以在上述的範圍內調整(G)成分，宜使搖變性在例如後述之指標(η2/η20)中形成充分的程度。
又，如上述般，為賦予黏著性，將使用來作為(F)成分之化合物，作用為(F)成分(黏著性賦予劑)功能之充分量，摻合於本發明之組成物時，藉其，搖變性以例如後述之指標未達到充分的程度時，係與此相異，使(G)成分較佳係未作用為黏著性賦予劑功能的 (G)成分摻合搖變性達到充分的程度之量。例如就(F)成分而言，以上述較佳的量摻合(F1)、(F2)、(F3)之成分時，(G)成分之摻合量係亦依(G)成分之種類，但，相對於(A)成分及(B)成分之合計100質量，宜為0.005~1質量份的比率，更宜為0.01~0.5質量份。又，此時之(G)成分係宜使用如聚氧丙二醇之聚醚。
進一步，為賦予黏著性，將使用來作為(F)成分之化合物，作用為(F)成分(黏著性賦予劑)功能之充分量，摻合於本發明之組成物時，藉其，搖變性以例如後述之指標未達到充分的程度時，係與此相異，進一步不需要摻合(G)成分。如此地，在本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物中(F)成分與(G)成分係組合而使用時，黏著性與搖變性之兩者只要以符合所尋求之程度，例如有關黏著性係在所得到之硬化物中可充分確保光半導體元件或支撐基板之密著性的程度，對於搖變性係以後述之指標符合充分的程度之方式摻和即可。
〔其他任意成分〕
本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物係以上述之含量含有上述(A)~(E)之各成分作為必要成分，於其中依需要而以上述之含量含有上述(F)成分、(G)成分作為任意成分。進一步，亦可添加抑制氫矽烷基化成反應之反應抑制劑作為任意成分。
反應抑制劑係可舉例如三苯基磷等之含磷化合物；三丁基胺、四甲基乙二胺、苯並三唑等之含氮化合物；含硫化合物、乙炔系化合物、含有2個以上烯基之化合物、氫過氧化物、馬來酸衍生物等，較佳係3-甲基-1-丁炔-3-醇、1-乙炔基-1-環己醇等之具有羥基的乙炔系化合物。
進一步，於本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物中係亦可在以下說明之本發明的組成物及無損其硬化物之特性的範圍及無損本發明之目的的範圍添加上述以外之聚有機矽氧烷、粉碎二氧化矽(石英微粉末)、氧化鋁等之上述(D)成分的二氧化矽粉末以外之無機填充劑、銀粉等之導電性填充劑、在所使用之光半導體裝置中用以得到目的之發光色的螢光體、甲苯、二甲苯、己烷、庚烷、乙醇、異丙醇、丙酮、甲乙酮等之有機溶劑、染料、顏料、耐燃性賦予劑、耐熱性提昇劑、耐氧化劣化劑、波長調整劑等。
本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物的製造方法係各成分之添加順序並無特別限定，可舉例如以周知之混練機混練(A)~(E)之必要成分、與作為較佳所添加之任意成分的(F)成分、(G)成分及上述之其他任意成分的方法等。混練機係依需要而具備加熱手段及冷卻手段可舉例如行星式混合機、三輥輪、捏合機、品川混合機等，可單獨或組合此等而使用。
本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物 係液狀，以旋轉黏度計所得到之在25℃下20rpm的黏度η20係宜為10~50Pa‧s。若黏度超過50Pa‧s，例如黏合於LED時易產生點膠機的堵塞。另外，若為未達10Pa‧s，黏合時易產生液體垂流。
本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物係以旋轉黏度計所得到之在25℃下2rpm的黏度η2與20rpm的黏度η20之比η2/η20宜為1.8~6.0，η2/η20更宜為2.0~5.0。η2/η20之值係可使用來作為評估本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物的搖變性之指標。η2/η20在於上述範圍，所吐出之組成物係可保持適度的半球狀。適度的半球狀係指高度/直徑的比為0.2~0.5。又，旋轉黏度計係適宜為例如Vismetron VDH型(芝浦System公司製)等。
本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物係折射率(25℃、D線)為1.41~1.44，折射率(25℃、D線)宜為1.42~1.43。又，組成物之折射率係可使用例如Abbe折射率計而測定。又，在本說明書中，所謂折射率係只要無特別聲明，為依25℃、D線所測定之折射率。本組成物之折射率在於上述範圍，所得到之聚矽氧硬化物係光例如波長400nm之光的透過性高，抗拉強度或延伸等之機械強度優異。
本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物係使此硬化所得到之聚矽氧硬化物中，形成厚2mm之薄片而測定時，宜在25℃之波長400nm的光之透過率為 90%以上，更宜為93%以上。若波長400nm的光之透過率為上述範圍，封裝光半導體元件時，封裝材可謂具有充分的光透過性。又，光之透過率係可藉紫外線、可見光、近紅外線分光光度計來測定。
本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物係使此硬化所得到之聚矽氧硬化物中，依據JIS K6249，以TYPE A型硬度計所測定的在25℃之硬度宜為30~80，更宜為50~70。若以TYPE A型硬度計所測定的在25℃之硬度為上述範圍，封裝光半導體元件時，作為封裝材可謂具有充分的機械強度。
本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物係進一步使此硬化所得到之聚矽氧硬化物中，宜具有上述硬度同時依據JIS K6249，以抗拉試驗機所測定之在25℃下的抗拉強度為4MPa以上，更宜為6MPa以上。又，宜與抗拉強度同時地被測定之延伸為70%以上，更宜為100%以上。若上述抗拉強度及延伸為上述範圍，封裝光半導體元件時，作為封裝材可謂具有充分的機械強度。
為使本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物硬化係主要於(A)成分、(B)成分及(C)成分使氫矽烷基化反應以進行硬化。此時，硬化反應係可依據上述反應抑制劑的種類或其添加量而適當調整。較佳之硬化條件可舉例如以50~200℃加熱60~300分鐘的條件等。如此所得到之聚矽氧硬化物係硬質的橡膠狀或具有可撓性之樹脂狀，如上述般，為具有良好之光透過性與機械強度 者。
本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物的硬化物係可使用來作為封裝裝載於基板上之LED等的光半導體元件的封裝材。使用本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物作為例如COB(Chip on board)用時，首先，光半導體元件封裝用聚矽氧組成物係在裝載於基板上之光半導體元件上供給特定量以被覆其全體。然後，使該組成物硬化以進行封裝。本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物係供給至光半導體元件上至硬化終止之間可維持特定的形狀例如半球形狀，故尤其適宜作為COB(Chip on board)用。
本發明之光半導體裝置係使用上述本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物來封裝光半導體元件而成。在本發明之光半導體裝置中，所封裝之光半導體元件係無特別限制。又，裝載光半導體元件之支撐構造體係無特別限定而可為封裝體，亦可為無封裝體之支撐基板例如陶瓷基板、矽基板、玻璃環氧基板、電木(Bakelite)(環氧樹脂)基板、金屬基板等。有關封裝之方法亦無特別限定，可依照各種封裝方法而使上述本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物的特定量封裝光半導體元件般供給，以特定之條件硬化，可製造光半導體裝置。又，封裝方法係如上述般，適宜為COB。又，本發明之光半導體裝置係可廣泛舉例光二極體、CCD、CMOS等之汎用光半導體裝置。
〔實施例〕
以下，記載有關本發明之實施例，但本發明係不限定於此等之實施例。
又，在以下之實施例中於各成分之黏度測定係就旋轉黏度計而言，對於旋轉數為20rpm及2rpm之測定係使用Vismetron VDH型(芝浦System公司製)，對於旋轉數為60rpm之測定係使用Vismetron VDH型(芝浦System公司製)。
在以下之實施例及比較例中就(A)成分、(B)成分、(C)成分而言，使用以下之表1所示的聚有機矽氧烷。表1中係表示各成分之別、聚有機矽氧烷的簡稱、平均分子式或平均單元式(僅平均單元式時表記為單元式)、以旋轉黏度計在25℃的黏度[mPa‧s]或質量平均分子量(Mw)。又，在表1中(B)成分以外係表示黏度。進一步，黏度係有關(A)成分及以下之(Ac)成分藉No.4旋轉子以60rpm之旋轉條件測定，有關(C)成分係藉No.1旋轉子以60rpm之旋轉條件測定。
又，在表1中，線性聚合物(A1)、(A2)係被分類成本發明之組成物所使用的(A)成分之直鏈狀聚有機矽氧烷，線性聚合物(Ac1)~(Ac4)係未被分類成本發明之組成物所使用的(A)成分之比較例使用的直鏈狀聚有機矽氧烷。使線性聚合物(Ac1)~(Ac4)稱為 (Ac)成分。
又，在(A)成分、(Ac)成分中係以Ph2SiO單元數作為m，以Me2SiO單元數作為n，算出m/(m+n)。將結果一併表示於表1。線性聚合物(A1)、(A2)係本發明之組成物的(A)成分之範圍的0.01<m/(m+n)<0.10之範圍內，線性聚合物(Ac1)~(Ac4)係範圍外。
又，若(B)成分之樹脂狀聚合物(B1)中的各矽氧烷單元之比率以上述x、y、z表示，x=0.40、y=0.07、z=0.53。
表1中，Vi表示乙烯基，Me表示甲基，Ph表示苯基。
又，使用以下之化合物等作為(D)成分~(G)成分。
(D)成分：二氧化矽粉末
二氧化矽粉末(D1)：經以六甲基二矽氮烷處理表面之比表面積約140m2/g的煙霧質二氧化矽。二氧化矽表面之碳量4質量%。
二氧化矽粉末(D2)：經以六甲基二矽氮烷處理表面之比表面積約200m2/g的煙霧質二氧化矽。二氧化矽表面之碳量3.5質量%。
(E)成分：氫矽烷基化反應觸媒
乙烯基偶體配位鉑觸媒(僅稱為「鉑觸媒」)。
(F)成分：黏著性賦予劑
黏著性賦予劑1：相對於上述式(S1)所示之(HMeSiO)3(Me2SiO)的1莫耳而使3-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷的1莫耳反應所得到之反應生成物。
黏著性賦予劑2：3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷。
(G)成分：液狀之搖變性賦予劑
聚氧丙二醇(Mw：2000、黏度(25℃、No 3旋轉子、60rpm)300[mPa‧s])
〔實施例1~6、比較例1~3〕
以表2所示之組成混合各成分，製造實施例1~6及比較例1~3之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物。又，為使固體成分之(B)成分於組成物中均一地含有，使用以 下之方法。首先，使(B)成分形成適度的濃度之二甲苯溶液而與(A)成分混合後，藉加熱及/或減壓除去二甲苯，製作(A)成分與(B)成分之混合物。以使此混合物與其他之成分混合來製作各例之組成物。
又，表2中(E)成分之含量係相對於(A)成分、(B)成分及(C)成分之合計質量的鉑元素換算之含量(ppm)。
〔評估〕
對於以下之評估項目而評估上述所得到之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物及使其硬化所得到之聚矽氧硬化物。結果一併表示於表2。
(1)組成物之評估
(折射率)
對於各組成物，在25℃下使用Abbe折射率計而測定D線之折射率。
(黏度、搖變性評估(黏度比：η2/η20))
對於各組成物，使用旋轉黏度計，測定以No.6旋轉子所得到之2rpm的黏度η2與20rpm之黏度η20，算出其黏度比η2/η20，評估搖變性。
(2)硬化物之評估
(硬化物之試驗片的製作)
使上述所得到之各組成物以150℃、60分鐘的條件硬化，得到透過率測定用之厚2mm的薄片狀試驗片。又，同樣地從所硬化之薄片狀硬化物製作啞鈴狀2號形作為依據JIS K 6249之機械特性測定用試驗片。
(透過率)
使用透過率測定用之厚2mm的薄片狀試驗片，使對於波長400nm之光的光透過率[%]在25℃下藉分光光度計測定。
(機械強度)
使用機械特性測定用試驗片，依據JIS K 6249而測定25℃之硬度(TypeA)、抗拉強度[MPa]、延伸[%]。
從表2明顯可知，本發明之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物係在所得到之聚矽氧硬化物中，於光半導體裝置所求取之波長400nm光的透過性高，且機械強度亦優異。又，在本發明之組成範圍外之比較例1~3的組成物中，在所得到之聚矽氧硬化物中，波長400nm光之透過性及/或機械強度不充分。

Claims (10)

  1. 一種光半導體元件封裝用聚矽氧組成物，其特徵係分別含有：(A)以下述通式(1)所示之聚有機矽氧烷；與(B)使於1分子中至少具有1個烯基且含有x個之R1 3SiO1//2單元、y個之R1 2SiO單元、及z個之SiO2單元(但各矽氧烷單元中，R1分別獨立表示烯基或亦可被鹵素取代之烷基，R1 2SiO單元中之R1之至少1個為烯基)，x、y、z之合計換算成1時的x、y、z分別為0.3≦x≦0.5、0<y≦0.1、0.4≦z<0.7之樹脂狀構造的聚有機矽氧烷，就(A)成分與(B)成分之合計為100質量份，且相對於(A)成分與(B)成分的合計量100質量份，(B)成分成為10~40質量份之量；(R1 3SiO1/2)(R2 2SiO)m(R1 2SiO)n(R1 3SiO1/2)…(1)(但式(1)中，R1分別獨立表示烯基或亦可被鹵素取代之烷基，R2分別獨立表示芳基，R1之至少2個為烯基，0.01<m/(m+n)<0.10)；(C)使於1分子中至少具有2個鍵結於矽原子之氫原子的聚有機氫矽氧烷，相對於前述(A)成分及(B)成分各自所具有之烯基的合計量1莫耳，鍵結於矽原子之氫原子成為1~3莫耳的量；(D)二氧化矽粉末5~20質量份；及 (E)氫矽烷基化反應觸媒的觸媒量；折射率(25℃、D線)為1.41~1.44。
  2. 如申請專利範圍第1項之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物，其中進一步含有(F)黏著性賦予劑0.1~10質量份，而該黏著性賦予劑係含有由環氧基、氫矽烷基(Si-H基)、交聯性之乙烯基及烷氧基矽烷基選出之至少2種者。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物，其中進一步含有(G)液狀之搖變性賦予劑0.005~5質量份。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物，其中可得到形成厚度2mm之薄片時在25℃之波長400nm的光透過率為90%以上之聚矽氧硬化物。
  5. 如申請專利範圍第3項之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物，其中可得到形成厚度2mm之薄片時在25℃之波長400nm的光透過率為90%以上之聚矽氧硬化物。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物，其中以旋轉黏度計所得到之在25℃下的2rpm之黏度η2與20rpm之黏度η20之比η2/η20為1.8~6.0。
  7. 如申請專利範圍第3項之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物，其中以旋轉黏度計所得到之在25℃下的2rpm之黏度η2與20rpm之黏度η20之比η2/η20為1.8~6.0。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物，其中可得到依據JIS K6249而以25℃所測定之TYPE A型硬度計所得到的硬度為30~80且拉抗強度為4MPa以上之聚矽氧硬化物。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物，其中前述(C)成分之聚有機氫矽氧烷為只具有甲基作為鍵結於矽原子之有機基之聚甲基氫矽氧烷。
  10. 一種光半導體裝置，其係藉如申請專利範圍第1或2項之光半導體元件封裝用聚矽氧組成物之硬化物封裝光半導體元件而成。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6148204B2 (ja) * 2014-06-03 2017-06-14 信越化学工業株式会社 硬化性組成物及び半導体装置
JP6006459B1 (ja) * 2015-04-08 2016-10-12 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 電気・電子部品用樹脂組成物
JP2017036416A (ja) * 2015-08-12 2017-02-16 株式会社ダイセル 硬化性シリコーン樹脂組成物及びその硬化物
WO2017089496A1 (de) * 2015-11-26 2017-06-01 Wacker Chemie Ag Hochviskose siliconzusammensetzungen zur herstellung elastomerer formteile mittels ballistischer generativer verfahren
JPWO2017119363A1 (ja) * 2016-01-08 2018-11-01 株式会社ダイセル 硬化性シリコーン樹脂組成物及びその硬化物、並びに光半導体装置
CN106356437B (zh) * 2016-09-30 2019-07-26 广东晶科电子股份有限公司 一种白光led封装器件及其制备方法
JP6754317B2 (ja) * 2017-04-27 2020-09-09 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物、該組成物の製造方法、シリコーン硬化物、及び光学素子
EP3503226A3 (en) * 2017-08-27 2019-09-18 Everlight Electronics Co., Ltd. Semiconductor package structure
CN108102602B (zh) * 2017-12-27 2020-12-01 东莞市贝特利新材料有限公司 一种围坝胶及其制备方法
EP3868833A4 (en) * 2018-10-18 2022-07-20 Dow Toray Co., Ltd. CURABLE ORGANOPOLYSILOXANE COMPOSITION HAVING EXCELLENT COLD RESISTANCE, PATTERN FORMING METHOD, ELECTRONIC COMPONENTS, ETC
JP7475135B2 (ja) * 2019-12-25 2024-04-26 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性白色シリコーン組成物、光半導体装置用反射材、および光半導体装置
TW202248351A (zh) 2021-03-23 2022-12-16 日商陶氏東麗股份有限公司 有機聚矽氧烷組成物
KR20230032620A (ko) * 2021-08-31 2023-03-07 주식회사 케이씨씨실리콘 부가경화형 실록산 조성물

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201005040A (en) * 2008-03-27 2010-02-01 Shinetsu Chemical Co Curable silicone rubber composition and photosemiconductor device using the same as sealing material

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003128920A (ja) * 2001-10-26 2003-05-08 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 硬化性液状シリコーン組成物および半導体装置
EP2955206A1 (en) * 2005-01-24 2015-12-16 Momentive Performance Materials Japan LLC Silicone composition for sealing light emitting element, and light emitting device
JP5217119B2 (ja) * 2005-06-15 2013-06-19 日立化成株式会社 封止用液状エポキシ樹脂組成物、電子部品装置及びウエハーレベルチップサイズパッケージ
JP5534977B2 (ja) * 2010-06-29 2014-07-02 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置
JP5522116B2 (ja) * 2011-04-28 2014-06-18 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201005040A (en) * 2008-03-27 2010-02-01 Shinetsu Chemical Co Curable silicone rubber composition and photosemiconductor device using the same as sealing material

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