JP5512917B2 - 集積フォトダイオードを有するレーザ組立体 - Google Patents

Description

本発明は、全般的に半導体レーザに関し、より詳細には面発光レーザを含む組立体に関する。

半導体レーザは、一般に、半導体ウェハ上に作製され、その後個別のレーザ・デバイスに劈開される。半導体レーザは、端面発光レーザ（ＥＥＬ）または面発光レーザ（ＳＥＬ）とすることができる。ＥＥＬでは光出力の方向がウェハ表面に平行であり、一方、ＳＥＬでは光出力の方向がウェハ表面に垂直である。ＳＥＬは、通常、発光のための１つまたは複数の量子井戸を有する活性領域を含む。この活性領域は、上下の分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ミラーの間に挟まれている。ＤＢＲミラーは、屈折率の異なる、半導体層と誘電体層の組合せで構成される。上部ＤＢＲミラーは、一般に、下部ＤＢＲミラーより低い反射率を有し、したがって、ＳＥＬの一次光出力が出射される出射ミラーとなる。

ＳＥＬは、電気通信および光記憶装置を含むいくつかの用途に対してＥＥＬよりも様々な利点を有する。例えば、ＳＥＬは一般に、ＥＥＬによって発生させられる光出力よりも、円形で発散角が小さい光出力を有する。ＳＥＬは、より安価に製造することもでき、エネルギー効率をより良くすることもできる。最後に、ＳＥＬは、ＥＥＬよりも製造中の試験をしやすい。これは、ＳＥＬとは異なりＥＥＬは、光出力が平行方向であるため、半導体ウェハ中にまだ組み込まれているときに試験をすることができないという事実による。

半導体レーザの出力パワーは、このレーザの動作温度に決定的に依存する。そのため、半導体レーザを使用する際は、レーザが温度を変化させてもレーザの出力パワーを一定の目標値に維持するために、自動パワー制御フィードバック法が実行される場合が多い。半導体レーザの自動パワー制御は、通常、モニタ・フォトダイオードを使用してレーザの出力パワーを監視することによって実現させることができる。モニタ・フォトダイオードは、レーザ組立体の外部の制御回路に通じる電気出力信号を発生する。次に、レーザの出力パワーを一定の目標値に維持するために、制御回路は、レーザに供給すべき適切な駆動電力を決定する。

しかし、ＳＥＬの自動パワー制御は、問題となる場合がある。従来、ＳＥＬにおいて自動パワー制御を実現させるためには、ミラー、ビーム・スプリッタ、レンズ等いくつかの光デバイスが一次光出力の光路中に配置される。これらの光デバイスは、一次光出力の一部をモニタ・フォトダイオードの近傍に導くように働き、モニタ・フォトダイオードが電気出力信号を制御回路に送る。とは言うものの、これらの光デバイスは、レーザ組立体からレーザ組立体へと再現可能に配置することが難しい場合が多い。結果として、同じ型のレーザ組立体中のモニタ・フォトダイオードは、所期のレーザ出力パワーに対して異なる光量を受ける場合が多くなる。また、ＳＥＬの一次光出力を監視するために使用される光デバイスは、比較的高価であり、監視されているＳＥＬの出力を減衰させ、不満足なパワー制御を引き起こす場合が多い。
Ｓ．Ｗｏｌｆら、Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｆｏｒ ｔｈｅ ＶＬＳＩ Ｅｒａ、第１巻−Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｌａｔｔｉｃｅ Ｐｒｅｓｓ、１９８６年 Ｃ．Ｗ．Ｗｉｌｍｓｅｎら、Ｖｅｒｔｉｃａｌ−Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒｓ：Ｄｅｓｉｇｎ，Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ，ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ、Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｐｒｅｓｓ、１９９９年 Ｃ．Ｄａｖｉｓ、Ｌａｓｅｒｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃｓ：Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ、Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｐｒｅｓｓ、１９９６年

したがって、出力パワーを監視するためにＳＥＬの一次光出力を使用することなく自動パワー制御を可能にする、簡単に作製される安価なＳＥＬ組立体が必要とされている。

本発明の実施形態は、ＳＥＬを伴う用途で使用するための組立体を提供することにより、上記に示された必要性に対処する。これらの組立体は、自動パワー制御用の集積フォトダイオードを有する基板を利用する。このフォトダイオードは、ＳＥＬの下部ＤＢＲミラーを通って伝送される二次光出力を監視する。このように、ＳＥＬの一次光出力は、自動パワー制御に含まれない。

本発明の一態様によれば、レーザ組立体は、基板と、１つまたは複数のスタンドオフと、半導体レーザとを含む。基板は、第１のドープ領域と第２のドープ領域とを有する。第２のドープ領域は、基板の上面の近傍にあり、第１のドープ領域と共にｐｎ接合を形成する。半導体レーザは、上面および下面から光を出射させるように機能する。また、半導体レーザは、半導体レーザの下面から出射された光が第２のドープ領域に入射するように１つまたは複数のスタンドオフによって基板の上面に取り付けられている。

本発明の例示的な一実施形態では、組立体は、基板の上面の近傍にｐドープ領域を有するｎドープ・シリコン基板を含む。これらのｎドープ領域およびｐドープ領域は、感光性のｐｎ接合を形成する。ＳＥＬは、３つの金属スタンドオフによって基板の上面に実装されており、外部の制御回路から電力供給される。ＳＥＬは、その上面からその一次光出力を出射させるが、その下面から二次光も出射させる。ＳＥＬの下面から出射された光は、拡散領域に入射し、ｐｎ接合中を電流が流れるようにさせる。ＳＥＬを目標出力パワーに維持するために、この電流は、電流を利用する制御回路へとフィードバックされる。

有利なことに、自動パワー制御は、こうしてＳＥＬの下面からの二次光出力を利用することによって実現される。自動パワー制御のために一次光出力を使用することに付随する問題は、こうして本発明の態様による組立体を利用することによって回避される。

本発明のこれらおよび他の特徴および利点は、添付の図面と併せて読まれる以下の詳細な説明から明らかとなろう。

本発明を、ＳＥＬを含む用途向けの例示的なレーザ組立体に関連して本明細書に例示する。しかし、本発明は、本明細書に示され説明される特定の構成、材料、膜層およびプロセス工程に限定されないことを理解されたい。例示的な実施形態の改変は、当業者には明らかになろう。

また、添付の図面に示された様々な特徴は、一定の縮尺で描かれていないことも理解されたい。また、説明を節約するために、図面は、本発明の態様を示すために必要な要素のみに制限されている。実際の用途では、本発明の態様による組立体は、本明細書に例示された要素よりも多くの要素を含むことがあろう。とは言うものの、これらのより広範な組立体は、依然として本発明の範囲内にあることになる。

本明細書で使用される用語「スタンドオフ」は、２つの物理的な要素を互いから隔てるために適した、任意の物理的な構造を含むものとする。
図１Ａは、本発明の例示的な一実施形態による組立体１００の平面図を示す。図１Ｂは、図１Ａに示される平面に切られた図１Ａの組立体の断面図を示す。

組立体１００は、ＳＥＬ１０５と、基板１１０とを含む。ＳＥＬは、スタンドオフ１１５により表される３つのスタンドオフによって基板に取り付けられている。基板中には、拡散領域１２０が組み込まれている。この拡散領域には、拡散接点１２５が取り付けられている。拡散領域の外側の基板には、基板接点１３０が取り付けられている。ＳＥＬには、第１のＳＥＬ接点１３５および第２のＳＥＬ接点１４０が取り付けられている。第１のＳＥＬ接点は、光がＳＥＬの上面から出射されることを可能にする窓を画定する。

組立体１００内の要素は、組立体の外部の制御回路１４５に電気的に接続される。これらの電気的な接続は、この目的のために設計された様々なボンド・パッドおよび配線を利用することによって実現される。制御回路と第１のＳＥＬ接点１３５との間の電気的な接続は、制御回路を第１のＳＥＬボンド・パッド１５０に第１の外部ＳＥＬ配線１５５を使用して電気的に接続することによって実現される。第１のＳＥＬボンド・パッドは、第１の内部ＳＥＬ配線１６０を介して第１のＳＥＬ接点に電気的に接続される。同様に、制御回路は、第２のＳＥＬボンド・パッド１６５、第２の外部ＳＥＬ配線１７０、および第２の内部ＳＥＬ配線１７５を介して第２のＳＥＬ接点１４０に接続される。また、制御回路は、拡散ボンド・パッド１８０、外部拡散配線１８５、および内部拡散配線１９０を介して拡散接点１２５に取り付けられている。基板接点１３０は、制御回路が基板配線１９５を介してアクセスされる。

組立体１００中の基板１１０は、好ましくはｎ型シリコンを含む。ボンド・パッド、接点、および配線は、限定されることはないが、好ましくは、アルミニウム、銅、または銀などの導電性金属を含む。第１のＳＥＬボンド・パッド１５０、第２のＳＥＬボンド・パッド１６５、および拡散ボンド・パッド１８０は、それぞれ誘電材料の層の上にある。このように、これらのボンド・パッドは基板と電気的に接触しない。

有利なことに、拡散領域１２０は、従来の半導体プロセス技術を使用して基板１１０中に形成させることができる。拡散領域を形成することは、例えば、不純物を基板中にイオン注入すること、そして次に基板をアニールすることを含むことができる。アニール工程によって、不純物は基板中に移動し電気的に活性化する。両方のプロセス工程は当業者にはよく知られるものとなり、例えば、参照により本明細書に組み込まれている、Ｓ．Ｗｏｌｆら、Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｆｏｒ ｔｈｅ ＶＬＳＩ Ｅｒａ、第１巻−Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｌａｔｔｉｃｅ Ｐｒｅｓｓ、１９８６年を含むいくつかの参考文献に詳細に記載されている。

組立体１００の要素と制御回路１４５との間の電気的な接続のブロック図が図１Ｃに示されている。理解を容易にするために、ブロック図中の信号経路には、図１Ａおよび図１Ｂ中の物理的な実装（すなわち、物理的な配線）に対応する参照番号が付けられている。
ここで、自動パワー制御を実現させるための組立体１００の動作を説明することができる。

ＳＥＬの設計、動作特性および形成は、当業者にはよく知られるものとなる。また、ＳＥＬは、例えば、参照により本明細書に組み込まれている、Ｃ．Ｗ．Ｗｉｌｍｓｅｎら、Ｖｅｒｔｉｃａｌ−Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒｓ：Ｄｅｓｉｇｎ，Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ，ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ、Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｐｒｅｓｓ、１９９９年を含むいくつかの容易に入手可能な参考文献に詳細に記載されている。

典型的なこととして、ＳＥＬ１０５は、上下のＤＢＲミラーの間に挟まれる活性領域を含む。ＳＥＬは、活性領域の両端間に電圧を印加することによって電力供給され、その中を電流が流れる。活性領域中の電子は、この印加電圧の結果として高エネルギー状態に達する。電子のエネルギー状態が自然に低くなると、光子が生成される。これらの光子のいくつかは、ＤＢＲミラーの反射面に垂直な方向に移動する。確実な反射の結果として、これらの光子は、活性領域を通って数回往復移動する。光子が他の高エネルギー状態の電子と相互作用すると、誘導放出が生じ、その結果同様な特性を有するさらなる光子が生成される。

したがって、ＳＥＬ１０５の出力パワーは、ＳＥＬの活性領域の両端間の電圧を変化させることによって修正させることができる。活性領域に印加される電圧量が大きいほど、この活性領域中に生じる誘導放出量が大きくなり、光出力量が大きくなる。組立体１００では、制御回路１４５が、この電圧を第１のＳＥＬ接点１３５および第２のＳＥＬ接点１４０を通してＳＥＬに印加する。

典型的なＳＥＬでは、若干異なる反射率を有する上下のＤＢＲミラーが形成される。組立体１００中の特定のＳＥＬ１０５では、上部ＤＢＲミラーは、下部ＤＢＲミラーよりも低い反射率を有する。したがって、ＳＥＬの一次光出力は、ＳＥＬの上面（すなわち、基板１１０から最も遠く離れた表面）からとなる。とは言うものの、ＳＥＬの下面（すなわち、基板に最も近い表面）から、より小さな量の二次光出力も出射される。ＳＥＬの下面から出射されたこの少量の光は、上面から出射された光に比例する。結果として、ＳＥＬの下面から出射された光の出力パワーは、ＳＥＬの一次出力パワーを制御するための理想的なフィードバック源になる。

本発明の一態様によれば、ＳＥＬ１０５の下面から出射された二次光は、拡散領域１２０に直接入射する。拡散領域が周囲の基板とは異なる導電型を有するようにドープされると、ｐｎ接合が形成される。このｐｎ接合は、適切に構成すると、入射する光を電流信号に変換することが可能なフォトダイオードとして働くようになる。この電流信号の大きさは、入射する光の強さの関数である。ｐｎ接合を形成したフォトダイオードの設計および動作特性は、広く理解されており、当業者にはよく知られるものとなる。また、こうしたデバイスは、参照により本明細書に組み込まれている、Ｃ．Ｄａｖｉｓ、Ｌａｓｅｒｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃｓ：Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ、Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｐｒｅｓｓ、１９９６年を含むいくつかの参考文献に記載されている。

特定の組立体１００では、基板１１０の残りがｎ型でありながら拡散領域１２０はｐ型となるように、拡散領域１２０がドープされる。ＳＥＬ１０５の下面から出射された光は、拡散領域に入射し、光電効果の結果としてフォトダイオード中に電流を生成する。この電流は、図１Ａ〜図１Ｃに示される電気的な接続を通して制御回路１４５に伝送される。

組立体１００中にあるようなシリコンベースのフォトダイオードの構成は、典型的には、約１００と約１１００ナノメートルの間の波長を有するレーザ光について、光の強さを測定することが可能である。場合によっては、制御回路１４５は、拡散領域１２０と基板１１０の電圧差を適用するように働くことができ、ｐｎ接合に逆バイアスをかけることを可能にする。ｐｎ接合に逆バイアスをかけることにより、フォトダイオードをより光に反応しやすくさせることができる。また、逆バイアスをかけられたｐｎ接合は、光の強度の変化により直線的に応答する傾向がある。

組立体１００中のＳＥＬ１０５の自動パワー制御は、ＳＥＬと、拡散領域１２０および基板１１０を含むフォトダイオードと、制御回路１４５との間に電子的なフィードバック・ループを形成することによって確立される。このように、フォトダイオードは、電流を制御回路に伝送する。この電流の大きさは、ＳＥＬの生じる光出力パワーの関数である。次に、この電流は、ＳＥＬが目標出力パワーを生成している場合にフォトダイオードによって生成されることになる、所定の設定点で動作する電流と比較される。比較によって、実際のＳＥＬ出力パワーと目標出力パワーとの差に比例した誤差信号が生成される。次に、制御回路は、ＳＥＬの印加電圧をこの誤差信号に応じて修正する。ＳＥＬが目標出力パワーより高い出力パワーで動作している場合は、制御回路はＳＥＬの活性領域の印加電圧を低減し、その結果、活性領域内の誘導放出が減少する。一方、ＳＥＬが目標出力パワーより低い出力パワーで動作している場合は、制御回路は活性領域に作用している電圧を増大させ、誘導放出が増加する。このように、制御回路は、ＳＥＬを目標出力パワーに維持する。

有利なことに、自動パワー制御は、こうしてＳＥＬ１０５の下面からの二次光出力を利用することによって実現される。自動パワー制御のために一次光出力を使用することに付随する問題は、こうして本発明の態様により組立体を利用することによって回避される。

ＳＥＬ１０５は、スタンドオフ１１５によって基板１１０の上面に取り付けられていることに留意されよう。スタンドオフは、基板にＳＥＬを物理的に取り付けるように機能する。また、スタンドオフは、ＳＥＬから熱を放散させる手段として、ＳＥＬによって発生させられる熱を基板に伝達する働きをすることができる。

図１Ａおよび図１Ｂに示される特定の実施形態では、基板１１０の上面にＳＥＬ１０５を取り付けるために３つの矩形のスタンドオフ１１５が利用されている。とは言うものの、このスタンドオフの設計は完全に例示的なものであり、他の構成を利用してもよく、これらは依然として本発明の範囲内にある。例えば、別の実施形態では、基板にＳＥＬを取り付けるために１つのスタンドオフを使用することが有利であり得る。この１つのスタンドオフは、基板の上面に平行な平面において、例えばＵ字型の断面を有することも可能である。しかし、さらに別の構成では、基板の上面に平行な平面において、円形の断面を有する４つのスタンドオフを利用してもよい。これらの円形のスタンドオフは、例えば、ＳＥＬの４つの隅部の近傍に配置してもよい。

スタンドオフ１１５は、好ましくは１つまたは複数の金属材料を含むことになるが、適切な非金属材料を利用してもよい。金属材料は、基板１１０上で容易に作製され、ＳＥＬ１０５に容易に接合されると共に、ＳＥＬと基板の間に良好な熱伝導をもたらすという利点を有する。スタンドオフは、例えば、チタン、金、白金、および金−スズのブランケット層を基板上に堆積させることによって形成することができる。次に、これらの層は、フォトリソグラフィ工程および反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）工程によってパターニングされ、図１Ｂに示される３つのスタンドオフを形成する。こうしたリソグラフィ工程およびＲＩＥ工程は、従来、金属フィーチャをパターニングするために半導体プロセスにおいて使用されており、当業者にはよく知られるものとなる。これらは、上述の、参照により本明細書に組み込まれているＳ．Ｗｏｌｆらによる参考文献などの容易に入手可能な参考文献にも記載されている。スタンドオフは、限定されることはないが、電子ビーム蒸着など他の金属堆積法によって形成することもできる。

ＳＥＬ１０５とスタンドオフ１１５の間の良好な取付けを実現させるためには、ＳＥＬの下面の、スタンドオフに接合されることになる領域（すなわち、ボンディング領域）はまた、金などの金属材料によって被覆されている。次に、組立体を加熱しながらスタンドオフにＳＥＬを押し付けることによって、ＳＥＬをスタンドオフに取り付けることができる。十分に高い温度に達した後、スタンドオフ中の金−スズ層は溶融し、ＳＥＬのボンディング領域と共に金属結合を形成することになる。その後、温度が低下すると、この金属結合はＳＥＬをスタンドオフに固定するように働くことになる。

場合によっては追加的に、本発明の別の態様によれば、ＳＥＬ１０５中への光の後方反射を低減するために拡散領域１２０中に溝を形成してもよい。図１Ｄは、拡散領域に溝１２２が追加された組立体１００を示す。溝は、好ましくは、４つの表面で画定され、図に示される平面において、くさび形の断面を有する。このくさび形の溝は、角度の付いた溝の面のうちの１つにＳＥＬの下面から出射した光が当たるように位置付けられる。光がこの角度の付いた面にぶつかると、光の一部が入射角に等しい角度で反射され、その結果、光が出射されたＳＥＬの下面の部分からそらされる。有利なことに、この光は、ＳＥＬに再突入しないが依然としてフォトダイオードによって測定される。

拡散領域１２０における溝１２２の形成は、基板１１０中に拡散領域を形成する前または後に行うことができる。溝の形成は、好ましくは従来のフォトリソグラフィ工程およびウェット・エッチング工程によって得られる。所望の形状を実現させるためには、ウェット・エッチングは、エッチングされている基板の結晶方位に化学エッチングの速度が極めて敏感であるように構成される（すなわち、ウェット・エッチングは異方性である）。例えば、基板がシリコン製である場合、こうした異方性ウェット・エッチングは、水酸化カリウム、イソプロピル・アルコール、および水の組合せを使用することによって実現させることができる。

図２は、本発明の例示的な別の実施形態によるマルチレーザ組立体の平面図である。組立体２００は、３つのＳＥＬモジュール２０１−１、２０１−２、および２０１−３を含む。各ＳＥＬモジュールは、図１Ａおよび図１Ｂに示される組立体１００と実質的に同じ要素を含み、したがって、これらの要素には同じ参照番号が付けられている。各ＳＥＬモジュール用の別々の配線により、制御回路は、上述した方法と同様に、各ＳＥＬに対する独立した自動パワー制御を行うことが可能になる。

組立体２００などのマルチレーザ組立体中の複数のＳＥＬは、同じ波長で光を出射させてもよく、または異なる波長で光を出射させてもよく、あるいはこれらの組合せで出射させてもよい。同じ波長の複数のＳＥＬが１つの組立体に組み込まれている場合は、光学素子の簡単な構成を利用して複数のＳＥＬの一次出力を１つのレーザ・ビーム中に組み合わせることができる。この１つのレーザ・ビームは、複数のＳＥＬの組み合わせられたパワーを有することになる。したがって、本発明の態様によるマルチレーザ組立体は、任意の１つのＳＥＬによって発生させることができるパワーよりも大きなパワーを有するレーザ・ビームを作り出すために有用である。こうしたマルチレーザ組立体は、例えば、光ファイバ通信システムにおいて有用であり得る。

また、組立体２００などのマルチレーザ組立体は、ブルーレイ、ＤＶＤ、およびＣＤなどのいくつかの光ディスク形式によってデータを記録および再生することが可能な光記憶ドライブにおいて有用であり得る。こうしたマルチレーザ組立体は、互いに異なる波長で光を出射させるＳＥＬを利用することもある。ブルーレイは、例えば高解像度放送から、高解像度コンテンツを記録および再生することが可能な比較的新しい光ディスク形式である。ブルーレイ用途向けの半導体レーザは、典型的には、波長４０５ナノメートルで出射する。ＤＶＤおよびＣＤ用途向けの半導体レーザは、典型的にはそれぞれ、波長６６０ナノメートルおよび７８５ナノメートルで出射する。

重要なことには、本発明の例示的な実施形態が添付の図面を参照して本明細書中に説明されてきたが、本発明はそれらの明確な実施形態に限定されないことを理解されたい。例えば、本明細書において説明された特定のレーザ、実装構造、回路、および他の特徴は、他の実施形態において変更することができる。添付の特許請求の範囲から逸脱することなく行うことのできる様々な他の変更および改変が当業者には認識されよう。

本発明の例示的な一実施形態によるレーザ組立体の一部の平面図である。 図１Ａの組立体の断面図である。 図１Ａの組立体およびその制御回路のブロック図である。 拡散領域に溝を有する図１Ａの組立体の断面図である。 本発明の例示的な別の実施形態によるマルチレーザ組立体の一部の平面図である。

Claims (8)

1. レーザ組立体であって、
   第１のドープ領域と第２のドープ領域とを有する基板であって、前記第２のドープ領域が基板の上面の近傍にあり、前記第１のドープ領域と共にｐｎ接合を形成する基板と、
   １つまたは複数のスタンドオフと、
   上面および下面から光を出射させるように機能する半導体レーザであって、半導体レーザの前記下面から出射された前記光が前記第２のドープ領域に入射するように、前記１つまたは複数のスタンドオフによって前記基板の前記上面に取り付けられている、半導体レーザと、
   を含み、
   完全に前記第２のドープ領域内である、前記基板の前記上面に溝が形成され、前記溝は第２のドープ領域を形成した後に形成され、かつ、少なくとも第１の斜面と第２の斜面とを有し、
   前記半導体レーザーの下面から出射され前記第２のドープ領域に入射する前記光は、前記溝の斜面に入射し、
   前記第２のドープ領域は前記基板の上面と実質的に平行な底面を有し、前記底面は前記基板の上面から第１の深さにあり、
   前記溝は、前記基板の上面から、前記第１の深さ未満の第２の深さを有する、
   ことを特徴とする、レーザー組立体。
2. 前記半導体レーザが面発光レーザを含む、請求項１に記載のレーザ組立体。
3. 前記ｐｎ接合が電流を発生させ、前記電流の大きさが前記半導体レーザの出力パワーの関数である、請求項１に記載のレーザ組立体。
4. 前記溝が、前記基板の前記上面によって画定された平面に垂直な平面において実質的にくさび形の断面を有する、請求項１に記載のレーザ組立体。
5. 前記基板の前記上面の近傍にあり、前記第１のドープ領域と共にｐｎ接合を形成する、前記基板中の第３のドープ領域と、
   上面および下面から光を出射するように機能する第２の半導体レーザであって、半導体レーザの前記下面から出射された前記光が前記第３のドープ領域に入射するように、１つまたは複数のスタンドオフによって前記基板の前記上面に取り付けられている、第２の半導体レーザと
   をさらに含み、
   前記第３のドープ領域は前記第２のドープ領域と実質的に同じ形状および溝を有する、
   請求項１に記載のレーザ組立体。
6. レーザ組立体と制御回路とを含む装置であって、
   前記レーザ組立体が、
   第１のドープ領域と第２のドープ領域とを有する基板であって、前記第２のドープ領域が基板の上面の近傍にあり、前記第１のドープ領域と共にｐｎ接合を形成する基板、
   １つまたは複数のスタンドオフ、および、
   上面および下面から光を出射させるように機能する半導体レーザであって、半導体レーザの前記下面から出射された前記光が前記第２のドープ領域に入射するように、前記１つまたは複数のスタンドオフによって前記基板の前記上面に取り付けられている、半導体レーザ、
   を含み、
   完全に前記第２のドープ領域内である、前記基板の前記上面に溝が形成され、前記溝は第２のドープ領域を形成した後に形成され、かつ、少なくとも第１の斜面と第２の斜面とを有し、
   前記半導体レーザーの下面から出射され前記第２のドープ領域に入射する前記光は、前記溝の斜面に入射し、
   前記第２のドープ領域は前記基板の上面と実質的に平行な底面を有し、前記底面は前記基板の上面から第１の深さにあり、
   前記溝は、前記基板の上面から、前記第１の深さ未満の第２の深さを有し、および
   前記制御回路が、
   前記ｐｎ接合によって発生させられる電流に応答して前記半導体レーザの出力パワーを制御するように機能する、
   ことを特徴とする、装置。
7. 前記制御回路が、前記半導体レーザの前記出力パワーを所定の値に維持するように機能する、請求項６に記載の装置。
8. レーザ組立体を形成する方法であって、
   基板を形成する工程であって、前記基板が第１のドープ領域と第２のドープ領域とを有し、前記第２のドープ領域が前記基板の上面の近傍にあり、前記第１のドープ領域と共にｐｎ接合を形成する、基板を形成する工程と、
   上面および下面から光を出射させるように機能する半導体レーザを、前記半導体レーザの前記下面から出射された前記光が前記第２のドープ領域に入射するように、１つまたは複数のスタンドオフによって前記基板の前記上面に取り付ける工程と、
   を有し、
   前記基板を形成する工程が、
   前記第２のドープ領域が前記基板の上面と実質的に平行な底面を有し、前記底面が前記基板の上面から第１の深さにあるように、前記第２のドープ領域を形成する工程と、
   前記第２のドープ領域の形成後に、完全に前記第２のドープ領域内である、前記基板の前記上面に溝を形成する工程であって、前記半導体レーザーの下面から出射され前記第２のドープ領域に入射する光が前記溝の斜面に入射するように、少なくとも第１の斜面と第２の斜面とを有し、かつ、前記基板の上面から、前記第１の深さ未満の第２の深さを有する溝を形成する工程と、
   を有することを特徴とする、方法。

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