JP2014150520A - 光インターコネクション装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上における発光素子又は受光素子のアライメント精度を高め、一つの基板を中継して光信号の送受信を行う場合にも比較的簡易な製造工程で形成することができ、発光素子又は受光素子を高密度に配置した場合であっても基板間信号伝送のクロストークを抑制する。
【解決手段】積層配置された複数の半導体基板１０間で光信号の送受信を行う光インターコネクション装置１であって、一つの半導体基板１０に配置された発光素子２又は受光素子３は、半導体基板１０を共通の半導体層とするｐｎ接合部１０ｐｎを備え、且つ半導体基板１０の一面側に形成され、異なる半導体基板１０間で光信号の送受信を行う一対の発光素子２と受光素子３は、当該発光素子２で発光した光が半導体基板１０を透過して当該受光素子３で受光される。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板間光インターコネクションを実現することができる光インターコネクション装置に関するものである。

光インターコネクションは、光ファイバーを用いた長距離信号伝送の分野では、高速・大容量伝送、優れた耐ノイズ性、ケーブル細径化などの特徴を生かして、現在広く普及している。一方、情報処理装置内での情報処理速度の高速化を更に進めるためには、ボード間、チップ間、或いはチップ内といった極短距離での光インターコネクションが不可欠であり、このための技術開発が現在進められている。

近年、半導体基板の高密度実装を図るために半導体基板を積層配置した３次元実装技術が提案されている。基板間光インターコネクションは、この積層配置された半導体基板間の信号伝送を導電線による接続や光ファイバーを用いた接続を行うこと無く実現する技術として注目されている。下記特許文献１に記載された従来技術には、光伝送基板を複数積層配置して、一つの基板に設けた発光素子と他の基板に設けた受光素子との間で光信号の送受信を行うことが示されている。

特開２０００−２７７７９４号公報

基板を複数積層配置して、一つの基板に設けた発光素子と他の基板に設けた受光素子との間で光信号の送受信を行う場合、送受信を行う発光素子と受光素子の位置を異なる基板上で精度よく位置合わせする必要があり、発光素子又は受光素子の基板上でのアライメント精度が問題になる。特に、基板上に発光素子又は受光素子を実装する場合には、精度の高い位置合わせを行った後に基板上に発光素子又は受光素子を実装することが必要になり、製造工程が煩雑になる問題がある。

複数基板を積層配置した光インターコネクションにおいて、特に、一つの基板を中継して一方の基板から送られてきた光信号を受信し他方の基板に送信する場合には、一つの基板の一面側に受光素子を配置し他面側に発光素子を配置することが必要になり、基板の両側に発光素子又は受光素子を形成する必要があるので、製造工程が更に煩雑になる問題があった。

また、基板上に高密度で発光素子又は受光素子を配置した場合には、異なる基板間で高精度に位置合わせされた一対の発光素子と受光素子間で光信号の送受信を行う場合であっても、発光素子と受光素子の指向性が弱い場合があり、一つの発光素子から発せられた光信号を本来受信すべきでない受光素子が受信するといった信号の誤伝送（クロストーク）が発生する問題があった。

本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、比較的簡易な製造工程で、基板上における発光素子又は受光素子のアライメント精度を高めることができること、一つの基板を中継して光信号の送受信を行う場合にも比較的簡易な製造工程で形成することができること、発光素子又は受光素子を高密度に配置した場合であっても基板間信号伝送のクロストークを抑制することができること、などが本発明の目的である。

このような目的を達成するために、本発明による光インターコネクション装置は、以下の構成を少なくとも具備するものである。
積層配置された複数の半導体基板間で光信号の送受信を行う光インターコネクション装置であって、一つの前記半導体基板に配置された発光素子又は受光素子は、前記半導体基板を共通の半導体層とするｐｎ接合部を備え、且つ前記半導体基板の一面側に形成され、異なる前記半導体基板間で光信号の送受信を行う一対の前記発光素子と前記受光素子は、当該発光素子で発光した光が前記半導体基板を透過して当該受光素子で受光されることを特徴とする光インターコネクション装置。

このような特徴を有する光インターコネクション装置によると、複数の発光素子又は受光素子が半導体基板を共通の半導体層とするｐｎ接合部を備え、一つの半導体基板に半導体リソグラフィ技術を用いて作り込まれるので、比較的簡易な製造工程で発光素子又は受光素子の半導体基板におけるアライメント精度を高めることができる。

異なる半導体基板間で光信号の送受信を行う一対の発光素子と受光素子は、当該発光素子で発光した光が半導体基板を透過して当該受光素子で受光されるので、半導体基板の一面側のみに発光素子又は受光素子を配置して中継基板を形成することができる。これによっても、比較的簡易な製造工程で発光素子又は受光素子を備えた中継基板を形成することができる。

異なる半導体基板間で光信号の送受信を行う一対の発光素子と受光素子が共通波長での発光と受光をそれぞれ行うことで、発光素子又は受光素子を高密度配置した場合にも基板間（チップ間）信号伝送のクロストークを抑制することが可能になる。

異なる半導体基板間で光信号の送受信を行う一対の発光素子と受光素子は、当該発光素子で発光した光が集光手段を介して当該受光素子で受光されることで、発光素子又は受光素子を高密度配置した場合にも基板間（チップ間）信号伝送のクロストークを抑制することが可能になる。

本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置を示した説明図である。 本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置を示した説明図である。 本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置における発光素子又は受光素子の構成例を示した説明図である。 本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置の発光素子又は受光素子を形成する方法を示した説明図である。 本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置における発光素子又は受光素子の具体例を示した説明図である（（ａ）が断面構成を示しており、（ｂ）が平面構成を示している）。 本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置の発光素子又は受光素子を形成する具体的な方法を示した説明図である（（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は各工程を示している）。 本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置の形態例を示した説明図である。 本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置の形態例を示した説明図である。 本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置の形態例を示した説明図である。 本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置の形態例を示した説明図である。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。図１及び図２は、本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置を示した説明図である。光インターコネクション装置１は、積層配置された複数の半導体基板１０（１０−１，１０−２）を備えており、複数の半導体基板１０（１０−１，１０−２）間で光信号の送受信を行うものである。図示の例では、半導体基板１０を２枚積層配置しているが、これに限らず２枚以上の半導体基板１０を積層配置したものであればよい。

一つの半導体基板１０には、発光素子２又は受光素子３が配置されている。発光素子２又は受光素子３は複数であっても単数であってもよい。発光素子２又は受光素子３が複数配置される場合の配置形態は、特に限定されるものではなく、ドットマトリクス状の配列、ストライプ状の配列、直線状の配列など任意の配列が含まれる。また、一つの半導体基板１０に発光素子２のみを配置し、他の半導体基板１０に受光素子３のみを配置したものであってもよい。各半導体基板１０には、発光素子２と受光素子３以外に、発光素子２や受光素子３を駆動するための駆動回路、発光素子２の駆動回路に信号を出力する演算処理回路（集積回路）、受光素子３の駆動回路からの信号が入力される演算処理回路（集積回路）などを形成又は実装することができる。

光インターコネクション装置１においては、一つの半導体基板１０に配置された発光素子２又は受光素子３は、半導体基板１０を共通の半導体層とするｐｎ接合部１０ｐｎを備えている。加えて、一つの半導体基板１０に配置された発光素子２又は受光素子３は、半導体基板１０の一面側に形成されている。

異なる半導体基板１０（半導体基板１０−１と半導体基板１０−２）間で光信号の送受信を行う一対の発光素子２と受光素子３は、発光素子２で発光した光が半導体基板１０を透過して受光素子３で受光される。発光素子２と受光素子３によって２つの形態の送受信部１１（１１ａ，１１ｂ）を形成することができる。送受信部１１ａにおいては、発光素子２で発光した光はこの発光素子２が形成されている半導体基板１０を透過して他の半導体基板１０に形成されている受光素子３によって受光される。また、送受信部１１ｂにおいては、発光素子２で発光した光は他の半導体基板１０を透過してその半導体基板１０に形成されている受光素子３によって受光される。

図２に示した光インターコネクション装置１においては、異なる半導体基板１０（１０−１，１０−２）間で光信号の送受信を行う一対の発光素子２（２−１，２−２）と受光素子３（３−１，３−２）は、共通波長での発光と受光をそれぞれ行う。詳しくは、半導体基板１０−１における一つの発光素子２−１と半導体基板１０−２における一つの受光素子３−１とが光信号の送受信を行うものである場合、発光素子２−１は波長λ１の光を出射し、受光素子３−１は波長λ１の光のみを受光する機能を有する。ここでいう波長λ１の光とは中心波長がλ１近傍の波長帯域を有する光を含んでいる。

また、一つの半導体基板１０−１に隣接配置された発光素子２−１，２−２は、異なる波長での発光を行い、一つの半導体基板１０−２に隣接配置された受光素子３−１，３−２は、異なる波長での受光を行う。すなわち、半導体基板１０−１において発光素子２−１，２−２が隣接配置されており、半導体基板１０−２において発光素子２−１，２−２に対応した受光素子３−１，３−２が隣接配置されている場合には、発光素子２−１は波長λ１で発光して受光素子３−１は波長λ１の光のみを受光し、発光素子２−２は波長λ２で発光して受光素子３−２は波長λ２の光のみを受光する。

ここでは波長λ１，λ２は、半導体基板１０を透過することができる波長であることが要件となる。例えば、半導体基板１０がＳｉ基板である場合には、波長λ１，λ２の光は、近赤外以上の長波長光である。

図２に示した光インターコネクション装置１においては、異なる半導体基板１０（１０−１，１０−２）間で光信号の送受信を行う一対の発光素子２と受光素子３は、発光素子２で発光した光が集光手段４を介して受光素子３で受光される。図示の例では、集光手段４はレンズ部４Ａによって構成されており、一面側に発光素子２又は受光素子３が形成されている半導体基板１０の他面側にレンズ部４Ａが形成されている。このレンズ部４Ａは半導体基板１０の表面をエッチング等で加工することによって形成することができる。

図３は、本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置における発光素子又は受光素子の構成例を示した説明図である。光インターコネクション装置１においては、半導体基板１０に配置された発光素子２又は受光素子３は、半導体基板１０を共通の半導体層とするｐｎ接合部１０ｐｎを備えている。詳しくは、半導体基板１０には共通の半導体層である第１半導体層１０ｎと第２半導体層１０ｐが形成されており、第１半導体層１０ｎと第２半導体層１０ｐとの境界付近にｐｎ接合部１０ｐｎが形成されている。

具体例を挙げると、半導体基板１０はＳｉ（シリコン）基板（単結晶基板）であり、第１半導体層１０ｎは半導体基板１０に１５族元素、例えば、Ａｓ（ヒ素），Ｐ（リン），Ｓｂ（アンチモン）から選択される不純物をドープしたｎ型Ｓｉ層であり、第２半導体層１０ｐは、第１半導体層１０ｎに１３族元素、例えば、Ｂ（ボロン），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウム）から選択される不純物をドープしたｐ型半導体層である。

発光素子２又は受光素子３は、個々の発光素子２又は受光素子３毎にアイソレーションされた第２半導体層１０ｐの周囲が絶縁膜５で区画されており、第２半導体層１０ｐには電極６が接続されている。発光素子２においては、ｐｎ接合部１０ｐｎに順方向電圧を印加して発光素子２を駆動する駆動回路７が電極６に接続されている。受光素子３においては、ｐｎ接合部１０ｐｎに光が入射することによって発生する電圧を検出して受光素子３を駆動する駆動回路７が電極６に接続されている。第１半導体層１０ｎは図示の例ではアースされている。

図４は、本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置の発光素子又は受光素子を形成する方法を示した説明図である。半導体基板１０に形成される発光素子２又は受光素子３は、半導体基板１０としてＳｉ（シリコン）基板を用い、Ｓｉ基板に１５族元素、例えば、Ａｓ（ヒ素），Ｐ（リン），Ｓｂ（アンチモン）から選択される不純物をドープして共通のｎ型Ｓｉ層となる第１半導体層１０ｎを形成し、この第１半導体層１０ｎに不純物をドープすることで第２半導体層（ｐ型半導体層）１０ｐをパターン形成する。

シリコン（Ｓｉ）は、間接遷移型の半導体であって発光効率が低く、単にｐｎ接合部を形成しただけでは有用な発光は得られないが、Ｓｉ基板に光アシスト状態でアニールを施して、ｐｎ接合部近傍にドレスト光子を発生させ、間接遷移型半導体であるＳｉをあたかも直接遷移型半導体であるかのように変化させることで、高効率・高出力なｐｎ接合型発光或いはｐｎ接合型受光機能が得られる。

より具体的には、１５族元素、例えば、Ａｓ（ヒ素），Ｐ（リン），Ｓｂ（アンチモン）から選択される不純物をドープしたｎ型Ｓｉ層（第１半導体層１０ｎ）に１３族元素、例えば、Ｂ（ボロン），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウム）から選択される不純物を高濃度ドープして第２半導体層（ｐ型半導体層）１０ｐを形成する。その後、第２半導体層１０ｐを囲む絶縁膜５を形成し、第２半導体層１０ｐに接続した電極に順方向電圧Ｖａを印加してｐｎ接合部１０ｐｎに電流を流し、その電流によるジュール熱で第２半導体層１０ｐにアニール処理を施す。

アニール処理で１３族元素、例えば、Ｂ（ボロン），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウム）から選択される不純物を拡散させる過程で、ｐｎ接合部１０ｐｎに特定波長λの光を照射する。アニール過程での光照射によってｐｎ接合部１０ｐｎ近傍にドレスト光子を発生させることができる。このようにドレスト光子が発生したｐｎ接合部１０ｐｎは、ｐｎ接合部１０ｐｎに順方向電圧を印加すると、アニール過程で照射した光の波長λと同等の波長の光を放出する。また、ｐｎ接合部１０ｐｎは波長λの光にピーク感度を有する受光部として機能する。この際、１３族元素の不純物としてＢ（ボロン）を選択した場合のドープ条件の一例は、ドーズ密度：５×１０¹³／ｃｍ²、打ち込み時の加速エネルギー：７００ｋｅＶとする。

異なる半導体基板１０（１０−１，１０−２）間で光信号の送受信を行う一対の発光素子２と受光素子３をそれぞれ形成する際には、前述したアニール処理過程で照射する光の波長を同じ波長λにする。これによって、アニール処理で照射される光の波長によって発光素子２の発光波長と受光素子３の受光波長がλに特定されることになる。ここで選択される波長λは半導体基板１０を透過することができる光の波長であり、半導体基板１０がＳｉ基板の場合には近赤外以上の長波長光が選択される。

ここで、発光素子２と受光素子３は同一構成を備えることから、発光素子２として機能していたものを受光素子３として機能させることができ、その逆に、受光素子３として機能していたものを発光素子２として機能させることができる。この切り替えは、光インターコネクション装置１の周辺回路によって任意に切り換えることができ、この切り替えによって光信号の伝送経路を任意に変更することが可能になる。

図５は、本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置における発光素子又は受光素子の具体例を示した説明図である。（ａ）が断面構成を示しており、（ｂ）が平面構成を示している。発光素子２又は受光素子３のそれぞれは、半導体基板１０にｐｎ接合部１０ｐｎを囲む絶縁性の素子分離層２０を備え、半導体基板１０の一面側において、素子分離層２０の内側にｐ層電極とｎ層電極の一方になる第１電極２１を配置すると共に、素子分離層２０の外側にｐ層電極とｎ層電極の他方になる第２電極２２を配置している。

より具体的には、第１電極２１は光透過性のｐ層電極２１ｐであり、第２電極２２は金属製のｎ層電極２２ｎであって、素子分離層２０の外周部に第２電極２２に接続されるｎ＋拡散層２３を備えている。第１電極２１と第２電極２２にはそれぞれ引き出し配線２１ａ，２２ａが接続されており、この引き出し配線２１ａ，２２ａを含めて第１電極２１と第２電極２２間の電気的な絶縁を確保するために、第１層間絶縁膜２４と第２層間絶縁膜２５が積層配備されている（（ｂ）においては第１層間絶縁膜２４と第２層間絶縁膜２５は図示省略している）。

このような構成を備える発光素子２又は受光素子３は、第１電極２１上に発光部２Ｓ又は受光部３Ｓが形成され、発光部２Ｓ又は受光部３Ｓにおける半導体基板１０の他面側（第１電極２１が形成されていない側）に光透過部１０Ｓが形成されている。これによって、半導体基板１０における光透過部１０Ｓを経由した発光又は受光が可能になる。ここで、第１電極２１から第２電極２２に向かう電流の流れは、ｐｎ接合部１０ｐｎを囲む素子分離層２０の外周部に形成されるｎ＋拡散層２３に沿った流路が形成されるので、発光部２Ｓ又は受光部３Ｓ内で比較的均一な発光又は受光特性を得ることができる。

図６は、本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置の発光素子又は受光素子を形成する具体的な方法を示した説明図である。先ず、（ａ）に示すように、半導体基板１０（Ｓｉ基板）を加工して素子分離層２０を形成するための溝部２０ｅを形成する。この溝部２０ｅは例えば異方性エッチングなどによって形成することができ、発光部又は受光部を囲むように形成される。溝部２０ｅの形成後には、ｎ＋拡散層２３をｎ型不純物のイオン注入などによって形成する。ｎ＋拡散層２３は、溝部２０ｅの底部及び外側にチャネル拡散層２３ａを形成し、更に半導体基板１０の表面に第２電極２２との接続を取るためのコンタクト拡散層２３ｂを形成する。

次に、（ｂ）に示すように、溝部２０ｅに酸化膜などの絶縁膜を埋め込んで素子分離層２０を形成する。そして、（ｃ）に示すように、第１層間絶縁膜２４を形成し、ｎ＋拡散層２３へのコンタクト開口を形成した後、第２電極２２のパターンを形成する。その後、第２層間絶縁膜２５を形成して、発光部又は受光部となる素子分離層２０の内側を開口し、１３族元素、例えば、Ｂ（ボロン），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウム）から選択される不純物を注入して素子分離層２０の内側にｐｎ接合部１０ｐｎを形成する。

その後、半導体基板１０上にＩＴＯなどの透明導電膜を成膜してパターニングすることで第１電極２１を形成し、更にその他の回路構成を形成する。そして、第１電極２１と第２電極２２間に順方向電圧Ｖａを印加してｐｎ接合部１０ｐｎに電流を流し、その電流によるジュール熱でのアニール処理で半導体基板１０に注入した１３族元素、例えば、Ｂ（ボロン），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウム）から選択される不純物を拡散させる過程で、ｐｎ接合部１０ｐｎに特定波長λの光を照射し、このようなアニール過程での光照射によってｐｎ接合部１０ｐｎ近傍にドレスト光子を発生させる。

図７〜図１０は、本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置の形態例を示した説明図である。図７，図８，図９は、３つ以上の複数の半導体基板１０（１０−Ａ，１０−Ｂ，１０−Ｃ）間で光信号の送受信を行うことができるものである。図５に示した形態は、集光手段４として図２に示した例と同様にレンズ部４Ａを備えたものである。レンズ部４Ａは、一面側に発光素子２又は受光素子３が形成された半導体基板１０の他面側に形成されている。図８に示した形態は、集光手段４として単レンズ４Ｂ又はレンズアレイ４Ｍを備えたものであり、単レンズ４Ｂ又はレンズアレイ４Ｍが積層配置された半導体基板１０（１０−Ａ，１０−Ｂ，１０−Ｃ）の間に配置されたものである。図９に示した形態は、集光手段４としてフレネルゾーンプレート４Ｃなどの回折光学素子を備えたものであり、図７に示した例と同様に、一面側に発光素子２又は受光素子３が形成された半導体基板１０の他面側にフレネルゾーンプレート４Ｃなどの回折光学素子が形成されている。

図７〜図９に示した例は、複数の半導体基板１０（１０−Ａ，１０−Ｂ，１０−Ｃ）のそれぞれに複数の発光素子２と複数の受光素子３が形成されている。半導体基板１０−Ａと半導体基板１０−Ｃに挟まれた半導体基板１０−Ｂは、半導体基板１０−Ａの発光素子２（２−３）から送信された光信号を受信する受光素子３（３−３）を備えると共に、この受信した信号を半導体基板１０−Ｃの受光素子３（３−４）に送信するための発光素子２（２−４）を備えている。この場合は、半導体基板１０−Ｂは中継基板としての機能を有する。

また、半導体基板１０−Ａと半導体基板１０−Ｃに挟まれた半導体基板１０−Ｂは、半導体基板１０−Ａの発光素子２（２−５）及び半導体基板１０−Ｃの発光素子２（２−６）から送信された光信号を共に受信する受光素子３（３−５）を備えると共に、半導体基板１０−Ａの受光素子３（３−６）と半導体基板１０−Ｃの受光素子３（３−７）の両方に光信号を送信する発光素子２（２−７）を備えている。この場合は、半導体基板１０−Ｂは信号集約又は信号発信源としての機能を有する。

図１０に示した例は、一対の半導体基板１０（１０−Ｘ，１０−Ｙ）の一方に複数の発光素子２が形成され、他方に複数の受光素子３が形成されている。半導体基板１０−Ｘにおける複数の発光素子２の配列位置と半導体基板１０−Ｙにおける複数の受光素子３の配列位置の関係はレンズ部４Ａに関して共役な関係にあり、レンズ部４Ａによって半導体基板１０−Ｘにおける複数の発光素子２の像を半導体基板１０−Ｙ上の複数の受光素子３の上に形成している。この場合、光信号の送受信を行う一対の発光素子２と受光素子３は共役な位置にあり、発光素子２−Ａ，２−Ｂ，２−Ｃ，２−Ｄから発せられた光信号は対角位置にある受光素子３−Ｄ，３−Ｃ，３−Ｂ，３−Ａがそれぞれ受光することになる。

以上説明した本発明の実施形態に係る光インターコネクション装置は、複数の発光素子２又は受光素子３が半導体基板１０を共通の半導体層とするｐｎ接合部１０ｐｎを備え、一つの半導体基板１０に半導体リソグラフィ技術を用いて作り込まれるので、比較的簡易な製造工程で発光素子２又は受光素子３の半導体基板１０におけるアライメント精度を高めることができる。また、異なる半導体基板１０間で光信号の送受信を行う一対の発光素子２と受光素子３が共通波長での発光と受光をそれぞれ行うので、半導体基板１０間（チップ間）での信号伝送クロストークを抑制することが可能になる。

また、半導体基板１０に形成される発光素子２又は受光素子３は、半導体基板１０の一面側に形成すればよいので、半導体基板１０の両面に発光素子又は受光素子を形成するものと比較して、簡易に形成することが可能になる。

また、集光手段４を介して発光素子２で発光した光を受光素子３に受光させることにより、発光素子２又は受光素子３を半導体基板１０に高密度で配置した場合であっても半導体基板１０間（チップ間）での信号伝送クロストークを抑制することが可能になる。

特に、図７〜図９に示すように、一つの半導体基板１０（１０−Ｂ）とその両面側に配置された半導体基板１０（１０−Ａ，１０−Ｃ）間で光信号の送受信を行う場合であっても、半導体基板１０を透過して光信号の送受信を行うことができるので、一つの半導体基板１０では一面側のみに発光素子２又は受光素子３を配置した形態でよく、素子間のアライメント等を含めて比較的簡易な製造が可能になる。

以上、本発明の実施の形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。また、上述の各実施の形態は、その目的及び構成等に特に矛盾や問題がない限り、互いの技術を流用して組み合わせることが可能である。

１：光インターコネクション装置，
２：発光素子，２Ｓ：発光部，３：受光素子，３Ｓ：受光部，
４：集光手段，５：絶縁膜，６：電極，
７：駆動回路，
１０：半導体基板，
１０ｎ：第１半導体層（ｎ型Ｓｉ層），
１０ｐ：第２半導体層（ｐ型半導体層），
１０ｐｎ：ｐｎ接合部，
２０：素子分離層，２１：第１電極，２２：第２電極，２３：ｎ＋拡散層，
２４：第１層間絶縁膜，２５：第２層間絶縁膜

Claims (11)

1. 積層配置された複数の半導体基板間で光信号の送受信を行う光インターコネクション装置であって、
   一つの前記半導体基板に配置された発光素子又は受光素子は、前記半導体基板を共通の半導体層とするｐｎ接合部を備え、且つ前記半導体基板の一面側に形成され、
   異なる前記半導体基板間で光信号の送受信を行う一対の前記発光素子と前記受光素子は、当該発光素子で発光した光が前記半導体基板を透過して当該受光素子で受光されることを特徴とする光インターコネクション装置。
2. 異なる前記半導体基板間で光信号の送受信を行う一対の前記発光素子と前記受光素子は、共通波長での発光と受光をそれぞれ行うことを特徴とする請求項１記載の光インターコネクション装置。
3. 異なる前記半導体基板間で光信号の送受信を行う一対の前記発光素子と前記受光素子は、当該発光素子で発光した光が集光手段を介して当該受光素子で受光されることを特徴とする請求項１又は２記載の光インターコネクション装置。
4. 前記集光手段は前記半導体基板の他面側に形成されていることを特徴とする請求項３記載の光インターコネクション装置。
5. 前記集光手段は一対の前記半導体基板の間に配置されることを特徴とする請求項３記載の光インターコネクション装置。
6. 前記集光手段はレンズであることを特徴とする請求項３記載の光インターコネクション装置。
7. 前記集光手段は回折光学素子であることを特徴とする請求項３記載の光インターコネクション装置。
8. 前記ｐｎ接合部は、前記共通の半導体層である第１半導体層に不純物を高濃度ドープして得られる第２半導体層に光を照射しながらアニール処理を施すことで得られ、
   前記発光素子又は前記受光素子のそれぞれは、前記アニール処理で照射される光の波長によって発光波長又は受光波長が特定されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載された光インターコネクション装置。
9. 前記半導体基板はＳｉ基板であり、
   前記第１半導体層は、前記半導体基板に１５族元素をドープしたｎ型半導体層であり、
   前記第２半導体層は、前記不純物として１３族元素をドープしたｐ型半導体層であることを特徴とする請求項８記載の光インターコネクション装置。
10. 前記発光素子又は前記受光素子のそれぞれは、前記半導体基板に前記ｐｎ接合部を囲む絶縁性の素子分離層を備え、
    前記半導体基板の一面側において、前記素子分離層の内側にｐ層電極とｎ層電極の一方になる第１電極を配置すると共に前記素子分離層の外側にｐ層電極とｎ層電極の他方になる第２電極を配置したことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の光インターコネクション装置。
11. 前記第１電極は光透過性のｐ層電極であり、
    前記第２電極は金属製のｎ層電極であり、
    前記素子分離層の外周部に前記第２電極に接続されるｎ＋拡散層を備えることを特徴とする請求項１０記載の光インターコネクション装置。

Images