JPH0654823B2 - 発・受光素子 - Google Patents
発・受光素子Info
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- JPH0654823B2 JPH0654823B2 JP3536186A JP3536186A JPH0654823B2 JP H0654823 B2 JPH0654823 B2 JP H0654823B2 JP 3536186 A JP3536186 A JP 3536186A JP 3536186 A JP3536186 A JP 3536186A JP H0654823 B2 JPH0654823 B2 JP H0654823B2
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- JP
- Japan
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- light
- laser
- semiconductor laser
- photodetector
- light emitting
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、半導体レーザとその光出力をモニターする
ための光検出器とが同一基板上に一体的に形成された発
・受光素子に関し、例えば光ディスク等の光情報処理装
置、光通信用送受信装置等に使用されるものである。
ための光検出器とが同一基板上に一体的に形成された発
・受光素子に関し、例えば光ディスク等の光情報処理装
置、光通信用送受信装置等に使用されるものである。
［発明の技術的背景とその問題点］ 半導体レーザは、その光出力を安定化させる手段とし
て、一般に後方出射光を光検出器でモニターしてバイア
ス電流を制御する光フイードバック法がとられる。
て、一般に後方出射光を光検出器でモニターしてバイア
ス電流を制御する光フイードバック法がとられる。
このようなモニター用の光検出器を備えた従来の半導体
レーザとしては例えば第７図に示すようなものがある。
レーザとしては例えば第７図に示すようなものがある。
第７図中符号１は半導体チップで、半導体チップ１に
は、微細加工技術により、幅、深さともに数μｍ程度の
分離溝２が形成され、この分離溝２により半導体レーザ
３と、光検出器４とが対向して形成されている。
は、微細加工技術により、幅、深さともに数μｍ程度の
分離溝２が形成され、この分離溝２により半導体レーザ
３と、光検出器４とが対向して形成されている。
分離溝２の側壁で形成される半導体レーザ３の後方出射
端面５と、光検出器４の受光面６とは略平行面に形成さ
れている。
端面５と、光検出器４の受光面６とは略平行面に形成さ
れている。
半導体レーザ３は、ｎ−ＧａＡｓの基板７上に、液相エ
ピタキシャル成長法によりｎ−Ａｌ0.33Ｇａ0.67Ａｓの
下側クラッド層８ａ、Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓの活性層９
ａ、およびｐ−Ａｌ0.33Ｇａ0.67Ａｓの上側クラッド層
１１ａからなるダブルヘテロ構造が形成されている。活
性層９ａの厚さは１μｍ以下でレーザ光Ｌ１の波長より
も薄く形成されている。
ピタキシャル成長法によりｎ−Ａｌ0.33Ｇａ0.67Ａｓの
下側クラッド層８ａ、Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓの活性層９
ａ、およびｐ−Ａｌ0.33Ｇａ0.67Ａｓの上側クラッド層
１１ａからなるダブルヘテロ構造が形成されている。活
性層９ａの厚さは１μｍ以下でレーザ光Ｌ１の波長より
も薄く形成されている。
１２ａはｎ−ＧａＡｓのキャップ層、１３はｐ電極、１
４はストライプで、ストライプ１４の部分を除くキャッ
プ層１２ａとｐ電極１３との間にＳｉＯ２の絶縁層１５
が形成されている。
４はストライプで、ストライプ１４の部分を除くキャッ
プ層１２ａとｐ電極１３との間にＳｉＯ２の絶縁層１５
が形成されている。
ストライプ１４直下の活性層９ａの部分に発光領域１６
が形成される。
が形成される。
１７はレーザ光Ｌ１の出射される前方出射端面、１８は
順バイアス印加用の端子、１９はｎ電極である。
順バイアス印加用の端子、１９はｎ電極である。
光検出器４についても、共通のｎ−ＧａＡｓの基板７上
に、半導体レーザ３側とそれぞれ同様の厚さの下側クラ
ッド層８ｂ、活性層９ｂ、上側クラッド層１１ｂ、キャ
ップ層１２ｂが形成され、キャップ層１２ｂの上にｐ電
極２１が形成されている。２２は逆バイアス印加用の端
子である。
に、半導体レーザ３側とそれぞれ同様の厚さの下側クラ
ッド層８ｂ、活性層９ｂ、上側クラッド層１１ｂ、キャ
ップ層１２ｂが形成され、キャップ層１２ｂの上にｐ電
極２１が形成されている。２２は逆バイアス印加用の端
子である。
このように半導体レーザ３とモニター用の光検出器４と
は、同一の基板７上に一体的に形成されて発・受光素子
として構成されている。
は、同一の基板７上に一体的に形成されて発・受光素子
として構成されている。
そしてｎ電極１９を共通電極として、半導体レーザ３に
は端子１８を通じて順バイアス電圧を印加し、光検出器
４には端子２２を通じて逆バイアス電圧を印加すると、
半導体レーザ３においては、発光領域１６部分の活性層
９ａに注入キャリヤが集中し再結合が生じて発光する。
この注入キャリヤおよび発光は両クラッド層８ａ、１１
ａにより活性層９ａ内に効率よく閉じ込められてレーザ
作用が増大し、発光領域１６から前方出射端面１７側に
レーザ光（前方出射光）Ｌ１が出力されるとともに、後
方出射端面５側に後方出射光Ｌ２が出力される。
は端子１８を通じて順バイアス電圧を印加し、光検出器
４には端子２２を通じて逆バイアス電圧を印加すると、
半導体レーザ３においては、発光領域１６部分の活性層
９ａに注入キャリヤが集中し再結合が生じて発光する。
この注入キャリヤおよび発光は両クラッド層８ａ、１１
ａにより活性層９ａ内に効率よく閉じ込められてレーザ
作用が増大し、発光領域１６から前方出射端面１７側に
レーザ光（前方出射光）Ｌ１が出力されるとともに、後
方出射端面５側に後方出射光Ｌ２が出力される。
一方、光検出器４においては、半導体レーザ３からの後
方出射光Ｌ２が活性層９ｂに入射して電子とホールの対
が生じ、逆バイアス電圧により後方出射光Ｌ２の光強度
に比例した光電流が外部回路に流れて半導体レーザ３の
光出力がモニターされる。上記のように光検出器４の受
光面６における実質的な感光部は活性層９ｂの部分であ
る。
方出射光Ｌ２が活性層９ｂに入射して電子とホールの対
が生じ、逆バイアス電圧により後方出射光Ｌ２の光強度
に比例した光電流が外部回路に流れて半導体レーザ３の
光出力がモニターされる。上記のように光検出器４の受
光面６における実質的な感光部は活性層９ｂの部分であ
る。
しかしながら上記の発・受光素子にあっては、半導体レ
ーザ３の後方出射端面５と、光検出器４の受光面６とが
略平行面になっていたため、後方出射光Ｌ２の受光面６
による反射光が、半導体レーザ３の後方出射端面５側に
帰還して半導体レーザ３の動作が不安定になり、前方出
射端面１７からのレーザ光Ｌ１出力の強度が変動すると
ともに、戻り光ノイズが増えるという問題点があった。
ーザ３の後方出射端面５と、光検出器４の受光面６とが
略平行面になっていたため、後方出射光Ｌ２の受光面６
による反射光が、半導体レーザ３の後方出射端面５側に
帰還して半導体レーザ３の動作が不安定になり、前方出
射端面１７からのレーザ光Ｌ１出力の強度が変動すると
ともに、戻り光ノイズが増えるという問題点があった。
また光検出器４の受光面６における高さ方向の実質的な
感光幅は、活性層９ｂの厚さ程度しかなく、この活性層
９ｂは半導体レーザ３側の活性層９ａと同様に薄く形成
されていたため、受光感度が低く、カップリング効率が
数％程度になってしまうという問題点があった。
感光幅は、活性層９ｂの厚さ程度しかなく、この活性層
９ｂは半導体レーザ３側の活性層９ａと同様に薄く形成
されていたため、受光感度が低く、カップリング効率が
数％程度になってしまうという問題点があった。
［発明の目的］ この発明は、上記事情に基づいてなされたもので、レー
ザ出力の安定化および低ノイズ化を図るとともに、光検
出器の受光感度を向上させることのできる発・受光素子
を提供することを目的とする。
ザ出力の安定化および低ノイズ化を図るとともに、光検
出器の受光感度を向上させることのできる発・受光素子
を提供することを目的とする。
［発明の概要］ 上記目的を達成するため、素子チップに設けられた分離
溝により、半導体レーザとこの半導体レーザから出射さ
れるレーザ光を受光する光検出器とが対向して形成され
た発・受光素子において、この発明は、光検出器の受光
面を、半導体レーザのニアフィールドパターンと略等し
い幅の開口を有する円柱状内壁面として、光検出器の受
光感度を向上するようにしたものである。
溝により、半導体レーザとこの半導体レーザから出射さ
れるレーザ光を受光する光検出器とが対向して形成され
た発・受光素子において、この発明は、光検出器の受光
面を、半導体レーザのニアフィールドパターンと略等し
い幅の開口を有する円柱状内壁面として、光検出器の受
光感度を向上するようにしたものである。
［発明の実施例］ 以下この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図〜第４図は、この発明の第１実施例を示す図であ
る。
る。
なお第１図および後述の各実施例を示す図において前記
第７図における部材および部位等と同一ないし均等のも
のは、前記と同一符号を以って示し重複した説明を省略
する。
第７図における部材および部位等と同一ないし均等のも
のは、前記と同一符号を以って示し重複した説明を省略
する。
まず構成を説明すると、この実施例は、第１図および第
２図に示すように光検出器４の受光面２６が、半導体レ
ーザ３のニアフィールドパターンと略等しい幅ｄの開口
２５を有する円柱の柱状内壁面で形成され、この円柱状
の受光面２６による後方出射光（レーザ光）Ｌ２の反射
光が半導体レーザ３の後方出射端面５に戻らないように
構成されている。
２図に示すように光検出器４の受光面２６が、半導体レ
ーザ３のニアフィールドパターンと略等しい幅ｄの開口
２５を有する円柱の柱状内壁面で形成され、この円柱状
の受光面２６による後方出射光（レーザ光）Ｌ２の反射
光が半導体レーザ３の後方出射端面５に戻らないように
構成されている。
開口２５を有する円柱状の受光面２６は、例えば反応性
イオンビームエッチングを使用した微細加工により形成
される。
イオンビームエッチングを使用した微細加工により形成
される。
第３図は、分離溝２の溝幅ｇと後方出射光Ｌ２のビーム
径との関係、云い換えれば後方出射端面５からの距離に
対するレーザ光のビーム径の応がりを示したものであ
る。同図中（イ）の曲線は、活性層９ａの広がり方向と
同方向、即ち平行方向のビーム径の広がりを示し、
（ロ）の曲線は、活性層９ａに垂直方向のビーム径の広
がりを示している。
径との関係、云い換えれば後方出射端面５からの距離に
対するレーザ光のビーム径の応がりを示したものであ
る。同図中（イ）の曲線は、活性層９ａの広がり方向と
同方向、即ち平行方向のビーム径の広がりを示し、
（ロ）の曲線は、活性層９ａに垂直方向のビーム径の広
がりを示している。
分離溝２の溝幅ｇを例えばｇ＝５μｍとすると、この程
度の距離においては、レーザ光の出力パターンは、ニア
フィールドパターンを示し、平行方向のビーム径の広が
り（第３図（イ））は、ストライプ１４の幅とほぼ等し
く、例えば５μｍ程度となる。また垂直方向のビーム径
の広がりは、ほぼ４μｍ程度となる。
度の距離においては、レーザ光の出力パターンは、ニア
フィールドパターンを示し、平行方向のビーム径の広が
り（第３図（イ））は、ストライプ１４の幅とほぼ等し
く、例えば５μｍ程度となる。また垂直方向のビーム径
の広がりは、ほぼ４μｍ程度となる。
円柱状の受光面２６は、上記のようなビーム径の広がり
を持つニアフィールドパターンの後方出射光Ｌ２を受光
すればよいので、開口２５の幅ｄは、平行方向のビーム
径の広がり幅とほぼ等しいかまたはそれ以上あればよく
ｄ≧５μｍとされる。また受光面２６の縦方向の長さ
は、垂直方向のビーム径の広がり幅とほぼ等しいかまた
はそれ以上あればよく４μｍ程度以上とされる。
を持つニアフィールドパターンの後方出射光Ｌ２を受光
すればよいので、開口２５の幅ｄは、平行方向のビーム
径の広がり幅とほぼ等しいかまたはそれ以上あればよく
ｄ≧５μｍとされる。また受光面２６の縦方向の長さ
は、垂直方向のビーム径の広がり幅とほぼ等しいかまた
はそれ以上あればよく４μｍ程度以上とされる。
次に作用を説明する。
ｎ電極１９を共通電極として、半導体レーザ３には端子
１８を通じて順バイアス電圧を印加し、光検出器４には
端子２２を通じて逆バイアス電圧が印加される。
１８を通じて順バイアス電圧を印加し、光検出器４には
端子２２を通じて逆バイアス電圧が印加される。
このようなバイアス電圧の印加により、半導体レーザ３
側においては、発光領域１６にレーザ発光が生じ、前方
出射端面１７および後方出射端面５からそれぞれレーザ
光（前方出射光）Ｌ１および後方出射光Ｌ２が出力され
る。
側においては、発光領域１６にレーザ発光が生じ、前方
出射端面１７および後方出射端面５からそれぞれレーザ
光（前方出射光）Ｌ１および後方出射光Ｌ２が出力され
る。
前方に出射したレーザ光Ｌ１は、光ディスクや光通信装
置等における光源として使用される。一方、後方出射光
Ｌ２は光検出器４で受光されて、光出力のモニター用と
して使用され、図示省略のオートマチックパワーコント
ロール回路により、前方に出射したレーザ光Ｌ１の出力
安定化が図られる。
置等における光源として使用される。一方、後方出射光
Ｌ２は光検出器４で受光されて、光出力のモニター用と
して使用され、図示省略のオートマチックパワーコント
ロール回路により、前方に出射したレーザ光Ｌ１の出力
安定化が図られる。
そしてこのような光検出器４による後方出射光Ｌ２の検
出作用において、第２図に示すように、後方出射光Ｌ２
は、半導体レーザ３の後方出射端面５から距離ｇの位置
にある開口２５を通って円柱状内壁面で形成された受光
面２６内に侵入する。
出作用において、第２図に示すように、後方出射光Ｌ２
は、半導体レーザ３の後方出射端面５から距離ｇの位置
にある開口２５を通って円柱状内壁面で形成された受光
面２６内に侵入する。
侵入光ｌ１は、実質的な感光部である活性層９ｂで検出
されるとともに、その一部は受光面２６の内壁で反射さ
れる。しかし反射光ｌ２は円柱状内壁面内で多重反射さ
れて受光面２６内に吸収されるようにして検出される。
されるとともに、その一部は受光面２６の内壁で反射さ
れる。しかし反射光ｌ２は円柱状内壁面内で多重反射さ
れて受光面２６内に吸収されるようにして検出される。
而して後方出射光Ｌ２の反射光による半導体レーザ３側
への戻り光が極めて少なくなり、この戻り光による半導
体レーザ３の動作不安定がなくなって、レーザ光Ｌ１の
出力変動および戻り光ノイズが顕著に低減される。また
これとともに円柱状内壁面からなる受光面２６は、侵入
光ｌ１に対して一種の積分作用によりその反射光を殆ん
ど吸収し検出するので、受光感度が向上してモニター性
能が高められる。
への戻り光が極めて少なくなり、この戻り光による半導
体レーザ３の動作不安定がなくなって、レーザ光Ｌ１の
出力変動および戻り光ノイズが顕著に低減される。また
これとともに円柱状内壁面からなる受光面２６は、侵入
光ｌ１に対して一種の積分作用によりその反射光を殆ん
ど吸収し検出するので、受光感度が向上してモニター性
能が高められる。
第４図は、半導体レーザ３から、分離溝幅に相当する距
離ｇだけ離れた位置に、開口２５を塞ぐように適宜の反
射板を配置したときの、レーザ発振の発振閾値電流の変
化を示したものである。距離ｇが小さくなる程閾値電流
の値は小さくなっている。これは距離ｇが小さくなる程
反射による戻り光が増えてレーザ光帰還量が増加するこ
とを示している。しかしこのように帰還量が増すと、前
記のように動作不安定および戻り光ノイズが増えるとい
う弊害が生じるので、この発明の実施例では、反射光は
円柱状内壁面からなる受光面２６内に吸収されて、この
ような幣害が除去される。
離ｇだけ離れた位置に、開口２５を塞ぐように適宜の反
射板を配置したときの、レーザ発振の発振閾値電流の変
化を示したものである。距離ｇが小さくなる程閾値電流
の値は小さくなっている。これは距離ｇが小さくなる程
反射による戻り光が増えてレーザ光帰還量が増加するこ
とを示している。しかしこのように帰還量が増すと、前
記のように動作不安定および戻り光ノイズが増えるとい
う弊害が生じるので、この発明の実施例では、反射光は
円柱状内壁面からなる受光面２６内に吸収されて、この
ような幣害が除去される。
第５図には、この発明の第２実施例を示す。
この実施例は、素子分離溝２８により半導体レーザ、お
よび光検出器をそれぞれ２分してマルチレーザ形の発・
受光素子としたものである。
よび光検出器をそれぞれ２分してマルチレーザ形の発・
受光素子としたものである。
並設された２個の半導体レーザ３ａ、３ｂのそれぞれに
発光領域１６ａ、１６ｂが設けられ、これに対応して各
光検出器４ａ、４ｂに前記第１実施例と同様の円柱状内
壁面からなる受光面２６ａ、２６ｂが形成されている。
発光領域１６ａ、１６ｂが設けられ、これに対応して各
光検出器４ａ、４ｂに前記第１実施例と同様の円柱状内
壁面からなる受光面２６ａ、２６ｂが形成されている。
各受光面２６ａ、２６ｂの開口は、前記第１実施例の場
合と同様、各発光領域１６ａ、１６ｂから出射される後
方出射光の平行方向のビーム径の広がり幅とほぼ等しい
かまたはそれ以上に形成されている。
合と同様、各発光領域１６ａ、１６ｂから出射される後
方出射光の平行方向のビーム径の広がり幅とほぼ等しい
かまたはそれ以上に形成されている。
各半導体レーザ３ａ、３ｂ側への反射光による戻り光が
顕著に少なくなって、半導体レーザ３ａ、３ｂの動作不
安定がなくなり、レーザ光Ｌ１、Ｌ１′の出力変動およ
び戻り光ノイズが低減される等の作用は前記第１実施例
の場合とほぼ同様である。
顕著に少なくなって、半導体レーザ３ａ、３ｂの動作不
安定がなくなり、レーザ光Ｌ１、Ｌ１′の出力変動およ
び戻り光ノイズが低減される等の作用は前記第１実施例
の場合とほぼ同様である。
この実施例のマルチレーザ形の発・受光素子は、例えば
並列記録再生用光ヘッドの光源として使用される。
並列記録再生用光ヘッドの光源として使用される。
第６図には、この発明の第３実施例を示す。
この実施例は、素子分離溝２８により半導体レーザ、お
よび光検出器をそれぞれ２分してマチレーザ形の発・受
光素子とした点は、前記第２実施例（第５図）のものと
ほぼ同様である。
よび光検出器をそれぞれ２分してマチレーザ形の発・受
光素子とした点は、前記第２実施例（第５図）のものと
ほぼ同様である。
第２実施例のものと異なる点は、一方の半導体レーザ３
ｃに設けた発光領域１６ｃの幅と、他方の半導体レーザ
３ｄに設けた発光領域１６ｄの幅とを異なるようにした
点である。
ｃに設けた発光領域１６ｃの幅と、他方の半導体レーザ
３ｄに設けた発光領域１６ｄの幅とを異なるようにした
点である。
これに従って光検出器４ｃの受光面２６ｃの開口２５ｃ
の幅は、発光領域１６ｃの幅に対応して広く形成され、
他の光検出器４ｄの受光面２６ｄの開口２５ｄの幅は、
発光領域１６ｄの幅に対応するように狭く形成されてい
る。
の幅は、発光領域１６ｃの幅に対応して広く形成され、
他の光検出器４ｄの受光面２６ｄの開口２５ｄの幅は、
発光領域１６ｄの幅に対応するように狭く形成されてい
る。
各半導体レーザ３ｃ、３ｄ側への反射光による戻り光が
顕著に少なくなる等の作用は、前記第２実施例のものと
ほぼ同様である。
顕著に少なくなる等の作用は、前記第２実施例のものと
ほぼ同様である。
この実施例のマルチレーザ形の発・受光素子は、例えば
記録材料として相変態形媒体を使用した光ディスク用光
ヘッドの光源として使用される。
記録材料として相変態形媒体を使用した光ディスク用光
ヘッドの光源として使用される。
なお上記の第２、第３の各実施例において半導体レーザ
および光検出器の並設数は、２としてマルチ度を２とし
たが、マルチ度を一般的にｎとしたものについても、こ
の発明を適用することができる。
および光検出器の並設数は、２としてマルチ度を２とし
たが、マルチ度を一般的にｎとしたものについても、こ
の発明を適用することができる。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明の構成によれば、半導体レー
ザの動作が安定してレーザ出力の安定化が図られるとと
もに、戻り光ノイズが低減され、さらに光検出器の受光
感度を向上できるという利点がある。
ザの動作が安定してレーザ出力の安定化が図られるとと
もに、戻り光ノイズが低減され、さらに光検出器の受光
感度を向上できるという利点がある。
第１図はこの発明に係る発・受光素子の第１実施例を示
す斜視図、第２図は同上第１実施例の要部を拡大して示
す平面図、第３図は同上第１実施例における分離溝の幅
とレーザ光のビーム径との関係を示す特性図、第４図は
同上第１実施例の効果を説明するための分離溝の幅と発
振閾値電流との関係を示す特性図、第５図はこの発明の
第２実施例を示す斜視図、第６図はこの発明の第３実施
例を示す斜視図、第７図は従来の発・受光素子を示す斜
視図である。 １：半導体チップ、 ２：分離溝、 ３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ：半導体レーザ、 ４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ：光検出器、 ５：後方出射端面、 ７：基板、 ９ａ：半導体レーザの活性層、 １６、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ：発光領域、 １７：前方出射端面、 ２５、２５ｃ、２５ｄ：開口、 ２６、２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ：円柱状内壁面
の受光面。
す斜視図、第２図は同上第１実施例の要部を拡大して示
す平面図、第３図は同上第１実施例における分離溝の幅
とレーザ光のビーム径との関係を示す特性図、第４図は
同上第１実施例の効果を説明するための分離溝の幅と発
振閾値電流との関係を示す特性図、第５図はこの発明の
第２実施例を示す斜視図、第６図はこの発明の第３実施
例を示す斜視図、第７図は従来の発・受光素子を示す斜
視図である。 １：半導体チップ、 ２：分離溝、 ３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ：半導体レーザ、 ４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ：光検出器、 ５：後方出射端面、 ７：基板、 ９ａ：半導体レーザの活性層、 １６、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ：発光領域、 １７：前方出射端面、 ２５、２５ｃ、２５ｄ：開口、 ２６、２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ：円柱状内壁面
の受光面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−127864（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−119784（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−103394（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−92592（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−75878（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−162090（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体チップに所要幅の分離溝を設け、該
分離溝により半導体レーザと、該半導体レーザから出射
されるレーザ光を受光する光検出器とが対向して形成さ
れた発・受光素子において、 前記光検出器の受光面を、半導体レーザのニアフィール
ドパターンと略等しい幅の開口を有する円柱状内壁面と
したことを特徴とする発・受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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