JP5478037B2 - 表示装置の作製方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ(TFT)を有する表示装置の作製方法に関して図面を参照して説明する。以下の説明では、nチャネル型の薄膜トランジスタについて説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態1において微結晶半導体膜の成膜に用いたプラズマCVD装置の一構成例に関して図11を参照して説明する。具体的に、本実施の形態では、複数の高周波電力が印加されるプラズマCVD装置の一構成例に関して説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態2で示される反応室が適用されるプラズマCVD装置の一例として、複数の膜(ここでは、TFTを構成するゲート絶縁膜及び半導体膜)の成膜に適した構成の一例に関して、図18を参照して説明する。
本実施の形態では、上記実施と異なる薄膜トランジスタを有する表示装置の作製方法に関して図面を参照して説明する。具体的には、多階調マスクを用いた作製方法に関して説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で示した表示装置の一形態として液晶表示パネルに関して図16を参照して説明する。図16(A)は、第1の基板4001上に形成された薄膜トランジスタ4010及び液晶素子4013を第2の基板4006との間にシール材4005によって封止したパネルの上面図であり、図16(B)は、図16(A)のC−Dにおける断面を示している。
本実施の形態では、上記実施の形態で示した表示装置の一形態として発光表示パネルに関して図17を参照して説明する。図17(A)は、第1の基板4001上に形成された薄膜トランジスタ4010及び発光素子4011を第2の基板4006との間にシール材4005によって封止したパネルの上面図であり、図17(B)は、図17(A)のE−Fにおける断面を示している。
本発明により得られる表示装置等によって、アクティブマトリクス型表示装置モジュールに用いることができる。即ち、それらを表示部に組み込んだ電子機器全てに本発明を実施できる。
101 ゲート電極
102 ゲート絶縁膜
103 微結晶半導体膜
104 非晶質半導体膜
105 半導体膜
106 導電膜
107 絶縁膜
108 画素電極
110 薄膜トランジスタ
121 マスク
122 マスク
123 凹部
131 レジスト
132 多階調マスク
133 基板
134 遮光部
135 回折格子
136 光透過率
137 半透過部
138 遮光部
139 光透過率
141 レジストマスク
142 レジストマスク
200 真空排気
201 プレコート
202 基板搬入
203 下地前処理
204 成膜処理
205 基板搬出
206 クリーニング
207 破線
300 反応室
301 電極
302 電極
303 高周波電力供給手段
304 高周波電源
305 高周波電源
306 整合器
307 整合器
308 ガス供給手段
309 排気手段
310 シリンダ
311 圧力調整弁
312 ストップバルブ
313 マスフローコントローラ
314 基板加熱ヒータ
315 ヒータコントローラ
316 絶縁材
317 バタフライバルブ
318 コンダクタンスバルブ
319 ターボ分子ポンプ
320 ドライポンプ
321 クライオポンプ
322 ロード/アンロード室
323 共通室
324 カセット
325 ゲートバルブ
326 搬送機構
900 表示パネル
921 画素部
922 信号線駆動回路
923 走査線駆動回路
924 チューナ
925 映像信号増幅回路
926 映像信号処理回路
927 コントロール回路
928 信号分割回路
929 音声信号増幅回路
930 音声信号処理回路
931 制御回路
932 入力部
933 スピーカー
105a ソース領域
105b ドレイン領域
106a ソース電極
106b ドレイン電極
132a グレートーンマスク
132b ハーフトーンマスク
2001 筐体
2002 表示用パネル
2003 主画面
2004 モデム
2005 受信機
2006 リモコン操作機
2007 表示部
2008 サブ画面
2009 スピーカー部
2301 携帯電話機
2302 表示部
2303 操作部
2401 本体
2402 表示部
2501 照明部
2502 傘
2503 可変アーム
2504 支柱
2505 台
2506 電源
300a 反応室
300b 反応室
300c 反応室
301a 電極
301b 電極
302b 電極
308a ガス供給手段
308f ガス供給手段
308g ガス供給手段
308i ガス供給手段
308n ガス供給手段
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4007 充填材
4008 液晶
4009 薄膜トランジスタ
4010 薄膜トランジスタ
4011 発光素子
4013 液晶素子
4014 配線
4016 接続端子
4017 画素電極
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4030 画素電極
4031 対向電極
4035 スペーサ
4041 薄膜トランジスタ
Claims (2)
- 基板上にゲート電極を形成する第1の工程と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成する第3の工程と、を有する表示装置の作製方法であって、
前記第3の工程は、
反応室内を真空排気し、
前記真空排気が行われた前記反応室内においてプレコートを行い、
前記プレコートが行われた前記反応室内に前記基板を搬入し、
前記基板を搬入した後に、プラズマCVD法を用いて前記微結晶半導体膜を形成することによって行われ、
前記プレコートは、前記反応室内に希ガスを導入してプラズマ処理を行った後に、シランガスを導入し、且つ、シランプラズマを生成することにより行われ、
前記微結晶半導体膜の形成は、珪素気体の流量に対する水素の流量比の増減を繰り返すことによって行われ、
前記微結晶半導体膜の成膜処理は、第1の期間と第2の期間からなり、
前記第2の期間は、第1の期間の後の期間であり、
前記第1の期間において、アルゴン及びヘリウムが供給され、
前記第2の期間において、アルゴンが供給されず、ヘリウムが供給されることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上にゲート電極を形成する第1の工程と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成する第3の工程と、を有する表示装置の作製方法であって、
前記第3の工程は、
反応室内を真空排気し、
真空排気が行なわれた前記反応室内に前記基板を搬入し、
前記基板を搬入した後に、プラズマCVD法を用いて前記微結晶半導体膜を形成することによって行われ、
前記微結晶半導体膜の形成は、珪素気体の流量に対する水素の流量比の増減を繰り返すことによって行われ、
前記微結晶半導体膜の成膜処理は、第1の期間と第2の期間からなり、
前記第2の期間は、第1の期間の後の期間であり、
前記第1の期間において、アルゴン及びヘリウムが供給され、
前記第2の期間において、アルゴンが供給されず、ヘリウムが供給されることを特徴とする表示装置の作製方法。
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