JP5466908B2 - センサ基板および位置検出装置 - Google Patents

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Description

本発明は、静電容量方式により位置検出を行うようにしたセンサ基板および位置検出装置に関する。
従来から、静電容量方式の第1の検出部と電磁誘導方式の第2の検出部を重ねて配置して構成された入力部を、ケースの開口部に嵌め込むことにより形成された位置検出装置が知られている(例えば、特許文献1参照。)。この位置検出装置では、第1の検出部によって、人体(指)を用いて指し示した位置が検出される。また、第2の検出部によって、コイルとコンデンサからなる共振回路が内蔵されたペン型の位置指示器を用いて指し示した位置が検出される。
特開2009−162538号公報(第4−8頁、図1−11)
ところで、特許文献1に開示された位置検出装置では、ケースの開口部に検出部を嵌め込む構造になっているため、表面に近い第1の検出部は開口部の全面に露出した状態になる。第1の検出部には、人体を用いて指し示した位置を検出するための検出領域が含まれるが、この検出領域から引き出す配線を検出領域に隣接する範囲に形成した場合には、この配線に人体が近づいた場合にも静電容量が変化するため、静電容量方式で位置検出を行う際の精度低下を招くという問題があった。
本発明は、このような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、検出領域に隣接するように配線部を形成した場合の位置検出精度の低下を防止することができるセンサ基板および位置検出装置を提供することにある。
上述した課題を解決するために、本発明のセンサ基板は、指示された位置を静電容量方式によって検出しており、該センサ基板は、位置指示器によって指示された位置を電磁誘導方式により検出する磁束検出基板に重畳するように配置され、複数の検出用電極が配設された検出領域と検出用電極から延出された配線が配設された配線領域を備えるとともに、センサ基板の一面側に配設された配線領域に対向してセンサ基板の他面側に固定電位に接続された導体が配線領域を挟んで磁束検出基板の検出領域と対向する位置に配設され、導体には磁束検出基板の検出領域と対向する位置にスリットが設けられている。
また、本発明の位置検出装置は、指示された位置を静電容量方式によって検出するセンサ基板と、位置指示器によって指示された位置を電磁誘導方式によって検出する磁束検出基板とが筐体に収納されるとともに、磁束検出基板はセンサ基板に対向するように配設された位置検出装置であって、センサ基板は、複数の検出用電極が配設された検出領域と検出用電極から延出された配線が配設された配線領域とを備え、センサ基板の一面側に配設された配線領域に対向してセンサ基板の他面側に固定電位に接続される導体が配線領域を挟んで磁束検出基板の検出領域と対向する位置に配設されており、導体の磁束検出基板の検出領域と対向する位置にはスリットが設けられている。
検出用電極が形成された検出領域に隣接する配線領域に対向する位置に、固定電位に接続された導体が配置されているため、配線領域に含まれる配線部分に人体が接近した場合であっても配線部分の静電容量が変化することがなく、位置検出精度の低下を防止することができる。特に、上述した固定電位を接地電位とすることにより、人体が接近することによる静電容量の変化を確実に防止することができる。
また、上述したセンサ基板をフレキシブル基板により構成することにより、センサ基板を筐体の表面に配置して厚みの薄い位置検出装置を容易に実現することができるとともに、センサ基板を筐体の表面に配置したことによる上記弊害(配線部分による静電容量の変化)を防止することができる。
また、上述した導体スリットは導体の外縁から内側に向かって延在する形状であることが望ましい。
一実施形態の位置検出装置の平面図である。 図1のII−II線拡大断面図である。 位置検出装置の動作を説明するための図である。 センサ基板の全体を示す平面図である。 センサ基板の一部を拡大した部分的な平面図である。 隣接配線領域に対応する位置に設けられた導体を示す図である。 貫通孔の詳細を示す筐体の平面図である。 磁束検出用基板を用いた位置検出動作を説明するブロック図である。
以下、本発明を適用した一実施形態の位置検出装置について、図面を参照しながら説明する。
図1は、一実施形態の位置検出装置の平面図である。また、図2は図1のII−II線拡大断面図である。これらの図に示す本実施形態の位置検出装置100は、人体の一部(例えば指先)あるいは位置指示器(図3)により指示された位置を検出するためのものであり、静電容量方式を用いて位置検出を行うための第1の検出部としてのセンサ基板110と、電磁誘導方式を用いて位置検出を行う第2の検出部としての磁束検出用基板120と、センサ基板110の表面を覆うシート部材130と、センサ基板110、磁束検出用基板120、シート部材130を収納する収納部144を有する筐体140と、位置検出に必要な各種回路(図3)とを備えている。この位置検出装置100は、パーソナルコンピュータやPDA(Personal Digital Assistant)などの外部装置(図示せず)に接続されて、外部装置の入力装置として用いられるものである。シート部材130の表面を指先あるいは位置指示器で指し示すことにより、この指し示された位置の座標データが位置検出装置100から外部装置に向けて出力される。なお、図2に示した例では、わかりやすくするために、シート部材130、センサ基板110、収納部144の間に隙間を設けたが、実際にはこれらの間は接着材によって相互に接着されており、均一に密着した状態が確保されている。
図3は、位置検出装置100の動作を説明するための図である。図3に示すように、位置検出装置100は、位置検出を行う各種回路として、静電容量測定部150、電磁誘導検出部152、処理回路154を備えている。
静電容量測定部150は、センサ基板110に設けられた検出電極における静電容量の変化を測定するための回路であり、センサ基板110と処理回路154に接続されている。電磁誘導検出部152は、電磁誘導方式により位置指示器200が指示した点の位置を検出するための回路であり、磁束検出用基板120と処理回路154に接続されている。処理回路154は、センサ基板110または磁束検出用基板120を用いて検出した指先あるいは位置指示器200により指示された点の座標データを算出する回路である。処理回路154によって算出された座標データが外部装置に送られる。
次に、センサ基板110の詳細について説明する。図4は、センサ基板110の全体を示す平面図である。また、図5はセンサ基板110の一部を拡大した部分的な平面図である。
センサ基板110は、柔軟性のあるフィルム基板であるフレキシブル基板であって、本実施形態ではPET(Polyethylene Terephthalate)基板が用いられている。なお、PET基板以外のフィルム基板、例えばポリイミド基板等を用いるようにしてもよい。このセンサ基板110は、複数の検出用電極112A、112Bが形成された検出領域112と、検出用電極112A、112Bから引き出された配線が配設された配線領域114と、配線領域114と対向する位置に配置された導体116(後述する)とが含まれている。
それぞれの検出用電極112Aは、ほぼ正方形形状を有しており、一方の対角線がX方向(長方形形状を有する検出領域112の長辺に沿った方向をX方向、短辺に沿った方向をY方向とする)に沿うように、検出領域112の全面に規則正しく配置されている。また、それぞれの検出用電極112AはX方向に沿って隣接するもの同士が互いに補助線112Cを介して電気的に接続されており、このようなX方向に沿って一列に接続された複数の検出用電極112Aからなる検出電極群が、Y方向に沿って複数組配置されている。
同様に、それぞれの検出用電極112Bは、検出用電極112Aと同じようにほぼ正方形形状を有しており、一方の対角線がY方向に沿うように、検出領域112の全面に規則正しく配置されている。また、それぞれの検出用電極112BはY方向に沿って隣接するもの同士が互いに補助線112Dを介して電気的に接続されており、このようなY方向に沿って一列に接続された複数の検出用電極112Bからなる検出電極群が、X方向に沿って複数組配置されている。
また、上記の検出用電極112Aと検出用電極112Bは、互いの隙間を埋めるように検出領域112内で規則正しく配置されている。利用者の指先がシート部材130の表面に触れたときに、指先の接触面が検出用電極112Aと検出用電極112Bの両方に同時に対向するようになっている。なお、補助線112C、112Dは交差しているが、これらの間は電気的に絶縁されている。例えば、2層あるいは3層以上のメタル層を有するセンサ基板110を用いることにより、補助線112C、112D間の電気的な絶縁が行われる。また、検出用電極112A、112Bには、他方の対角線に沿った位置に、磁束検出用基板120あるいは位置指示器200によって発生した磁束により生じる渦電流を低減するためにスリット112Eが形成されている。図5に示すスリット112Eの形状は一例であって、形状や本数を適宜変更することができる。
静電容量測定部150は、複数の検出用電極112Aから構成されるX方向の検出電極群の静電容量の変化を群単位で検出するとともに、複数の検出用電極112Bから構成されるY方向の検出電極群の静電容量の変化を群単位で検出する。処理回路154は、指先が近づいたことにより静電容量が大きくなったX方向およびY方向の検出電極群を特定して、指先で指示された位置を算出する。
また、上述した配線領域114には、検出領域112の周囲に隣接して検出用電極112A、112Bに接続された配線が含まれる隣接配線領域114Aと、この隣接配線領域に含まれる配線と処理回路154側(静電容量測定部150)との接続に用いられる引出配線領域114Bとが含まれる。図4では、配線領域114にハッチングが付されており、隣接配線領域114Aと引出配線領域114Bではハッチングの向きが異なっている。
本実施形態では、センサ基板110には、隣接配線領域114Aと対向する位置であって表面側(シート部材130側)に、固定電位に接続された導体116が設けられている。図6は、隣接配線領域114Aに対応する位置に設けられた導体116を示す図である。図6に示すように、導体116は、隣接配線領域114Aの全体を覆っている。
上述した静電容量測定部150による検出は検出領域112を対象に行われるが、利用者が隣接配線領域114Aを指先で指し示した場合であっても隣接配線領域114Aに含まれる配線部分の静電容量が変化するため、静電容量測定部150による誤検出が生じるおそれがある。導体116は、この誤検出を防止するために設けられたものであって、固定電位に接続された導体116で隣接配線領域114A内の配線を覆うことにより、利用者の指先が隣接配線領域114Aに接近しても配線部分の静電容量が変化しないようになっている。導体116が接続される固定電位は、最も望ましくは接地電位であるが、原理的にはそれ以外の電位であってもよい。固定電位への接続は、例えば引出配線領域114Bに含まれる配線を介して行われる。
また、上述した導体116は、表面(導体116自身の表面)における渦電流の発生を低減する形状を有している。具体的には、導体116には、磁束検出用基板120あるいは位置指示器200によって発生した磁束により生じる渦電流を低減するために、外縁から内側に向かって延在する複数本のスリット116Aが形成されている。なお、渦電流の発生を低減することができる形状であれば、図6に示したスリット116A以外の形状であってもよい。例えば、多数の貫通孔を導体116に形成したり、多数の溝(凹凸)を導体116の表面に形成するようにしてもよい。
ところで、上述した検出領域112と隣接配線領域を合わせた領域は矩形形状を有しており、この矩形形状の周辺の一あるいは複数箇所(図4に示す例では3箇所)から外側に引出配線領域114Bが延出している。また、それぞれの隣接配線領域114Aの外周であって引出配線領域114Bに隣接する2箇所に凹形状の切り欠き部114Cが設けられている。
センサ基板110と静電容量測定部150との間の接続は、引出配線領域114Bを用いて行われる。具体的には、配線領域114の一部(引出配線領域114Bの根元部分)を折り曲げて、引出配線領域114Bを変形して(折り曲げて)筐体140内を引き回すことにより、センサ基板110と静電容量測定部150との間の電気的な接続が行われる。
このために、筐体140には、引出配線領域114Bを引き回す位置に対応する3箇所に貫通孔142が形成されている。図7は、貫通孔の詳細を示す筐体140の平面図である。筐体140は、センサ基板110およびシート部材130に対応する位置に矩形形状の凹部からなる収納部144を有する。図2に示すように、収納部144内にセンサ基板110およびシート部材130が収納されたときに、シート部材130の表面位置が収納部144周辺の筐体140の表面とほぼ同一の高さとなるように、収納部144の深さが設定されている。収納部144の底面であって周辺近傍(側壁の近傍)に、3箇所の貫通孔142が形成されている。それぞれの貫通孔142は、収納部144の側壁よりも内側に形成されている。このような位置に貫通孔142を形成することにより、シート部材130によって貫通孔142全体を遮蔽することが可能となる。
引出配線領域114Bが根元部分から折り曲げられ、折り曲げられた部分が貫通孔142に通されて(図2参照)、引出配線領域114Bの端部が静電容量測定部150に接続されている。
次に、磁束検出用基板120を用いた位置検出について説明する。図8は、磁束検出用基板120を用いた位置検出動作を説明するブロック図である。磁束検出用基板120は、筐体140の表面あるいは裏面であってセンサ基板110と対向する位置に設けられている。図2に示す例では、磁束検出用基板120は、筐体140の裏面側に配置されているが、筐体140の表面側であって筐体140とセンサ基板110とで挟まれた領域に配置するようにしてもよい。
磁束検出用基板120は、X方向およびY方向(このX方向等は図4に示したセンサ基板110におけるX方向等と同じである)のそれぞれに複数本(例えばそれぞれ40本)のループコイルを備えている。
また、電磁誘導検出部152は、選択回路300、送受信切替回路302、アンプ304、検波回路306、LPF(ローパスフィルタ)308、サンプルホールド回路(S/H)310、アナログ−デジタル変換器(A/D)312、CPU314、発振器316、ドライバ318を備えている。選択回路300は、磁束検出用基板120に備わった複数のループコイルの中から一つを選択して送受信切替回路302に接続する。送受信切替回路302が送信側(T)に切り替えられた状態では、選択回路300によって選択されたループコイルとドライバ318とが接続された状態にあり、発振器316から所定周波数の交流信号が出力されると、ドライバ318は接続されたループコイルに電流を流し、このループコイルによって磁界が発生する。
位置指示器200にはコイルとコンデンサを並列接続した共振回路が内蔵されており、ループコイルによって磁束が発生した状態で位置指示器200が位置検出装置100の表面に接近すると、位置指示器200内のコイルに誘起した電圧がコンデンサに印加されて電荷が蓄えられる。その後、送受信切替回路302が受信側(R)に切り替えられるとループコイルによる磁界の発生が停止するとともに、位置指示器200からはそれまでコンデンサに蓄えられた電荷が放電されてコイルに電流が流れ、このコイルによって磁界が発生する。この状態で選択回路300によって、選択されるループコイルを切り替えることにより、各ループコイルから出力される信号の強度を検出することにより、位置指示器200の位置が特定される。具体的には、この信号強度の検出は、アンプ304によって増幅された信号に対して検波回路306で検波処理(例えばAM検波処理)を行い、さらにLPF308を通した後の信号をサンプルホールド回路310、アナログ−デジタル変換器312を用いてデジタルデータに変換してCPU314で処理することにより行われる。
このように、本実施形態の位置検出装置100では、センサ基板110の配線領域114と対向する位置に、固定電位に接続された導体116を有しているため、配線領域114に含まれる配線部分に人体が接近した場合であっても配線部分の静電容量が変化することがなく、位置検出精度の低下を防止することができる。特に、上述した固定電位を接地電位とすることにより、人体が接近することによる静電容量の変化を確実に防止することができる。
また、センサ基板110をフレキシブル基板により構成することにより、センサ基板110を筐体の表面に配置して厚みの薄い位置検出装置100を容易に実現することができるとともに、センサ基板110を筐体の表面に配置したことによる上記弊害(配線部分による静電容量の変化)を防止することができる。また、センサ基板110と磁束検出用基板120を組み合わせて用いる場合には、筐体140に収納されたセンサ基板110の表面全体を位置指示器200の使用領域として使用することができる。
また、導体116を、表面における渦電流の発生を低減する形状、好適には外縁から内側に向かって延在するスリット116Aを有する形状とすることにより、磁束検出用基板120や位置指示器200によって発生した磁界によって導体116の表面に渦電流が発生することを防止することができ、電磁誘導方式による位置検出の精度が低下することを防止することができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、センサ基板110と磁束検出用基板120を組み合わせて用いたが、静電容量方式のセンサ基板110のみを備える位置検出装置に本発明を適用することもできる。
また、上述した実施形態では、センサ基板110全体を柔軟性のあるフィルム基板(フレキシブル基板)で構成したが、センサ基板110の中の検出領域112および隣接配線領域114Aからなる本体部分と引出配線領域114Bの素材を変えて、引出配線領域114Bのみを柔軟性を有する素材で形成するようにしてもよい。また、センサ基板110全体を柔軟性のない素材で形成した場合にも本発明を適用することができる。
本発明によれば、検出用電極112A、112Bが形成された検出領域112に隣接する配線領域114に対向する位置に、固定電位に接続された導体116が配置されているため、配線領域114に含まれる配線部分に人体が接近した場合であっても配線部分の静電容量が変化することがなく、位置検出精度の低下を防止することができる。
100 位置検出装置
110 センサ基板
112 検出領域
112A、112B 検出用電極
114 配線領域
112C、112D 補助線
112E、116A スリット
114A 隣接配線領域
114B 引出配線領域
114C 切り欠き部
116 導体
120 磁束検出用基板
130 シート部材
140 筐体
142 貫通孔
144 収納部
150 静電容量測定部
152 電磁誘導検出部
154 処理回路
200 位置指示器

Claims (5)

  1. 指示された位置を静電容量方式によって検出するセンサ基板であって、
    該センサ基板は、位置指示器によって指示された位置を電磁誘導方式により検出する磁束検出基板に重畳するように配置され、複数の検出用電極が配設された検出領域と前記検出用電極から延出された配線が配設された配線領域を備えるとともに、前記センサ基板の一面側に配設された前記配線領域に対向して前記センサ基板の他面側に固定電位に接続される導体が前記配線領域を挟んで前記磁束検出基板の検出領域と対向する位置に配設され、前記導体には前記磁束検出基板の検出領域と対向する位置にスリットが設けられていることを特徴とするセンサ基板。
  2. 前記固定電位は接地電位であることを特徴とする請求項1に記載のセンサ基板。
  3. 前記センサ基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項1に記載のセンサ基板。
  4. 前記導体前記スリットは前記導体の外縁から内側に向かって延在する形状であることを特徴とする請求項1に記載のセンサ基板。
  5. 指示された位置を静電容量方式によって検出するセンサ基板と、位置指示器によって指示された位置を電磁誘導方式によって検出する磁束検出基板とが筐体に収納されるとともに、前記磁束検出基板は前記センサ基板に対向するように配設された位置検出装置であって、
    前記センサ基板は、複数の検出用電極が配設された検出領域と前記検出用電極から延出された配線が配設された配線領域とを備え、前記センサ基板の一面側に配設された前記配線領域に対向して前記センサ基板の他面側に固定電位に接続される導体が前記配線領域を挟んで前記磁束検出基板の検出領域と対向する位置に配設されており、前記導体の前記磁束検出基板の検出領域と対向する位置にはスリットが設けられていることを特徴とする位置検出装置。
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