JP5439969B2 - 半導体装置 - Google Patents
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図1(a)および図2ではp仕切り領域4とnドリフト領域3の形状と配置関係を示し、図1(b)では、このnドリフト領域3およびp仕切り領域4の形成後の工程で形成されるpベース層5、nソース層7、ゲート絶縁膜8、ゲート電極9、層間絶縁膜10およびソース電極11などを備えたMOSFET全体の構造を形成した後の断面図を示した。尚、図中の6は、遷移部22に形成されるp層である。このp層6はMOSFETがオフするときに遷移部22でのキャリアの引き抜きのために必要となる。つまりp層6は、アバランシェ時に終端部23で発生したホールの引き抜き、ダイオードモード動作時の逆回復時おホール引き抜きに必要であり、このp層6によってアバランシェ耐量及び逆回復耐量の向上が図られている。また、半導体装置の終端部の外周表面に形成されるn+チャネルストッパ領域とその表面に形成されるチャネルストッパ電極の記載は省略している。
図1(a)および図2に示すように、並列pn層の繰り返しは、活性部21のA部と終端部23のC部では隣り合う縦横のp仕切り領域間が正方形をしている。また、終端部23のC部の方が活性部21のA部より小さくなっており、それぞれの正方形のA部、C部の四隅には円形のp仕切り領域4a、4cの1/4が配置されている。p仕切り領域4a、4bの不純物ドーズ量をnドリフト領域3の不純物ドーズ量の4倍に設定した場合には、正方形のA部、C部内のp仕切り領域4a、4cの不純物総量とnドリフト領域3の不純物総量はほぼ等しくなる。
ウェハ(n半導体基板1)全面にリンを例えばドーズ量1×1013/cm2でイオン注入してn半導体層2を形成した後、図1に示すp仕切り領域4の形状と配置間隔のマスクでパターンを形成し選択的にボロンを例えば4×1013/cm2でイオン注入してp仕切り領域4(4a、4b、4c、4d)を形成する。つまりp仕切り領域4の不純物ドーズ量をnドリフト領域3の不純物ドーズ量の4倍にする。
こうすることで、A部、B部、C部内でp仕切り領域4a、4b、4c、4dの不純物総量とnドリフト領域3の不純物総量がほぼ等しくできる。つまり、実効アクセプタ濃度と実効ドナー濃度がほぼ等しくなり、電荷のバランスがとれ、耐圧の低下を防止できる。
まず、活性部について説明する。ここでは活性部21のA部の一辺は8μmの正方形とし、p仕切り領域4aは半径2.25μmの円形とする。
A部の面積:8×8=64μm2
p仕切り領域4aの円1個あたりの面積:Π×2.25×2.25=15.9μm2
ここで、Πは円周率で3.14とする。
このように、活性部21でp仕切り領域4aの面積は、A部の面積のほぼ1/4を占める。
C部の面積:4×4=16μm2
p仕切り領域4cの円1個あたりの面積:Π×1.15×1.15=4.15μm2
C部に占めるp仕切り領域4cの面積の割合:4.15/16=25.9%
前記したように、活性部21のA部および終端部23のC部において、p仕切り領域の面積は、A部およびC部共にほぼ1/4の面積を占めている。
B部の面積:8×4=32μm2
p仕切り領域4bとp仕切り領域4cの面積:(Π×4.5×0.6)/2+(Π×1.15×1.15)=8.4μm2
B部に占めるp仕切り領域4b、4cの面積の割合:8.4/32=26.2%
前記したように、遷移部22でのp仕切り領域4b、4cは、B部の面積のほぼ1/4を占めている。
尚、図4の活性部21側の遷移部22のp仕切り領域4f、4gは、図3(b)、図3(d)のp仕切り領域4b、4dの一部である4f、4gと同じである。
尚、前記の実施例では、p仕切り領域の形状を円形、ストライプ状としたが、これに限るものではなく、六角形などもある。また、不純物総量は、外方拡散がある場合は不純物総量を残存する不純物の総量とするとよい。
2 n半導体層
3、3a nドリフト領域
4 p仕切り領域(総称)
4a、4b、4c、4d、4e p仕切り領域
5 pベース層
6 p層
7 nソース層
8 ゲート絶縁膜
9 ゲート電極
10 層間絶縁膜
11 ソース電極
21 活性部
22 遷移部
23 終端部
Claims (2)
- 第1導電型の第1半導体層上に該第1半導体層に対して垂直に配置される第1導電型のドリフト領域と第2導電型の仕切り領域を複数備える超接合構造の半導体装置において、耐圧構造部である終端部と主電流を通電し前記終端部で囲まれた活性部と該活性部から前記終端部に移行する箇所の遷移部とを備え、前記仕切り領域の平面形状が前記終端部と前記活性部においては円形であり、前記遷移部では円形の一部と楕円形の一部で構成された変形した形状であることを特徴とする半導体装置。
- 第1導電型の第1半導体層上に該第1半導体層に対して垂直に配置される第1導電型のドリフト領域と第2導電型の仕切り領域を複数備える超接合構造の半導体装置において、耐圧構造部である終端部と主電流を通電し前記終端部で囲まれた活性部と該活性部から前記終端部に移行する箇所の遷移部とを備え、前記仕切り領域の平面形状が、前記終端部において円形であり、前記活性部においてストライプ状であり、前記遷移部では、ストライプ状仕切り領域に複数の楕円の一部を組み合わせた変形した形状であることを特徴とする半導体装置。
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