JP2008078282A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】素子終端領域の耐圧を向上させ、素子全体として耐圧を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が形成される素子領域及び当該素子領域を囲う終端領域を有する半導体装置において、n++型層1と、素子領域においてn++型層1上に形成された、不純物濃度がn++型層1以下であるn+型層2と、素子領域におけるn+型層2、及び終端領域におけるn++型層1に形成された、n型ドリフト層3とを有する。
【選択図】図1
【解決手段】半導体素子が形成される素子領域及び当該素子領域を囲う終端領域を有する半導体装置において、n++型層1と、素子領域においてn++型層1上に形成された、不純物濃度がn++型層1以下であるn+型層2と、素子領域におけるn+型層2、及び終端領域におけるn++型層1に形成された、n型ドリフト層3とを有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
縦型パワーMOSFETのオン抵抗は、伝達層(ドリフト層)部分の電気抵抗に大きく依存する。そして、このドリフト層の電気抵抗は、その不純物濃度で決定され、不純物濃度を高くすればオン抵抗を下げることができる。しかし、不純物濃度が高くなると、ドリフト層がベース層と形成するPN接合の耐圧が下がるため、不純物濃度は耐圧に応じて決まる限界以上には上げることができない。このように素子耐圧とオン抵抗との間にはトレードオフの関係が存在する。このトレードオフを改善することは、低消費電力の半導体装置を提供しようとする場合に重要な課題である。このトレードオフには、素子材料により決まる限界が有り、この限界を超えることが低オン抵抗の半導体装置の実現への道である。
この構造において、パワー半導体素子は、MOSFET等が形成される素子領域と、耐圧を保持するため素子領域を囲うように形成される終端領域とを有している。終端領域の耐圧が素子領域の耐圧より低いと、十分なアバランシェ電流が流れる前に終端領域が負性抵抗モードへ入るため、アバランシェ耐量(サステイン状態に入るときのアバランシェ電流値)が低くなる。このため、素子領域の耐圧が終端領域の耐圧より低くなるように設計を行い、素子領域のキャリア排出能力を高め、素子領域の面積割合を大きく保持しつつ、十分大きいアバランシェ電流が流せるパワー半導体装置が望まれている。
特に、スーパージャンクションのMOSFET(例えば、特許文献1)においては、ブレイクダウン時点に、ドリフト層の全厚さに亘って電界強度が高くなる。このため、終端の耐圧が低いと、アバランシェ降伏が生じてからのアバランシェ電流と電圧の伸びも小さいうちに破壊に至ってしまい、実使用に耐える耐量が確保できない。
特開2006−73987号公報
本発明は、終端領域の耐圧を向上させ、素子全体として耐圧を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体素子が形成される素子領域及び当該素子領域を囲う終端領域を有する半導体装置において、第1導電型の第1半導体層と、前記素子領域において前記第1半導体層上に形成された、第1導電型の第2半導体層と、前記素子領域における前記第2半導体層上、及び前記終端領域における前記第1半導体層上に形成された、不純物濃度が第2半導体層よりも小さい第1導電型の第3半導体層と、前記素子領域において、前記第3半導体層の表面に選択的に形成された第2導電型の半導体ベース層と、前記半導体ベース層の表面に選択的に形成された第1導電型の半導体拡散層と、前記第1の半導体層に接合するように形成された第1の主電極と、前記半導体ベース層と前記半導体拡散層に接合するように形成された第2の主電極と、前記半導体ベース層、前記半導体拡散層、及び前記第3半導体層に接するように絶縁膜を介して形成された制御電極とを有することを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体装置が形成される素子領域及び当該素子領域を囲う終端領域を有する半導体装置を製造するための方法において、第1導電型の第1半導体層上に、第1導電型の第2半導体層を形成する工程と、前記第2半導体層の一部に第1導電型或いは第2導電型の不純物をイオン注入する工程と、前記第2半導体層上に不純物濃度が前記第2半導体層よりも小さい第1導電型の第3半導体層をエピタキシャル成長させることと、前記不純物を熱拡散させることとにより、前記第1半導体層上に前記第2半導体層を介して前記第3半導体層が形成された前記素子領域となる部分、及び前記第1半導体層上に前記第3半導体層が形成された前記終端領域となる部分を形成する工程とを有することを特徴とする。
この発明によれば、終端領域の耐圧を向上させ、素子全体として耐圧を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供することが可能となる。
以下、本発明の一実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施形態では第1導電型をn型、第2導電型をp型としたMOSFETを例にとって説明する。なお、以下において、記載「p++」は、記載「p+」よりも不純物濃度が大であり、記載「p+」は、記載「p」よりも不純物濃度が大であることを示す。また、同様に、記載「n++」は、記載「n+」よりも不純物濃度が大であり、記載「n+」は、記載「n」よりも不純物濃度が大であることを示す。
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態に係わるパワーMOSFETの構成を模式的に示す断面図である。図1に示すように、本発明の第1実施形態に係るMOSFETは、半導体素子が形成される素子領域と、素子領域を囲う終端領域とにより構成されている。なお、本実施形態における素子領域と終端領域の境界は、一例として、後述する最外周のp型ベース層4の側面と、その側面に対向するp型ガードリング層16の側面との間であるものとする。
図1は、本発明の第1実施形態に係わるパワーMOSFETの構成を模式的に示す断面図である。図1に示すように、本発明の第1実施形態に係るMOSFETは、半導体素子が形成される素子領域と、素子領域を囲う終端領域とにより構成されている。なお、本実施形態における素子領域と終端領域の境界は、一例として、後述する最外周のp型ベース層4の側面と、その側面に対向するp型ガードリング層16の側面との間であるものとする。
本実施形態に係るMOSFETは、ドレイン層として機能するn++型基板1上に形成されている。そして、終端領域を除く素子領域においては、n++型基板1上に、n+型層2が形成され、終端領域におけるn++型基板1上、及び素子領域におけるn+型層2の上にn型ドリフト層3が形成されている。なお、n+型層2は、素子領域の境界を超えない位置(境界の手前)まで形成されている。
素子領域のn型ドリフト層3の表面には、p型ベース層4が選択的に形成され、更にこのp型ベース層4の表面には、p+型コンタクト層5及びn型ソース拡散層6が紙面垂直方向を長手方向とするストライプ状に選択的に形成されている。
また、n型ソース拡散層6、p型ベース層4、及びn型ドリフト層3の上には、ゲート絶縁膜7を介してゲート電極8が紙面垂直方向を長手方向とするストライプ形状に形成されている。ゲート絶縁膜7及びゲート電極8は、図2に示すように、隣接する2つのp型ベース層4に共通に形成されている。
p型ベース層4及びn型ソース拡散層6上には、各MOSFETに共通のソース電極9が接続されている。ソース電極9は、ゲート絶縁膜7等により、ゲート電極8と絶縁されている。一方、n型ドリフト層3とは反対側のn++型基板1の面には、ドレイン電極10が設けられている。
また、終端領域の端部には、p型フィールドストップ層12が設けられている。そのp型フィールドストップ層12の表面には、n型フィールドストップ層13が設けられ、さらにp型フィールドストップ層12及びn型フィールドストップ層13の表面には、ゲート電極8又はソース電極9と接続されたフィールドストップ電極14が設けられている。
また、複数のp型ベース層4のうち最外周のp型ベース層の更に外周には、p型ガードリング層16が形成されており、このp型ガードリング層16の表面には、p+型コンタクト層17が形成されている。
上記のように本発明の第1実施形態に係る半導体装置によれば、素子領域のn++型基板1の上のみに、n+型層2が形成されている。換言すると、終端領域のn型ドリフト層3は、素子領域よりも厚く形成されている。したがって、素子領域の耐圧を決定すれば、サステイン状態に入るときの終端領域はアバランシェ降伏の閾値に達することはない。そのため、素子領域で流せる限界のアバランシェ電流が、そのまま終端領域で流せるアバランシェ電流の実行値となり、十分な耐圧を確保することができる。よって、半導体装置全体の終端領域の耐圧は、向上する。
仮に、耐圧を超えたバイアスが印可されてブレイクダウンが発生しても、負性抵抗領域に至るまでの電流、電圧の伸びが向上する。なお、終端領域においては、オン抵抗などの特性に影響しないため、n型ドリフト層3を厚くしたとしても、耐圧以外の特性は変化しない。
また、n+型層2の不純物濃度は、n型ドリフト層3よりも高ければよく、n++型層1の不純物濃度以下であればよい。
また、n+型層2は、上述したように素子領域の境界を超えないように形成することが条件である。ここで、n+型層2が、素子領域の境界を超えて形成されると、終端領域の耐圧は小さくなり、終端領域が破壊されることとなる。さらには、n+型層2の不純物拡散係数等を考慮し、境界から素子領域側に所定距離あけてn+型層2を形成することが、好適である。
次に、図2を参照して、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する。
先ず、図2(a)に示すように、n++型基板1の上にn+型層2をエピタキシャル成長させ、後に素子領域となる表面に、レジスト膜31を形成する。次に、図2(b)に示すように、n+型層2の所定深さに、p型不純物となるボロン(B)32をイオン注入する。つづいて、図2(c)に示すように、レジスト膜31を除去し、さらにその表面に、n型ドリフト層3をエピタキシャル成長させる。そして、n+型層2に注入されたボロン(B)32は、n型ドリフト層3の堆積と共に、熱拡散され、終端領域におけるn+型層2のキャリア濃度を低下させる。これにより、図2(d)に示すように、終端領域のn+型層2は、n型ドリフト層3に変化する。
以後、周知のMOSFET形成工程を実行して、図1に示すように、p型ベース層4、p+型コンタクト層5、n型ソース層6、ゲート絶縁膜7、ゲート電極8、ソース電極9、ドレイン電極10、絶縁膜11、p型フィールドストップ層12、n型フィールドストップ層13、及びフィールドストップ電極14を形成し、図1に示すような第1実施形態に係る半導体装置が製造される。
次に、図3を参照して、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の別の製造方法を説明する。図3(a)に示すように、n++型基板1の上にn型ドリフト層3をエピタキシャル成長させ、後に終端領域となるn型ドリフト層3の表面に、レジスト膜33を形成する。つづいて、図3(b)に示すように、n型ドリフト層3の所定深さに、n型不純物となるリン(P)34をイオン注入する。つづいて、図3(c)に示すように、レジスト膜33を除去し、さらにその表面に、n型ドリフト層3をエピタキシャル成長させる。そして、n型ドリフト層3に注入されたリン(P)34は、n型ドリフト層3の堆積と共に、熱拡散され、素子領域におけるn型ドリフト層3のキャリア濃度を向上させる。これにより、図2(d)に示すように、素子領域のn型ドリフト層3はn+型層2に変化する。
以後、周知のMOSFET形成工程を実行して、図1に示すように、p型ベース層4、p+型コンタクト層5、n型ソース層6、ゲート絶縁膜7、ゲート電極8、ソース電極9、ドレイン電極10、絶縁膜11、p型フィールドストップ層12、n型フィールドストップ層13、及びフィールドストップ電極14を形成し、図1に示すような第1実施形態に係る半導体装置が製造される。
次に、図4を参照して、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の別の製造方法を説明する。図4(a)に示すように、n++型基板1の上にレジスト膜33を形成する。つづいて、図4(b)に示すように、フォトリソグラフィ等により、n++型基板1を所定深さまでエッチングし、レジスト膜33を除去する。つまり、エッチングされることなくn++型基板1に残存する凸部として半導体層2’が形成される。つづいて、図4(c)に示すように、n++型基板1の表面にn型ドリフト層3を堆積させる。そして、図4(d)に示すように、CMP(Chemical Mechanical Polishing)等により、n型ドリフト層3の表面を研磨して、n型ドリフト層3の表面を平坦化する。
以後、周知のMOSFET形成工程を実行して、図1に示すように、p型ベース層4、p+型コンタクト層5、n型ソース層6、ゲート絶縁膜7、ゲート電極8、ソース電極9、ドレイン電極10、絶縁膜11、p型フィールドストップ層12、n型フィールドストップ層13、及びフィールドストップ電極14を形成し、図1に示すような第1実施形態に係る半導体装置が製造される。なお、半導体層2’により、終端領域と比較し、素子領域におけるn型ドリフト層3は、厚く形成されているので、この半導体層2’は、上述したn+型層2と同様の機能を有する。
[第2実施形態]
次に、図5を参照して、本発明の第2実施形態に係る半導体装置について説明する。なお、第1実施形態と同様の構成は、同一の符号を付し、その説明を省略する。
次に、図5を参照して、本発明の第2実施形態に係る半導体装置について説明する。なお、第1実施形態と同様の構成は、同一の符号を付し、その説明を省略する。
第2実施形態に係る半導体装置は、第1実施形態と異なり、n型ドリフト層3が形成された領域に、各々のp型ベース層4の下方に延びるp型ピラー層15が周期的に形成され、スーパージャンクション構造を構成している。スーパージャンクション構造はpピラー層とnピラー層に含まれるチャージ量(不純物量)を同じとすることで、擬似的にノンドープ層を作り出し、高耐圧を保持しつつ、高ドープされたnピラー層を通して電流を流すことで、材料限界を超えた低オン抵抗を実現する。耐圧を保持するためには、nピラー層とpピラー層の不純物量を精度良く制御する必要がある。
上記のように、この実施形態のパワーMOSFETでは、第1実施形態と同様に、n+型層2により終端領域の耐圧を向上させることができる。また、この形態によれば、上記のように構成されたスーパージャンクション構造により、MOSFETの非導通時、空乏層を素子領域において、横方向(素子領域から終端領域に延びる方向)に伸ばし、更に素子領域の耐圧を向上させることが可能となる。
なお、図5に示す例では、p型ピラー層15は、n+型層2と接していないが、接するように形成してもよい。また、スーパージャンクション構造により、素子領域の耐圧が向上するので、第1実施形態よりも、n+型層2を厚く形成する等して、終端領域の耐圧を素子領域よりも高くする構成とされている。
[第3実施形態]
次に、図6を参照して、本発明の第3実施形態に係る半導体装置について説明する。なお、第1実施形態と同様の構成は、同一の符号を付し、その説明を省略する。
次に、図6を参照して、本発明の第3実施形態に係る半導体装置について説明する。なお、第1実施形態と同様の構成は、同一の符号を付し、その説明を省略する。
第3実施形態に係る半導体装置は、第2実施形態と異なり、終端領域にも、p型ピラー層15が周期的に形成され、スーパージャンクション構造が構成されている。
上記のように、この実施形態のパワーMOSFETでは、第1実施形態と同様に、n+型層2により、終端領域の耐圧を向上させることができる。また、第3実施形態に係るパワーMOSFETでは、上記のように構成されたスーパージャンクション構造により、第2実施形態と比較して、p型ピラー層15による空乏層を、素子領域の端部で縮小させることなく、終端領域まで延ばすことが可能となる。したがって、素子領域及び終端領域の耐圧を向上させることができる。
[第4実施形態]
次に、図7を参照して、本発明の第4実施形態に係る半導体装置について説明する。なお、第3実施形態と同様の構成は、同一の符号を付し、その説明を省略する。
次に、図7を参照して、本発明の第4実施形態に係る半導体装置について説明する。なお、第3実施形態と同様の構成は、同一の符号を付し、その説明を省略する。
第4実施形態に係る半導体装置は、第3実施形態と異なり、終端領域に形成されたp型ピラー層15は、素子領域よりも深く形成されている。
上記のように、この実施形態のパワーMOSFETでは、第1実施形態と同様にn+型層2により、終端領域の耐圧を向上させることができる。また、第4実施形態に係るパワーMOSFETでは、終端領域に形成されたp型ピラー層15は、素子領域よりも深く形成されている。したがって、終端領域において、深さ方向に亘って、さらに空乏層を広範囲に形成することが可能となる。よって、終端領域の耐圧をさらに向上させることができる。
[第5実施形態]
次に、図8を参照して、本発明の第5実施形態に係る半導体装置について説明する。なお、第4実施形態と同様の構成は、同一の符号を付し、その説明を省略する。
次に、図8を参照して、本発明の第5実施形態に係る半導体装置について説明する。なお、第4実施形態と同様の構成は、同一の符号を付し、その説明を省略する。
第5実施形態に係る半導体装置は、第4実施形態と異なり、p型ガードリング層16よりも外周側のn型ドリフト層3の表面に、p型リサーフ層18が設けられている。なお、p型リサーフ層18は、p型ベース層4よりも深く形成されている。
また、終端領域の表面に形成された絶縁膜11中には、フィールドプレート電極19が設けられ、そのフィールドプレート電極19に接続するゲート電極20が設けられている。このゲート電極20は、上述したゲート電極8に電気的に接続されている。
ここで、このp型ガードリング層16、p+型コンタクト層17、及びp型リサーフ層18は、好ましくはp型ベース層4よりも大きい不純物濃度を有するものとされる。通常、p型ベース層4の不純物濃度は、ゲート閾値電圧により決められる。しかし、素子領域外周に形成されるp型ガードリング層16、p+型コンタクト層17及びp型リサーフ層18は、ゲート閾値電圧には無関係なため、その不純物濃度を自由に決定することができる。
上記のように、この実施形態のパワーMOSFETでは、第1実施形態と同様にn+型層2により、終端領域の耐圧を向上させることができる。
また、例えば、ゲート電極8同士の間隔、及びp型ベース層4同士の間隔を小さくすると共に、p型ベース層4の接合深さを小さく形成する場合、素子領域の端部に電界が集中することになる。そこで、第5実施形態に係るパワーMOSFETによれば、p型ガードリング層11及びp+型コンタクト層17に加え、更にp型リサーフ層18を設けているので、素子領域の端部における電界集中を緩和することができる。
また、第5実施形態に係るパワーMOSFETは、絶縁膜11の上面に形成されたフィールドプレート電極19により、電界集中の緩和を促すことも可能とされている。
[第6実施形態]
次に、図9を参照して、本発明の第6実施形態に係る半導体装置について説明する。なお、第5実施形態と同様の構成は、同一の符号を付し、その説明を省略する。図9は、第6実施形態に係る半導体装置の素子領域の概略側面図である。なお、図9は素子領域のみを示しているが、第6実施形態に係る半導体装置も第1〜第5実施形態と同様に、終端領域を有している。
次に、図9を参照して、本発明の第6実施形態に係る半導体装置について説明する。なお、第5実施形態と同様の構成は、同一の符号を付し、その説明を省略する。図9は、第6実施形態に係る半導体装置の素子領域の概略側面図である。なお、図9は素子領域のみを示しているが、第6実施形態に係る半導体装置も第1〜第5実施形態と同様に、終端領域を有している。
第6実施形態に係る半導体装置は、第1〜第5実施形態の構成に加え、素子領域の間に配線領域を設けている。配線領域のn++型基板上には、n+型層2が設けられておらず、直接n型ドリフト層3が形成されている。n型ドリフト層3の表面には、p型ベース層21が設けられている。p型ベース層21のさらに表面には、p+型コンタクト層22が形成されている。p+型コンタクト層22の表面には、ゲート絶縁膜(ゲートパッド)23を介して、ゲート配線電極24が設けられている。なお、ゲート絶縁膜23は、ソース電極9に接するように形成され、ゲート配線電極24は、ソース電極9と接しないように形成されている。
ここで、配線領域においては、終端領域と同じように、p型ベース層21とn型ドリフト層3とによって広いp/nジャンクション構造によるダイオードが形成されている。すなわち、配線領域は、終端領域と同様にダイオードとしての耐圧が存在する。また、ゲート絶縁膜23が設けられているので、p+型コンタクト層22の上部にソースコンタクトを形成することができない。つまり、素子領域のように多数のソースコンタクトを形成し、積極的にキャリアを排出する構造となっていない。したがって、十分な耐圧がない場合、広い領域を有する配線領域のn型ドリフト層3の中でアバランシェ電流が発生すると、ゲート絶縁膜23とゲート絶縁膜7との間のソース電極9に形成されるソースコンタクトにキャリアが集中し、配線領域は破壊に至る。
そこで、上記のように、この実施形態のパワーMOSFETでは、配線領域において、n++型層1上にn+型層2を形成していないので、その耐圧が高くなり、破壊を招く恐れはない。また、第1実施形態と同様に、n+型層2により終端領域の耐圧を向上させることができる。また、この形態によれば、上記のように構成されたスーパージャンクション構造により、MOSFETの非導通時、空乏層を素子領域において、横方向(素子領域から終端領域に延びる方向)に伸ばし、更に素子領域の耐圧を向上させることが可能となる。
なお、図9に示す例では、p型ピラー層15は、n+型層2と接していないが、接するように形成してもよい。また、スーパージャンクション構造により、素子領域の耐圧が向上するので、第1実施形態よりも、n+型層2を厚く形成する等して、終端領域の耐圧を素子領域よりも高くする構成とされている。
以上、本発明の第1乃至第6実施形態を説明したが、この発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、第1の導電型をn型、第2の導電型をp型として説明をしたが、第1の導電型をp型、第2の導電型をn型としても実施可能である。また例えば、MOSFETのゲート部やスーパージャンクション構造の平面パターンは、ストライプ状(図10)に限らず、格子状(図11)や千鳥状に形成してもよい。
また、第5実施形態の構成であるp型リサーフ層18、及びフィールドプレート電極19は、第5実施形態に限られず、その他、第1〜第4及び第6の各実施形態にも適応できる。
また、半導体装置としてプレーナ型のMOSFETを説明したが、半導体装置としては、例えば、p型ベース層に沿って形成したトレンチに絶縁膜を介してゲート電極を埋め込んだ、いわゆるトレンチゲート型のMOSFETであってもよい。また、MOSFETに限られることはなく、IGBTなどであってもよい。
1…n++型基板、2…n+型層、3…n型ドリフト層、4…p型ベース層、5…p+型コンタクト層、6…n型ソース拡散層、7…ゲート絶縁膜、8…ゲート電極、9…ソース電極、10…ドレイン電極、11…絶縁膜、12…p型フィールドストップ層、13…n型フィールドストップ層、14…フィールドストップ電極、15,15’…p型ピラー層、16…p型ガードリング層、17…p+型コンタクト層、18…リサーフ層、19…フィールドプレート電極、20…電極、21…p型ベース層、22…p+型コンタクト層、23…ゲート絶縁膜、24…ゲート配線電極、31,33…レジスト膜、32…ボロン(B)、34…リン(P)。
Claims (5)
- 半導体素子が形成される素子領域及び当該素子領域を囲う終端領域を有する半導体装置において、
第1導電型の第1半導体層と、
前記素子領域において前記第1半導体層上に形成された、第1導電型の第2半導体層と、
前記素子領域における前記第2半導体層上、及び前記終端領域における前記第1半導体層上に形成された、不純物濃度が第2半導体層よりも小さい第1導電型の第3半導体層と、
前記素子領域において、前記第3半導体層の表面に選択的に形成された第2導電型の半導体ベース層と、
前記半導体ベース層の表面に選択的に形成された第1導電型の半導体拡散層と、
前記第1の半導体層に接合するように形成された第1の主電極と、
前記半導体ベース層と前記半導体拡散層に接合するように形成された第2の主電極と、
前記半導体ベース層、前記半導体拡散層、及び前記第3半導体層に接するように絶縁膜を介して形成された制御電極と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記素子領域の前記第3半導体層内に、前記第1半導体層の表面に沿って周期的に配置してなる第2導電型のピラー層を有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記終端領域の前記第3半導体層内に、前記第1半導体層の表面に沿って周期的に配置してなる前記第2導電型のピラー層を有し、
当該ピラー層は、前記素子領域よりも前記終端領域において深く形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。 - 前記素子領域の間には、配線電極を有する配線領域を有し、
当該配線領域には、前記第1半導体層上に前記第3半導体層が形成され、当該第3半導体層の上に前記半導体ベース層が形成され、当該半導体ベース層に絶縁膜を介して前記配線電極が形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体装置。 - 半導体装置が形成される素子領域及び当該素子領域を囲う終端領域を有する半導体装置を製造するための方法において、
第1導電型の第1半導体層上に、第1導電型の第2半導体層を形成する工程と、
前記第2半導体層の一部に第1導電型或いは第2導電型の不純物をイオン注入する工程と、
前記第2半導体層上に不純物濃度が前記第2半導体層よりも小さい第1導電型の第3半導体層をエピタキシャル成長させることと、前記不純物を熱拡散させることとにより、前記第1半導体層上に前記第2半導体層を介して前記第3半導体層が形成された前記素子領域となる部分、及び前記第1半導体層上に前記第3半導体層が形成された前記終端領域となる部分を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006254157A JP2008078282A (ja) | 2006-09-20 | 2006-09-20 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006254157A JP2008078282A (ja) | 2006-09-20 | 2006-09-20 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008078282A true JP2008078282A (ja) | 2008-04-03 |
Family
ID=39350065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006254157A Withdrawn JP2008078282A (ja) | 2006-09-20 | 2006-09-20 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008078282A (ja) |
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