JP5423378B2 - イグナイタ用電力半導体装置 - Google Patents
イグナイタ用電力半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5423378B2 JP5423378B2 JP2009284099A JP2009284099A JP5423378B2 JP 5423378 B2 JP5423378 B2 JP 5423378B2 JP 2009284099 A JP2009284099 A JP 2009284099A JP 2009284099 A JP2009284099 A JP 2009284099A JP 5423378 B2 JP5423378 B2 JP 5423378B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- control terminal
- switching element
- voltage
- semiconductor switching
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 63
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 22
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23Q—IGNITION; EXTINGUISHING-DEVICES
- F23Q3/00—Igniters using electrically-produced sparks
- F23Q3/004—Using semiconductor elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
Description
Claims (7)
- 点火コイルの一次側電流を通電・遮断する半導体スイッチング素子と、
前記半導体スイッチング素子を駆動制御する集積回路と、
を有するイグナイタ用電力半導体装置であって、
前記集積回路は、
通常動作時に、前記点火コイルの二次側に点火プラグ飛火電圧を発生させるように、前記半導体スイッチング素子の制御端子に蓄積された電荷を放電して遮断させる第1の放電手段と、
異常状態を検出した際に、前記点火コイルの二次側電圧が点火プラグ飛火電圧以下となるように、前記第1の放電手段より緩慢に前記半導体スイッチング素子の制御端子に蓄積された電荷を放電して遮断させる第2の放電手段と、
を有し、
前記第2の放電手段にて前記半導体スイッチング素子の遮断動作を行っているとき、前記半導体スイッチング素子の制御端子電圧を監視し第1の所定の電圧になった場合は前記第1の放電手段により前記半導体スイッチング素子を遮断させる制御端子電圧監視手段を有することを特徴とするイグナイタ用電力半導体装置。 - 前記第1の放電手段は、前記半導体スイッチング素子の制御端子と基準電源電位間に接続された第1の抵抗を有し、
前記第2の放電手段は、前記半導体スイッチング素子の制御端子と基準電源電位間に接続され、かつ前記第1の抵抗より抵抗値が大である第2の抵抗を有することを特徴とする請求項1に記載のイグナイタ用電力半導体装置。 - 前記第1の放電手段は、前記半導体スイッチング素子の制御端子と基準電源電位間に接続された第1の抵抗を有し、
前記第2の放電手段は、前記半導体スイッチング素子の制御端子と基準電源電位間に接続され、かつ前記第1の抵抗に流れる放電電流より小さい電流値を出力する定電流源を有することを特徴とする請求項1に記載のイグナイタ用電力半導体装置。 - 前記制御端子電圧監視手段は、前記制御端子電圧が前記半導体スイッチング素子のしきい値電圧以下になった場合に第1の放電手段により遮断させることを特徴とする請求項1〜3いずれか一項に記載のイグナイタ用電力半導体装置。
- 前記制御端子電圧監視手段は、前記制御端子電圧が第2の所定の電圧以上になった場合に第1の放電手段により遮断させることを特徴とする請求項1〜4いずれか一項に記載のイグナイタ用電力半導体装置。
- 前記制御端子電圧監視手段は、前記制御端子電圧が前記第2の放電手段にて遮断動作を開始し始めた時の電圧以上になった場合に第1の放電手段により遮断させることを特徴とする請求項1〜5いずれか一項に記載のイグナイタ用電力半導体装置。
- 前記第2の放電手段にて前記半導体スイッチング素子の遮断動作を行っているとき、前記制御端子に漏洩するリーク電流をバイパスし、前記制御端子電圧の上昇を防止するリーク電流補償手段を有することを特徴とする請求項1〜6いずれか一項に記載のイグナイタ用電力半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009284099A JP5423378B2 (ja) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | イグナイタ用電力半導体装置 |
US12/877,538 US8861175B2 (en) | 2009-12-15 | 2010-09-08 | Power semiconductor device for igniter |
CN201010609296.9A CN102185598B (zh) | 2009-12-15 | 2010-12-14 | 点火器用功率半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009284099A JP5423378B2 (ja) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | イグナイタ用電力半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011127445A JP2011127445A (ja) | 2011-06-30 |
JP5423378B2 true JP5423378B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=44142649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009284099A Active JP5423378B2 (ja) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | イグナイタ用電力半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8861175B2 (ja) |
JP (1) | JP5423378B2 (ja) |
CN (1) | CN102185598B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12009810B2 (en) | 2020-02-04 | 2024-06-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5031081B2 (ja) * | 2010-10-12 | 2012-09-19 | 三菱電機株式会社 | 内燃機関用電子制御装置 |
JP5893213B2 (ja) * | 2013-04-02 | 2016-03-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6340841B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2018-06-13 | 富士電機株式会社 | 絶縁ゲート型デバイスの駆動回路 |
JP6565244B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2019-08-28 | 富士電機株式会社 | イグナイタ用半導体装置、イグナイタシステム及び点火コイルユニット |
JP6252796B2 (ja) * | 2015-07-10 | 2017-12-27 | トヨタ自動車株式会社 | 内燃機関の制御装置 |
US10128735B2 (en) * | 2015-08-26 | 2018-11-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Control circuit for semiconductor switching element, and semiconductor device |
GB2545236B (en) * | 2015-12-10 | 2017-12-13 | Rolls Royce Plc | A method of controlling an inverter |
JP6690246B2 (ja) * | 2016-01-12 | 2020-04-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US9739252B1 (en) * | 2016-02-19 | 2017-08-22 | Ford Global Technologies, Llc | System and method for detecting engine knock and misfire |
JP6766443B2 (ja) * | 2016-05-20 | 2020-10-14 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路 |
JP6805622B2 (ja) * | 2016-08-12 | 2020-12-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6919346B2 (ja) * | 2017-06-07 | 2021-08-18 | 株式会社デンソー | 点火装置 |
US11128110B2 (en) | 2017-12-18 | 2021-09-21 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods and apparatus for an ignition system |
CN111684677B (zh) | 2018-02-09 | 2022-08-26 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
US10514016B1 (en) * | 2018-07-25 | 2019-12-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Circuit and method for soft shutdown of a coil |
JP7305987B2 (ja) * | 2019-03-07 | 2023-07-11 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路 |
US11274645B2 (en) * | 2019-10-15 | 2022-03-15 | Semiconductor Components Industries, Llc | Circuit and method for a kickback-limited soft shutdown of a coil |
US11165422B2 (en) | 2020-04-01 | 2021-11-02 | Delta Electronics, Inc. | Gate driver circuit with reduced power semiconductor conduction loss |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3734676A (en) * | 1971-06-18 | 1973-05-22 | Gen Electric | Electrically energizable control system for a fuel burner |
DE2627339C2 (de) * | 1976-06-18 | 1978-06-01 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Bipolar-monolithisch integrierte Gegentakt-Endstufe für Digitalsignale |
JP3320257B2 (ja) | 1995-06-09 | 2002-09-03 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関用点火装置 |
JP4380031B2 (ja) * | 1999-08-20 | 2009-12-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 点火用半導体装置 |
JP3484133B2 (ja) | 2000-03-03 | 2004-01-06 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関用点火装置および内燃機関点火用1チップ半導体 |
JP3762231B2 (ja) | 2001-02-08 | 2006-04-05 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関用点火装置 |
JP4295928B2 (ja) | 2001-05-28 | 2009-07-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体保護回路 |
JP3968711B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2007-08-29 | 株式会社デンソー | 内燃機関用点火装置およびそのイグナイタ |
JP3842260B2 (ja) * | 2003-09-22 | 2006-11-08 | 三菱電機株式会社 | 内燃機関点火装置 |
US6955164B2 (en) * | 2004-02-17 | 2005-10-18 | Delphi Technologies, Inc. | Automotive ignition system with sparkless thermal overload protection |
JP4455972B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2010-04-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
EP1764502B1 (en) * | 2005-09-20 | 2011-04-20 | Diamond Electric MFG. Co., Ltd. | Ignition device |
JP2008045514A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Hitachi Ltd | 内燃機関用点火装置 |
JP5157247B2 (ja) | 2006-10-30 | 2013-03-06 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体装置 |
CN101270716A (zh) * | 2007-01-26 | 2008-09-24 | 沃尔布罗发动机使用有限责任公司 | 用于轻型内燃机的点火模块 |
-
2009
- 2009-12-15 JP JP2009284099A patent/JP5423378B2/ja active Active
-
2010
- 2010-09-08 US US12/877,538 patent/US8861175B2/en active Active
- 2010-12-14 CN CN201010609296.9A patent/CN102185598B/zh active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12009810B2 (en) | 2020-02-04 | 2024-06-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102185598B (zh) | 2014-07-09 |
US20110141651A1 (en) | 2011-06-16 |
JP2011127445A (ja) | 2011-06-30 |
CN102185598A (zh) | 2011-09-14 |
US8861175B2 (en) | 2014-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5423378B2 (ja) | イグナイタ用電力半導体装置 | |
JP4455972B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5201321B2 (ja) | イグナイタシステム | |
JP5893213B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5423377B2 (ja) | イグナイタ用電力半導体装置 | |
US20110134581A1 (en) | Power semiconductor device for igniter | |
JP2008045514A (ja) | 内燃機関用点火装置 | |
JP7056160B2 (ja) | 内燃機関の点火装置 | |
JP2016176401A (ja) | イグナイタ用半導体装置、イグナイタシステム及び点火コイルユニット | |
JP4912444B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2004052683A (ja) | 内燃機関用点火装置 | |
WO2019155613A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP6956904B2 (ja) | イオン電流検出回路、点火制御装置および点火システム | |
JP5454635B2 (ja) | イグナイタシステム | |
JP4360299B2 (ja) | 内燃機関用点火装置 | |
JP2008172901A (ja) | 電源装置 | |
JP2021169799A (ja) | 内燃機関の点火装置 | |
JP6296458B2 (ja) | 内燃機関用点火装置 | |
JP5171979B2 (ja) | 電子制御装置 | |
WO2023089661A1 (ja) | 電力半導体装置および制御システム | |
JP5454634B2 (ja) | イグナイタシステム | |
JP7250181B2 (ja) | 電力半導体装置 | |
JPH10107605A (ja) | トランジスタの過電流保護回路 | |
JP2007085307A (ja) | 内燃機関用イオン電流検出装置 | |
JP4978562B2 (ja) | 内燃機関点火装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130326 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131029 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131111 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5423378 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |