JP3484133B2 - 内燃機関用点火装置および内燃機関点火用1チップ半導体 - Google Patents
内燃機関用点火装置および内燃機関点火用1チップ半導体Info
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Description
チップ半導体に関する。
ようにパワースイッチング部と保護機能である電流制限
回路と異常発熱時に通電を強制的に遮断するサーマルシ
ャットオフ回路をIGBTのモノリシックシリコン基板
に集積させてなる内燃機関用点火装置がある。また、強
制電流遮断時に点火コイルの2次側に高電圧を発生させ
ない方法としては、コレクタクランプ電圧を数十Vとと
して、その巻数比倍分の電圧発生に押さえる方法が考え
られる。さらに、セラミック基板等に電子部品を搭載し
てなるHybridICを用いた点火装置においては、
特開昭53−118781号のように点火信号の異常を検出し、
コンデンサによるミラー積分効果が1次電流の遮断を緩
慢に遮断する機能がある。
8−335522 号は、イグナイタに保護機能として電流制限
回路とサーマルシャットオフ回路を設けているが、単純
なサーマルシャットオフ回路は素子温度が設定温度以上
になると強制的にパワートランジスタのゲート信号をL
OWにして点火コイルに流れる一次電流をすばやく遮断
する機能であるため、この動作により点火コイル二次側
に高電圧が誘起され点火プラグに放電が発生するため、
エンジンの工程によってはバックファイヤー等有害な燃
焼をおこす可能性がある。この有害な燃焼を防止するた
めに、強制電流遮断時に点火コイルの2次側に高電圧を
発生させないことが必要であり、最も単純な方法として
はコレクタクランプ電圧を数十Vに落として、その巻数
比倍分の電圧発生に押さえる方法が考えられるが、通常
自動車用点火装置としてはバッテリー直列の24V+α
で動作することが必要であり、コレクタクランプ電圧を
30V以下にすることは望ましくない。点火コイルの2
次側にコレクタ電圧の巻数比倍の電圧が発生するため、
たとえばコイル巻数比が100の点火コイルでコレクタ
クランプ電圧が30Vの場合、電流制限中のVce電圧
を7Vと考えると30V−7V=23Vの100倍であ
る2.3kV という高電圧が発生する。点火プラグに発
生する火花放電電圧はエンジンの運転条件によって異な
り、圧力が高く空気密度が濃い状態での放電電圧は高く
なり、逆に圧力が低く空気密度の薄い状態での放電電圧
は低くなる。すなわち、エンジンの圧縮工程で空気を多
く取り込んだ状態では圧力が上がるため高い2次電圧が
要求され、エンジンが吸気工程で空気流量が少ない状態
では負圧になるため低い2次電圧で火花放電が発生す
る。この負圧は、エンジンが高回転で運転され、ピスト
ンスピードが早い状態で急激にスロットルバルブを閉じ
た場合に高い負圧が発生し、一般的な数値としては絶対
圧13〜14kPa(大気圧:106.7kPa)の負圧
が発生する。1次電流を強制的に遮断する場合、エンジ
ンがいかなる状態でも点火プラグに火花放電が起こらな
いことが必要となるため、負圧で火花放電が起こりやす
い状態でも火花放電が起こらない2次電圧以上に抑える
必要がある。特に、エンジンが負圧であるということは
吸気工程であるため、この状態で着火するとバックファ
イヤーといったエンジンに有害な燃焼をきたす原因とな
る。図1に負圧と火花放電の関係を実験により求めたも
のを示す。本実験はBOSCH社製点火プラグF7LT
CR(GAP幅1.2mm )をアルミのチャンバーに装着
し、外部から負圧ポンプによりチャンバー内圧力を減圧
して圧力とその時火花放電が発生する2次電圧を測定し
たものである。1a:大気圧(106.7kPa),1
b:40kPa,1c:20kPa,1d:13kPa
時の放電電圧波形である。本実験結果により、絶対圧1
3kPa時のプラグ放電電圧は1.5kV であるため、
点火プラグに火花放電を発生させないためには2次電圧
を概略1kV以下に抑える必要がある。波形1eは絶対
圧1.3kPa でも1kVでは放電しないことを示して
いる。このことから、前記コレクタクランプ電圧を30
Vとする方式ではプラグ放電が阻止できないこととな
る。
ンサによるミラー積分効果を利用して1次電流を緩慢に
遮断し点火コイルの2次側に発生する高電圧を抑制して
点火プラグへの放電を防止する技術が考えられている
が、点火プラグへの放電が防止できるように1次電流を
緩慢に遮断させるためには容量の大きいコンデンサが必
要となるためシリコン基板上に作り込むことはサイズ的
に極めて不利である。本発明の目的は、異常発熱が発生
した場合に強制的に一次電流を遮断することにより素子
が破損することを防ぐことができ、且つ安全に電流を遮
断することが可能な、パワートランジスタをモノリシッ
クシリコン基板に集積してなる信頼性の高い1チップイ
グナイタを実現することにある。
電子制御装置(以下ECU)から出力される点火制御信
号に応じて点火コイルに流れる一次電流を通電,遮断制
御して二次側に高電圧を発生させるパワースイッチング
部と素子の保護回路部をパワートランジスタのモノリシ
ックシリコン基板に集積してなる1チップ型内燃機関用
点火装置において、電流制限機能とコレクタ電流通電中
に異常を検知してコレクタ電流を強制的に遮断させる機
能とを有し、このコレクタ電流強制遮断の際に点火コイ
ルの2次電圧をプラグ放電電圧以下で繰り返し発生させ
て点火コイルにチャージされたエネルギーを放出させる
ことによって達成される。 また上記目的は、入力信号に
応じて、点火コイルの一次電流を制御するパワートラン
ジスタと、異常時に前記パワートランジスタのコレクタ
電流を複数段の階段状に減じる手段と、を備えた内燃機
関点火用1チップ半導体によって達成される。
する。 本発明は異常発熱時にパワートランジスタのコレ
クタ電流強制遮断させるときに、点火コイルの2次側に
発生する2次電圧によって火花放電が発生しないように
2次電圧がプラグ放電電圧以下になるようにコレクタ電
流を変化させ、この制御を繰り返して前記2次電圧を繰
り返し発生させて点火コイルにチャージされたエネルギ
ーを放出させるものである。図2に本発明を実現した回
路の机上における実験波形を示す。本波形より、発生2
次電圧が800Vピークで繰り返し放電されているた
め、プラグ放電が発生することがなく有害な着火が阻止
できることがわかる。このようにゲートの電圧を制御し
て1次電流の変化量を制御することで、点火コイルの2
次側に発生する電圧を1kV以下に制御しながら強制的
に1次電流を遮断することが可能となる。
返し発生させる手段として、パルス波形を利用してコレ
クタ電流をステップ的に変化させるデジタル制御とする
ことで、容量の大きいコンデンサを必要とせず、シリコ
ン基板上に制御回路を容易に作り込むことが可能とな
る。また、一度強制的遮断が発生したあとは、再度点火
制御信号がLOWになるまで通電させないラッチ回路を
設けることで、異常通電が発生している間にチップ温度
が設定値以下となっても再通電させない制御とすること
で異常な通電動作を阻止する回路構成とする。これら制
御回路をパワートランジスタのモリシック基板内に集約
した1チップで構成する。
合に強制的に一次電流を遮断する時に点火コイルの2次
側に発生する2次電圧がプラグ放電電圧以下に抑制され
るようにパワートランジスタのゲート電圧を制御して電
流を階段状に遮断することにより、点火プラグへの飛火
が阻止できる。これら制御回路とパワー部とをパワート
ランジスタのモノリックシリコン基板に集積すること
で、動作の安定した信頼性の高い多機能な1チップイグ
ナイタを達成することができる。
図1に、通常の点火システムの構成例を示す。1はEC
U、2は点火装置、3は点火コイル、4は点火プラグを
示す。ECU1の出力段は、PNPトランジスタ9,N
PNトランジスタ10,抵抗11より構成され、CPU
8により算出された適正な点火タイミングでトランジス
タ9,10をON,OFFし、点火装置にHIGH,L
OWのパルスを出力する。点火装置2は、パワートラン
ジスタ5とハイブリッドIC13に実装された電流検出
用負荷6,電流制御回路7、および入力抵抗12より構
成され、ECU1の出力信号がLOW→HIGHでパワ
ートランジスタ5は通電を開始し、HIGH→LOWで遮断
することによりパワートランジスタ5のコレクタ部に電
圧が発生し、点火コイルの巻き数比倍に相当する高電圧
が点火コイルの2次側に誘起され、点火プラグの電極間
に火花放電を発生させて混合気を燃焼させる。その他、
代表的な駆動回路を図4に示す。4aはPMOSとNM
OSをコンプリメンタリーにつないだもの、4bはプル
アップ抵抗とNPNトランジスタで構成したもの、4c
はPNPトランジスタで電流を流し込む方式のものであ
る。各方式において回路構成は異なるが、ECUにより
求められた最適点火時期で点火プラグに火花放電を発生
させるためのタイミングと点火コイルにエネルギをチャ
ージするためにイグナイタを駆動させるために必要な電
流及び電圧を出力する回路である。
のブロック図を示す。14は点火コイル、15は本発明
の点火装置、16は点火コイルの1次コイルに流れる1
次電流を通電,遮断する主回路を構成するメインIGB
T、17はIGBTに流れる電流を検出するためのシャ
ント回路を構成するセンスIGBTであり、そのエミッ
タには電流検出用素子としての抵抗18を有し、電流制
限回路19に接続される。ECU35に接続される点火
装置の入力段は保護回路22を備え、この点火制御信号
の電圧を電源とするパルス発生回路23,カウンタ回路
24,過熱検知回路25,ラッチ回路26,AND論理
ゲート27,ステップ波形発生回路28,バッファ2
9,MOSトランジスタ30と抵抗31によって制御回
路が構成される。
は差動増幅回路36によって電流検出抵抗18に発生す
る電圧とVref1電圧37を比較する回路であり、電
流検出抵抗18の電圧がVref1電圧37以上になる
と差動増幅回路36はHi出力をしトランジスタ38が
ONしIGBT16のゲート電圧を降下させIGBTを
不飽和状態にすることで電流制限をかける回路である。
本回路においてVref1電圧をステップ的に減少させるこ
とで点火コイルの2次側に発生する2次電圧をプラグ放
電電圧で繰り返し遮断させて点火コイルにチャージされ
たエネルギーを放出する。
抵抗40はプルダウン抵抗であり、回路にある一定の電
流を流し込むことで入力端子の接触電流を確保する。更
にツェナーダイオード41,42と抵抗43,44から
なるネットワークを構成することで自動車用として想定
される各種サージにも耐える耐量を確保している。
はダイオードの順方向電圧の温度係数を利用するもので
あり、ダイオード48に定電流回路49から定電流を流
して順方向電圧を発生させ、差動増幅回路45によりV
ref2電圧と比較する回路である。ダイオードの順方
向電圧は2mV/℃程度の負の温度係数を持っているた
め、ダイオードの順方向電圧を差動増幅回路によって設
定電圧Vref2と比較することによって異常過熱状態
を判断することができる。また、MOSトランジスタの
動作電圧Vthの温度を利用して同じ機能を持たせる方
法も考えられる。ラッチ回路は図9に示すようにDタイ
プフリップフロップ50によりラッチ動作させることが
可能である。図10はパルス発生回路の一例であり、N
ANDゲート51の出力を抵抗52,コンデンサ53で
積分したインバータ54に入力し、さらのインバータ5
5を介してNANDゲート51の入力にフィードバック
することにより自己発振するフリーランパルス発生回路
である。インバータ55の出力をコンデンサ55で微分
した波形を抵抗52,コンデンサ53間に印加すること
で積分波形の振幅を大きくとる回路構成としている。タ
イマー回路は図11のようにフリップフロップを用いて
2n 分周させることにより可能であり、初段入力と最終
段の出力とでANDをとり、これによってフリップフロ
ップにリセットかけることで、ある周期に一発のパルス
波形を出力する。
り、OPアンプ56と入力抵抗57,コンデンサ58を
用いた積分動作を応用したものである。カウンタ回路か
ら出力される信号は抵抗57を介してOPアンプ56の
インバート端子に入力される。OPアンプ56のノンイ
ンバート端子はGNDレベルであるため、I=信号電圧
/抵抗の電流が仮想的に流れ、これに比例してV=(1
×T)/Cの式で表される電圧変化がOPアンプ56の
出力に発生する。これによりパルス印加毎に電圧をステ
ップ変化させることが可能となる。パルス発生カウンタ
波形及びステップ波形の関係を図13に示す。
明する。図14シーケンスにおいて、ECU35から
出力される点火制御信号3aによってゲート制御電圧3
bがメインIGBTに印加され1次電流3fが流れ、こ
の電流が遮断される時の磁束の急激な変化により点火コ
イルの2次側に2次電圧3gが誘起される。パルス発生
回路は点火制御信号がHi状態の場合は常にパルスを発
生させるフリーラン発振回路であり、この基準パルスは
カウンタ回路24に入力されて分周されることにより図
11に示すように一定期間に一発のパルスが出力され
る。図14シーケンスにおいて、点火制御信号3aが
Hiになりゲート制御電圧3bがONし、1次電流3f
が流れ、1次電流が設定値になると電流制限回路が動作
してゲート制御電圧を降下させメインIGBTを不飽和
にして1次電流3gをその値で保持する。図14シーケ
ンスにおいて、点火制御信号3aがHiままで1次電
流3gをその値で電流制限値で通電され続けるとIGB
T素子は発熱が大きくなり過熱検知回路25が動作する
温度を超えると過熱検知回路25から信号が出力され
る。ラッチ回路26は過熱検知回路25の出力によりH
iを出力し、一度信号を出力したら過熱検知回路25の
出力信号がOFFになっても点火制御信号3aがLOW
にならないかぎりHiを出力し続ける回路である。ラッ
チ出力3eとカウンタ出力3cはAND論理回路27に
よって論理積がとられ、その出力がステップ波形発生回
路28に入力される。前記階段状波形はバッファ29を
介してトランジスタ30のゲートを駆動することにより
メインIGBTのゲート電圧を階段状に減少させる。図
14シーケンスにおいて、ゲート制御電圧3bは階段
状に減少することによりメインIGBT16は能動状態
に保たれながら1次電流3fは階段状に減少するため、
発生2次電圧が1kV以下となるようにゲート制御電圧
3bの変化分を設定する。この1次電流の変化によって
発生する2次電圧V2は点火コイルの1次インダクタン
スをL1、巻数比をa、1次電流の変化分をdi/dt
とおくとV2=a×L1×(di/dt)によって定義
される電圧が発生する。このようにゲートの電圧を制御
して1次電流の変化量を制御することで、点火コイルの
2次側に発生する電圧を1kV以下に制御することが可
能となる。この制御を繰り返すことで1次電流は徐々に
減少し、最終的に1次電流はゼロになり強制遮断が終了
し、点火制御信号がLOWになるまで1次電流はゼルを
続ける。
合に強制的に一次電流を遮断することにより素子が破損
することを防ぐことができ、且つ安全に電流を遮断する
ことが可能な、パワートランジスタをモノリシックシリ
コン基板に集積してなる信頼性の高い1チップイグナイ
タを実現することができる。
火コイル、4…点火プラグ、5,16…メインIGB
T、17…サブIGBT、6,18…電流検出用負荷、
7,19…電流制限回路、8…CPU、9…PNPトラ
ンジスタ、10…NPNトランジスタ、11,12,4
0,43,44,52,58…抵抗、13…ハイブリッ
ドIC基板、21,48…ダイオード、20,41,4
2…ツェナーダイオード、22…入力保護回路、23…
パルス発生回路、24…カウンタ回路、25…過熱検知
回路、26…ラッチ回路、27…ANDゲート、28…
ステップ波形発生回路、29…バッフア、30…PMO
Sトランジスタ、36,46…電圧比較回路、37…V
ref1、45…Vref2、49…定電流源、50…
Dフリップフロップ、57…OPアンプ、59…コンデ
ンサ。
Claims (8)
- 【請求項1】内燃機関用電子制御装置(以下ECU)か
ら出力される点火制御信号に応じて点火コイルに流れる
一次電流を通電,遮断制御して二次側に高電圧を発生さ
せるパワースイッチング部と素子の保護回路部をパワー
トランジスタのモノリシックシリコン基板に集積してな
る1チップ型内燃機関用点火装置において、 電流制限機能とコレクタ電流通電中に異常を検知してコ
レクタ電流を強制的に遮断させる機能とを有し、このコ
レクタ電流強制遮断の際に点火コイルの2次電圧をプラ
グ放電電圧以下で繰り返し発生させて点火コイルにチャ
ージされたエネルギーを放出させることを特徴とした内
燃機関用点火装置。 - 【請求項2】請求項1の点火装置において、コレクタ電
流強制遮断手段としてパワートランジスタを能動状態に
保持しながら電流を階段状に遮断して点火コイルの2次
側に繰り返し発生する2次電圧がプラグ放電電圧以下に
なるようにパワートランジスタのゲート電圧を制御する
ことを特徴とした内燃機関用点火装置。 - 【請求項3】請求項1または2の点火装置において、異
常を検出する手段として、過熱検知回路をパワートラン
ジスタ基板上に集約し、異常発熱時にコレクタ電流強制
遮断時に点火コイルの2次電圧をプラグ放電電圧以下で
繰り返し発生させてして点火コイルにチャージされたエ
ネルギーを放出させることを特徴とした内燃機関用点火
装置。 - 【請求項4】請求項2の点火装置において、1次電流の
変化量を0.5A 以下とし、電流を保持する時間を10
0μs以上として、これを繰り返すことによって1次電
流を階段状に遮断することを特徴とした内燃機関用点火
装置。 - 【請求項5】請求項1の点火装置において、一度強制的
遮断が発生したあとは、再度点火制御信号がLOWにな
るまで通電させないラッチ回路を設けたことを特徴とし
た内燃機関用点火装置。 - 【請求項6】請求項2の点火装置において、電流制限を
司る回路の基準電圧を階段状に降下させて、これに対応
する電流制限値を階段状に降下させてコレクタ電流を階
段状に遮断する制御方法としたことを特徴とする内燃機
関用点火装置。 - 【請求項7】請求項1の点火装置において、パワートラ
ンジスタに絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ(以下
IGBT)を用いて、制御回路を自己分離型NMOS素
子によって構成したことを特徴とする内燃機関用点火装
置。 - 【請求項8】入力信号に応じて、点火コイルの一次電流
を制御するパワートランジスタと、異常時に前記パワー
トランジスタのコレクタ電流を複数段の階段状に減じる
手段と、を備えた内燃機関点火用1チップ半導体。
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