JP5394734B2 - 半導体ウエハを処理するための石英ガラスからなる保持器および保持器の製造方法 - Google Patents
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Description
・石英ガラスの準安定のヒドロキシル基の平均の含有量が、30重量ppmよりも少なく、
・石英ガラスの仮想温度が、1250℃よりも下にあり、かつ
・1200℃の温度において少なくとも1013dPa・sである高い粘性の点で傑出している。
・望ましくは天然に生じる原料から粒子状のSiO2原料を準備し、
・石英ガラス素材になるようにSiO2原料を溶融しまたは焼結し、その際、SiO2原料または石英ガラス素材が、脱水処理を受け、
・アンモニアを含む雰囲気において1050℃と1850℃との間の範囲における窒化温度にSiO2原料または石英ガラス素材を加熱し、
・石英ガラス素材の石英ガラスを1250℃またはそれより低い仮想温度に設定する熱処理を行い、かつ
・石英ガラス保持器を形成しながら石英ガラス素材の表面処理を行う。
天然に生じる粒子状の石英からなる石英ガラス保持器1は、前記のように溶融されかつ研削される。
例1による石英ガラス保持器1は、エッチング処理の後に、追加的に表面の窒素ドーピングを受ける。XPS測定は、表面から5nm〜10nmの厚さ範囲の表面近傍範囲に19原子%の窒素濃度を示す。
例1によって説明したように、石英ガラス保持器1が製造される。試料N2は、僅かに少ない集中的な脱水処理によって生じる僅かに多くのヒドロキシル基含有量の点においてだけ、試料N1と相違している。その結果、試料N2の石英ガラスにおいて比較的高い粘性も達成することもできるが、かつ僅かに低い仮想温度が生じる。
石英ガラスは天然の原料から製造される。石英結晶に追加的に粉末状のAl2O3が添加される。粉末混合物は、ベルヌーイの方法において水素含有燃焼炎を使用して石英ガラス棒になるように溶融され、かつこの石英ガラス棒は、続いて複数の成形工程によって石英ガラスリングに形成される。
試料N8の石英ガラスは、例1によって前に説明したように、天然の原料がるつぼ引き抜き方法においてストランドに引き抜かれ、かつこれが複数の方法ステップにおいて石英ガラス保持器に変形され、かつ最後に機械的に最終寸法に処理されることによって得られる。
合成SiO2からなる石英ガラス保持器1は、SiCl4の火炎燃焼加水分解によって周知のOVD方法によって、多孔性のSiO2スート体を製造することによって製造される。この石英ガラス保持器は、塩素含有雰囲気において脱水処理を受ける。スート体は、ドイツ連邦共和国特許第69529824T2号明細書に詳細に説明されたように、アンモニア内においてガラス化される。ガラス化の後に、1重量ppm以下のヒドロキシル基含有量を有しかつ0.4原子%の平均窒素含有量を有する管状の石英ガラス部材が得られる。本発明の意図における石英ガラス保持器の製造のために、石英ガラス管からリングが切り離される。
試料S3の石英ガラスにおいて、合成石英ガラスが問題になっており、この石英ガラスは、28重量ppmという低いヒドロキシル基含有量の点、および低いハロゲン含有量の点において傑出している。によるヒドロキシル基フリーのレーザ支援された表面の平滑化と窒素ドーピングのコンビネーションにおいて、石英ガラスは、1200℃の温度において1×1013.4dPa・sの粘性を示し、したがって、同時に測定値0.37という高い乾式エッチング耐性も示している。
試料S2の石英ガラスにおいても、合成石英ガラスが問題になっている。この石英ガラスは、酸素欠陥を含まないガラス構造、5×1016分子/cm3以下のSiH基の平均含有量、5重量ppmのヒドロキシル基の平均含有量、5重量ppmのフッ素の平均含有量、1重量ppm以下の塩素の平均含有量、および1080℃の仮想温度の点で傑出している。石英ガラスの粘性およびその他の特性は、表1から明らかである。
試料S1において、いわゆる“直接ガラス化”によって合成の石英ガラスが製造される。ここで、それに続く表面の窒素ドーピングが、1200℃における石英ガラスの粘性を1×1013dPa・sの値より上に高めるために十分ではないほど、ヒドロキシル基含有量が高いので、この石英ガラスの乾燥エッチング耐性も標準材料に対して改善することができない(測定値=1.08)。
2 凹所
Claims (13)
- 半導体ウエハを処理するための石英ガラスからなる保持器において、石英ガラスが、少なくとも表面に近い範囲において窒素によってドーピングされており、30重量ppm以下の準安定のヒドロキシル基の平均含有量を有し、かつその仮想温度が、1250℃より下であり、かつ1200℃の温度におけるその粘性が、少なくとも1013dPa・sであり、そして前記石英ガラスが、163nmの波長のUVビームに対して、0.5/cmより少ない吸収を有し、そして、そのために該石英ガラスが、合成によって製造されるSiO 2 から溶融されており、かつ少なくとも0.1原子%の平均窒素含有量を有することを特徴とする保持器。
- 石英ガラスが、50重量ppmより少ないフッ素の含有量を有することを特徴とする、請求項1に記載の保持器。
- 石英ガラスが、60重量ppmより少ない塩素の含有量を有することを特徴とする、請求項1または2に記載の保持器。
- 石英ガラスが、1cm3のガラスあたり1×1017より下のSiH基の含有量を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の保持器。
- 石英ガラス中におけるNaおよびKの含有量が、それぞれ500重量ppbより少ないことを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の保持器。
- 石英ガラスが、少なくとも表面に近い範囲においてアルミニウム酸化物を含み、その際、Al含有量が、5,000重量ppmと20,000重量ppmとの間の範囲にあることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の保持器。
- ・請求項1〜6のいずれかに記載の半導体製造に使用するための石英ガラスからなる保持器の製造方法であって、
・合成によって製造される粒子状のSiO2原料を準備し、
・石英ガラス素材になるようにSiO2原料を溶融し、その際、SiO2原料または石英ガラス素材が、脱水処理を受け、
・前記保持器の平均窒素含有率が少なくとも0.1原子%となるように、アンモニアを含む雰囲気において1050℃と1850℃との間の範囲における窒化温度に石英ガラス素材を加熱し、
・石英ガラス素材の石英ガラスを1250℃またはそれより低い仮想温度に設定する熱処理を行い、
・石英ガラス保持器を形成しながら石英ガラス素材の表面処理を行い、この表面処理が、機械的な表面処理を含み、それにより0.2μmまたはそれ以上の初期平均表面粗さRa,0が設定され、かつその際、機械的な処理によって得られた表面からそれに続くエッチング処理において、少なくとも10μmが取り除かれる
ことを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体製造に使用するための石英ガラスからなる保持器の製造方法。 - SiO2原料または石英ガラス素材を加熱する際の窒化温度が、最大で1250℃であることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 脱水処理が、グラファイトを含む型でのSiO2原料の溶融または焼結を含むことを特徴とする、請求項7または8に記載の方法。
- 脱水処理が、水のない雰囲気におけるまたは真空におけるSiO2原料の溶融または焼結を含むことを特徴とする、請求項7〜9のいずれかに記載の方法。
- 脱水処理が、真空における石英ガラス素材の熱処理を含むことを特徴とする、請求項7〜10のいずれかに記載の方法。
- 脱水処理が、アンモニアの雰囲気における窒化温度へのSiO2原料または石英ガラス素材の加熱を含むことを特徴とする、請求項7〜11のいずれかに記載の方法。
- 表面処理が、局所的に表面に作用するレーザビームまたは高温プラズマを使用した素材表面の加熱を含むことを特徴とする、請求項7〜12のいずれかに記載の方法。
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