JP5361141B2 - プラズマ処理装置用部材およびこれを用いたプラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置用部材およびこれを用いたプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5361141B2 JP5361141B2 JP2007114208A JP2007114208A JP5361141B2 JP 5361141 B2 JP5361141 B2 JP 5361141B2 JP 2007114208 A JP2007114208 A JP 2007114208A JP 2007114208 A JP2007114208 A JP 2007114208A JP 5361141 B2 JP5361141 B2 JP 5361141B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma processing
- processing apparatus
- sintered body
- alumina sintered
- tan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
Mgのいずれか1種以上を酸化物換算で合計3000〜4000ppm含有してなり、前記αアルミナ質焼結体中に、周期表第8〜11族元素としてFeおよびNiを含有するとともに、周期表第8〜11族元素を酸化物換算で合計500〜1500ppmの範囲内で含有していることを
特徴とするものである。
Si,Mgのいずれか1種以上を酸化物換算で合計3000〜4000ppm含有してなり、前記αアルミナ質焼結体中に、周期表第8〜11族元素としてFeおよびNiを含有するとともに、周期表第8〜11族元素を酸化物換算で合計500〜1500ppmの範囲内で含有している
ことにより、焼成の際にFeおよびNiの価数変化で発生した余剰の酸素によりαアルミナ質焼結体内に存在する酸素欠陥を補うことが可能となる。よって、アルミナ質焼結体中の酸素欠陥を低減させ、誘電損失(tanδ)の値を小さくすることが可能となり、このアルミナ質焼結体をプラズマ処理装置用部材として用いれば、プラズマ処理装置内におけるプラズマ生成時の電気エネルギーの損失を低減できる。
いることが重要である。ここで、αアルミナ質焼結体の純度を99.5%以上としたのは、αアルミナ質焼結体の結晶粒子の粒界に偏析しやすい不純物量が増えることによって、プラズマ処理装置1内に供給される腐食性ガスまたはそのプラズマに腐食され耐食性が低下するおそれを少なくするためである。
有していることにより、焼成の際に周期表第8〜11族元素の価数変化で発生した余剰の酸素によりαアルミナ質焼結体内に存在する酸素欠陥を補って、アルミナ質焼結体中の酸素欠陥を低減させ、誘電損失(tanδ)の値を小さくすることができることが確認できた。このαアルミナ質焼結体をプラズマ処理装置用部材として用いれば、プラズマ処理装置1内におけるプラズマ生成時の電気エネルギーの損失を低減できて好適である。
2:処理容器
3:基台容器
4:チャンバー
5:処理空間
6:支持部材
7:支持テーブル
8:静電チャック
9:半導体ウエハ
10:ガス供給ノズル
11:誘電コイル
12:真空ポンプ
13:貫通孔
Claims (4)
- 誘電損失(tanδ)が1×10−4以下であるとともに純度99.5%以上のαアルミナ質焼結体からなるプラズマ処理装置用部材であって、前記αアルミナ質焼結体がNa,K,P,S,B,Zr,Cr,Mn,Sr,Ga,Znのいずれか1種以上を酸化物換算で合計500ppm以下含有してなり、かつCa,Si,Mgのいずれか1種以上を酸化物換算で合計3000〜4000ppm含有してなり、前記αアルミナ質焼結体中に、周期表第8〜11族元素としてFeおよびNiを含有するとともに、周期表第8〜11族元素を酸化物換算で合計500〜1500ppmの範囲内で含有していることを特徴とするプラズマ処理装置用部材。
- 10mm以上の厚みを有してなり、前記FeおよびNiの含有量が前記αアルミナ質焼結体の内部よりも表面近傍で多いことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置用部材。
- 前記FeおよびNiの前記αアルミナ質焼結体の内部での含有量が表面近傍での含有量の70%以上であることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置用部材。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ処理装置用部材をプラズマ処理容器内の部材として用いたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007114208A JP5361141B2 (ja) | 2007-04-24 | 2007-04-24 | プラズマ処理装置用部材およびこれを用いたプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007114208A JP5361141B2 (ja) | 2007-04-24 | 2007-04-24 | プラズマ処理装置用部材およびこれを用いたプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008266095A JP2008266095A (ja) | 2008-11-06 |
JP5361141B2 true JP5361141B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=40046119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007114208A Active JP5361141B2 (ja) | 2007-04-24 | 2007-04-24 | プラズマ処理装置用部材およびこれを用いたプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5361141B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013038916A1 (ja) * | 2011-09-14 | 2013-03-21 | 京セラ株式会社 | アルミン酸マグネシウム質焼結体および半導体製造装置用部材 |
US9944561B2 (en) | 2014-03-10 | 2018-04-17 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Dielectric material and electrostatic chucking device |
KR102370459B1 (ko) | 2017-08-01 | 2022-03-04 | 가부시키가이샤 페로텍 머티리얼 테크놀로지즈 | 알루미나 소결체 및 그 제조 방법과, 반도체 제조 장치용 부품 |
CN111201208B (zh) * | 2017-10-05 | 2023-05-23 | 阔斯泰公司 | 氧化铝质烧结体及其制造方法 |
CN113200558B (zh) * | 2021-04-29 | 2023-04-18 | 河南长兴实业有限公司 | 微波煅烧生产微晶α-氧化铝的生产工艺 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2525217B2 (ja) * | 1988-02-19 | 1996-08-14 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ磁器組成物 |
JPH06345527A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | マイクロ波導入窓材料 |
JP3036367B2 (ja) * | 1994-08-19 | 2000-04-24 | 住友金属工業株式会社 | アルミナ磁器組成物 |
JP3102318B2 (ja) * | 1995-10-06 | 2000-10-23 | 住友金属工業株式会社 | アルミナ製マイクロ波導入窓の製造方法 |
JP2001151559A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Kyocera Corp | 耐食性部材 |
JP2003112963A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アルミナ焼結体およびその製造方法 |
JP2004307323A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Kyocera Corp | アルミナ磁器組成物及びその製造方法 |
CN101176187A (zh) * | 2005-04-18 | 2008-05-07 | 东京毅力科创株式会社 | 喷淋板及其制造方法 |
-
2007
- 2007-04-24 JP JP2007114208A patent/JP5361141B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008266095A (ja) | 2008-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5361141B2 (ja) | プラズマ処理装置用部材およびこれを用いたプラズマ処理装置 | |
CN107098686A (zh) | 半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法 | |
KR20230012573A (ko) | 마그네슘 알루미네이트 스피넬을 포함하는 세라믹 소결체 | |
JP2002068838A (ja) | 耐プラズマ性部材およびその製造方法 | |
JP5421092B2 (ja) | アルミナ質焼結体 | |
JP5687350B2 (ja) | アルミン酸マグネシウム質焼結体および半導体製造装置用部材 | |
JP5812035B2 (ja) | 誘電体磁器組成物、誘電体磁器および電子部品 | |
US20230174429A1 (en) | Sintered material, semiconductor manufacturing apparatus including the same, and method of manufacturing the sintered material | |
JP2004292270A (ja) | 耐食性部材及びその製造方法 | |
JP3904874B2 (ja) | 半導体製造装置用部材 | |
JP2012184122A (ja) | 誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタ | |
JP4969488B2 (ja) | アルミナ質焼結体および半導体製造装置用部材ならびに液晶パネル製造装置用部材 | |
JP2001240482A (ja) | 耐プラズマ部材、高周波透過部材およびプラズマ装置 | |
US8247337B2 (en) | Alumina sintered article | |
JP4544934B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5435932B2 (ja) | アルミナ質焼結体およびその製法ならびに半導体製造装置用部材、液晶パネル製造装置用部材および誘電体共振器用部材 | |
JP7231367B2 (ja) | アルミナ質焼結体 | |
JP5371372B2 (ja) | アルミナ質焼結体ならびに半導体製造装置用部材、液晶パネル製造装置用部材および誘電体共振器用部材 | |
JP5159961B2 (ja) | 誘電体セラミックスおよびこれを用いた誘電体フィルタ | |
JP5371373B2 (ja) | アルミナ質焼結体ならびに半導体製造装置用部材、液晶パネル製造装置用部材および誘電体共振器用部材 | |
JP2004307323A (ja) | アルミナ磁器組成物及びその製造方法 | |
KR20230100627A (ko) | 알루미나 소결체 및 그 제조 방법 | |
KR102354650B1 (ko) | 알루미나질 소결체 및 그의 제조 방법 | |
JP2009229253A (ja) | 誘電正接測定装置および誘電正接良否判定方法 | |
JP2007096256A (ja) | 負イオン発生用電極と負イオン処理装置及び負イオン処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120417 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130704 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5361141 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |