CN101176187A - 喷淋板及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 111
- 230000008676 import Effects 0.000 claims description 28
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 28
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 18
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 8
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 7
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 210000002706 plastid Anatomy 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B5/00—Machines or devices designed for grinding surfaces of revolution on work, including those which also grind adjacent plane surfaces; Accessories therefor
- B24B5/36—Single-purpose machines or devices
- B24B5/48—Single-purpose machines or devices for grinding walls of very fine holes, e.g. in drawing-dies
- B24B5/485—Single-purpose machines or devices for grinding walls of very fine holes, e.g. in drawing-dies using grinding wires or ropes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
- B24B1/04—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes subjecting the grinding or polishing tools, the abrading or polishing medium or work to vibration, e.g. grinding with ultrasonic frequency
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
- C04B35/111—Fine ceramics
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
- C04B35/6455—Hot isostatic pressing
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3229—Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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Abstract
本发明提供一种喷淋板,其处理气体的喷出孔结构简单且能容易地加工形成,而且喷出孔尺寸精度高,不发生处理气体的喷出偏差和不均,具有一定品质和互换性。压制成型低介电率陶瓷材料用粉末,将外形尺寸成形为留有烧结收缩余料和精加工余料的圆板状,在该圆板状成形体阶段,在穿设完气体导入通路(3)和喷出孔(2)的成形体用孔后进行烧结,并将气体导入通路(3)和喷出孔主体部分(2b)的表面粗糙度研磨至1s以内,一边使前端部分为前端渐细形状的研磨用线材插通喷出口(2a)并往复移动,一边顺次向线材直径大的方向滑动,由此精加工成直径在0.1以上不满0.3mm范围内,尺寸精度在±0.002mm以内,且表面粗糙度在1s以内。
Description
技术领域
本发明涉及在半导体制造中,为了向大型基板(wafer:晶片)上均匀地供给处理气体而使用的喷淋板(shower plate)及其制造方法。
背景技术
现有技术是,在半导体制造工序中,使用用于向晶片的表面供给处理气体以形成膜的CVD装置和干蚀刻装置等半导体制造装置。
这些半导体制造装置,在晶片与喷出处理气体的喷淋板之间施加高频电压,使处理气体处于等离子体状态,由此在晶片表面形成薄膜,进行晶片表面的蚀刻。
由于必须在该喷淋板上设置多个微细的喷出孔,所以从加工性方面出发而采用铝或硅等板材,但难以实现微细的喷出孔内表面的镜面精加工,而且,对于氟元素或者卤素系的处理气体在反应空间产生的等离子体,存在耐腐蚀性恶劣消耗激烈的问题。
与此对应,在专利文献1中,公开有即使对于开孔加工困难的陶瓷,也容易形成喷出孔的喷淋板的结构。该喷淋板如图8所示,喷出孔207由开设于喷淋板202上的孔与插入到孔中并且直径小于该孔径的圆柱204之间的间隙所形成。具体的是,在直径为350mm、厚度为20mm的喷淋板202的中央直径200mm的范围内,以20mm为间隔开设直径为2.1mm的孔,然后扩大孔的上部,使该部分尺寸为深2mm、直径为6mm,以用于插入阴螺钉206。另一方面,制作在前端形成有阳螺钉(螺纹)205的直径为2mm的圆柱204,将该圆柱204插入到上述孔并以螺钉固定,将预先在阴螺钉(螺纹)206上形成的切口208作为气体通路。但是,即使通过选择适合该喷淋板的材料解决耐腐蚀性的问题,但是若对板开通多个孔,则必须形成相同数量的阴螺钉和带有阳螺钉的圆柱,各种制造成本增加,也难以减少微粒的发生频度。
此外,在专利文献2中,作为耐腐蚀性优良、强度高且加工性高的喷淋板的材料,公开有以氧化铝和YAG的化合物为主结晶相的陶瓷材料。记载有由于该陶瓷材料由氧化铝和3~50重量%的YAG构成,所以兼具弯曲强度和硬度高的氧化铝的特性和耐腐蚀性优良的YAG的特性,进而,氧化铝与YAG的平均结晶粒子粒径及其平均结晶粒子粒径之比和破坏韧性值与耐热冲击性被限定在规定范围内。具有该特性的喷淋板,在加工细孔和喷出口等时,不产生蚀刻和缺欠等,可以高精度地加工多个细孔。但是,对于该喷淋板,为了形成喷出气体的多个细孔和喷出口,必须采用使用期望大小的细钻头进行孔加工的方法,或者采用对工具赋予超声波振动,通过由此供给游离碎粒,进行掘孔的超声波加工法。因此,工具的磨损和消耗明显,工具费用高,并且加工多个细孔的工序数多。此外,由于该陶瓷材料是强度和硬度高的烧结体,所以要形成极微细的喷出口,对于工具的强度问题也非常困难,因此,必然工具直径扩大,必须使喷出口的直径为0.3mm以上,作为弊端是发生等离子体的逆流的问题。进而,难以非常高精度地完成多个细孔和喷出口的形状和尺寸公差。
此外,在专利文献3中,公开有由含氧化铝99.5重量%以上、气孔率为30~65%的陶瓷多孔质体构成的喷淋板。从现有技术的喷淋板的气体喷出孔的孔径、数量、孔距(Pitch)、深度预先确定,所以难以向真空容器内喷出均匀的气体的观点出发,将平均直径为20~30μm的气孔分散在喷淋板上,由此使得各气孔具有通气孔的作用,可以均匀地向晶片散布处理气体。但是,由于该多孔质体构成的喷淋板是通过将氧化铝和树脂以规定比例混合的原料成型并烧结而制造的,所以必然会产生树脂的混合偏差和分布偏差以及烧成不均、气孔率的不均等,所以难以提供稳定的具有互换性的喷淋板。此外,由多孔质体陶成的喷淋板,最后精加工外形尺寸时产生的研削屑以及微粒子附着在复杂形状的气孔部分,发生实际生产时产生微粒的问题。
专利文献1:日本专利特开平11-297672号公报
专利文献2:日本专利特开2003-133237号公报
专利文献3:日本专利特开2003-282462号公报
发明内容
本发明要解决的问题是,提供处理气体的喷出孔的结构简单,而且喷出孔的孔径尺寸微小,并且精度高,没有处理气体的喷出偏差和微粒的产生以及等离子体的逆流,具有一定品质和互换性的高纯度的喷淋板;以及能够以高纯度容易加工形成该高精度喷出孔的喷淋板的制造方法。
本发明的喷淋板,其特征在于,包括:气体导入通路,其使从圆板状板的一个侧面向着中央部以直线状穿设的长孔以及从长孔的前端部分以直角向着圆板状板的背面侧穿设的开口部连通;和从圆板状板的背面侧向着正面侧穿设的用于喷出处理气体的多个喷出孔,其中,喷出孔的主体部分及其喷出口在同一轴心上连通,上述喷出孔的喷出口的直径尺寸为0.1以上不满0.3mm,并且喷出口的直径尺寸公差为±0.002mm以内的精度。
在本发明的喷淋板中,更优选喷出孔的喷出口直径尺寸公差为±0.001mm以内的精度,此外,喷出孔内表面的表面粗糙度为1.0s以内,更优选0.5s以内。
这样,多个喷出孔的喷出口的直径尺寸为微小孔径,而且由于高精度地形成且不存在不均现象,所以实质上不产生处理气体的喷出流量不均,进而相对于大型基板(晶片),能够使现有技术中不可能实现的均匀薄膜的形成和蚀刻成为可能,能够制造出没有偏差的高品质的半导体。
本发明的喷淋板,在陶瓷材料的烧结用原料粉末成型后对其进行烧结,而能够实现具有99.4%以上的相对密度或97.5~99%的相对密度,介电损失为5×10-3~1×10-5,其中,该陶瓷材料的烧结用原料粉末由平均粒径为0.8μm以下优选为0.5μm以下的95~100质量%的纯度为99.95%以上的Al2O3微粉末和剩余部分为0~5质量%的纯度为99.9%以上的Y2O3、Ce2O3和MgO中的至少一种微粉末经粉碎混合调整而成。
这样,通过调整高纯度的初始原料粉末并对其进行烧结,而且使其介电损失低,由此基本没有因吸收微波而导致的发热,并且微波的透过性变得良好,由此能够提高等离子体的产生效率,减少能量损失。
此外,若形成为相对密度为99.4%以上、几乎没有空孔的致密烧结体,则能够使吸附气体变少,能够尽早使装置内达到规定的真空度。另一方面,若使相对密度在97.5~99%的范围内,残存规定量的空孔,则在容易产生热冲击割裂的条件下,能够利用空孔来防止热冲击产生的裂缝的转移。
作为本发明的喷淋板及其制造方法所使用的喷淋板的材料,首先,作为初始原料的Al2O3粉末,通过使用平均粉末粒径为0.8μm以下的微粉末,由于能够在相比较低的温度下烧结,所以能够抑制烧结体的构成结晶粒径异状生长的弊端。在使用Al2O3粉末的纯度不到99.95%的原料的情况下,杂质吸收微波,阻碍其透过,而且产生介电损失大于5×10-3的弊端,能量损失大,所以优选使用纯度为99.95%以上的原料粉末。其中,也可以使用以高纯度的MgO置换1质量%以下的上述Al2O3粉末的初始原料。
另一方面,作为配合成分的Y2O3、Ce2O3和MgO原料粉末,尽可能地优选为微粉末,通过使用至少平均粉末粒径为1μm以下的原料,在由球磨机等进行的粉碎混合工序中能够与Al2O3原料粉末均匀地混合分散,并且通过使用纯度为99.9%以上的原料,能够避免介电损失的恶化。
接着,作为Al2O3与Y2O3、Ce2O3或MgO的原料粉末的配合比例,喷淋板的烧结用原料粉末的95质量%以上为Al2O3成分,剩余部分的5质量%以下为Y2O3、Ce2O3或者MgO成分,由此能够改善Al2O3的烧结性,赋予低温烧结性。其中,若Y2O3、Ce2O3或者MgO粉末的配合比例超过5质量%,则虽然改善了低温烧结性,但在烧结过程中Al2O3与Y2O3、Ce2O3或者MgO之间的液相生成物过剩,所以烧结体的结晶粒径粗大化。此外,预想以外的空孔量增加,难以调整烧结至目标范围内的相对密度,并难以得到致密的喷淋板的材料。因此,为了使喷淋板材料组织均匀微细,成为相对密度被控制或致密的烧结体,优选Y2O3、Ce2O3或者MgO的配合比例为1质量%以下,通过使用Al2O3的平均粒径为0.5μm以下的微细原料粉末,由于也能够得到低温烧结性,所以也可以完全不使用Y2O3、Ce2O3或者MgO粉末,而使配合为0质量%。
此外,在本发明的喷淋板的制造方法中,可以利用陶瓷材料的烧结用原料粉末得到形成为留有烧结收缩余料和精加工余料的形状的圆板状成形体,在上述圆板状成形体的规定位置从背面侧形成盲孔状的喷出孔的本体部分,接着,从圆板状成形体的正面侧或者背面侧沿上述盲孔状的本体部分的轴心形成喷出口并使其与喷出孔连通之后,进行烧结。
这样,在将烧结用原料粉末形成为圆板状并对其进行烧结之前的柔软阶段,通过在同一轴心上形成喷出孔的主体部分和喷出口并使它们连通,使得加工效率变得良好,工具的消耗也小,变得很经济。
此外,在本发明的喷淋板的制造方法中,可以利用陶瓷材料的烧结用原料粉末得到形成为留有烧结收缩余料和精加工余料的形状的圆板状成形体,从得到的圆板状成形体的横方向,利用短钻头加工气体导入通路的入口部,接着,在同一轴心方向上利用长钻头穿设直到圆板中央的长孔并使其与在板背面侧穿设的开口部连通之后,进行烧结。
当在喷淋板形成气体导入通路时,例如,在用于制造烧结后的直径尺寸为360mm且厚度为20mm的喷淋板的烧结用原料粉末的圆板状成形体上,形成与烧结后的直径尺寸例如直径为1mm相当的气体导入通路的情况下,气体导入通路的长度为直径的一半约为200mm,而且直径小且非常长,所以在利用长钻头穿设长孔时,长孔从预定的轴心偏离或者弯曲,成为长孔内表面存在微缝或者残留应力的材料,烧结后该气体导入通路成为烧结割裂发生的起点的频率高。
与此相对,如上所述,首先利用短钻头在没有中心偏离的状态下向着预定轴心将气体导入通路的入口部穿设一定长度,由此,当在下一工序利用长钻头穿设长孔时,长钻头不从轴心偏离,起到长钻头的导向孔的作用效果。
本发明的喷淋板的制造方法是,将前端部分形成为前端渐细形状的研磨线材插通由烧结陶瓷材料构成的喷淋板的喷出孔,一边使上述研磨线材从前端部向基端部的顺序滑动,一边使研磨线材或者喷淋板作往复运动,由此对喷出孔的喷出口进行精加工。
这样,将前端渐细形状的研磨线材插通喷出孔,在研磨线材上涂附金刚石磨粒等,并使研磨线材或者喷淋板在与喷出孔的轴心平行的方向上往复移动,由此可以实现喷出口的尺寸精度为±0.002mm以内,表面粗糙度为1s以内、优选0.5s以内的精度。
此外,在本发明的喷淋板的制造方法中,将前端部分形成为前端渐细形状的研磨线材插通由烧结陶瓷材料构成的喷淋板的喷出孔,在对上述研磨线材施加有张力的状态下,将上述研磨线材的前端与基端部夹紧在旋转体上,一边使上述两端的旋转体在同一轴心上以同一转速旋转,从研磨线材的前端部向基端部的方向顺次滑动,一边使上述研磨线材或者喷淋板作往复运动,由此对喷出孔的喷出口进行精加工。
这样,插通喷淋板的喷出孔的轴心的、前端渐细形状的研磨线材在作用有张力的状态下被固定于上下的旋转体上,一边使研磨线材旋转,一边使研磨线材或者喷淋板在上下方向往复移动,对喷出孔的喷出口进行精研磨,由此成为研磨线材的旋转方向与上下移动方向的复合研磨,效率良好,而且也提高表面粗糙度。
此外,在本发明的喷淋板的制造方法中,将前端部分形成为前端渐细形状的研磨线材插通由烧结陶瓷材料构成的喷淋板的喷出孔,将上述研磨线材的基端部系结在超声波振动加工装置的线材系结部上,同时在对上述研磨线材施加张力的状态下对其前端部进行固定,一边对上述研磨线材施加轴心方向上的超声波振动,一边使研磨线材或者喷淋板作往复运动,由此对喷出孔的喷出口进行精加工。
这样,插通喷淋板的喷出孔的轴心的、前端渐细形状的研磨线材在作用有与轴心平行方向的超声波振动的状态下,使研磨线材或者喷淋板在上下方向往复移动,由此能够大幅缩短研磨时间,并且能够将喷出口的尺寸精度精研磨成±0.002mm以内。
此外,在本发明的喷淋板的制造方法中,将前端部分形成为前端渐细形状的研磨线材插通由烧结陶瓷材料构成的喷淋板的喷出孔,将上述研磨线材的两端在施加有张力的状态下固定在从能够上下自由移动的轴的上下部分分别延伸出的臂上,在上述轴的轴心的上部或者下部安装超声波振动装置,一边向与轴联动的研磨线材施加轴心方向的超声波振动,一边使研磨线材或者喷淋板作往复运动,由此对喷出孔的喷出口进行精加工。
该制造方法不同于上述制造方法中赋予超声波振动的方法,但作用于前端渐细形状的研磨线材上的超声波振动现象相同,并且研磨方法也相同,所以能够得到与上述制造方法同样的作用效果。
此外,在本发明的喷淋板的制造方法中,将前端部分形成为前端渐细形状的研磨线材插通由烧结陶瓷材料构成的喷淋板的喷出孔,将上述研磨线材的一端系结在与超声波振动装置连接的可旋转且可上下移动的线材系结件上,一边对研磨线材施加轴心方向的超声波波振动和旋转运动,一边使研磨线材或者喷淋板作往复运动,由此对喷出孔的喷出口进行精加工。
这样,对插通喷出孔的轴心的、前端渐细形状的研磨线材作用旋转运动和与喷出孔的轴心平行方向的超声波振动,对喷出口进行研磨加工,由此能够通过旋转运动和超声波振动产生的较大加速度发挥强大的研磨力,并且能够实现喷出口的尺寸精度为±0.002mm以内,表面粗糙度为0.5s以内的精度。
其中,在本发明的喷淋板的制造方法中,将前端部分形成为前端渐细形状的研磨线材插通由通过烧结得到的陶瓷材料构成的喷淋板的喷出孔,来对喷出孔进行精加工的方法,是一边使上述研磨线材从前端部向基端部的方向顺次滑动,一边使研磨线材或者喷淋板往复移动,由此对喷出孔的喷出口进行精加工的方法。
这样,通过将上述研磨线材从前端部向基端部的方向顺次滑动的同时对喷出口进行研磨加工,而能够大幅缩短研磨工序数,并且能够实现喷出口的尺寸精度为±0.002mm以内,表面粗糙度为0.5s以内的精度,进而,能够提高精研磨装置的动作精度,此外,通过选择磨粒粒径,能够实现喷出口的尺寸精度为±0.001mm以内,喷出口内表面的表面粗糙度为0.4s以内的精度。
此外,在本发明的喷淋板的制造方法中,以使喷出孔的喷出口内表面的研磨条痕与喷出孔的轴心平行的方式进行精加工。
即,对研磨线材涂附例如平均粒径为5μm的金刚石研磨膏,使研磨线材或者喷淋板往复移动,队喷出口进行研磨加工,由此使喷出口内表面的表面粗糙度在0.5s以内,而且能够形成与喷出孔的轴心平行方向的研磨条痕。该研磨条痕能够起到整流作用,从而使在喷出口内高速通过的处理气体不成为乱流状态。
发明效果
1.喷出孔的喷出口的直径尺寸为0.1以上不满0.3mm,而且喷出口的直径尺寸公差为±0.002mm以内的精度,所以实质上不会产生来自各喷出孔的处理气体的喷出流量不均匀的现象。
2.喷出孔的喷出口的直径尺寸为0.1以上不满0.3mm,由于该尺寸很小,所以能够防止发生等离子体的逆流。
3.对于大型基板(晶片),能够使现有技术中不可能实现的均匀薄膜的形成和蚀刻成为可能,能够制造出高品质的半导体。
4.由于能够使喷出孔内表面的表面粗糙度在0.5s以内,所以处理气体的喷出阻力变小。
5.通过利用前端部分形成为前端渐细形状的研磨线材对喷淋板的喷出孔进行精加工,由此,能够稳定地制造出喷出孔的尺寸精度高,从各喷出孔喷出的处理气体的流量不存在不均匀现象,并且具有互换性的喷淋板。
6.由于喷淋板的材料特性为高纯度且其介电损失为5×10-3~1×10-5,非常优良,所以微波的透过性良好,能量损失少。
7.由于将喷出孔从圆板状板的背面侧穿设到正面侧,所以喷出孔自身的结构简单,容易加工形成。
8.在烧结前的圆板状成形体的阶段,通过形成气体导入通路和喷出孔,而能够显著减少孔加工用工具的磨损、消耗,并大幅度削减各孔的穿设形成工序数。
9.烧结低介电率的陶瓷材料,使其相对密度为99.4%以上,而且能够使喷淋板的两面和气体导入通路以及喷出孔的表面粗糙度为1s以内,更优选为0.5s以内,所以不会发生不均现象。
10.相对密度被烧结调整至97.5~99%的范围的喷淋板,适用于容易产生热冲击割裂的条件下。
11.通过对研磨线材作用旋转运动或者超声波振动或这两者,而能够提高喷出孔的研磨效率。
12.由于喷出孔的喷出口内表面的研磨条痕的方向与喷出孔的轴心平行,所以不会使喷出的处理气体产生乱流现象,同时发挥整流的作用效果。
附图说明
图1表示本发明的喷淋板的一个实施方式,(a)是表示将形成有气体导入通路的方向的喷淋板的大约一半分割后的气体导入通路的纵截面图,(b)是表示将未形成气体导入通路的方向的喷淋板的大约一半沿喷出孔分割后的纵截面图。
图2是图1(b)所示的喷出孔的放大图,(a)表示使喷出孔主体部分的前端为直角的例子,(b)表示将喷出孔主体部分的前端以锥状缩小的例子。
图3是本发明使用的线材研磨(wire lapping)装置的模式图。
图4是表示对研磨线材赋予旋转运动的研磨装置的纵截面图。
图5是表示对研磨线材赋予超声波振动的研磨装置的纵截面图。
图6是表示对研磨线材赋予超声波振动的其它研磨装置的纵截面图。
图7是表示对研磨线材(lapping wire)赋予旋转运动和超声波振动的研磨装置的纵截面图。
图8是表示现有的喷淋板的一例的纵截面图。
符号说明
1喷淋板
2喷出孔
2a喷出孔的喷出口
2b喷出孔的主体部分
3气体导入通路
3a气体导入通路的入口部
3b气体导入通路的长孔
3c气体导入通路的开口部
4喷淋板的中心
5喷淋板的正面侧
6喷淋板的背面侧
7喷淋板的外周附近部
10基底(base)
11偏芯显微镜
12导向座(guide holder)
13导线孔(wire guide)
14线材(研磨线材)
15滑轨
16滑块
17支架
18托架(Bracket)
19平衡块
20滚轴
21绳索
22减速电动机
23连接法兰
24旋转轴
25a、25b滑轮
26a、26b传送带
27a、27b滑轮
28a、28b旋转体
29a、29b夹头(collet)
30线性滚珠轴承
31下方臂
32超声波振动装置
32a夹头
33上方臂
34线材系结件
35轴
36支柱
37基底板
38夹头
39电动机直结型超声波振动装置
40微电动机
40a旋转轴
41线材系结件
41a夹头
41b夹头螺母
201间隙板(盖板)
202喷淋板
203盖(Cap)
204圆柱
205阳螺钉
206阴螺钉
207喷出口(喷出孔)
208切口
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施方式。附图所示只是其一个例子,在本发明的技术思想范围内可以适当组合各部分的形状和加工方法。
图1是表示本发明的喷淋板的一个实施方式的模式图,该图(a)是表示将形成有气体导入通路3的方向的喷淋板的大约一半沿气体导入通路3的中心轴分割后的纵截面图,该图(b)是表示从喷淋板的中心4向着外周方向,经由喷出孔2的中心轴将未形成有气体导入通路3的方向的大约一半分割后的纵截面图。
如图1所示,圆板状的喷淋板1的正面侧5在除外周附近部7之外的同心圆范围内形成为凹面状。其中,在图1(a)的一半处具有与该图(b)同样的喷出孔,但此处省略该喷出孔的图示。
图2是扩大表示图1(b)所示的喷出孔2的模式图。该喷出孔2的主体部分2b以直径D的尺寸,从喷淋板1的背面侧6开始一直垂直形成至喷淋板1的正面侧5附近,此外,其喷出口2a以直径d的尺寸、从直径D部分的前端的中心向着正面侧5形成,喷出孔2的主体部分2b与喷出口2a呈同心状并且互相连通。其中,图2(b)表示直径D的喷出孔2的主体部分2b的前端形成为圆锥状的例子。
如图2所示,使喷出孔2的喷出口2a的直径d小于主体部分2b的直径D,由此使得喷出孔2的主体部分2b内的压力损失非常小,而且,由于处理气体的流速在喷出口2a处加速,所以不会发生等离子体的逆流。
在本实施方式中,使喷出孔2的主体部分2b的直径D为1mm,喷出口2a的直径d为0.1mm,将包括喷出口2a在内的喷出孔2的内表面的表面粗糙度研磨至0.5s以内。而且,以后述的前端渐细形状的研磨线材对喷出口2a进行线材研磨精加工(wire lapping finishingwork),使其尺寸精度在Φd±0.002mm以内,优选为±0.001mm以内。其结果,从多个喷出孔2喷出的处理气体的流量几乎都相同,能够制造出没有品质偏差的一定品质的喷淋板1。
如图1(a)所示,使从形成在喷淋板1的一个侧面的入口部3a向着喷淋板1的中心4以直线状穿设(穿孔设置)的长孔3b和从该长孔3b的前端以直角状向着喷淋板1的背面侧6穿设的开口部3c连通,由此形成用于将处理气体导入喷淋板1的背面侧6的气体导入通路3。该气体导入通路3的内表而由于能够被研磨至表面粗糙度为0.5s以内,所以处理气体的流通阻力非常小。
图3是表示用于对喷出孔2的喷出口2a进行研磨精加工所使用的线材研磨装置的模式图。在该图中,将喷淋板1载置于中央部被钻穿的基底10上并使其前后左右滑动,与此同时,通过偏芯显微镜11对具进行观察,使得图1(b)所示的喷出孔2的喷出口2a的中心轴与导向座12和导线孔13位于一条直线上对准,并在该状态下将喷淋板1固定之后,使前端部分为前端渐细形状的线材14穿通喷出孔2,并使其固定在导向座12部分和导线孔13部分。该导向座12和导线孔13被安装在与沿着滑轨15滑动的滑块16相连接的支架17上,形成为在托架18和平衡块(重物)19经由滚轴20由绳索21连接的状态下,通过使平衡块19上下移动,来使涂附有金刚石磨粒的前端渐细形状的线材14在喷出孔2内在上下方向往复移动的结构。一边使前端部分为前端渐细形状的线材14在喷出孔2的中心轴方向往复移动,一边使其顺次从线材直径小的一方向着线材直径大的一方、最终到线材14的直线部(直边部:straight)为止进行滑动,由此,最后能够研磨成喷出孔2的喷出口2a的尺寸精度为Φd±0.002mm以内乃至更高精度的Φd±0.001mm以内,并且喷出孔内表面的表面粗糙度为0.5s以内。
其中,在本实施方式中,虽然是将喷淋板1固定,并使前端部分为前端渐细形状的线材14在喷出孔2的中心轴方向往复移动,但是相反,也可以是在使通过喷出孔2内的前端渐细形状的线材14固定的状态下,使喷淋板1沿上下方向往复移动的结构,以此来进行线材研磨。这样,由于线材14在喷出孔的喷出口2a内在与喷出孔2的轴心平行的方向上往复移动,所以喷出口2a的内表面的研磨条痕与喷出孔2的轴心方向相平行。
虽然图中没有示出使线材的前端部分形成为前端渐细形状的装置,但是,可以通过以下方法使线材的前端部分成为前端渐细形状。首先,在能够沿左右方向往复移动的、面向上的板或者磨石上,将线材放置在相对于磨石的往复移动方向为直角的方向上,并以一定压力将面向下的板或者磨石搭放(骑放)在其上面。该面向下的板或者磨石构成为左右方向与面向上的板或者磨石平行、而前后方向倾斜的面,通过使面向上的磨石左右往复移动,而能够制作出前端部分为前端渐细形状的线材。其中,在不是面向上下的磨石而是板的情况下,通过对板面供给磨粒,也能够制作出前端部分为前端渐细形状的线材。
图4是表示对研磨线材赋予旋转运动的研磨装置的纵截面图。在该图所示的研磨装置中,将滑轮(pulley)25a和滑轮25b固定在通过连接法兰23与减速电动机22连接的旋转轴24上,在该滑轮25a和滑轮25b上分别安装有传送带26a和传送带26b。此外,通过该传送带26a和传送带26b,将旋转力传递至分别与滑轮25a和滑轮25b相对的滑轮27a和滑轮27b上,由此,能够使旋转体28a和28b以完全相同的转速旋转。
在该旋转体28a和28b上分别安装有夹头29a和29b,插通喷淋板1的喷出孔2的、前端渐细形状的研磨线材14在施加有张力的状态下被系结在该夹头29a和29b上。此外,一边使喷淋板1与基底10一起在上下方向往复移动,或使旋转机构整体、即研磨线材14在上下方向往复移动,一边使研磨线材14从前端部滑动到基端部,由此,能够高能率地利用涂附有磨粒的旋转状态的研磨线材14进行精研磨。
图4的符号30表示线性滚珠轴承。其中,虽然在图4中没有图示,但是优选并用图3所示的导向座12和导线孔13等机构。
图5是表示对研磨线材赋予超声波振动的研磨装置的纵截面图。在该图所示的研磨装置中,将插通喷淋板1的喷出孔2的研磨线材14的基端部系结在与下方臂31相系结的超声波振动装置32的夹头32a(线材系结部)上,利用安装在上方臂33上的线材系结件34在对研磨线材14施加有张力的状态下系结该研磨线材14的前端部分,由此使由超声波振动装置32产生的超声波振动作用于研磨线材14的轴心方向。其中,上方臂33和下方臂31被安装在轴35上,该轴35安装成通过线性滚珠轴承30能够在支柱36上进行上下移动,所以,超声波振动装置32产生的超声波振动也能够传递到上方臂33、下方臂34和轴35上,由此,使研磨线材14的振动不受拘束。
在该研磨装置中,一边使基底板37在上下方向往复移动,即、使研磨线材14往复移动,或使喷淋板1与基底10一起在上下方向往复移动,一边使研磨线材14从前端部向基端部的方向顺次滑动,由此对喷出孔2的喷出口进行精研磨。
图6是表示对研磨线材赋予超声波振动的其它研磨装置的纵截面图。在该图所示的研磨装置中,将通过线性滚珠轴承30安装在支柱36的臂36a上的、能够上下自由移动的轴35系结在超声波振动装置32的夹头32a上,利用线材系结件34和夹头38在施加有张力的状态下将插通喷淋板1的喷出孔2的研磨线材14系结在从轴35延伸出的上方臂33和下方臂31上,超声波振动32沿研磨线材14的轴心方向进行传递。
该研磨装置与图5的研磨装置相同,一边使基底板37在上下方向往复移动,即、使研磨线材14往复移动,或使喷淋板1与基底10一起在上下方向往复移动,一边使研磨线材从前端部向基端部的方向顺次滑动,由此,对喷出孔2的喷出口进行精研磨。
其中,虽然在图5和图6中没有图示,但是优选并用图3所示的导向座12和导线孔13等机构。
图7是表示对研磨线材赋予旋转运动和超声波振动的研磨装置的纵截面图。在该图所示的研磨装置中,在与电动机直结型超声波振动装置39同轴地安装的微电动机40的旋转轴40a上,安装有由夹头41a和夹头螺母41b构成的线材系结件41,利用该线材系结件41在自由状态下连接插通喷淋板1的喷出孔2的研磨线材14的前端。
在该研磨装置中,通过线性滚珠轴承30将电动机直结型超声波振动装置39连接在支柱36上,由此使超声波振动作用于研磨线材14的旋转和轴心方向,通过使研磨线材14或喷淋板1在上下方向往复移动,对喷出孔2的喷出口进行精研磨。
实施例
以下,参照图1说明本发明的喷淋板及其制造方法。
首先,在纯度为99.95%以上的Al2O3微粉末中配合调整0.1到5质量%的纯度为99.9%以上的Y2O3微粉末而构成烧结用原料粉末,通过冷等静压(CIP)法使配合调整完的烧结用原料粉末成形,得到形成为留行烧结收缩余料和精加工余料的形状的圆板状成形体。此外,从该圆板状成形体的横方向向着圆板的中心,使用与喷淋板制成品的气体导入通路3的直径(Φ1mm)对应的短钻头,对入口部3a进行加工,之后,沿着入口部3a的轴心,使用长钻头穿设加工长孔3b,并一直加工至圆板中央。这样,通过并用短钻头和长钻头,而能够将气体导入通路3的长孔3b部分的同心度和垂直度形成在0.002mm以内。
接着,使用相同尺寸的短钻头,在圆板状成形体的背面侧6的中心部穿设开口部3c,并使其与长孔3b的前端部连通。其中,也可以首先穿设出该开口部3c,之后,一直将长孔3b穿设到圆板的中央,使得从入口部3a到开口部3c连通。
进而,使用一定大小的钻头,至相当于喷淋板制成品的喷出孔2的喷出口2a的长度为0.5mm的位置为止,从圆板状成形体的背面侧6向着正面侧5穿设盲孔(blind hole),使得精加工后的喷出孔2的主体部分2b的直径D为1mm。
接着,从圆板状成形体的正面侧5或者背面侧6的方向,使用能够使喷淋板制成品的喷出孔2的喷出口2a的直径d为0.1mm的小直径钻头,沿着上述盲孔的中心轴穿设喷出口2a,从而使喷出孔2连通。
通过公知的方法对加工形成有该多个喷出孔2和气体导入通路3的成形体孔的圆板状成形体进行烧结,之后,对其进行热等静压(HIP)处理,由此得到相对密度为99.4%以上、更优选为99.5%以上,介电损失为5×10-3~1×10-5的致密喷淋板用的烧结材料。
通过金刚石磨石和金刚石磨粒将该烧结材料的两面和外周的整个表面研削并精研磨成表面粗糙度为1s以内,更优选为0.5s以内。
接着,为了精研磨直径为1mm的气体导入通路3,制作准备基底部的直径为0.9mm、前端部长度为10mm范围内的直径为0.990mm,而且为了将该前端部沿轴心方向均等分割,至少在一个地方、优选在两个地方加入有缝隙的心轴(mandrel)。在该心轴前端的分割部分涂附磨粒径为5μm的金刚石研磨膏(diamond paste),使之高速旋转并沿着气体导入通路3的轴心插入。伴随着高速旋转,心轴的被分割的前端部的直径由于离心力而扩大,研磨压力起作用,由此进行精研磨,使得气体导入2部通路3的表面粗糙度为1s以内,更优选为0.5s以内。
接着,说明喷出孔2的精研磨方法。在实施例中,上述烧结材料中喷出孔2的主体部分2b的直径尺寸为0.995~1.00mm,喷出孔2的喷出口2a的直径尺寸为0.093~0.098mm。
喷出孔2的主体部分2b的研磨是,在与之前说明的心轴相同尺寸的心轴上涂附磨粒径为5μm的金刚石研磨膏,使之高速旋转并沿着喷出孔2的轴心插入,由此使得直径D为1.0mm,尺寸精度为±0.002mm以内。
另一方面,为了研磨喷出孔2的喷出口2a,而制作出已加工成前端渐细形状的研磨用线材,使得线材的直径尺寸为0.093mm,在全长200mm中、前端部分的长度为100mm范围内的线材前端的直径尺寸为0.08mm。
接着,在图3所示的线材研磨装置上安装已完成上述加工的喷淋板用的坯料,在喷出孔2的喷出孔2a中插入上述线材14的前端,将平均粒径为4μm的金刚石磨粒涂附于线材14上,在喷出孔2的喷出口2a的轴心方向上使线材14往复移动。此时,使线材14顺次向线材直径大的一方滑动,最终在直径尺寸为0.093mm的基端部部分往复研磨,由此,将所有的喷出孔2的喷出口2a精研磨成直径尺寸d在0.1±0.001mm的范围内。
其中,测定精研磨部分的表面粗糙度的结果为:气体导入通路3和喷出孔2的主体部分2b在0.5s以内,喷出孔2的喷出口2a在0.4s以内。此外,使线材14在喷出孔2的轴心方向往复移动,由此,在喷出口2a的内表面,使研磨条痕与喷出孔2的轴心方向平行。
此外,根据图4到图7所示的各研磨装置,对喷出孔2的喷出口2a进行完精研磨的结果是:喷出口2a的直径尺寸d在任何情况下均在0.1±0.001mm的范围内,而且使用研磨线材14上涂附的平均粒径4μm的金刚石磨粒的结果是,能够达到喷出口2a的表面粗糙度为0.4s以内的面精度。
最后,对于完成研削和研磨加工等精加工后的喷淋板,通过超精密的超声波洗净将各部分附着或固着的微粒子和污垢完全除去,由此不产生微粒,可以得到喷淋板制成品。
产业上的可利用性
本发明适用于CVD装置和干蚀刻装置等半导体制造装置所使用的喷淋板的制造。
Claims (11)
1.一种喷淋板,其特征在于,包括:
气体导入通路,其使从圆板状板的一个侧面向着中央部以直线状穿设的长孔以及从长孔的前端部分以直角向着圆板状板的背面侧穿设的开口部连通;和
从圆板状板的背面侧向着正面侧穿设的用于喷出处理气体的多个喷出孔,其中,
喷出孔的主体部分及其喷出口在同一轴心上连通,所述喷出孔的喷出口的直径尺寸为0.1以上不满0.3mm,并且喷出口的直径尺寸公差为±0.002mm以内的精度。
2.如权利要求1所述的喷淋板,其特征在于:
所述圆板状板由对烧结用原料粉末进行烧结而成的陶瓷材料构成,该该烧结用原料粉末由95~100质量%的纯度为99.95%以上的Al2O3微粉末和剩余部分为0~5质量%的纯度为99.9%以上的Y2O3、Ce2O3和MgO中的至少一种微粉末经粉碎混合调整而成,该陶瓷材料的特性为:具有99.4%以上的相对密度,介电损失为5×10-3~1×10-5。
3.如权利要求1所述的喷淋板,其特征在于:
所述圆板状板由对烧结用原料粉末进行烧结而成的陶瓷材料构成,该该烧结用原料粉末由95~100质量%的纯度为99.95%以上的Al2O3微粉末和剩余部分为0~5质量%的纯度为99.9%以上的Y2O3、Ce2O3和MgO中的至少一种微粉末经粉碎混合调整而成,该陶瓷材料的特性为:具有97.5%~99%的相对密度,介电损失为5×10-3~1×10-5。
4.一种喷淋板的制造方法,其用于制造权利要求1~3中任一项所述的喷淋板,其特征在于:
将前端部分形成为前端渐细形状的研磨线材插通由烧结陶瓷材料构成的喷淋板的喷出孔,
一边使所述研磨线材从前端部向基端部的方向顺序滑动,一边使研磨线材或者喷淋板作往复运动,由此对喷出孔的喷出口进行精加工。
5.如权利要求4所述的喷淋板的制造方法,其特征在于:
利用陶瓷材料的烧结用原料粉末得到形成为留有烧结收缩余料和精加工余料的形状的圆板状成形体,
在所述圆板状成形体的规定位置从背面侧形成盲孔状的喷出孔的本体部分,
接着,从圆板状成形体的正面侧或者背面侧沿所述盲孔状的本体部分的轴心形成喷出口并使其与喷出孔连通之后,进行烧结。
6.如权利要求4所述的喷淋板的制造方法,其特征在于:
利用陶瓷材料的烧结用原料粉末得到形成为留有烧结收缩余料和精加工余料的形状的圆板状成形体,
从得到的圆板状成形体的横方向,利用短钻头加工气体导入通路的入口部,
接着,在同一轴心方向上利用长钻头穿设直到圆板中央的长孔并使其与在板背面侧穿设的开口部连通之后,进行烧结。
7.如权利要求4所述的喷淋板的制造方法,其特征在于:
将前端部分形成为前端渐细形状的研磨线材插通由烧结陶瓷材料构成的喷淋板的喷出孔,
在对所述研磨线材施加张力的状态下,将所述研磨线材的前端与基端部夹紧在旋转体上,
一边使所述两端的旋转体在同一轴心上以同一转速旋转,一边使所述研磨线材或者喷淋板作往复运动,由此对喷出孔的喷出口进行精加工。
8.如权利要求4所述的喷淋板的制造方法,其特征在于:
将前端部分形成为前端渐细形状的研磨线材插通由烧结陶瓷材料构成的喷淋板的喷出孔,
将所述研磨线材的基端部系结在超声波振动加工装置的线材系结部上,同时在对所述研磨线材施加张力的状态下对其前端部进行固定,
一边对所述研磨线材施加轴心方向上的超声波振动,一边使研磨线材或者喷淋板作往复运动,由此对喷出孔的喷出口进行精加工。
9.如权利要求4所述的喷淋板的制造方法,其特征在于:
将前端部分形成为前端渐细形状的研磨线材插通由烧结陶瓷材料构成的喷淋板的喷出孔,
将所述研磨线材的两端在施加有张力的状态下固定在从能够上下自由移动的轴的上下部分分别延伸出的臂上,
在所述轴的轴心的上部或者下部安装超声波振动装置,一边向与轴联动的研磨线材施加轴心方向的超声波振动,一边使研磨线材或者喷淋板作往复运动,由此对喷出孔的喷出口进行精加工。
10.如权利要求4所述的喷淋板的制造方法,其特征在于:
将前端部分形成为前端渐细形状的研磨线材插通由烧结陶瓷材料构成的喷淋板的喷出孔,
将所述研磨线材的一端系结在与超声波振动装置连接的可旋转且可上下移动的线材系结件上,一边对研磨线材施加轴心方向的超声波波振动和旋转运动,一边使研磨线材或者喷淋板作往复运动,由此对喷出孔的喷出口进行精加工。
11.如权利要求4所述的喷淋板的制造方法,其特征在于:
以使喷出孔的喷出口内表面的研磨条痕与喷出孔的轴心平行的方式进行精加工。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP120256/2005 | 2005-04-18 | ||
JP2005120256 | 2005-04-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101176187A true CN101176187A (zh) | 2008-05-07 |
Family
ID=37115110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA200680012975XA Pending CN101176187A (zh) | 2005-04-18 | 2006-04-14 | 喷淋板及其制造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090000742A1 (zh) |
EP (1) | EP1876639A1 (zh) |
JP (1) | JPWO2006112392A1 (zh) |
KR (1) | KR20080014778A (zh) |
CN (1) | CN101176187A (zh) |
TW (1) | TW200706253A (zh) |
WO (1) | WO2006112392A1 (zh) |
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- 2006-04-14 KR KR1020077026539A patent/KR20080014778A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-04-14 JP JP2007526857A patent/JPWO2006112392A1/ja active Pending
- 2006-04-14 US US11/911,781 patent/US20090000742A1/en not_active Abandoned
- 2006-04-14 CN CNA200680012975XA patent/CN101176187A/zh active Pending
- 2006-04-14 EP EP06731864A patent/EP1876639A1/en not_active Withdrawn
- 2006-04-14 WO PCT/JP2006/307928 patent/WO2006112392A1/ja active Application Filing
- 2006-04-17 TW TW095113668A patent/TW200706253A/zh unknown
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KR20080014778A (ko) | 2008-02-14 |
JPWO2006112392A1 (ja) | 2008-12-11 |
US20090000742A1 (en) | 2009-01-01 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |