JP5082967B2 - プラズマ電極及びプラズマ化学気相堆積装置 - Google Patents
プラズマ電極及びプラズマ化学気相堆積装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5082967B2 JP5082967B2 JP2008074265A JP2008074265A JP5082967B2 JP 5082967 B2 JP5082967 B2 JP 5082967B2 JP 2008074265 A JP2008074265 A JP 2008074265A JP 2008074265 A JP2008074265 A JP 2008074265A JP 5082967 B2 JP5082967 B2 JP 5082967B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- plasma
- main surface
- frequency electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
太陽電池の反射防止膜などに用いられる窒化シリコン(Si3N4)膜をプラズマCVD装置で成膜する場合、プロセスガスとしてモノシラン(SiH4)、窒素(N2)、アンモニア(NH3)等が用いられる。通常、ガス吹き出し部は、高周波電極の全面に0.3mm〜2mm程度の直径が一定の貫通孔である。
本発明の第1の実施の形態に係るプラズマCVD装置は、図1に示すように、プラズマCVD処理を行う処理室30、及び処理室30内に配置されたプラズマ電極(10、12)等を備える。プラズマ電極(10、12)は、基板電極12及び基板電極12に対向する高周波電極10を備える。基板電極12及び高周波電極10の間にプラズマ14が生成されるプラズマ空間が挟まれる。基板電極12表面に、プラズマ14の反応により薄膜を堆積する基板20が載置される。高周波電極10は、ガス配管40を通してプロセスガスが供給されるシャワーヘッド42に設けられる。なお、高周波電極10の全面に均一にプロセスガスを供給するため、高周波電極10とガス配管40の間に拡散板を設けてもよい。処理室30は、排気配管34に接続された真空ポンプ(図示省略)等により真空排気される。基板電極12は、処理室30を介して接地される。高周波電極10には、プラズマ生成用の高周波電源36が接続される。
本発明の第2の実施の形態に係る高周波電極10は、図15及び図16に示すように、矩形状で、厚さがTtである。高周波電極10は、第1主面6から第2主面8に貫通する複数のガス吹き出し部(2、4)を有する。ガス吹き出し部(2、4)は、第2主面8側に設けられた第1開口部2、及び第1主面6側に設けられ、第1開口部2に接続された第2開口部4を有する。
上記のように、本発明は本発明の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
4…第2開口部
6…第1主面
8…第2主面
10…高周波電極
12…基板電極
14…プラズマ
20…基板
30…処理室
Claims (10)
- プラズマ反応により薄膜が堆積される基板を載置する基板電極と、
前記プラズマを生成するプラズマ空間を挟んで前記基板電極と対向し、前記プラズマ空間に面する第1主面及び前記第1主面の反対側の第2主面で両面を定義し、前記第1主面から前記第2主面に貫通する複数のガス吹き出し部を有する高周波電極とを備え、
前記複数のガス吹き出し部のうち、少なくとも前記高周波電極の外周部に設けられたガス吹き出し部が、第1開口部及び該第1開口部に接続された第2開口部を有し、前記第1開口部の開口幅が0.3mm以上、2mm以下の範囲で、前記第2開口部の開口幅が5mm以上、20mm以下の範囲であり、前記貫通する方向に測った前記第1開口部の長さが1mm以下であることを特徴とするプラズマ電極。 - 前記第1開口部が、前記第1主面側に設けられたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ電極。
- 前記第1開口部が、前記第2主面側に設けられたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ電極。
- 前記複数のガス吹き出し部の全てが、前記第1及び第2開口部を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ電極。
- 前記複数のガス吹き出し部のうち、前記高周波電極の中央領域に設けられたガス吹き出し部が、前記第1開口部と同じ開口幅で前記第1主面から前記第2主面に貫通することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ電極。
- 前記第1及び第2開口部の断面形状が、前記貫通する方向に沿って切った断面において矩形状であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のプラズマ電極。
- 前記第2開口部の断面形状が、前記貫通する方向に沿って切った断面において、前記第1開口部に接する位置では前記第1開口部と同じ開口幅であり、前記第1開口部から離れるに従って開口幅がテーパ状に広がることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のプラズマ電極。
- 前記第2開口部が、前記第1及び第2主面に平行な方向に沿って並列する複数の溝であり、前記第1開口部が前記複数の溝の底面に形成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のプラズマ電極。
- 前記第2開口部が、前記第1及び第2主面に平行な方向に沿って設けられ、互いに交差する複数の溝であり、前記第1開口部が前記複数の溝の交点に形成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のプラズマ電極。
- プラズマ化学気相堆積処理を行う処理室と、
前記処理室内に配置された請求項1〜9のいずれか1項に記載のプラズマ電極
とを備えることを特徴とするプラズマ化学気相堆積装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008074265A JP5082967B2 (ja) | 2008-03-21 | 2008-03-21 | プラズマ電極及びプラズマ化学気相堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008074265A JP5082967B2 (ja) | 2008-03-21 | 2008-03-21 | プラズマ電極及びプラズマ化学気相堆積装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009228054A JP2009228054A (ja) | 2009-10-08 |
JP5082967B2 true JP5082967B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=41243787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008074265A Expired - Fee Related JP5082967B2 (ja) | 2008-03-21 | 2008-03-21 | プラズマ電極及びプラズマ化学気相堆積装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5082967B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012119590A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマ処理装置用電極板 |
JP6065111B2 (ja) * | 2013-05-24 | 2017-01-25 | 株式会社島津製作所 | プラズマ処理装置 |
WO2015045066A1 (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 株式会社島津製作所 | 薄膜形成装置 |
CN108878248B (zh) * | 2017-05-16 | 2020-03-17 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
JP7058485B2 (ja) | 2017-05-16 | 2022-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US10984987B2 (en) * | 2018-10-10 | 2021-04-20 | Lam Research Corporation | Showerhead faceplate having flow apertures configured for hollow cathode discharge suppression |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62218577A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 気相反応装置用電極 |
US4854263B1 (en) * | 1987-08-14 | 1997-06-17 | Applied Materials Inc | Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films |
JP2837993B2 (ja) * | 1992-06-19 | 1998-12-16 | 松下電工株式会社 | プラズマ処理方法およびその装置 |
JP3086362B2 (ja) * | 1993-05-19 | 2000-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4124383B2 (ja) * | 1998-04-09 | 2008-07-23 | 財団法人国際科学振興財団 | マイクロ波励起プラズマ装置用のシャワープレート及びマイクロ波励起プラズマ装置 |
JP4451946B2 (ja) * | 1999-09-27 | 2010-04-14 | 株式会社カネカ | プラズマcvd装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
JP4145457B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2008-09-03 | 信越化学工業株式会社 | プラズマエッチング装置用電極板 |
JP2002280377A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP4502639B2 (ja) * | 2003-06-19 | 2010-07-14 | 財団法人国際科学振興財団 | シャワープレート、プラズマ処理装置、及び、製品の製造方法 |
WO2006112392A1 (ja) * | 2005-04-18 | 2006-10-26 | Hokuriku Seikei Industrial Co., Ltd. | シャワープレート及びその製造方法 |
JP4539985B2 (ja) * | 2005-11-02 | 2010-09-08 | 国立大学法人大阪大学 | エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置 |
JP4984285B2 (ja) * | 2007-01-23 | 2012-07-25 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 高密度プラズマ処理装置 |
-
2008
- 2008-03-21 JP JP2008074265A patent/JP5082967B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009228054A (ja) | 2009-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5082967B2 (ja) | プラズマ電極及びプラズマ化学気相堆積装置 | |
US9196460B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
KR101485140B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP4859472B2 (ja) | プラズマプロセス装置 | |
US20200090972A1 (en) | Semiconductor substrate supports with embedded rf shield | |
US20120073753A1 (en) | Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus | |
US20110000529A1 (en) | Cathode Electrode for Plasma CVD and Plasma CVD Apparatus | |
JP5854225B2 (ja) | プラズマcvd成膜装置 | |
CN110050326B (zh) | 包括SiC蒸镀层的半导体制造用部件及其制造方法 | |
JPWO2008123142A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US11837443B2 (en) | Showerhead faceplate having flow apertures configured for hollow cathode discharge suppression | |
US20060060795A1 (en) | Ion beam irradiation device and insulating spacer for the device | |
JP5035352B2 (ja) | プラズマプロセス用電極及びプラズマプロセス装置 | |
JP2011035026A (ja) | ドライエッチング装置、半導体装置の製造方法、制御リング | |
JP4929270B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP3151364U (ja) | プラズマ化学気相堆積装置 | |
KR102224586B1 (ko) | 처리 챔버들을 위한 코팅 재료 | |
JP5182136B2 (ja) | プラズマ処理装置用電極板構成体及びプラズマ処理装置 | |
JP6065111B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20050087405A (ko) | 고밀도 플라즈마를 발생하는 샤워헤드를 구비한화학기상증착장치 | |
US20230402262A1 (en) | Apparatus for generating etchants for remote plasma processes | |
KR101104638B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
JP5892581B2 (ja) | プラズマプロセス装置 | |
JP2005276790A (ja) | イオンビーム照射装置及び当該装置用絶縁スペーサ | |
JP2012114174A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100602 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111129 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120807 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120820 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5082967 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |