JP5035352B2 - プラズマプロセス用電極及びプラズマプロセス装置 - Google Patents
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Description
Dx+Dy≧T (1)
とされる。また、第1及び第2溝4、6のピッチPx、Pyは、それぞれ、
Px>Wx,Py>Wy (2)
とされる。
T−Dxb≦Dxa+Dy<T (2)
の関係を満たすように第1及び第2溝4、6が形成される。貫通孔8の開口寸法は、第2凹部4Bの幅Wxb及び第2溝6の幅Wyで与えられる。したがって、貫通孔8の開口寸法を更に狭くすることができ、第1主面14側で生成されたプラズマが第2主面16側に拡散することを抑制することが可能となる。
上記のように、本発明は本発明の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
Claims (11)
- プラズマにより処理される基板を載置する陽極と、
前記プラズマが生成される空間を挟んで前記陽極と対向し、複数の第1溝が設けられた第1主面、前記第1主面に対向し、前記複数の第1溝と交差する、前記複数の第1溝より狭い幅の複数の第2溝が設けられた第2主面を有する陰極
とを備え、前記第1溝と前記第2溝との交点に前記第1主面から前記第2主面に貫通する貫通孔を設けたことを特徴とするプラズマプロセス用電極。 - 前記第1溝の深さと前記第2溝の深さの和が前記第1主面と前記第2主面との距離で定義される前記陰極の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のプラズマプロセス用電極。
- 前記複数の第1溝の断面が、矩形状であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマプロセス用電極。
- 前記複数の第1溝の延伸方向に垂直に切った断面において、前記複数の第1溝それぞれの幅が、前記第2主面側に比べ前記第1主面側で広いことを特徴とする請求項1に記載のプラズマプロセス用電極。
- 前記複数の第1溝の延伸方向に垂直に切った断面において、前記複数の第1溝のそれぞれが、前記第1主面側に矩形状の第1凹部と前記第1凹部の底部に前記第1凹部より狭い幅の第2凹部とを有することを特徴とする請求項1に記載のプラズマプロセス用電極。
- 前記第2凹部が、前記複数の第2溝の少なくとも一つと前記貫通孔を形成するように交差することを特徴とする請求項5に記載のプラズマプロセス用電極。
- 前記複数の第2溝の延伸方向に垂直に切った断面において、前記複数の第2溝のそれぞれが、前記第2主面側に矩形状の第3凹部と前記第3凹部の底部に前記第3凹部より狭い幅の第4凹部とを有することを特徴とする請求項6に記載のプラズマプロセス用電極。
- 前記第4凹部が、前記複数の第1溝の少なくとも一つと前記貫通孔を形成するように交差することを特徴とする請求項7に記載のプラズマプロセス用電極。
- 前記複数の第2溝の延伸方向に垂直に切った断面において、前記複数の第2溝のそれぞれが、前記第2主面側に矩形状の第1凹部と前記第1凹部の底部に前記第1凹部より狭い幅の第2凹部とを有することを特徴とする請求項1に記載のプラズマプロセス用電極。
- 前記第2凹部が、前記複数の第1溝の少なくとも一つと前記貫通孔を形成するように交差することを特徴とする請求項9に記載のプラズマプロセス用電極。
- プラズマ処理を行う処理室と、
前記処理室内に配置されたプラズマプロセス用電極とを備え、
前記プラズマプロセス用電極が、プラズマにより処理される基板を載置する陽極と、前記プラズマが生成される空間を挟んで前記陽極と対向し、複数の第1溝が設けられた第1主面、前記第1主面に対向し、前記複数の第1溝と交差する、前記複数の第1溝より狭い幅の複数の第2溝が設けられた第2主面を有する陰極とを備え、前記第1溝と前記第2溝との交点に前記第1主面から前記第2主面に貫通する貫通孔を設けたことを特徴とするプラズマプロセス装置。
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