JP2005150317A - プラズマcvd装置および光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によるプラズマCVD装置1は、高周波電源7と接続される第一電極20と、第一電極20に対向するように配置された第二電極4とを具備する。第一電極20は複数の溝21を備える。被処理体である基板5は第一電極20に対向するように第二電極4により保持される。複数の溝21の各々の幅は、基板5と第一電極20の間の距離以下である。
【選択図】図3A
Description
本発明による光電変換装置の製造方法は、(a)第一電極(20)と第二電極(4)の間に、第一電極(20)への距離が複数の溝(21、23)の各々の幅以上になるように、基板(5)を配置するステップと、(b)ガス供給機構(8)を用い反応ガス(10)を反応容器(2)に供給するステップと、(c)反応ガスを用い第一電極(20)と基板(5)の間の領域にプラズマ(11)を発生させるステップと、(d)プラズマ(11)を用い基板(5)に膜を生成するステップを具備する。
図3Aは、本発明の第一の実施の形態に係るプラズマCVD装置を表す概略図である。尚、図3Aにおいて、図1A中の構成と同様の構成には同じ符号が付されている。
図6Aは、本発明の第ニの実施の形態に係るプラズマCVD装置を表す概略図である。尚、図6Aにおいて、図3A中の構成と同様の構成には同じ符号が付されている。第ニの実施の形態に係るプラズマCVD装置は、放電電極の構造において第一の実施の形態のものと異なる。第一の実施の形態におけるプラズマCVD装置と同一の構成についての説明はここでは省かれる。
図8Aは、本発明の第三の実施の形態に係るプラズマCVD装置を表す概略図である。尚、図8Aにおいて、図3Aおよび図6A中の構成と同様の構成には同じ符号が付されている。第三の実施の形態に係るプラズマCVD装置において、放電電極の構造は、第一の実施の形態のものと第二の実施の形態のものとを組合せた構造となっている。その他の同一の構成についての説明はここでは省かれる。
図9Aは、本発明の第四の実施の形態に係るプラズマCVD装置を表す概略図である。尚、図9Aにおいて、図8A中の構成と同様の構成には同じ符号が付されている。第四の実施の形態に係るプラズマCVD装置は、反応ガス供給部の構造において第三の実施の形態のものと異なる。同一の構成についての説明はここでは省かれる。
2 反応容器
4 接地電極
5 基板
6 ヒータ
7 高周波電源
8 ガス供給管
9 ガス排気管
10 反応ガス
11 プラズマ
20、22、25、26 放電電極
21 貫通溝
23 非貫通溝
24 通気孔
27 ガス供給孔
Claims (16)
- 複数の溝を備える第一電極と、
前記第一電極に対向するように配置された第二電極とを具備し、
基板は前記第一電極に対向するように前記第二電極により保持され、
前記複数の溝の各々の幅は、前記基板と前記第一電極の間の距離以下である
プラズマCVD装置。 - 請求項1において、
前記複数の溝は、前記第一電極を貫通する複数の貫通溝を含む
プラズマCVD装置。 - 請求項1において、
前記複数の溝は、前記第一電極を貫通しない複数の非貫通溝を含み、
前記複数の非貫通溝は前記基板に対向する
プラズマCVD装置。 - 請求項3において、
通気孔が前記第一電極を貫通するように前記第一電極に形成された
プラズマCVD装置。 - 請求項1において、
前記複数の溝は、
前記第一電極を貫通する複数の貫通溝と、
前記第一電極を貫通しない複数の非貫通溝とを含み、
前記複数の非貫通溝は前記基板に対向する
プラズマCVD装置。 - 請求項5において、
前記第一電極は、ガスを前記非貫通溝に供給するガス供給機構を具備する
プラズマCVD装置。 - 請求項5及び6のいずれかにおいて、
前記複数の貫通溝と前記複数の非貫通溝は交互に配置されている
プラズマCVD装置。 - 請求項1乃至7のいずれかにおいて、
前記複数の溝の各々の幅は、前記第一電極近傍に形成されるプラズマシースの厚みの2倍以上である
プラズマCVD装置。 - 請求項1乃至8のいずれかにおいて、
前記複数の溝の幅は略等しい
プラズマCVD装置。 - 請求項1乃至9のいずれかにおいて、
前記複数の溝はそれぞれ略平行に形成されている
プラズマCVD装置。 - 反応容器と、前記反応容器に反応ガスを供給するガス供給機構とを備え、前期反応容器は第一電極と、前記第一電極に対向するように配置された第二電極とを備えるプラズマCVD装置を用いる光電変換装置の製造方法であって、
前記第一電極は複数の溝を備え、
(a)前記第一電極と前記第二電極の間に、前記第一電極への距離が前記複数の溝の各々の幅以上になるように、基板を配置するステップと、
(b)前記ガス供給機構を用い、前記反応ガスを前記反応容器に供給するステップと、
(c)前記反応ガスを用い、前記第一電極と前記基板の間の領域にプラズマを発生させるステップと、
(d)前記プラズマを用い、前記基板に膜を生成するステップとを具備する
光電変換装置の製造方法。 - 請求項11において、
前記複数の溝は、前記第一電極を貫通する複数の貫通溝を含む
光電変換装置の製造方法。 - 請求項11において、
前記複数の溝は、前記第一電極を貫通しない複数の非貫通溝を含み、前記複数の非貫通溝は前記基板に対向しており、
前記(c)発生させるステップにおいて、前記複数の溝の各々の幅が、前記第一電極近傍に形成されるプラズマシースの厚さの2倍以上になるように、前記プラズマが制御される
光電変換装置の製造方法。 - 請求項11において、
前記複数の溝は、前記第一電極を貫通する複数の貫通溝と、前記第一電極を貫通しない複数の非貫通溝を含み、前記複数の非貫通溝は前記基板に対向しており、
前記(c)発生させるステップにおいて、前記複数の溝の各々の幅が、前記第一電極近傍に形成されるプラズマシースの厚さの2倍以上になるように、前記プラズマが制御される
光電変換装置の製造方法。 - 請求項14において、
前記ガス供給機構は前記第一電極に設けられ、
前記(b)供給するステップにおいて、前記反応ガスは、前記ガス供給機構により前記複数の非貫通溝の内部に供給される
光電変換装置の製造方法。 - 請求項15において、
前記複数の貫通溝と前記複数の非貫通溝は交互に配置され、
(e)ガスを前記複数の貫通溝を通して排気するステップを更に具備する
光電変換装置の製造方法。
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