JP2005244098A - プラズマプロセス装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマCVD装置においては、平行平板電極(カソード、アノード)のアノード8表面に基板6を設け、カソード板11表面と平行に表面から所定距離を隔てた位置に金属製メッシュ電極10を、金属を介してカソード板11に接続したものである。また、カソード板表面とメッシュ電極との距離を0.1〜5mm程度とすることが好ましい。この様な配置によって、メッシュ/カソード板間に安定な高密度プラズマが生成される。原料ガスとしてSiH4及びH2を用いた場合、基板上に結晶性の良好な微結晶シリコン薄膜を作製することができる。
【選択図】図1
Description
2…交流電源
3…反応ガス導入管
4…排気管
5…真空ポンプ
6…基板
7…カソード
8…アノード
9…ヒーター
10…メッシュ電極
11…ガスシャワーヘッド一体型カソード
Claims (6)
- 反応容器、該反応容器内に反応ガスを導入する手段、該反応容器からガスを排出する手段、該反応器内に収容された放電用アノード電極及びカソード電極並びに該電極に電力を供給する電源を有し、該反応容器内に設置された基板表面にプラズマ処理を行うプラズマプロセス装置において、該カソード電極表面と平行に該カソード電極表面から所定距離離れた位置に、カソード電極に金属を介して接続した金属製メッシュ電極を配置したことを特徴とするプラズマプロセス装置。
- 上記所定距離は、0.1〜5mmであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマプロセス装置。
- 上記カソード電極と上記メッシュ電極は、同一の材料により作製されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマプロセス装置。
- 上記カソード電極と上記メッシュ電極は、一体成型されていることを特徴とする請求項3記載のプラズマプロセス装置。
- 上記プラズマプロセスは、CVDであることを特徴とする請求項1記載のプラズマプロセス装置。
- 上記プラズマプロセスは、エッチングであることを特徴とする請求項1記載のプラズマプロセス装置。
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Cited By (4)
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JP2008308759A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Korea Inst Of Industrial Technology | 低電流高密度によるプラズマ窒化方法及び低電流高密度によるプラズマ窒化装置 |
JP2009141116A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
WO2011052463A1 (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-05 | 東レ株式会社 | プラズマcvd装置、および、シリコン薄膜の製造方法 |
JP2012084238A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-26 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置及び前処理方法 |
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2004
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008308759A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Korea Inst Of Industrial Technology | 低電流高密度によるプラズマ窒化方法及び低電流高密度によるプラズマ窒化装置 |
JP4644236B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2011-03-02 | 韓国生産技術研究院 | 低電流高密度によるプラズマ窒化方法及び低電流高密度によるプラズマ窒化装置 |
JP2009141116A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
WO2011052463A1 (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-05 | 東レ株式会社 | プラズマcvd装置、および、シリコン薄膜の製造方法 |
US9243327B2 (en) | 2009-11-02 | 2016-01-26 | Toray Industries, Inc. | Plasma CVD device and method of manufacturing silicon thin film |
JP2012084238A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-26 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置及び前処理方法 |
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