JP2018026594A - プラズマcvd装置及びプラズマcvd法 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来のプラズマCVD装置及び方法では、ヘテロ接合バックコンタクト型の太陽電池のパッシベーション膜を高スループットで、プラズマダメージを抑制して形成することができないという課題がある。基板の表面と裏面に同時に薄膜を形成することができない、という課題もある。この課題を解消可能なプラズマCVD装置及び方法を提供すること。【解決手段】反応容器の中央部に、基板と略一致した形状の貫通孔を有する基板保持手段を配置し、前記貫通孔の開口に基板を載置し、第1及び第2のプラズマ発生領域を、前記基板保持手段を挟む形で離間して配置し、前記基板保持手段と前記第1及び第2のプラズマ発生領域の間に、それぞれに長寿命のラジカルを選択的に通過させる貫通孔を有する第1及び第2のプラズマ遮蔽手段を配置したことを特徴とする。基板両面への同時製膜が可能である。【選択図】図1
Description
本発明は、プラズマCVD装置及びプラズマCVD法に関する。特に、バックコンタクト型の結晶シリコン系太陽電池及びヘテロ接合バックコンタクト型の結晶シリコン系太陽電池などの製造工程で使用されるアモルファス系シリコン薄膜を形成するプラズマCVD装置及びプラズマCVD法に関するものである。
近年、結晶シリコン系太陽電池の光電変換効率の更なる向上及び製造コストの更なる低減を目指した研究開発が盛んに行われており、光電変換効率の高いヘテロ接合バックコンタクト型太陽電池の最適構造の創出及びそれを製造可能な低コストの製造プロセスの構築が試みられている。
製造プロセスを要素技術の観点で見ると、発電効率を決定する要素である3つの性能、即ち、セルの開放電圧Voc(V)と、短絡電流密度Jsc(mA/cm2)と、曲線因子(%)の向上に関し、優れた特徴を有するパッシベーション膜の形成に関わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法が注目されている。
製造プロセスを要素技術の観点で見ると、発電効率を決定する要素である3つの性能、即ち、セルの開放電圧Voc(V)と、短絡電流密度Jsc(mA/cm2)と、曲線因子(%)の向上に関し、優れた特徴を有するパッシベーション膜の形成に関わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法が注目されている。
ヘテロ接合バックコンタクト型の太陽電池を低コストで製造するために、太陽電池の分野では、一定時間当たりの基板処理枚数が多い、即ち、高スループットのプラズマCVD装置、プラズマダメージが抑制された製膜が可能なプラズマCVD装置が求められている。
例えば、非特許文献1及び2には、次のことが記載されている。即ち、プラズマCVDによりシリコン基板の表面や裏面にi型アモルファスシリコン膜やSiNx膜を形成すると、基板表面に存在する欠陥密度を激減させる。基板表面に存在する欠陥密度が激減すると、光吸収により生成されたキャリア(正孔・電子)の欠陥密度による再結合が防止され、光電変換効率を大幅に向上させることができる。
しかしながら、現状のRFプラズマCVD装置、即ち、電極形状が平行平板型で、電源周波数が13.56MHzである容量結合型プラズマCVD装置によるi型アモルファスシリコン膜やSiNx膜等のパッシベーション膜の形成では、RFプラズマの特徴(電子温度が高いこと、プラズマ電位が高いこと)に起因するシリコン基板へのイオン衝撃が大きいために、充分なパッシベーション効果が得られない、という問題を抱えている。なお、シリコン基板へのイオン衝撃によるイオンダメージは、基板表面の欠陥密度を増大させるので、パッシベーション効果が発揮されない。
したがって、シリコン基板の表面や裏面に形成されるパッシベーション膜の機能を有するi型アモルファスシリコン膜やSiNx膜の製膜には、イオンダメージの少ないプラズマCVD装置の創出が必要、かつ、重要である。
したがって、シリコン基板の表面や裏面に形成されるパッシベーション膜の機能を有するi型アモルファスシリコン膜やSiNx膜の製膜には、イオンダメージの少ないプラズマCVD装置の創出が必要、かつ、重要である。
プラズマダメージの少ない方法として、プラズマ励起周波数がVHF帯域(30MHz〜300MHz)であるVHFプラズマCVD法がある。VHFプラズマCVD法は電子温度が低く、プラズマ電位が低いという特徴があり、基板に与えるイオンダメージは、RFプラズマCVDに比べて、格段に小さいということは、一般に知られているが、電力の波長が短いので、定在波が発生し、一様なプラズマを大面積に亘って生成することが困難であることから、一般には、実用化されていない。
特許文献1及び2には、一対の電極間にメッシュを挿入することにより、イオンダメージを抑制することが記載されている。
即ち、特許文献1には次の事が掲載されている。成膜用ガスを導入する真空処理室内に平板な高周波電極と、平板な接地電極とを対向するように平行に配置し、これらの電極間の空間に所定の圧力条件下で発生したプラズマによって、平板な接地電極に載置した基板上に成膜を行うプラズマCVD装置において、上記平板な高周波電極と、平板な接地電極との間に、上記基板と同電位のメッシュ電極を配置すると共に、上記平板な接地電極を−90℃以下に冷却したことを特徴とするプラズマCVD装置。
また、特許文献1には次の事が掲載されている。この発明においては、平板な高周波電極と、平板な接地電極との間に 基板と同電位のメッシュ電極が配置されているため、プラズマは、平板な高周波電極とメッシュ電極との間に閉じ込められ、メッシュ電極と平板な接地電極との間に発生しなくなる。したがって、プラズマ中のラジカルはメッシュ電極の網を通過して、基板上に到達して付着する。だが、平板な接地電極を−90℃以下に冷却することにより、基板も−90℃以下になるので、基板上に付着したラジカルは基板の構成物質と反応することなく、ラジカル同士が反応して、低温で流動性をもった液状の化合物を作る。その結果、膜下地にダメージを与えることなく、0.5μm以下の凹凸をした基板の表面であっても平坦化ができるようになる
また、特許文献1には次の事が掲載されている。この発明においては、平板な高周波電極と、平板な接地電極との間に 基板と同電位のメッシュ電極が配置されているため、プラズマは、平板な高周波電極とメッシュ電極との間に閉じ込められ、メッシュ電極と平板な接地電極との間に発生しなくなる。したがって、プラズマ中のラジカルはメッシュ電極の網を通過して、基板上に到達して付着する。だが、平板な接地電極を−90℃以下に冷却することにより、基板も−90℃以下になるので、基板上に付着したラジカルは基板の構成物質と反応することなく、ラジカル同士が反応して、低温で流動性をもった液状の化合物を作る。その結果、膜下地にダメージを与えることなく、0.5μm以下の凹凸をした基板の表面であっても平坦化ができるようになる
特許文献2には次の事が掲載されている。反応容器と、この反応容器に反応ガスを供給する手段と、前記反応ガスを前記反応容器内から排出する手段と、前記反応容器内に配置され、処理すべき基板が載置される接地電極と、前記反応容器内に前記接地電極と対向して配置された放電用電極と、この放電用電極にグロー放電発生用電力を供給する電源と、前記反応容器内に前記放電用電極と離間して平行に配置されたメッシュ状もしくはワイヤ状のラジカル加熱用ヒータとを具備し、前記ラジカル加熱用ヒータの空隙を1mm以上5mm以下にするとともに、前記グロー放電発生用電力の周波数が45乃至200MHzであることを特徴とするプラズマCVD装置。
また、特許文献2には次の事が掲載されている。従来のプラズマCVD装置によれば、以下に述べる問題点を有していた。(1)前記ラジカル加熱用ヒータにプラズマ中のラジカルが衝突して非晶質膜として付着するため、ヒータを構成する線間が目詰まりし、例えば基板での積算膜厚が100μm程度で成膜速度が初期の1/2以下まで減少する。従って、メンテナンス周期が短くなり、実用的な成膜装置には不向きであった。(2)前記ヒータの間隔を粗くした場合、成膜速度の増加を図るためにプラズマの密度をある程度高くすると、電極近傍で発生したプラズマがメッシュの隙間から漏れて成膜基板に直接接するので、膜質を悪化させる短寿命のラジカルも基板に付着し、その結果、成膜に欠陥が生じやすかった。
また、特許文献2には次の事が掲載されている。従来のプラズマCVD装置によれば、以下に述べる問題点を有していた。(1)前記ラジカル加熱用ヒータにプラズマ中のラジカルが衝突して非晶質膜として付着するため、ヒータを構成する線間が目詰まりし、例えば基板での積算膜厚が100μm程度で成膜速度が初期の1/2以下まで減少する。従って、メンテナンス周期が短くなり、実用的な成膜装置には不向きであった。(2)前記ヒータの間隔を粗くした場合、成膜速度の増加を図るためにプラズマの密度をある程度高くすると、電極近傍で発生したプラズマがメッシュの隙間から漏れて成膜基板に直接接するので、膜質を悪化させる短寿命のラジカルも基板に付着し、その結果、成膜に欠陥が生じやすかった。
特許文献3には、ヘテロ接合バックコンタクト型の太陽電池の構造及び製造方法が記載されている。プラズマCVDによる、i型アモルファスシリコン膜、p型アモルファスシリコン膜及びn型アモルファスシリコン膜の形成方法が記載されている。
ヘテロ接合バックコンタクト型の結晶シリコン系太陽電池の製造において、後述するように、パッシベーション膜を基板の両面(表面と裏面)に同時に製膜することが可能であれば、製膜時間の大幅低減となり、低コスト化に貢献できるのであるが、従来技術では両面製膜ができない。
両面製膜に関する技術が特許文献4に記載されている。即ち、真空チャンバーと、前記真空チャンバー内で交互に対向配置されたアノード電極板およびカソード電極板と、前記両電極板に高周波を印加して両電極間に高周波プラズマを発生させる高周波電源と、を備え、前記アノード電極板、カソード電極板の両方または一方の被成膜基板を載置する領域に、前記被成膜基板に略一致した形状を呈し、前記被成膜基板の両面を前記高周波プラズマに曝す開口部を少なくとも1以上有し、前記開口部で前記被成膜基板を載置する面と反対側に面する部分に所望のパターン形状に対応した遮蔽領域が設けられていることを特徴とするプラズマCVD装置、である。
しかしながら、特許文献4に記載のプラズマCVD装置は、次に示す理由により、一様なプラズマの発生ができないので、膜質と膜厚みが不均一となり、実用に供せられないという問題がある。
即ち、特許文献4に記載のプラズマCVD装置は、容量結合型のプラズマを生成する一対の平行平板電極の一方の電極に被製膜基板サイズと略同じ大きさの開口を備えているので、前記開口部では電界が弱くなり、容量結合型のプラズマを生成することができないという、致命的な問題を抱えている。
その問題を具体的に、次に示す。特許文献4に記載のプラズマCVD装置の一対の電極の間の電気力線を、模式的に図14に示す。図14において、中央部アノード電極板361及び中央部カソード電極板351の開口部の領域と開口部でない領域での電気力線の分布は全く異なっている。開口部の領域では電気力線の単位面積当たり本数が少なく、開口部のない領域では開口部の領域よりも、電気力線の数が多い。開口部でない領域の電界は強く、開口部の領域の電界は弱いことを意味している。一様な強さのプラズマを発生させるには、一対の電極間の電界が一様な強さであること、が必須であるが、特許文献4に記載のプラズマCVD装置では、一対の電極間の電界が一様な強さにない。即ち、一様な強さのプラズマが発生されないということを、示している。
一様な強さのプラズマが発生できないということは、薄膜形成の際に、膜質の均一性と膜厚みの均一性が得られないということである。したがって、結晶シリコン系太陽電池の薄膜形成に利用できない。
即ち、特許文献4に記載のプラズマCVD装置は、容量結合型のプラズマを生成する一対の平行平板電極の一方の電極に被製膜基板サイズと略同じ大きさの開口を備えているので、前記開口部では電界が弱くなり、容量結合型のプラズマを生成することができないという、致命的な問題を抱えている。
その問題を具体的に、次に示す。特許文献4に記載のプラズマCVD装置の一対の電極の間の電気力線を、模式的に図14に示す。図14において、中央部アノード電極板361及び中央部カソード電極板351の開口部の領域と開口部でない領域での電気力線の分布は全く異なっている。開口部の領域では電気力線の単位面積当たり本数が少なく、開口部のない領域では開口部の領域よりも、電気力線の数が多い。開口部でない領域の電界は強く、開口部の領域の電界は弱いことを意味している。一様な強さのプラズマを発生させるには、一対の電極間の電界が一様な強さであること、が必須であるが、特許文献4に記載のプラズマCVD装置では、一対の電極間の電界が一様な強さにない。即ち、一様な強さのプラズマが発生されないということを、示している。
一様な強さのプラズマが発生できないということは、薄膜形成の際に、膜質の均一性と膜厚みの均一性が得られないということである。したがって、結晶シリコン系太陽電池の薄膜形成に利用できない。
結晶シリコン系太陽電池の代表的構造を、図15(多結晶シリコン太陽電池)及び図16(ヘテロ接合バックコンタクト型太陽電池)に示す。
図15に示す太陽電池は、結晶シリコン太陽電池の典型的な構造であり、例えば、特許文献4に記載されている。図15に示す多結晶シリコン太陽電池において、p型多結晶シリコン基板100の表面に形成されたn型拡散層102、p型多結晶シリコン基板100とn型拡散層102の間に形成されたpn接合、p型多結晶シリコン基板100の裏面に形成されたp+型裏面電界層103、n型拡散層102の上に形成された反射防止膜104、例えば窒化シリコン膜(SiNx)、p型多結晶シリコン基板100の裏面に形成されたパッシベーション膜106、例えば窒化シリコン膜(SiNx)及びシリコン基板100の両面に形成された電力取り出し用の電極105を有する。なお、反射防止膜104及びパッシベーション膜106はパッシベーション効果を有する。
図15に示す構造の多結晶シリコン太陽電池の製造において、プラズマCVDは、パッシベーション膜106、例えば窒化シリコン膜(SiNx)及び反射防止膜104、例えば窒化シリコン膜(SiNx)、の製膜に利用される。
図15に示す太陽電池は、結晶シリコン太陽電池の典型的な構造であり、例えば、特許文献4に記載されている。図15に示す多結晶シリコン太陽電池において、p型多結晶シリコン基板100の表面に形成されたn型拡散層102、p型多結晶シリコン基板100とn型拡散層102の間に形成されたpn接合、p型多結晶シリコン基板100の裏面に形成されたp+型裏面電界層103、n型拡散層102の上に形成された反射防止膜104、例えば窒化シリコン膜(SiNx)、p型多結晶シリコン基板100の裏面に形成されたパッシベーション膜106、例えば窒化シリコン膜(SiNx)及びシリコン基板100の両面に形成された電力取り出し用の電極105を有する。なお、反射防止膜104及びパッシベーション膜106はパッシベーション効果を有する。
図15に示す構造の多結晶シリコン太陽電池の製造において、プラズマCVDは、パッシベーション膜106、例えば窒化シリコン膜(SiNx)及び反射防止膜104、例えば窒化シリコン膜(SiNx)、の製膜に利用される。
なお、図15に示すパッシベーション膜106、例えば、窒化シリコン膜(SiNx)及び反射防止膜104、例えば、窒化シリコン膜(SiNx)の膜を、同時に製膜できれば、即ち、両面の同時製膜ができれば、製膜の工程が1つ減ることから、太陽電池の製造時間が短縮され、かつ、プラズマCVD装置が1つ減らせることから、製造コストの低減に貢献できるのであるが、従来技術において、基板100の両面への同時製膜ができない。
図16は、ヘテロ接合バックコンタクト型太陽電池の典型的な構造を示す。この構造は、例えば、特許文献3に示されている。図16において、n型単結晶シリコン基板200の表面を受光面とし、裏面にヘテロ接合領域と集電電極部が配置されている。
前記n型結晶シリコン基板200の受光面側の表面209は凹凸形状になっている。前記凹凸形状を有する表面209に、i型アモルファスシリコン膜(厚み、例えば、約10nm)201と、光反射防止膜(例えば、SiNx、厚み、例えば、約70nm)202がその順に形成されている。前記単結晶シリコン基板200の裏面の所定の領域に、i型アモルファスシリコン膜(厚み、例えば、約15nm)201、p型アモルファスシリコン膜(厚み、例えば、約10nm)203、第1の透明電極(例えば、ITO、SnO2、ZnOなど、厚み、例えば、約70nm)204及びp型電極(厚み、例えば、約200nm)205がこの順に形成されている。なお、ここで、n型結晶シリコン基板200上に堆積されたi型アモルファスシリコン膜201、p型アモルファスシリコン膜203及び第1の透明電極204から成る積層領域をヘテロ接合領域と呼ぶ。
ヘテロ接合領域の隣には、絶縁溝210を隔てて、i型アモルファスシリコン膜(厚み、例えば、約15nm)201が形成され、i型アモルファスシリコン膜201の上にn型アモルファスシリコン膜(厚み、例えば、約20nm)206、第2の透明電極(例えば、ITO、SnO2、ZnOなど、厚み、例えば、約70nm)207及びn型電極(厚み、例えば、約200nm)208がこの順に形成されている。なお、ここで、ヘテロ接合領域以外の領域をn領域と呼ぶ。
図16に示す構造のヘテロ接合バックコンタクト型太陽電池の製造において、プラズマCVDは、i型アモルファスシリコン膜201、p型アモルファスシリコン膜203、n型アモルファスシリコン膜206、及び反射防止膜202、例えば、窒化シリコン膜(SiNx)、の製膜に利用される。
前記n型結晶シリコン基板200の受光面側の表面209は凹凸形状になっている。前記凹凸形状を有する表面209に、i型アモルファスシリコン膜(厚み、例えば、約10nm)201と、光反射防止膜(例えば、SiNx、厚み、例えば、約70nm)202がその順に形成されている。前記単結晶シリコン基板200の裏面の所定の領域に、i型アモルファスシリコン膜(厚み、例えば、約15nm)201、p型アモルファスシリコン膜(厚み、例えば、約10nm)203、第1の透明電極(例えば、ITO、SnO2、ZnOなど、厚み、例えば、約70nm)204及びp型電極(厚み、例えば、約200nm)205がこの順に形成されている。なお、ここで、n型結晶シリコン基板200上に堆積されたi型アモルファスシリコン膜201、p型アモルファスシリコン膜203及び第1の透明電極204から成る積層領域をヘテロ接合領域と呼ぶ。
ヘテロ接合領域の隣には、絶縁溝210を隔てて、i型アモルファスシリコン膜(厚み、例えば、約15nm)201が形成され、i型アモルファスシリコン膜201の上にn型アモルファスシリコン膜(厚み、例えば、約20nm)206、第2の透明電極(例えば、ITO、SnO2、ZnOなど、厚み、例えば、約70nm)207及びn型電極(厚み、例えば、約200nm)208がこの順に形成されている。なお、ここで、ヘテロ接合領域以外の領域をn領域と呼ぶ。
図16に示す構造のヘテロ接合バックコンタクト型太陽電池の製造において、プラズマCVDは、i型アモルファスシリコン膜201、p型アモルファスシリコン膜203、n型アモルファスシリコン膜206、及び反射防止膜202、例えば、窒化シリコン膜(SiNx)、の製膜に利用される。
なお、図16に示すn型結晶シリコン基板200の表面及び裏面のi型アモルファスシリコン膜201の膜を、同時に製膜できれば、即ち、両面の同時製膜ができれば、製膜の工程が1工程減ることから、太陽電池の製造時間が短縮され、かつ、プラズマCVD装置が1つ減らせることから、製造コストの低減に貢献できるのであるが、従来技術において、基板200の両面への同時製膜ができない。
神岡武文、立花福久、大下祥雄、結晶シリコン太陽電池におけるパッシベーション技術、J.Plasma Fusion Res.Vol.91,No.5(2015),354−359.
近藤道雄、藤原裕之、斎藤忠、シリコン系太陽電池の高効率化・量産化を担うプラズマ技術の最前線、J.Plasma Fusion Res.Vol.85,No.8(2009),499−508.
(課題1)従来の技術では、高い製膜処理能力(高スループット)で、プラズマダメージ(イオン衝撃)が抑制されたパッシベーション膜を形成することができない、という課題がある。
即ち従来のRFプラズマCVD装置は、大面積の基板への製膜が可能、即ち、製膜処理能力が高いという長所はあるが、電子温度が高く、プラズマ電位が高いというRFプラズマ固有の特徴によりプラズマダメージ(基板表面の損傷)が大きいという短所があるので、高効率のヘテロ接合バックコンタクト型太陽電池の製造には不適である。また、従来のVHFプラズマCVD装置は、電子温度が低く、プラズマ電位が低いというVHFプラズマ固有の特徴によりプラズマダメージ(基板表面の損傷)が小さいという長所があるが、大面積の基板への製膜が困難、即ち、製膜処理能力が低いという短所があるので、高効率のヘテロ接合バックコンタクト型太陽電池の製造には不適である。
(課題2)従来技術では、高スループットのプラズマCVD装置の実現に必要な基板の両面(裏面と表面)への同時製膜ができない。ヘテロ接合バックコンタクト型の太陽電池の製造プロセスで求められるi型アモルファスシリコン膜や窒化シリコン膜(SiNx)等のパッシベーション膜の両面同時製膜というニーズに対応できない、という課題がある。
そこで、本発明は、プラズマダメージ(イオン衝撃)が抑制されたパッシベーション膜を、基板の両面(裏面と表面)への同時製膜が可能で高スループットで製膜することが可能なプラズマCVD装置を提供すること目的とする。
即ち従来のRFプラズマCVD装置は、大面積の基板への製膜が可能、即ち、製膜処理能力が高いという長所はあるが、電子温度が高く、プラズマ電位が高いというRFプラズマ固有の特徴によりプラズマダメージ(基板表面の損傷)が大きいという短所があるので、高効率のヘテロ接合バックコンタクト型太陽電池の製造には不適である。また、従来のVHFプラズマCVD装置は、電子温度が低く、プラズマ電位が低いというVHFプラズマ固有の特徴によりプラズマダメージ(基板表面の損傷)が小さいという長所があるが、大面積の基板への製膜が困難、即ち、製膜処理能力が低いという短所があるので、高効率のヘテロ接合バックコンタクト型太陽電池の製造には不適である。
(課題2)従来技術では、高スループットのプラズマCVD装置の実現に必要な基板の両面(裏面と表面)への同時製膜ができない。ヘテロ接合バックコンタクト型の太陽電池の製造プロセスで求められるi型アモルファスシリコン膜や窒化シリコン膜(SiNx)等のパッシベーション膜の両面同時製膜というニーズに対応できない、という課題がある。
そこで、本発明は、プラズマダメージ(イオン衝撃)が抑制されたパッシベーション膜を、基板の両面(裏面と表面)への同時製膜が可能で高スループットで製膜することが可能なプラズマCVD装置を提供すること目的とする。
上述した課題を解決するための本発明の第1の発明は、排気系を備えた反応容器と、前記反応容器に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記反応容器の中央領域に配置され、被製膜基板が載置される基板保持手段と、前記原料ガスをプラズマ化するプラズマ発生手段を有する第1のプラズマ生成領域と第2のプラズマ生成領域が前記基板保持手段を挟む形で、対向し、かつ、離間して配置されるとともに、
長寿命ラジカルを選択的に通過させる多数の第1の貫通孔を有する第1の接地されたプラズマ遮蔽手段を前記基板保持手段と前記第1のプラズマ生成領域の間に配置し、長寿命ラジカルを選択的に通過させる多数の第2の貫通孔を有する第2の接地されたプラズマ遮蔽手段を前記基板保持手段と前記第2のプラズマ生成領域の間に配置し、前記基板保持手段は、前記被製膜基板と略一致した形状を有する貫通孔を少なくとも1以上有することを特徴とする。
長寿命ラジカルを選択的に通過させる多数の第1の貫通孔を有する第1の接地されたプラズマ遮蔽手段を前記基板保持手段と前記第1のプラズマ生成領域の間に配置し、長寿命ラジカルを選択的に通過させる多数の第2の貫通孔を有する第2の接地されたプラズマ遮蔽手段を前記基板保持手段と前記第2のプラズマ生成領域の間に配置し、前記基板保持手段は、前記被製膜基板と略一致した形状を有する貫通孔を少なくとも1以上有することを特徴とする。
なお、前記第1の接地されたプラズマ遮蔽手段と前記第2の接地されたプラズマ遮蔽手段は接地されているので、プラズマを閉じ込める機能を有する。また、前記第1の接地されたプラズマ遮蔽手段と前記第2の接地されたプラズマ遮蔽手段に備えられる多数の貫通孔は、原料ガスのプラズマ化により生成される製膜に寄与するラジカルが有する特徴、即ち、電気的に中性で、拡散により移動し、長寿命であるという特徴を利用して、そのラジカルを選択的に通過させる孔である。
また、前記基板保持手段に備えられる少なくとも1以上の貫通孔は、該貫通孔を塞ぐように載置される前記被製膜基板の両面をプラズマに曝すための孔である。
また、前記基板保持手段に備えられる少なくとも1以上の貫通孔は、該貫通孔を塞ぐように載置される前記被製膜基板の両面をプラズマに曝すための孔である。
第2の発明は、第1の発明において、前記プラズマ発生手段は、略一平面内に配置されるジグザグ状棒型電極、あるいは、梯子型電極、あるいは、櫛歯型電極、あるいは、U字状棒型電極、あるいはW字状棒型電極等の誘導結合プラズマ型電極を備えていることを特徴とする。
なお、誘導結合アンテナ電極は原料ガスを容易にプラズマ化できるという長所を有する。
なお、誘導結合アンテナ電極は原料ガスを容易にプラズマ化できるという長所を有する。
第3の発明は、第1及び第2の発明において、前記第1の接地されたプラズマ遮蔽手段及び前記第2の接地されたプラズマ遮蔽手段は、メッシュ状金属で構成されることを特徴とする。
第4の発明は、第1及び第2の発明において、前記第1の接地されたプラズマ遮蔽手段及び前記第2の接地されたプラズマ遮蔽手段は、パンチング金属板で構成されることを特徴とする。
第5の発明は、第1及び第2の発明において、前記第1の接地されたプラズマ遮蔽手段及び前記第2の接地されたプラズマ遮蔽手段がそれぞれ有する前記第1及び第2の貫通孔の形状は、略円形あるいは略矩形であることを特徴とする。
第6の発明は、第1から第5の発明のいずれか一つの発明において、前記基板保持手段が有する前記貫通孔の開口の周辺に、前記被製膜基板を保持するための基板保持部が設けられることを特徴とする。
第7の発明は、第1から第6の発明のいずれか一つの発明において、前記第1のプラズマ生成領域及び第2のプラズマ生成領域におけるプラズマ生成の周波数は、VHF帯域の周波数、即ち、30MHz〜300MHzの範囲にあることを特徴とする。
なお、プラズマ生成の周波数が、VHF帯域の周波数、即ち、30MHz〜300MHzの範囲にある場合、プラズマ維持機構がHF帯域(3MHz〜30MHz)での周波数の場合と異なり、プラズマの電位及び電子温度が低いので、製膜する膜質が良質となりやすく、プラズマCVDによる製膜に適している。
第8の発明は、排気系を備えた反応容器と、前記反応容器に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記反応容器の中央領域に配置され、かつ、被製膜基板が載置され、かつ、前記被製膜基板と略一致した形状を有する貫通孔を少なくとも1以上有する基板保持手段と、前記基板保持手段を挟む形で、対向して、離間して配置され、原料ガスをプラズマ化する第1のプラズマ生成領域と第2のプラズマ生成領域を備えたプラズマCVD装置を用いるプラズマCVD法であって、
前記基板保持手段の前記貫通孔の開口部を遮るように表面と裏面を有する基板を載置し、前記基板保持手段と前記第1のプラズマ生成領域の間にプラズマを遮蔽し、長寿命ラジカルを選択的に通過させる多数の第1の貫通孔を有する第1の接地されたプラズマ遮蔽手段を設置し、前記基板保持手段と前記第2のプラズマ生成領域の間にプラズマを遮蔽し、長寿命ラジカルを選択的に通過させる多数の第2の貫通孔を有する第2の接地されたプラズマ遮蔽手段を設置して、前記原料ガス供給手段から供給される原料ガスを前記第1のプラズマ生成領域及び前記第2のプラズマ生成領域でそれぞれにプラズマ化し、前記第1のプラズマ生成領域から前記第1の接地されたプラズマ遮蔽手段の前記第1の貫通孔を選択的に通過してくる長寿命ラジカルで前記基板の表面に薄膜を形成するとともに、前記第2のプラズマ生成領域から前記第2の接地されたプラズマ遮蔽手段の前記第2の貫通孔を選択的に通過してくる長寿命ラジカルで前記基板の裏面に薄膜を形成するようにしたことを特徴とする。
前記基板保持手段の前記貫通孔の開口部を遮るように表面と裏面を有する基板を載置し、前記基板保持手段と前記第1のプラズマ生成領域の間にプラズマを遮蔽し、長寿命ラジカルを選択的に通過させる多数の第1の貫通孔を有する第1の接地されたプラズマ遮蔽手段を設置し、前記基板保持手段と前記第2のプラズマ生成領域の間にプラズマを遮蔽し、長寿命ラジカルを選択的に通過させる多数の第2の貫通孔を有する第2の接地されたプラズマ遮蔽手段を設置して、前記原料ガス供給手段から供給される原料ガスを前記第1のプラズマ生成領域及び前記第2のプラズマ生成領域でそれぞれにプラズマ化し、前記第1のプラズマ生成領域から前記第1の接地されたプラズマ遮蔽手段の前記第1の貫通孔を選択的に通過してくる長寿命ラジカルで前記基板の表面に薄膜を形成するとともに、前記第2のプラズマ生成領域から前記第2の接地されたプラズマ遮蔽手段の前記第2の貫通孔を選択的に通過してくる長寿命ラジカルで前記基板の裏面に薄膜を形成するようにしたことを特徴とする。
本発明により、基板の両面への製膜が可能で、即ち、高い製膜処理能力(高スループット)で、プラズマダメージ(イオン衝撃)が抑制されたパッシベーション膜を、形成することが可能になる。即ち、RFプラズマCVDが有する大面積の基板への製膜が可能で製膜処理能力が高いという長所を保持し、かつ、プラズマダメージ(基板表面の損傷)が大きいという短所を解消することが可能となった。また、従来技術では困難である基板の両面(裏面と表面)への同時製膜が可能となる。
これにより、光電変換効率に優れたヘテロ接合バックコンタクト型の太陽電池のアモルファスシリコン系薄膜をプラズマダメージ(基板表面の損傷)無しで、高スループットで製造が可能であり、光電変換効率に優れたヘテロ接合バックコンタクト型の太陽電池の製造コストの低減化に貢献できるという、効果を奏する。
また、基板の両面(裏面と表面)への同時製膜が可能となったことから、製膜工程の削減及び生産性向上が可能となり、製造コストの低減に貢献できるという、効果を奏する。更に、プラズマCVD装置の設置台数を削減可能となり、装置導入費用の削減に、貢献できる、という効果を奏する。
これにより、光電変換効率に優れたヘテロ接合バックコンタクト型の太陽電池のアモルファスシリコン系薄膜をプラズマダメージ(基板表面の損傷)無しで、高スループットで製造が可能であり、光電変換効率に優れたヘテロ接合バックコンタクト型の太陽電池の製造コストの低減化に貢献できるという、効果を奏する。
また、基板の両面(裏面と表面)への同時製膜が可能となったことから、製膜工程の削減及び生産性向上が可能となり、製造コストの低減に貢献できるという、効果を奏する。更に、プラズマCVD装置の設置台数を削減可能となり、装置導入費用の削減に、貢献できる、という効果を奏する。
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。各図において、同様の部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、適宜変更可能である。また、以下に示す図面は、説明の便宜上、各部材の縮尺が、実際と異なる場合がある。また、各図面間においても、縮尺が、実際と異なる場合がある。
なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、適宜変更可能である。また、以下に示す図面は、説明の便宜上、各部材の縮尺が、実際と異なる場合がある。また、各図面間においても、縮尺が、実際と異なる場合がある。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法について説明する。先ず、プラズマCVD装置の構成について、図1ないし図7を用いて説明する。
なお、ここでは、原料ガスをプラズマ化するプラズマ発生手段として、ジグザグ状棒型アンテナ電極を用いているが、この電極の限定されることなく、例えば、U字型アンテナ電極あるいはW字型アンテナ電極を用いても良い。
図1は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置の構成を示す模式的な構成図である。
図2は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置に用いられるジグザグ状棒型アンテナ電極を用いた第1のプラズマ生成領域のプラズマ生成手段を示す模式図である。
図3は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置に用いられる第1の基板加熱ヒータを示す模式図である。
図4は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置に用いられる第1のプラズマ遮蔽手段を示す模式図である。
図5は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置に用いられる基板保持手段の構造の第1の具体例を示す模式図である。
図6は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置に用いられる基板保持手段の構造の第2の具体例を示す断面図である。
図7は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置を用いる被製膜基板への製膜を説明するためのSiH3ラジカルの拡散による移動を示す模式図である。
図8は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置を用いて製膜された基板の表面の膜(a)と裏面の膜(b)を示す模式図である。
本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法について説明する。先ず、プラズマCVD装置の構成について、図1ないし図7を用いて説明する。
なお、ここでは、原料ガスをプラズマ化するプラズマ発生手段として、ジグザグ状棒型アンテナ電極を用いているが、この電極の限定されることなく、例えば、U字型アンテナ電極あるいはW字型アンテナ電極を用いても良い。
図1は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置の構成を示す模式的な構成図である。
図2は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置に用いられるジグザグ状棒型アンテナ電極を用いた第1のプラズマ生成領域のプラズマ生成手段を示す模式図である。
図3は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置に用いられる第1の基板加熱ヒータを示す模式図である。
図4は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置に用いられる第1のプラズマ遮蔽手段を示す模式図である。
図5は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置に用いられる基板保持手段の構造の第1の具体例を示す模式図である。
図6は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置に用いられる基板保持手段の構造の第2の具体例を示す断面図である。
図7は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置を用いる被製膜基板への製膜を説明するためのSiH3ラジカルの拡散による移動を示す模式図である。
図8は、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置を用いて製膜された基板の表面の膜(a)と裏面の膜(b)を示す模式図である。
符号1は反応容器である。反応容器1は、矩形の箱型で、気密性を有し、図示しない真空ポンプ9で、第1の排気孔4a、第2の排気孔4b、第3の排気孔4c及び第4の排気孔4dを介して排気することにより、真空到達度は2.66〜3.99x10−5Pa(2〜3x10−7Torr)程度になる。また、反応容器1の内壁は不純物の付着が無く、プラズマCVDに適用可能な仕様を満たしている。
符号62aは、第1の原料ガス供給手段である。第1の原料ガス供給手段62aは、前面と後面を有する箱型であり、前記後面で反応容器1の壁に固定されている。また、前記後面に第1の原料ガス供給源30aに連結された第1の原料ガス供給管5aが配置され、前記前面に第1の原料ガス噴出孔6aが配置されている。
符号62bは、第2の原料ガス供給手段である。第2の原料ガス供給手段62bは、前面と後面を有する箱型であり、前記後面で反応容器1の壁に固定されている。また、前記後面に第2の原料ガス供給源30bに連結された第2の原料ガス供給管5bが配置され、前記前面に第2の原料ガス噴出孔6bが配置されている。
なお、第1の原料ガス供給手段62aと第2の原料ガス供給手段62bは対向し、離間して配置される。また、第1の原料ガス供給手段62aと第2の原料ガス供給手段62bは平行に配置される。
符号62bは、第2の原料ガス供給手段である。第2の原料ガス供給手段62bは、前面と後面を有する箱型であり、前記後面で反応容器1の壁に固定されている。また、前記後面に第2の原料ガス供給源30bに連結された第2の原料ガス供給管5bが配置され、前記前面に第2の原料ガス噴出孔6bが配置されている。
なお、第1の原料ガス供給手段62aと第2の原料ガス供給手段62bは対向し、離間して配置される。また、第1の原料ガス供給手段62aと第2の原料ガス供給手段62bは平行に配置される。
符号2aは第1のジグザグ状棒型アンテナ電極である。第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aは、図2に示すように、直径4mm〜12mm程度の金属棒を一平面内でジグザグ状の形になるように成型したものである。ここでは、例えば、直径5mmのSUS材を用いる。第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aの外形サイズ(平面に投射した際の最大の外形サイズ)は、プラズマ励起周波数に主として依存するが、ここでは、プラズマ励起周波数を60MHz以下として、例えば、60cmx60cm、とする。
第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aは、第1の原料ガス供給手段62aの前面に、絶縁材で作製された第1の固定手段16aにより固定される。
符号10aは第1の高周波電源である。第1の高周波電源10aは、周波数13.56MHzの正弦波電力を出力0.1KW〜5KWの範囲で出力できる。第1の高周波電源10aは、2倍波(27.12MHz)、3倍波(40.68MHz)及び60MHzの周波数に変更可能であり、例えば、周波数40.68MHzを選定できる。なお、周波数13.56MHzに加えて、2倍波(27.12MHz)、3倍波(40.68MHz)及び60MHzの周波数を備えた高周波電源は、市販されている装置であり、容易に入手できるので、経済的メリットが大きい。
第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aは、第1の原料ガス供給手段62aの前面に、絶縁材で作製された第1の固定手段16aにより固定される。
符号10aは第1の高周波電源である。第1の高周波電源10aは、周波数13.56MHzの正弦波電力を出力0.1KW〜5KWの範囲で出力できる。第1の高周波電源10aは、2倍波(27.12MHz)、3倍波(40.68MHz)及び60MHzの周波数に変更可能であり、例えば、周波数40.68MHzを選定できる。なお、周波数13.56MHzに加えて、2倍波(27.12MHz)、3倍波(40.68MHz)及び60MHzの周波数を備えた高周波電源は、市販されている装置であり、容易に入手できるので、経済的メリットが大きい。
符号11aは第1のインピーダンス整合器である。第1のインピーダンス整合器11aは、第1の高周波電源10aの出力を、第1の同軸ケーブル13a、第1の真空用同軸型電流導入端子14a、第1の導電体15aを介して、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aに供給する際に、進行波に対してその反射波が1〜2%以下になるように調整する。なお、第1のインピーダンス整合器11aに付属の図示しない調整器で自動的に調整することができる。
第1の導電体15aは、第1の真空用同軸型電流導入端子14aの中心導体と第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aを接続する。
第1の導電体15aは、第1の真空用同軸型電流導入端子14aの中心導体と第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aを接続する。
第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aに、第1の高周波電源10aの出力が、第1のインピーダンス整合器11a、第1の同軸ケーブル13a、第1の真空用同軸型電流導入端子14a、及び第1の導電体15aを介して供給されると、前記電極2aの近傍にほぼ均一な強さのプラズマが発生する。
符号2bは第2のジグザグ状棒型アンテナ電極である。第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bは、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aと同じように、直径4mm〜12mm程度の金属棒を一平面内でジグザグ状の形になるように成型したものである。ここでは、例えば、直径5mmのSUS材を用いる。第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの外形サイズ(平面に投射した際の最大の外形サイズ)は、プラズマ励起周波数に主として依存するが、ここでは、プラズマ励起周波数を60MHz以下として、例えば、60cmx60cm、とする。
第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bは、第2の原料ガス供給手段62bの前面に、絶縁材で作製された第2の固定手段16bにより固定される。
符号10bは第2の高周波電源である。第2の高周波電源10bは、周波数13.56MHzの正弦波電力を出力0.1KW〜5KWの範囲で出力できる。第1の高周波電源10aは、2倍波(27.12MHz)、3倍波(40.68MHz)及び60MHzの周波数に変更可能であり、例えば、周波数40.68MHzを選定できる。なお、周波数13.56MHzに加えて、2倍波(27.12MHz)、3倍波(40.68MHz)及び60MHzの周波数を備えた高周波電源は、低価格で市販されているので、容易に入手できるので、経済的メリットが大きい。
第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bは、第2の原料ガス供給手段62bの前面に、絶縁材で作製された第2の固定手段16bにより固定される。
符号10bは第2の高周波電源である。第2の高周波電源10bは、周波数13.56MHzの正弦波電力を出力0.1KW〜5KWの範囲で出力できる。第1の高周波電源10aは、2倍波(27.12MHz)、3倍波(40.68MHz)及び60MHzの周波数に変更可能であり、例えば、周波数40.68MHzを選定できる。なお、周波数13.56MHzに加えて、2倍波(27.12MHz)、3倍波(40.68MHz)及び60MHzの周波数を備えた高周波電源は、低価格で市販されているので、容易に入手できるので、経済的メリットが大きい。
符号11bは第2のインピーダンス整合器である。第2のインピーダンス整合器11bは、第2の高周波電源10bの出力を、第2の同軸ケーブル13b、第2の真空用同軸型電流導入端子14c、第2の導電体15bを介して、第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bに供給する際に、進行波に対してその反射波が1〜2%以下になるように調整する。なお、第2のインピーダンス整合器11bに付属の図示しない調整器で自動的に調整することができる。
第2の導電体15bは、第2の真空用同軸型電流導入端子14cの中心導体と第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bを接続する。
第2の導電体15bは、第2の真空用同軸型電流導入端子14cの中心導体と第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bを接続する。
第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bに、第2の高周波電源10bの出力が、第2のインピーダンス整合器11b、第2の同軸ケーブル13b、第2の真空用同軸型電流導入端子14c、及び第2の導電体15bを介して供給されると、前記電極2bの近傍にほぼ均一な強さのプラズマが発生する。
ここで、反応容器1内部に配置される主要部材の位置関係を説明する。第1の原料ガス供給手段62aと、第2の原料ガス供給手段62bと、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bは、略平行に配置される。
第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aと第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bは、対向し、離間して配置される。
第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aと第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの中間に、略平行に、後述の基板保持手段8が配置される。
第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aと第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bは、対向し、離間して配置される。
第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aと第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの中間に、略平行に、後述の基板保持手段8が配置される。
符号4a、4bは、第1及び第2の排気孔である。第1及び第2の排気孔4a、4bは図示しない真空ポンプ9及び図示しない第1の圧力計18aと連携して、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a近傍の圧力を所定の値に保持するように、排気する。なお、ここでは、原料ガスの流量が100sccm〜2,500sccm程度であれば、圧力1.33Pa〜1,300Pa(0.01Torr〜10Torr)程度の範囲で任意の圧力を制御可能である。
符号5aは第1の原料ガス供給管である。第1の原料ガス供給管5aは、図示しない第1の原料ガス供給源30aと原料ガス噴出孔6aを連結する。
符号6aは第1の原料ガス噴出孔である。第1の原料ガス噴出孔6aは、多数配置され、図示しない第1の原料ガス供給源30aから供給される原料ガスを第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aの間に噴出する。
符号5aは第1の原料ガス供給管である。第1の原料ガス供給管5aは、図示しない第1の原料ガス供給源30aと原料ガス噴出孔6aを連結する。
符号6aは第1の原料ガス噴出孔である。第1の原料ガス噴出孔6aは、多数配置され、図示しない第1の原料ガス供給源30aから供給される原料ガスを第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aの間に噴出する。
符号4c、4dは、第3及び第4の排気孔である。第3及び第4の排気孔4c、4dは図示しない真空ポンプ9及び図示しない第2の圧力計18bと連携して、第2のジグザグ状棒型アンテナ電極接地電極2b近傍の圧力を所定の値に保持するように、排気する。なお、ここでは、原料ガスの流量が100sccm〜2,500sccm程度であれば、圧力1.33Pa〜1,300Pa(0.01Torr〜10Torr)程度の範囲で任意の圧力を制御可能である。
符号5bは第2の原料ガス供給管である。第2の原料ガス供給管5bは、図示しない第2の原料ガス供給源30bと原料ガス噴出孔6bを連結する。
符号6bは第2の原料ガス噴出孔である。第2の原料ガス噴出孔6bは、多数配置され、図示しない第2の原料ガス供給源30bから供給される原料ガスを第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの間に噴出する。
符号5bは第2の原料ガス供給管である。第2の原料ガス供給管5bは、図示しない第2の原料ガス供給源30bと原料ガス噴出孔6bを連結する。
符号6bは第2の原料ガス噴出孔である。第2の原料ガス噴出孔6bは、多数配置され、図示しない第2の原料ガス供給源30bから供給される原料ガスを第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの間に噴出する。
符号30aは、図示しない第1の原料ガス供給源である。第1の原料ガス供給源30aは、プラズマCVDに必要なガスを必要な流量で供給できる。ここでは、SiH4、H2、NH3、N2を、それぞれ、100sccm〜2,500sccmの範囲で、任意に供給できる。
符号30bは、図示しない第2の原料ガス供給源である。第2の原料ガス供給源30bは、プラズマCVDに必要なガスを必要な流量で供給できる。ここでは、SiH4、H2、NH3、N2を、それぞれ、100sccm〜2,500sccmの範囲で、任意に供給できる。
符号30bは、図示しない第2の原料ガス供給源である。第2の原料ガス供給源30bは、プラズマCVDに必要なガスを必要な流量で供給できる。ここでは、SiH4、H2、NH3、N2を、それぞれ、100sccm〜2,500sccmの範囲で、任意に供給できる。
図3に示す符号19aは、第1の基板加熱ヒータである。第1の基板加熱ヒータ19aは、絶縁材で作製された第1の基板加熱ヒータの支持枠51aと、支持枠51aに張られた第1の発熱線材50aと、真空用電流導入端子52a、53aと、加熱用電源54aで構成される。前記第1の発熱線材50aは、加熱用電源54aから電力を供給されて発熱する。
なお、第1の発熱線材50aはニクロム線やタングステン線等から選定する。ここでは、ニクロム線を用いる。また、加熱用電源54aの出力と、第1の発熱線材50aの温度と、後述の被製膜基板22の温度の関係は、予め、把握し、そのデータを基に、所要の温度に設定する。第1の発熱線材50aは接地されている。
なお、第1の発熱線材50aはニクロム線やタングステン線等から選定する。ここでは、ニクロム線を用いる。また、加熱用電源54aの出力と、第1の発熱線材50aの温度と、後述の被製膜基板22の温度の関係は、予め、把握し、そのデータを基に、所要の温度に設定する。第1の発熱線材50aは接地されている。
符号19bは第2の基板加熱ヒータである。第2の基板加熱ヒータ19bは、第1の基板加熱ヒータ19aと同様に、絶縁材で作製された第2の基板加熱ヒータの支持枠51bと、支持枠51bに張られた第2の発熱線材50bと、真空用電流導入端子52b、53bと、加熱用電源54bで構成される。前記第2の発熱線材50bは、加熱用電源54bから電力を供給されて発熱する。
なお、第2の発熱線材50bはニクロム線やタングステン線等から選定する。ここでは、ニクロム線を用いる。また、加熱用電源54bの出力と、第2の発熱線材50bの温度と、後述の被製膜基板22の温度の関係は、予め、把握し、そのデータを基に、所要の温度に設定する。第2の発熱線材50bは接地されている。
なお、第2の発熱線材50bはニクロム線やタングステン線等から選定する。ここでは、ニクロム線を用いる。また、加熱用電源54bの出力と、第2の発熱線材50bの温度と、後述の被製膜基板22の温度の関係は、予め、把握し、そのデータを基に、所要の温度に設定する。第2の発熱線材50bは接地されている。
符号61a、61bは、第1及び第2の仕切り壁である。第1及び第2の仕切り壁61a、61bは、反応容器1の空隙を埋めて、気流を遮断する。
符号61c、61dは、第3及び第4の仕切り壁である。第3及び第4の仕切り壁61c、61dは、反応容器1の空隙を埋めて、気流を遮断する。
符号61c、61dは、第3及び第4の仕切り壁である。第3及び第4の仕切り壁61c、61dは、反応容器1の空隙を埋めて、気流を遮断する。
符号3aは第1のプラズマ遮蔽手段である。第1のプラズマ遮蔽手段3aは、図4に示すように、メッシュ状金属で作製され、第1の基板加熱ヒータの支持枠51aに固定されている。なお、第1のプラズマ遮蔽手段3aは多数の貫通孔78aを備えている。また、第1のプラズマ遮蔽手段3aは接地されている。
即ち、前記第1のプラズマ遮蔽手段は接地されていて、プラズマを閉じ込める機能を有する。また、前記第1のプラズマ遮蔽手段に備えられる多数の貫通孔は、原料ガスのプラズマ化により生成される製膜に寄与する電気的に中性で、長寿命のラジカルを通過させる孔である。
第1のプラズマ遮蔽手段3aと第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aとの間隔は5mm〜50mm程度である。ここでは、15mmとする。
前記メッシュ状金属の仕様は、線径0.5mm〜2mm程度、間隔1mm〜5mm程度、開口率(空間率)30%〜70%程度から選定する。ここでは、例えば、線径0.8mm、間隔1.74mm、開口率(空間率)46.9%のSUS材のメッシュを用いる。
前記メッシュ状金属の仕様の選定において、開口率(空間率)が30%程度以下になると、後述のSiH3ラジカルの通過が抑制されるので、製膜速度が低下する。また、開口率(空間率)が70%程度以上になると、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aで生成されるプラズマが漏洩し、被製膜基板へのイオンダメージが起こり易くなり、膜質が低下する。
なお、第1のプラズマ遮蔽手段3aの固定には、第1及び第2の仕切り壁61a、61bを活用しても良い。
第1のプラズマ遮蔽手段3aは、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aに平行に配置される。第1のプラズマ遮蔽手段3aと第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aの間隔は5mm〜50mm程度である。ここでは、15mmとする。
なお、第1のプラズマ遮蔽手段3aと第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aの間隔が狭すぎると、第1のプラズマ遮蔽手段3aへの膜付着が増大し、第1のプラズマ遮蔽手段3aの貫通孔が閉塞するので、拡散現象により移動するSiH3ラジカルが通過できなくなる。第1のプラズマ遮蔽手段3aと第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aの間隔が広くなり過ぎると、拡散現象により移動するSiH3ラジカルの量が減少し、基板への製膜の速度が減少する。
即ち、前記第1のプラズマ遮蔽手段は接地されていて、プラズマを閉じ込める機能を有する。また、前記第1のプラズマ遮蔽手段に備えられる多数の貫通孔は、原料ガスのプラズマ化により生成される製膜に寄与する電気的に中性で、長寿命のラジカルを通過させる孔である。
第1のプラズマ遮蔽手段3aと第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aとの間隔は5mm〜50mm程度である。ここでは、15mmとする。
前記メッシュ状金属の仕様は、線径0.5mm〜2mm程度、間隔1mm〜5mm程度、開口率(空間率)30%〜70%程度から選定する。ここでは、例えば、線径0.8mm、間隔1.74mm、開口率(空間率)46.9%のSUS材のメッシュを用いる。
前記メッシュ状金属の仕様の選定において、開口率(空間率)が30%程度以下になると、後述のSiH3ラジカルの通過が抑制されるので、製膜速度が低下する。また、開口率(空間率)が70%程度以上になると、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aで生成されるプラズマが漏洩し、被製膜基板へのイオンダメージが起こり易くなり、膜質が低下する。
なお、第1のプラズマ遮蔽手段3aの固定には、第1及び第2の仕切り壁61a、61bを活用しても良い。
第1のプラズマ遮蔽手段3aは、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aに平行に配置される。第1のプラズマ遮蔽手段3aと第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aの間隔は5mm〜50mm程度である。ここでは、15mmとする。
なお、第1のプラズマ遮蔽手段3aと第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aの間隔が狭すぎると、第1のプラズマ遮蔽手段3aへの膜付着が増大し、第1のプラズマ遮蔽手段3aの貫通孔が閉塞するので、拡散現象により移動するSiH3ラジカルが通過できなくなる。第1のプラズマ遮蔽手段3aと第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aの間隔が広くなり過ぎると、拡散現象により移動するSiH3ラジカルの量が減少し、基板への製膜の速度が減少する。
符号3bは第2のプラズマ遮蔽手段である。第2のプラズマ遮蔽手段3bは、第2のプラズマ遮蔽手段3aと同様に、メッシュ状金属で作製され、第2の基板加熱ヒータの支持枠51bに固定されている。なお、第2のプラズマ遮蔽手段3bは多数の貫通孔78bを備えている。また、第2のプラズマ遮蔽手段3bは接地されている。
即ち、前記第2のプラズマ遮蔽手段は接地されていて、プラズマを閉じ込める機能を有する。また、前記第2のプラズマ遮蔽手段に備えられる多数の貫通孔は、原料ガスのプラズマ化により生成される製膜に寄与する電気的に中性で、長寿命のラジカルを通過させる孔である。
第2のプラズマ遮蔽手段3bと第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bとの間隔は5mm〜50mm程度である。ここでは、15mmとする。
前記メッシュ状金属の仕様は、線径0.5mm〜2mm程度、間隔1mm〜5mm程度、開口率(空間率)30%〜70%程度から選定する。ここでは、例えば、線径0.8mm、間隔1.74mm、開口率(空間率)46.9%のSUS材のメッシュを用いる。
前記メッシュ状金属の仕様の選定において、開口率(空間率)が30%程度以下になると、後述のSiH3ラジカルの通過が抑制されるので、製膜速度が低下する。また、開口率(空間率)が70%程度以上になると、第1の一対の電極間で生成されるプラズマが漏洩し、被製膜基板へのイオンダメージが起こり易くなり、膜質が低下する。
なお、第2のプラズマ遮蔽手段3bの固定には、第3及び第4の仕切り壁61c、61dを活用しても良い。
第2のプラズマ遮蔽手段3bは、第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bに平行に配置される。第2のプラズマ遮蔽手段3bと第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの間隔は5mm〜50mm程度である。ここでは、15mmとする。
なお、第2のプラズマ遮蔽手段3bと第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの間隔が狭すぎると、第2のプラズマ遮蔽手段3bへの膜付着が増大し、第2のプラズマ遮蔽手段3bの貫通孔が閉塞するので、拡散現象により移動するSiH3ラジカルが通過できなくなる。第2のプラズマ遮蔽手段3bと第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの間隔が広くなり過ぎると、拡散現象により移動するSiH3ラジカルの量が減少し、基板への製膜の速度が減少する。
即ち、前記第2のプラズマ遮蔽手段は接地されていて、プラズマを閉じ込める機能を有する。また、前記第2のプラズマ遮蔽手段に備えられる多数の貫通孔は、原料ガスのプラズマ化により生成される製膜に寄与する電気的に中性で、長寿命のラジカルを通過させる孔である。
第2のプラズマ遮蔽手段3bと第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bとの間隔は5mm〜50mm程度である。ここでは、15mmとする。
前記メッシュ状金属の仕様は、線径0.5mm〜2mm程度、間隔1mm〜5mm程度、開口率(空間率)30%〜70%程度から選定する。ここでは、例えば、線径0.8mm、間隔1.74mm、開口率(空間率)46.9%のSUS材のメッシュを用いる。
前記メッシュ状金属の仕様の選定において、開口率(空間率)が30%程度以下になると、後述のSiH3ラジカルの通過が抑制されるので、製膜速度が低下する。また、開口率(空間率)が70%程度以上になると、第1の一対の電極間で生成されるプラズマが漏洩し、被製膜基板へのイオンダメージが起こり易くなり、膜質が低下する。
なお、第2のプラズマ遮蔽手段3bの固定には、第3及び第4の仕切り壁61c、61dを活用しても良い。
第2のプラズマ遮蔽手段3bは、第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bに平行に配置される。第2のプラズマ遮蔽手段3bと第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの間隔は5mm〜50mm程度である。ここでは、15mmとする。
なお、第2のプラズマ遮蔽手段3bと第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの間隔が狭すぎると、第2のプラズマ遮蔽手段3bへの膜付着が増大し、第2のプラズマ遮蔽手段3bの貫通孔が閉塞するので、拡散現象により移動するSiH3ラジカルが通過できなくなる。第2のプラズマ遮蔽手段3bと第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの間隔が広くなり過ぎると、拡散現象により移動するSiH3ラジカルの量が減少し、基板への製膜の速度が減少する。
符号8は基板保持手段である。基板保持手段8には、被製膜基板22が載置される。前記基板保持手段8には少なくとも1以上の貫通孔が設置される。そして、被製膜基板22は該貫通孔を塞ぐように載置され、前記被製膜基板22の両面がプラズマに曝される。
基板保持手段8の構造は、例えば、図5に示すように、被製膜基板22と略一致した形状の貫通孔26を有し、その開口の周辺にコーナー部座繰り27が設けられる。なお、コーナー部座繰り27は、被製膜基板22の設定に便利であるが、設けなくても良い。また、前記貫通孔26の形状は、プラズマに曝さないように遮蔽マスクを設ける際に、前記遮蔽マスクの設定に都合の良い形状にしても良い。また、前記貫通孔26は、被製膜基板を数多く処理するために、多数、設けるのが良い。
また、基板保持手段の構造を、例えば、図6に示す基板保持手段8aのようにしても良い。基板保持手段8aは、貫通孔26の形状を長方形とし、その短辺を被製膜基板22の一方の辺の長さと略一致させ、その長辺を前記被製膜基板22の他方の辺の長さの複数倍に略一致させたもの、である。なお、前記長辺に座繰り27aを設けてもよい。
符号7は、基板保持手段8、8aを保持する基板棚である。基板棚7は、反応容器1の内壁に固定され、基板保持手段8、8aを保持する。
基板保持手段8の構造は、例えば、図5に示すように、被製膜基板22と略一致した形状の貫通孔26を有し、その開口の周辺にコーナー部座繰り27が設けられる。なお、コーナー部座繰り27は、被製膜基板22の設定に便利であるが、設けなくても良い。また、前記貫通孔26の形状は、プラズマに曝さないように遮蔽マスクを設ける際に、前記遮蔽マスクの設定に都合の良い形状にしても良い。また、前記貫通孔26は、被製膜基板を数多く処理するために、多数、設けるのが良い。
また、基板保持手段の構造を、例えば、図6に示す基板保持手段8aのようにしても良い。基板保持手段8aは、貫通孔26の形状を長方形とし、その短辺を被製膜基板22の一方の辺の長さと略一致させ、その長辺を前記被製膜基板22の他方の辺の長さの複数倍に略一致させたもの、である。なお、前記長辺に座繰り27aを設けてもよい。
符号7は、基板保持手段8、8aを保持する基板棚である。基板棚7は、反応容器1の内壁に固定され、基板保持手段8、8aを保持する。
基板棚7は、基板保持手段8、8aに載置された被製膜基板22が、第1のプラズマ遮蔽手段3aと第2のプラズマ遮蔽手段3bの略中間に位置するように、配置される。
被製膜基板22の製膜面と、前記第1のプラズマ遮蔽手段3a及び前記第2のプラズマ遮蔽手段3bとの距離は、5mm〜50mm程度である。ここでは、15mmとする。
なお、被製膜基板22の製膜面と、前記第1のプラズマ遮蔽手段3a及び前記第2のプラズマ遮蔽手段3bとの距離は、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bにより発生するプラズマで生成されるSiH3ラジカルの拡散による移動距離に直接関係するので、重要な要素である。
被製膜基板22の製膜面と、前記第1のプラズマ遮蔽手段3a及び前記第2のプラズマ遮蔽手段3bとの距離は、5mm〜50mm程度である。ここでは、15mmとする。
なお、被製膜基板22の製膜面と、前記第1のプラズマ遮蔽手段3a及び前記第2のプラズマ遮蔽手段3bとの距離は、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bにより発生するプラズマで生成されるSiH3ラジカルの拡散による移動距離に直接関係するので、重要な要素である。
ここで、第1のプラズマ遮蔽手段3aと、基板保持手段8と、第2のプラズマ遮蔽手段3bの位置関係を、説明する。
図7に示すように、第1のプラズマ遮蔽手段3aと第2のプラズマ遮蔽手段3bは、それぞれ多数の貫通孔を有し、対向し、かつ、離間して配置されている。基板保持手段8は、被製膜基板22と略一致した形状を有する貫通孔を少なくとも1以上有するとともに、第1のプラズマ遮蔽手段3aと第2のプラズマ遮蔽手段3bの略中間に配置される。
図7に示すように、第1のプラズマ遮蔽手段3aと第2のプラズマ遮蔽手段3bは、それぞれ多数の貫通孔を有し、対向し、かつ、離間して配置されている。基板保持手段8は、被製膜基板22と略一致した形状を有する貫通孔を少なくとも1以上有するとともに、第1のプラズマ遮蔽手段3aと第2のプラズマ遮蔽手段3bの略中間に配置される。
なお、反応容器1内部に配置される主要部材の位置関係は次の通りである。即ち、図7に示すように、反応容器1の対向した2つの壁の一方に第1の原料ガス供給手段62aが固定され、前記第1の原料ガス供給手段62aの隣に略平行して、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aが配置され、前記第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aの隣に略平行して、第1のプラズマ遮蔽手段3aが配置される。
また、反応容器1の対向した2つの壁の他方に第2の原料ガス供給手段62bが固定され、前記第2の原料ガス供給手段62bの隣に略平行して、第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bが配置され、前記第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの隣に略平行して、第2のプラズマ遮蔽手段3bが配置される。
そして、第1のプラズマ遮蔽手段3aと第2のプラズマ遮蔽手段3bの中間に、基板保持手段8が配置される。
また、反応容器1の対向した2つの壁の他方に第2の原料ガス供給手段62bが固定され、前記第2の原料ガス供給手段62bの隣に略平行して、第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bが配置され、前記第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの隣に略平行して、第2のプラズマ遮蔽手段3bが配置される。
そして、第1のプラズマ遮蔽手段3aと第2のプラズマ遮蔽手段3bの中間に、基板保持手段8が配置される。
図7において、シランガスを含む原料ガスが第1の原料ガス噴出孔6aから噴出し、 第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aに、第1の高周波電源10aの出力が、第1のインピーダンス整合器11a、第1の同軸ケーブル13a、第1の真空用同軸型電流導入端子14a、及び第1の導電体15aを介して供給されると、前記電極2aの近傍にほぼ均一な強さのプラズマが発生する。
プラズマが発生すると、原料ガスのSiH4は、SiH3、SiH2、SiH、Si、H等のラジカルに分解される。なお、SiH2、SiHは、短寿命で、化学的反応性が高いことから、基板上の製膜に寄与するのではなく、プラズマ気相中で、SiH4及び種々の活性種と反応し、高次シランと呼ばれる有害な物質(パウダー、微粒子、あるいはダストと呼ばれる)を生成する。また、SiH3は、長寿命であり、発生量が多く(濃度が高く)、電気的に中性であり、良質のアモルファスシリコンの製膜に寄与する。
プラズマ分解されて生成した原料ガスの分解種の中で反応性の高い短寿命のSiH2、SiHは、プラズマ化されていないSiH4などと反応し、Si2H6、Si3H8、Si4H8等の高次シラン(パウダー、微粒子、あるいはダストと呼ばれる)となり、図7に示すように、排気ガス流77a、77bに乗って、反応室1の外に排出される。
SiH3は、長寿命であり、発生量が多く(濃度が高く)、電気的に中性であり、拡散現象により移動する。
即ち、SiH3は、図7に符合55aで示しているように、SiH3濃度の勾配に比例した力で、移動し、基板表面に到達する。SiH3は、原料ガスの排気流に乗って、反応室1の外に排出されることはなく、第1のプラズマ遮蔽手段3aの貫通孔78aと第1の発熱線材50aの間を通り、選択的に輸送されて、基板22の表面に到達する。その結果、基板22の表面にSiH3を前駆体とする高品質のアモルファスシリコンを形成する。
プラズマが発生すると、原料ガスのSiH4は、SiH3、SiH2、SiH、Si、H等のラジカルに分解される。なお、SiH2、SiHは、短寿命で、化学的反応性が高いことから、基板上の製膜に寄与するのではなく、プラズマ気相中で、SiH4及び種々の活性種と反応し、高次シランと呼ばれる有害な物質(パウダー、微粒子、あるいはダストと呼ばれる)を生成する。また、SiH3は、長寿命であり、発生量が多く(濃度が高く)、電気的に中性であり、良質のアモルファスシリコンの製膜に寄与する。
プラズマ分解されて生成した原料ガスの分解種の中で反応性の高い短寿命のSiH2、SiHは、プラズマ化されていないSiH4などと反応し、Si2H6、Si3H8、Si4H8等の高次シラン(パウダー、微粒子、あるいはダストと呼ばれる)となり、図7に示すように、排気ガス流77a、77bに乗って、反応室1の外に排出される。
SiH3は、長寿命であり、発生量が多く(濃度が高く)、電気的に中性であり、拡散現象により移動する。
即ち、SiH3は、図7に符合55aで示しているように、SiH3濃度の勾配に比例した力で、移動し、基板表面に到達する。SiH3は、原料ガスの排気流に乗って、反応室1の外に排出されることはなく、第1のプラズマ遮蔽手段3aの貫通孔78aと第1の発熱線材50aの間を通り、選択的に輸送されて、基板22の表面に到達する。その結果、基板22の表面にSiH3を前駆体とする高品質のアモルファスシリコンを形成する。
また、図7において、シランガスを含む原料ガスが第2の原料ガス噴出孔6bから噴出し、 第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bに、第2の高周波電源10bの出力が、第2のインピーダンス整合器11b、第2の同軸ケーブル13b、第2の真空用同軸型電流導入端子14b、及び第2の導電体15bを介して供給されると、前記電極2bの近傍にほぼ均一な強さのプラズマが発生する。
プラズマが発生すると、原料ガスのSiH4は、SiH3、SiH2、SiH、Si、H等のラジカルに分解される。なお、SiH2、SiHは、短寿命で、化学的反応性が高いことから、基板上の製膜に寄与するのではなく、プラズマ気相中で、SiH4及び種々の活性種と反応し、高次シランと呼ばれる有害な物質(パウダー、微粒子、あるいはダストと呼ばれる)を生成する。また、SiH3は、長寿命であり、発生量が多く(濃度が高く)、電気的に中性であり、良質のアモルファスシリコンの製膜に寄与する。
プラズマ分解されて生成した原料ガスの分解種の中で反応性の高い短寿命のSiH2、SiHは、プラズマ化されていないSiH4などと反応し、Si2H6、Si3H8、Si4H8等の高次シラン(パウダー、微粒子、あるいはダストと呼ばれる)となり、図7に示すように、排気ガス流77c、77dに乗って、反応室1の外に排出される。
SiH3は、長寿命であり、発生量が多く(濃度が高く)、電気的に中性であり、拡散現象により移動する。
即ち、SiH3は、図7に符合55bで示しているように、SiH3濃度の勾配に比例した力で、移動し、基板表面に到達する。SiH3は、原料ガスの排気流に乗って、反応室1の外に排出されることはなく、第2のプラズマ遮蔽手段3bの貫通孔78bと第2の発熱線材50bの間を通り、選択的に輸送されて、基板22の表面に到達する。その結果、基板22の表面にSiH3を前駆体とする高品質のアモルファスシリコンを形成する。
プラズマが発生すると、原料ガスのSiH4は、SiH3、SiH2、SiH、Si、H等のラジカルに分解される。なお、SiH2、SiHは、短寿命で、化学的反応性が高いことから、基板上の製膜に寄与するのではなく、プラズマ気相中で、SiH4及び種々の活性種と反応し、高次シランと呼ばれる有害な物質(パウダー、微粒子、あるいはダストと呼ばれる)を生成する。また、SiH3は、長寿命であり、発生量が多く(濃度が高く)、電気的に中性であり、良質のアモルファスシリコンの製膜に寄与する。
プラズマ分解されて生成した原料ガスの分解種の中で反応性の高い短寿命のSiH2、SiHは、プラズマ化されていないSiH4などと反応し、Si2H6、Si3H8、Si4H8等の高次シラン(パウダー、微粒子、あるいはダストと呼ばれる)となり、図7に示すように、排気ガス流77c、77dに乗って、反応室1の外に排出される。
SiH3は、長寿命であり、発生量が多く(濃度が高く)、電気的に中性であり、拡散現象により移動する。
即ち、SiH3は、図7に符合55bで示しているように、SiH3濃度の勾配に比例した力で、移動し、基板表面に到達する。SiH3は、原料ガスの排気流に乗って、反応室1の外に排出されることはなく、第2のプラズマ遮蔽手段3bの貫通孔78bと第2の発熱線材50bの間を通り、選択的に輸送されて、基板22の表面に到達する。その結果、基板22の表面にSiH3を前駆体とする高品質のアモルファスシリコンを形成する。
被製膜基板22を反応容器1の中に搬入、あるいは搬出する際には、図示しない基板搬入搬出扉を開閉して行う。
基板の温度は、前記第1及び第2の基板加熱ヒータ19a、19bで調整される。
製膜が終了して、反応容器1から基板を搬出する際には、反応容器1の外壁に付属している図示しないリーク弁を開にして、反応容器1内の圧力を大気圧に戻す。そして、図示しない基板搬入搬出扉を開閉して行う。
基板の温度は、前記第1及び第2の基板加熱ヒータ19a、19bで調整される。
製膜が終了して、反応容器1から基板を搬出する際には、反応容器1の外壁に付属している図示しないリーク弁を開にして、反応容器1内の圧力を大気圧に戻す。そして、図示しない基板搬入搬出扉を開閉して行う。
次に、図1に示したプラズマCVD装置を用いて、結晶系太陽電池のパッシベーション膜であるi型アモルファスシリコン膜を例に取り、その製膜方法について説明する。図2ないし図7も参照する。
なお、反射防止膜、例えば、窒化シリコン(SiNx)膜を形成する場合は、原料ガスの流量比をSiH4/NH3/N2=1/3/10程度を選ぶのが良い。この場合の前駆体はSiH2(NH2)である。
また、p型のアモルファスシリコン膜を形成する場合は、原料ガスSiH4に、流量比で0.5%〜1%のジボラン(B2H6)を混入させる、と良い。
また、n型のアモルファスシリコン膜を形成する場合は、原料ガスSiH4に、流量比で0.5%〜1%のホスフイン(PH3)を混入させる、と良い。
なお、反射防止膜、例えば、窒化シリコン(SiNx)膜を形成する場合は、原料ガスの流量比をSiH4/NH3/N2=1/3/10程度を選ぶのが良い。この場合の前駆体はSiH2(NH2)である。
また、p型のアモルファスシリコン膜を形成する場合は、原料ガスSiH4に、流量比で0.5%〜1%のジボラン(B2H6)を混入させる、と良い。
また、n型のアモルファスシリコン膜を形成する場合は、原料ガスSiH4に、流量比で0.5%〜1%のホスフイン(PH3)を混入させる、と良い。
以下に示すi型アモルファスシリコン膜の製膜方法において、その製膜条件は、特別の条件は必要でなく、公知の製膜条件が用いられる。
また、予め、前記高周波電源の出力、前記第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bのサイズ等の電力供給手段の条件と、前記原料ガスの条件と、i型アモルファスシリコン膜の製膜速度、膜質、膜厚分布との関係を把握して、そのデータから最適な条件を選定するのが好ましい。
また、予め、前記高周波電源の出力、前記第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bのサイズ等の電力供給手段の条件と、前記原料ガスの条件と、i型アモルファスシリコン膜の製膜速度、膜質、膜厚分布との関係を把握して、そのデータから最適な条件を選定するのが好ましい。
基板保持手段は、例えば、図4に示す構造を有する基板保持手段8を用いる。そして、基板保持手段8に被製膜基板22を載置する。
被製膜基板22が載置された基板保持手段8を、図示しない基板搬入搬出扉を開けて、反応容器1内に有る基板棚7に設置する。そして、図示しない基板搬入搬出扉を閉める。
次に、図示しない真空ポンプ9を稼働して、反応容器1の内部の圧力を真空到達度、例えば、2.66Pa(2x10−7Torr)程度まで下げる。次に、公知のプラズマCVD法によるi型アモルファスシリコン膜の形成の手順に従って製膜を行う。
ここでは、例えば、水素希釈率50%で、シランガスと水素の混合ガスの流量を1,000sccm、圧力を26.66Pa(0.2Torr)とする。
この条件で、図示しない第1及び第2の原料ガス供給源30a、30bから供給されるシランガスと水素の混合ガスを、第1及び第2の原料ガス噴出孔6a、6bから噴出させる。
次に、被製膜基板22の温度が所定の温度に保持されていることを確認する。ここでは、例えば、180℃とする。
次に、反応容器1の内部の圧力が所定の条件で一定に維持されたことを確認して、所要の圧力に、ここでは、例えば、26.66Pa(0.2Torr)に設定し、一定に維持する。
次に、第1及び第2の高周波電源10a、10bから、それぞれ、第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bに電力を供給する。前記電力は、例えば、第1及び第2の高周波電源10a、10bの周波数を13.56MHzとして、それぞれ、4,000Wとする。
被製膜基板22が載置された基板保持手段8を、図示しない基板搬入搬出扉を開けて、反応容器1内に有る基板棚7に設置する。そして、図示しない基板搬入搬出扉を閉める。
次に、図示しない真空ポンプ9を稼働して、反応容器1の内部の圧力を真空到達度、例えば、2.66Pa(2x10−7Torr)程度まで下げる。次に、公知のプラズマCVD法によるi型アモルファスシリコン膜の形成の手順に従って製膜を行う。
ここでは、例えば、水素希釈率50%で、シランガスと水素の混合ガスの流量を1,000sccm、圧力を26.66Pa(0.2Torr)とする。
この条件で、図示しない第1及び第2の原料ガス供給源30a、30bから供給されるシランガスと水素の混合ガスを、第1及び第2の原料ガス噴出孔6a、6bから噴出させる。
次に、被製膜基板22の温度が所定の温度に保持されていることを確認する。ここでは、例えば、180℃とする。
次に、反応容器1の内部の圧力が所定の条件で一定に維持されたことを確認して、所要の圧力に、ここでは、例えば、26.66Pa(0.2Torr)に設定し、一定に維持する。
次に、第1及び第2の高周波電源10a、10bから、それぞれ、第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bに電力を供給する。前記電力は、例えば、第1及び第2の高周波電源10a、10bの周波数を13.56MHzとして、それぞれ、4,000Wとする。
第1及び第2の高周波電源10a、10bから、それぞれ、第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bに電力が供給されると、該電極の周辺に電界が発生し、プラズマが発生する。
即ち、図7において、第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bの周辺にプラズマが生成され、それぞれ、原料ガスがプラズマ化される
一般に、アンテナ型電極を用いたプラズマCVDでは、誘導結合プラズマが生成されるので、電界が強く、原料ガスを過剰に分解して、短寿命のSiH2、SiH、及び、Si2H6、Si3H8、Si4H8等の高次シランが発生し、高品質の膜の形成は困難である。また、被製膜基板へのイオンダメージ(イオン損傷)を与える。
しかしながら、ここでは、第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bで生成されたプラズマは、それぞれ、第1のプラズマ遮蔽手段3a及び第2のプラズマ遮蔽手段3bで遮蔽されるので、第1及び第2のプラズマ遮蔽手段3a、3bの外側に配置される基板22へのイオンダメージは発生しない。
また、アモルファスシリコン膜の前駆体であるSiH3は、第1のプラズマ遮蔽手段3a及び第2のプラズマ遮蔽手段3bのそれぞれの貫通孔78a及び貫通孔78bを通過し、選択的に基板22に到達するので、基板22には高品質のアモルファスシリコン膜が形成される。
即ち、図7において、第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bの周辺にプラズマが生成され、それぞれ、原料ガスがプラズマ化される
一般に、アンテナ型電極を用いたプラズマCVDでは、誘導結合プラズマが生成されるので、電界が強く、原料ガスを過剰に分解して、短寿命のSiH2、SiH、及び、Si2H6、Si3H8、Si4H8等の高次シランが発生し、高品質の膜の形成は困難である。また、被製膜基板へのイオンダメージ(イオン損傷)を与える。
しかしながら、ここでは、第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bで生成されたプラズマは、それぞれ、第1のプラズマ遮蔽手段3a及び第2のプラズマ遮蔽手段3bで遮蔽されるので、第1及び第2のプラズマ遮蔽手段3a、3bの外側に配置される基板22へのイオンダメージは発生しない。
また、アモルファスシリコン膜の前駆体であるSiH3は、第1のプラズマ遮蔽手段3a及び第2のプラズマ遮蔽手段3bのそれぞれの貫通孔78a及び貫通孔78bを通過し、選択的に基板22に到達するので、基板22には高品質のアモルファスシリコン膜が形成される。
即ち、プラズマが発生すると、原料ガスが分解されて、SiH3、SiH2、SiH、Si、H等のラジカルが生成される。SiH3は、発生されるラジカルの中で最も濃度が高く、電気的に中性であり、原料ガスの流れにも影響を受けずに、拡散現象で移動する。即ち、濃度の高い方から低い方へ移動する。その状況を模式的に、図7に、矢印55a、55bで示す。
第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aで生成されたSiH3は、図7に矢印55aで示すように移動して基板22にi型アモルファスシリコン膜を堆積する。このi型アモルファスシリコン膜の形成に際し、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aで発生するプラズマは第1のプラズマ遮蔽手段3aで遮蔽されるので、基板22へのイオンダメージは発生しない。
第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aで生成されたSiH3は、図7に矢印55aで示すように移動して基板22にi型アモルファスシリコン膜を堆積する。このi型アモルファスシリコン膜の形成に際し、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aで発生するプラズマは第1のプラズマ遮蔽手段3aで遮蔽されるので、基板22へのイオンダメージは発生しない。
また、第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bで生成されたSiH3は、図7に矢印55bで示すように移動して基板22にi型アモルファスシリコン膜を堆積する。このi型アモルファスシリコン膜の形成に際し、第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2aで発生するプラズマは第2のプラズマ遮蔽手段3bで遮蔽されるので、基板22へのイオンダメージは発生しない。
第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bで生成されたSiH2、SiH、Si、Hは、反応性が高く、高次シラン(パーテイクル、パウダー)を形成し、原料ガスの流れに乗って、排気孔4a、4b、4c、4dから排気される。
第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bで生成されたSiH2、SiH、Si、Hは、反応性が高く、高次シラン(パーテイクル、パウダー)を形成し、原料ガスの流れに乗って、排気孔4a、4b、4c、4dから排気される。
次に、上記製膜において所定の製膜時間が、経過したら、第1及び第2の高周波電源10a、10bの出力を落としてゼロにする。そして、第1及び第2の原料ガス供給源30a、30bのバルブを閉にして原料ガスの供給をストップする。
その後、一旦、反応容器1内部の圧力を真空到達度、例えば、2.66Pa(2x10−7Torr)程度まで下げる。そして、図示しないリークバルブを開いて、反応容器1の内部に大気をいれる。反応容器1内部が大気圧になったら、図示しない基板搬入搬出扉を開けて、被製膜基板22が載置された基板保持手段8を取り出す。
その後、一旦、反応容器1内部の圧力を真空到達度、例えば、2.66Pa(2x10−7Torr)程度まで下げる。そして、図示しないリークバルブを開いて、反応容器1の内部に大気をいれる。反応容器1内部が大気圧になったら、図示しない基板搬入搬出扉を開けて、被製膜基板22が載置された基板保持手段8を取り出す。
取り出された被製膜基板22を見ると、その基板の第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2b側の面には、図8(a)の22−aのように、基板22の全面にi型アモルファスシリコン膜が形成されている。
他方、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a側の面には、図8(b)の22−bのように、コーナー部座繰り27で遮蔽された部分を除き、基板全面にi型アモルファスシリコン膜が形成されている。
なお、コーナー座繰り部27部に接した部分にi型アモルファスシリコン膜が形成されていないのは、コーナー座繰り27による遮蔽効果によるものである。また、太陽電池のフィンガー電極模様の製膜を行う際には、予め、その模様の遮蔽マスクを用意し、そのマスクで被製膜基板を覆った状態で、上述の手順でプラズマを生成させればよい。
他方、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a側の面には、図8(b)の22−bのように、コーナー部座繰り27で遮蔽された部分を除き、基板全面にi型アモルファスシリコン膜が形成されている。
なお、コーナー座繰り部27部に接した部分にi型アモルファスシリコン膜が形成されていないのは、コーナー座繰り27による遮蔽効果によるものである。また、太陽電池のフィンガー電極模様の製膜を行う際には、予め、その模様の遮蔽マスクを用意し、そのマスクで被製膜基板を覆った状態で、上述の手順でプラズマを生成させればよい。
以上説明したように、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置を用いると、
プラズマ励起の電力周波数が13.56MHzであっても、そのプラズマは第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bの周辺で発生し、それぞれ、第1のプラズマ遮蔽手段3aおよび第2のプラズマ遮蔽手段3bにより遮蔽され、閉じ込められるので、前記プラズマの外に配置される基板へのプラズマダメージは発生しない。
前記第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aで生成されたプラズマ中に存在する製膜に寄与するSiH3ラジカルは、第1のプラズマ遮蔽手段3aの貫通孔78aを通過して、第1のプラズマ遮蔽手段3aの外側に離間して配置されている被製膜基板に到達する。また、前記第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bで生成されたプラズマ中に存在する製膜に寄与するSiH3ラジカルは、第2のプラズマ遮蔽手段3bの貫通孔78bを通過して、第2のプラズマ遮蔽手段3bの外側に離間して配置されている被製膜基板に到達する。その結果、イオンダメージ(イオン損傷)を受けない製膜が可能である。
プラズマ励起の電力周波数が13.56MHzであっても、そのプラズマは第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bの周辺で発生し、それぞれ、第1のプラズマ遮蔽手段3aおよび第2のプラズマ遮蔽手段3bにより遮蔽され、閉じ込められるので、前記プラズマの外に配置される基板へのプラズマダメージは発生しない。
前記第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aで生成されたプラズマ中に存在する製膜に寄与するSiH3ラジカルは、第1のプラズマ遮蔽手段3aの貫通孔78aを通過して、第1のプラズマ遮蔽手段3aの外側に離間して配置されている被製膜基板に到達する。また、前記第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bで生成されたプラズマ中に存在する製膜に寄与するSiH3ラジカルは、第2のプラズマ遮蔽手段3bの貫通孔78bを通過して、第2のプラズマ遮蔽手段3bの外側に離間して配置されている被製膜基板に到達する。その結果、イオンダメージ(イオン損傷)を受けない製膜が可能である。
また、基板の両面に、同時に、プラズマCVDによる製膜が可能である。この基板両面に、同時に、プラズマCVDによる製膜が可能という機能は、太陽電池産業分野での製造コスト低減に多大の効果を発揮できる。
例えば、上記基板両面へのi型アモルファスシリコン膜の同時製膜方法を、図16に示されるヘテロ接合バックコンタクト型構造の太陽電池の基板の表面と裏面へのi型アモルファスシリコン膜を形成する工程に応用すれば、従来の工程から1工程減らすことが可能というメリットが発生する。即ち、従来は、シリコン基板の表面にi型アモルファスシリコン膜を形成する工程と、その裏面にi型アモルファスシリコン膜を形成する工程の2工程が必要であるが、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置を用いたプラズマCVD法によれば、1工程で製膜できる。
これは、プラズマCVD装置の必要台数が1台減るということと、製膜工程に要する作業時間が約半分に減るという、意味を持つ。即ち、製造コストの低減に効果を奏する。
また、図15に示される多結晶系太陽電池の基板の表面と裏面に窒化シリコン膜(SiNx)を形成する工程に応用すれば、従来の工程から1工程減らすことが可能というメリットが発生する。即ち、従来は、シリコン基板の表面にSiNx膜を形成する工程と、その裏面にSiNx膜を形成する工程の2工程が必要であるが、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置を用いたプラズマCVD法によれば、1工程で製膜できる。
これは、プラズマCVD装置の必要台数が1台減るということと、製膜工程に要する作業時間が約半分に減るという、意味を持つ。即ち、製造コストの低減に効果を奏する。
例えば、上記基板両面へのi型アモルファスシリコン膜の同時製膜方法を、図16に示されるヘテロ接合バックコンタクト型構造の太陽電池の基板の表面と裏面へのi型アモルファスシリコン膜を形成する工程に応用すれば、従来の工程から1工程減らすことが可能というメリットが発生する。即ち、従来は、シリコン基板の表面にi型アモルファスシリコン膜を形成する工程と、その裏面にi型アモルファスシリコン膜を形成する工程の2工程が必要であるが、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置を用いたプラズマCVD法によれば、1工程で製膜できる。
これは、プラズマCVD装置の必要台数が1台減るということと、製膜工程に要する作業時間が約半分に減るという、意味を持つ。即ち、製造コストの低減に効果を奏する。
また、図15に示される多結晶系太陽電池の基板の表面と裏面に窒化シリコン膜(SiNx)を形成する工程に応用すれば、従来の工程から1工程減らすことが可能というメリットが発生する。即ち、従来は、シリコン基板の表面にSiNx膜を形成する工程と、その裏面にSiNx膜を形成する工程の2工程が必要であるが、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置を用いたプラズマCVD法によれば、1工程で製膜できる。
これは、プラズマCVD装置の必要台数が1台減るということと、製膜工程に要する作業時間が約半分に減るという、意味を持つ。即ち、製造コストの低減に効果を奏する。
以上、本発明の第2の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法に関し、プラズマ励起周波数を13,56MHzの場合を例に取り説明したが、第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bに供給する電力の周波数を、2倍波(27.12MHz)、3倍波(40.68MHz)及び60MHzの周波数に変更することが可能である。基板へのプラズマダメージ低減の観点からは、電力周波数は高い方が良い。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法について、図9ないし図11を用いて説明する。なお、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法に関する説明に用いた図1ないし図8も参照する。
次に、本発明の第2の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法について、図9ないし図11を用いて説明する。なお、本発明の第1の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法に関する説明に用いた図1ないし図8も参照する。
図9は、本発明の第2の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法に用いられる第3のプラズマ遮蔽手段の構造を示す模式図である。図10は、本発明の第2の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法に用いられる基板2枚重ね載置用基板保持手段を示す模式的断面図である。なお、図10は、基板保持手段8bに被製膜基板35、36が2枚重ねて載置されている状況を示している。図11は、本発明の第2の実施形態に係わるプラズマCVD装置を用いて製膜された重ねられた2枚の基板のそれぞれの製膜面に形成された膜(a)と(b)を示す模式図である。
第2の実施形態では、第1の実施形態と同様に、図1に示す構造を有するプラズマCVD装置を用いるが、第1の実施形態と異なる点は、メッシュ状金属で作製された第1のプラズマ遮蔽手段3a及び第2のプラズマ遮蔽手段3bが、それぞれ、パンチング板で作製された第3のプラズマ遮蔽手段3a−a及び第4のプラズマ遮蔽手段3b−bに代えられたことと、基板保持手段8を、図10に示す基板2枚重ね載置用基板保持手段8bに代えられたことである。
なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、適宜変更可能である。また、以下に示す図面は、説明の便宜上、各部材の縮尺が、実際と異なる場合がある。また、各図面間においても、縮尺が、実際と異なる場合がある。
なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、適宜変更可能である。また、以下に示す図面は、説明の便宜上、各部材の縮尺が、実際と異なる場合がある。また、各図面間においても、縮尺が、実際と異なる場合がある。
先ず、本発明の第2の実施形態に関わるプラズマCVD装置の構成について説明する。図1に示されるプラズマCVD装置の第1のプラズマ遮蔽手段3aを、図9に示す第3のプラズマ遮蔽手段3a−aに代える。そして、図1に示されるプラズマCVD装置の第2のプラズマ遮蔽手段3bを、第3のプラズマ遮蔽手段3a−aと同様の構造を有する第4のプラズマ遮蔽手段3b−bに代える。
なお、第3のプラズマ遮蔽手段3a−a及び第4のプラズマ遮蔽手段3b−bは、それぞれ、多数の貫通孔78a−a、78b−bを有する。また、第3のプラズマ遮蔽手段3a−a及び第4のプラズマ遮蔽手段3b−bは、それぞれ、接地されている。
第3のプラズマ遮蔽手段3a−a及び第4のプラズマ遮蔽手段3b−bの仕様は、それぞれ、貫通孔の孔径1mm〜3mm程度、ピッチ2mm〜5mm程度、開口率(空間率)30%〜70%程度から選定する。ここでは、例えば、孔径2mm、ピッチ3mm、開口率40%及び厚み1.6mmのSUS材のパンチング板を用いる。
なお、前記パンチング板の仕様の選定において、開口率(空間率)が30%程度以下になると、後述のSiH3ラジカルの通過が抑制されるので、製膜速度が低下する。また、開口率(空間率)が70%程度以上になると、第3の一対の電極間で生成されるプラズマが漏洩し、被製膜基板へのイオンダメージが起こり易くなり、膜質が低下する。
なお、第3のプラズマ遮蔽手段3a−a及び第4のプラズマ遮蔽手段3b−bは、それぞれ、多数の貫通孔78a−a、78b−bを有する。また、第3のプラズマ遮蔽手段3a−a及び第4のプラズマ遮蔽手段3b−bは、それぞれ、接地されている。
第3のプラズマ遮蔽手段3a−a及び第4のプラズマ遮蔽手段3b−bの仕様は、それぞれ、貫通孔の孔径1mm〜3mm程度、ピッチ2mm〜5mm程度、開口率(空間率)30%〜70%程度から選定する。ここでは、例えば、孔径2mm、ピッチ3mm、開口率40%及び厚み1.6mmのSUS材のパンチング板を用いる。
なお、前記パンチング板の仕様の選定において、開口率(空間率)が30%程度以下になると、後述のSiH3ラジカルの通過が抑制されるので、製膜速度が低下する。また、開口率(空間率)が70%程度以上になると、第3の一対の電極間で生成されるプラズマが漏洩し、被製膜基板へのイオンダメージが起こり易くなり、膜質が低下する。
次に、前記第3のプラズマ遮蔽手段3a−a及び第4のプラズマ遮蔽手段3b−bを有するプラズマCVD装置(図1参照)を用いて、結晶系太陽電池のパッシベーション膜であるi型アモルファスシリコン膜を例に取り、その製膜方法について説明する。
図9に示すように、基板2枚重ね載置用基板保持手段8bに、2枚の基板35、36を重ねて載置する。ここでは、説明の便宜上、2枚の基板として、反射防止膜(SiNx)が一方の面に形成され、他方の面が被製膜面であるという、基板を用いる。
図10において、符号35は第1の反射防止膜付のシリコン基板である。第1の反射防止膜付のシリコン基板35は、その表面にi型アモルファスシリコン膜と窒化シリコン(SiNx)膜がこの順に形成されている。符号36は第2の反射防止膜付のシリコン基板である。第2の反射防止膜付のシリコン基板36は、その表面にi型アモルファスシリコン膜と窒化シリコン(SiNx)膜がこの順に形成されている。
第1の反射防止膜付のシリコン基板35と第2の反射防止膜付のシリコン基板36を窒化シリコン(SiNx)膜が付いた面同士が接するように重ねる。図10には、基板2枚x2セットを示しているが、プラズマ発生の電極サイズに対応して、セット数を増大することができる。
なお、図16に示すヘテロ接合バックコンタクト型構造の太陽電池の製造では、シリコン基板の一方の面にi型アモルファスシリコン膜と窒化シリコン(SiNx)膜がこの順に形成されている状態で、他方の面にi型アモルファスシリコン膜を形成する工程がある。
図9に示すように、基板2枚重ね載置用基板保持手段8bに、2枚の基板35、36を重ねて載置する。ここでは、説明の便宜上、2枚の基板として、反射防止膜(SiNx)が一方の面に形成され、他方の面が被製膜面であるという、基板を用いる。
図10において、符号35は第1の反射防止膜付のシリコン基板である。第1の反射防止膜付のシリコン基板35は、その表面にi型アモルファスシリコン膜と窒化シリコン(SiNx)膜がこの順に形成されている。符号36は第2の反射防止膜付のシリコン基板である。第2の反射防止膜付のシリコン基板36は、その表面にi型アモルファスシリコン膜と窒化シリコン(SiNx)膜がこの順に形成されている。
第1の反射防止膜付のシリコン基板35と第2の反射防止膜付のシリコン基板36を窒化シリコン(SiNx)膜が付いた面同士が接するように重ねる。図10には、基板2枚x2セットを示しているが、プラズマ発生の電極サイズに対応して、セット数を増大することができる。
なお、図16に示すヘテロ接合バックコンタクト型構造の太陽電池の製造では、シリコン基板の一方の面にi型アモルファスシリコン膜と窒化シリコン(SiNx)膜がこの順に形成されている状態で、他方の面にi型アモルファスシリコン膜を形成する工程がある。
次に、被製膜基板35、36の2枚が重ねて載置された基板2枚重ね載置用基板保持手段8bを、図示しない基板搬入搬出扉を開けて、反応容器1内に有る基板棚7に設置する。そして、図示しない基板搬入搬出扉を閉める。
次に、真空ポンプ9を稼働して、反応容器1内部の圧力を真空到達度、例えば、2.66Pa(2x10−7Torr)程度まで下げる。次に、公知のプラズマCVD法によるi型アモルファスシリコン膜の形成法を参考に、次の手順で製膜を行う。
ここでは、例えば、水素希釈率50%で、シランガスと水素の混合ガスの流量を1000sccm、圧力を26.66Pa(0.2Torr)とする。この条件で、第1及び第2の原料ガス供給源30a、30bから、シランガスと水素の混合ガスを、所定の流量で第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの近傍に供給する。供給されたシランガスと水素の混合ガスは、第1及び第2の原料ガス噴出孔6a、6bから噴出する。
次に、被製膜基板35、36の温度が所定の温度に保持されていることを確認する。ここでは、例えば、180℃とする。
次に、反応容器1の内部の圧力が所定の条件で一定に維持されていることを確認して、ここでは、例えば、圧力26.66Pa(0.2Torr)に設定し、一定になるように制御する。
次に、第1及び第2の高周波電源10a、10bから、それぞれ、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bに電力を供給する。
次に、真空ポンプ9を稼働して、反応容器1内部の圧力を真空到達度、例えば、2.66Pa(2x10−7Torr)程度まで下げる。次に、公知のプラズマCVD法によるi型アモルファスシリコン膜の形成法を参考に、次の手順で製膜を行う。
ここでは、例えば、水素希釈率50%で、シランガスと水素の混合ガスの流量を1000sccm、圧力を26.66Pa(0.2Torr)とする。この条件で、第1及び第2の原料ガス供給源30a、30bから、シランガスと水素の混合ガスを、所定の流量で第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの近傍に供給する。供給されたシランガスと水素の混合ガスは、第1及び第2の原料ガス噴出孔6a、6bから噴出する。
次に、被製膜基板35、36の温度が所定の温度に保持されていることを確認する。ここでは、例えば、180℃とする。
次に、反応容器1の内部の圧力が所定の条件で一定に維持されていることを確認して、ここでは、例えば、圧力26.66Pa(0.2Torr)に設定し、一定になるように制御する。
次に、第1及び第2の高周波電源10a、10bから、それぞれ、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bに電力を供給する。
第1及び第2の高周波電源10a、10bから、それぞれ、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bに電力が供給されると、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの周辺に電界が発生し、プラズマが発生する。即ち、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2a及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bの近傍で、それぞれ、原料ガスがプラズマ化される。
一般に、アンテナ型電極を用いたプラズマCVDでは、誘導結合プラズマが生成されるので、電界が強く、原料ガスを過剰に分解して、短寿命のSiH2、SiH、及び、Si2H6、Si3H8、Si4H8等の高次シランが発生し、高品質の膜の形成は困難である。また、被製膜基板へのイオンダメージ(イオン損傷)を与える。
しかしながら、ここでは、第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bで生成されたプラズマは、それぞれ、第3のプラズマ遮蔽手段3a−a及び第4のプラズマ遮蔽手段3b−bで遮蔽されるので、第3及び第4のプラズマ遮蔽手段3a−a、3b−bの外側に配置される基板35、36へのイオンダメージは発生しない。
また、アモルファスシリコン膜の前駆体であるSiH3は、第3のプラズマ遮蔽手段3a−a及び第4のプラズマ遮蔽手段3b−bのそれぞれの貫通孔78a−a及び貫通孔78b−bを通過し、選択的に基板35、36に到達するので、基板35、36には高品質のアモルファスシリコン膜が形成される。
しかしながら、ここでは、第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bで生成されたプラズマは、それぞれ、第3のプラズマ遮蔽手段3a−a及び第4のプラズマ遮蔽手段3b−bで遮蔽されるので、第3及び第4のプラズマ遮蔽手段3a−a、3b−bの外側に配置される基板35、36へのイオンダメージは発生しない。
また、アモルファスシリコン膜の前駆体であるSiH3は、第3のプラズマ遮蔽手段3a−a及び第4のプラズマ遮蔽手段3b−bのそれぞれの貫通孔78a−a及び貫通孔78b−bを通過し、選択的に基板35、36に到達するので、基板35、36には高品質のアモルファスシリコン膜が形成される。
第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bで生成されたSiH2、SiH、Si、Hは、反応性が高く、高次シラン(パーテイクル、パウダー)を形成し、原料ガスの流れに乗って、排気孔4a、4b、4c、4dから排気される。
次に、上記製膜条件での所定の製膜時間が経過したら、第1及び第2の高周波電源10a、10bの出力を落としてゼロにする。そして、第1及び第2の原料ガス供給源30a、30bのバルブを閉にして原料ガスの供給をストップする。
その後、一旦、反応容器1内部の圧力を真空到達度、例えば、2.66Pa(2x10−7Torr)程度まで下げる。そして、図示しないリークバルブを開いて、反応容器1の内部に大気を入れる。反応容器1の内部が大気圧になったら、図示しない基板搬入搬出扉を開けて、被製膜基板35、36が載置された基板保持手段8bを取り出す。
その後、一旦、反応容器1内部の圧力を真空到達度、例えば、2.66Pa(2x10−7Torr)程度まで下げる。そして、図示しないリークバルブを開いて、反応容器1の内部に大気を入れる。反応容器1の内部が大気圧になったら、図示しない基板搬入搬出扉を開けて、被製膜基板35、36が載置された基板保持手段8bを取り出す。
取り出された被製膜基板35、36を見ると、基板35の製膜面には、図11(a)の35−cのように、基板全面にi型アモルファスシリコン膜が形成されている。他方、被製膜基板36の製膜面には、図10(b)の36−cのように、コーナー座繰り部27に接した部分を除いて、基板36の全面にi型アモルファスシリコン膜が形成されている。
なお、コーナー座繰り部27部に接した部分にi型アモルファスシリコン膜が形成されていないのは、コーナー座繰り27による遮蔽効果によるものである。また、太陽電池のフィンガー電極模様の製膜を行う際には、予め、その模様の遮蔽マスクを用意し、そのマスクで被製膜基板を覆って状態で、上述の要領でプラズマを生成させればよい。
なお、コーナー座繰り部27部に接した部分にi型アモルファスシリコン膜が形成されていないのは、コーナー座繰り27による遮蔽効果によるものである。また、太陽電池のフィンガー電極模様の製膜を行う際には、予め、その模様の遮蔽マスクを用意し、そのマスクで被製膜基板を覆って状態で、上述の要領でプラズマを生成させればよい。
以上説明したように、本発明の第2の実施形態に係わるプラズマCVD装置を用いた製膜方法によれば、2枚重ね基板のそれぞれの一方の面に、同時に、いろいろの薄膜のプラズマCVDによる製膜が可能である。また、RFプラズマ特有のプラズマダメージが抑制された製膜が可能である。
13.56MHzで励起されたプラズマCVD装置により、プラズマダメージの無い製膜が可能であることに加えて、重ねられた2枚の基板のそれぞれの一方の面に、同時に、プラズマCVDによる製膜が可能という機能は、ヘテロ接合バックコンタクト型構造の太陽電池産業分野での製造コスト低減に多大の効果を発揮できる。
即ち、図16に示されるヘテロ接合バックコンタクト型構造の太陽電池の基板の裏面へのi型アモルファスシリコン膜を形成する工程に応用すれば、基板の処理枚数を従来の2倍に増大することが可能というメリットが発生する。即ち、製造コストの低減という効果を奏する。
また、従来の技術では、2台のプラズマCVD装置が必要であった製膜工程に、本発明の第2の実施形態に係わるプラズマCVD装置を利用すれば、1台の装置で対応できる。その結果、太陽電池製造ラインに導入するプラズマCVD装置の費用を削減可能という効果を奏する。
即ち、図16に示されるヘテロ接合バックコンタクト型構造の太陽電池の基板の裏面へのi型アモルファスシリコン膜を形成する工程に応用すれば、基板の処理枚数を従来の2倍に増大することが可能というメリットが発生する。即ち、製造コストの低減という効果を奏する。
また、従来の技術では、2台のプラズマCVD装置が必要であった製膜工程に、本発明の第2の実施形態に係わるプラズマCVD装置を利用すれば、1台の装置で対応できる。その結果、太陽電池製造ラインに導入するプラズマCVD装置の費用を削減可能という効果を奏する。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法について、図12を用いて説明する。図1ないし図11も参照する。
図12は、本発明の第3の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法に用いられる梯子型の電極である。
梯子型の電極2a−aは、図12に示すように、梯子型の形状を有する。梯子型の電極2a−aは、直径4mm〜15mm程度の金属棒を一平面内で梯子型になるように成型したものである。梯子型の電極2a−aを用いると、プラズマ励起周波数が10MHz〜100MHzの範囲において、容易に、均一な強さのプラズマ生成が可能である。
図1に示されるプラズマCVD装置の構成部材の第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bを、図12に示す梯子型の電極2a−aに取り換えたプラズマCVD装置とする。即ち、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aを第1の梯子型の電極2a−a
に代え、第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bを第2の梯子型の電極2a−bに代える。
そして、第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bを、それぞれ第1及び第2の梯子型の電極2a−a、2a−bに取り換えたプラズマCVD装置を用いて、プラズマCVDによる製膜を行う。この場合、本発明の第1及び第2の実施形態の場合と、ほぼ同様に行う。
次に、本発明の第3の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法について、図12を用いて説明する。図1ないし図11も参照する。
図12は、本発明の第3の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法に用いられる梯子型の電極である。
梯子型の電極2a−aは、図12に示すように、梯子型の形状を有する。梯子型の電極2a−aは、直径4mm〜15mm程度の金属棒を一平面内で梯子型になるように成型したものである。梯子型の電極2a−aを用いると、プラズマ励起周波数が10MHz〜100MHzの範囲において、容易に、均一な強さのプラズマ生成が可能である。
図1に示されるプラズマCVD装置の構成部材の第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bを、図12に示す梯子型の電極2a−aに取り換えたプラズマCVD装置とする。即ち、第1のジグザグ状棒型アンテナ電極2aを第1の梯子型の電極2a−a
に代え、第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2bを第2の梯子型の電極2a−bに代える。
そして、第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bを、それぞれ第1及び第2の梯子型の電極2a−a、2a−bに取り換えたプラズマCVD装置を用いて、プラズマCVDによる製膜を行う。この場合、本発明の第1及び第2の実施形態の場合と、ほぼ同様に行う。
一般に、アンテナ型電極を用いたプラズマCVDでは、誘導結合プラズマが生成されるので、電界が強く、原料ガスを過剰に分解して、短寿命のSiH2、SiH、及び、Si2H6、Si3H8、Si4H8等の高次シランが発生し、高品質の膜の形成は困難である。また、被製膜基板へのイオンダメージ(イオン損傷)を与える。
しかしながら、ここでは、で生成されたプラズマは、それぞれ、第1のプラズマ遮蔽手段3a及び第2のプラズマ遮蔽手段3bで遮蔽されるので、第1及び第2のプラズマ遮蔽手段3a、3bの外側に配置される基板へのイオンダメージは発生しない。また、短寿命のSiH2、SiH、及び、Si2H6、Si3H8、Si4H8等の高次シランはプラズマ中で反応し、その生成物は排気ガス流れに乗って排気される。
しかしながら、ここでは、で生成されたプラズマは、それぞれ、第1のプラズマ遮蔽手段3a及び第2のプラズマ遮蔽手段3bで遮蔽されるので、第1及び第2のプラズマ遮蔽手段3a、3bの外側に配置される基板へのイオンダメージは発生しない。また、短寿命のSiH2、SiH、及び、Si2H6、Si3H8、Si4H8等の高次シランはプラズマ中で反応し、その生成物は排気ガス流れに乗って排気される。
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法について、図13を用いて説明する。図1ないし図11も参照する。
図13は、本発明の第4の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法に用いられる櫛歯型の電極である。
櫛歯型の電極2a−b、2a−b−cは、図13に示すように、櫛歯型の形状を有する電極2a−b、2a−b−cを対向して配置し、一方に高周波電力を供給し、他方は接地する。櫛歯型の電極2a−b、2a−b−cは、直径4mm〜15mm程度の金属棒を一平面内で櫛歯型になるように成型したものである。櫛歯型の電極2a−b、2a−b−cを用いてプラズマを生成すると、プラズマ励起周波数10MHz〜100MHzの範囲において、比較的容易に、均一な強さのプラズマ生成が可能である。
図1に示されるプラズマCVD装置の構成部材の第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bを、図13に示す櫛歯型の電極2a−b、2a−b−cに取り換えたプラズマCVD装置とする。
第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bを櫛歯型の電極2a−b,2a−b−cに取り換えたプラズマCVD装置を用いて、プラズマCVDによる製膜を行う場合、本発明の第1及び第2の実施形態の場合と、ほぼ同様に行う。
次に、本発明の第4の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法について、図13を用いて説明する。図1ないし図11も参照する。
図13は、本発明の第4の実施形態に係わるプラズマCVD装置及びプラズマCVD法に用いられる櫛歯型の電極である。
櫛歯型の電極2a−b、2a−b−cは、図13に示すように、櫛歯型の形状を有する電極2a−b、2a−b−cを対向して配置し、一方に高周波電力を供給し、他方は接地する。櫛歯型の電極2a−b、2a−b−cは、直径4mm〜15mm程度の金属棒を一平面内で櫛歯型になるように成型したものである。櫛歯型の電極2a−b、2a−b−cを用いてプラズマを生成すると、プラズマ励起周波数10MHz〜100MHzの範囲において、比較的容易に、均一な強さのプラズマ生成が可能である。
図1に示されるプラズマCVD装置の構成部材の第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bを、図13に示す櫛歯型の電極2a−b、2a−b−cに取り換えたプラズマCVD装置とする。
第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極2a、2bを櫛歯型の電極2a−b,2a−b−cに取り換えたプラズマCVD装置を用いて、プラズマCVDによる製膜を行う場合、本発明の第1及び第2の実施形態の場合と、ほぼ同様に行う。
一般に、アンテナ型電極を用いたプラズマCVDでは、誘導結合プラズマが生成されるので、電界が強く、原料ガスを過剰に分解して、短寿命のSiH2、SiH、及び、Si2H6、Si3H8、Si4H8等の高次シランが発生し、高品質の膜の形成は困難である。また、被製膜基板へのイオンダメージ(イオン損傷)を与える。
しかしながら、ここでは、で生成されたプラズマは、それぞれ、第1のプラズマ遮蔽手段3a及び第2のプラズマ遮蔽手段3bで遮蔽されるので、第1及び第2のプラズマ遮蔽手段3a、3bの外側に配置される基板へのイオンダメージは発生しない。また、短寿命のSiH2、SiH、及び、Si2H6、Si3H8、Si4H8等の高次シランはプラズマ中で反応し、その生成物は排気ガス流れに乗って排気される。
しかしながら、ここでは、で生成されたプラズマは、それぞれ、第1のプラズマ遮蔽手段3a及び第2のプラズマ遮蔽手段3bで遮蔽されるので、第1及び第2のプラズマ遮蔽手段3a、3bの外側に配置される基板へのイオンダメージは発生しない。また、短寿命のSiH2、SiH、及び、Si2H6、Si3H8、Si4H8等の高次シランはプラズマ中で反応し、その生成物は排気ガス流れに乗って排気される。
1・・・反応容器、
2a、2b・・・第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極、
3a、3b・・・第1及び第2のプラズマ遮蔽手段、
78a、78b・・・貫通孔、
4a、4b、4c、4d・・・第1、第2、第3及び第4の排気孔、
5a、5b・・・第1及び第2の原料ガス供給管、
6a、6b・・・第1及び第2の原料ガス噴出孔、
7・・・基板保持手段を保持する基板棚、
8、8a、8b・・・基板保持手段、
10a、10b・・・第1及び第2の高周波電源、
11a、11b・・・第1及び第2のインピーダンス整合器、
13a、13b・・・第1及び第2の同軸ケーブル、
14a、14b・・・第1及び第2の真空用同軸型電流導入端子、
15a、15b・・・第1及び第2の導電体、
22、35、36・・・被製膜基板、
27・・・コーナー部座繰り、
22−a、22−b、35−c、36c・・・i型アモルファスシリコン膜、
61a、61b、61c、61d・・・第1、第2、第3及び第4の仕切り壁、
78a、78b・・・貫通孔。
2a、2b・・・第1及び第2のジグザグ状棒型アンテナ電極、
3a、3b・・・第1及び第2のプラズマ遮蔽手段、
78a、78b・・・貫通孔、
4a、4b、4c、4d・・・第1、第2、第3及び第4の排気孔、
5a、5b・・・第1及び第2の原料ガス供給管、
6a、6b・・・第1及び第2の原料ガス噴出孔、
7・・・基板保持手段を保持する基板棚、
8、8a、8b・・・基板保持手段、
10a、10b・・・第1及び第2の高周波電源、
11a、11b・・・第1及び第2のインピーダンス整合器、
13a、13b・・・第1及び第2の同軸ケーブル、
14a、14b・・・第1及び第2の真空用同軸型電流導入端子、
15a、15b・・・第1及び第2の導電体、
22、35、36・・・被製膜基板、
27・・・コーナー部座繰り、
22−a、22−b、35−c、36c・・・i型アモルファスシリコン膜、
61a、61b、61c、61d・・・第1、第2、第3及び第4の仕切り壁、
78a、78b・・・貫通孔。
Claims (8)
- 排気系を備えた反応容器と、前記反応容器に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記反応容器の中央領域に配置され、被製膜基板が載置される基板保持手段と、前記原料ガスをプラズマ化するプラズマ発生手段を有する第1のプラズマ生成領域と第2のプラズマ生成領域が前記基板保持手段を挟む形で、対向し、かつ、離間して配置されるとともに、
長寿命ラジカルを選択的に通過させる多数の第1の貫通孔を有する第1の接地されたプラズマ遮蔽手段を前記基板保持手段と前記第1のプラズマ生成領域の間に配置し、長寿命ラジカルを選択的に通過させる多数の第2の貫通孔を有する第2の接地されたプラズマ遮蔽手段を前記基板保持手段と前記第2のプラズマ生成領域の間に配置し、前記基板保持手段は、前記被製膜基板と略一致した形状を有する貫通孔を少なくとも1以上有することを特徴とするプラズマCVD装置。 - 前記プラズマ発生手段は、略一平面内に配置されるジグザグ状棒型電極、あるいは、梯子型電極、あるいは、櫛歯型電極、あるいは、U字状棒型電極、あるいはW字状棒型電極等の誘導結合プラズマ型電極を備えていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマCVD装置。
- 前記第1の接地されたプラズマ遮蔽手段及び前記第2の接地されたプラズマ遮蔽手段は、メッシュ状金属で構成されることを特徴とする請求項1あるいは請求項2に記載のプラズマCVD装置。
- 前記第1の接地されたプラズマ遮蔽手段及び前記第2の接地されたプラズマ遮蔽手段は、パンチング金属板で構成されることを特徴とする請求項1あるいは請求項2に記載のプラズマCVD装置。
- 前記第1の接地されたプラズマ遮蔽手段及び前記第2の接地されたプラズマ遮蔽手段がそれぞれ有する前記第1及び第2の貫通孔の形状は、略円形あるいは略矩形であることを特徴とする請求項1あるいは請求項2に記載のプラズマCVD装置。
- 前記基板保持手段が有する前記貫通孔の開口の周辺に、前記被製膜基板を保持するための基板保持部が設けられることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のプラズマCVD装置。
- 前記第1のプラズマ生成領域及び第2のプラズマ生成領域におけるプラズマ生成の周波数は、VHF帯域の周波数、即ち、30MHz〜300MHzの範囲にあることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のプラズマCVD装置。
- 排気系を備えた反応容器と、前記反応容器に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記反応容器の中央領域に配置され、かつ、被製膜基板が載置され、かつ、前記被製膜基板と略一致した形状を有する貫通孔を少なくとも1以上有する基板保持手段と、前記基板保持手段を挟む形で、対向して、離間して配置され、原料ガスをプラズマ化する第1のプラズマ生成領域と第2のプラズマ生成領域を備えたプラズマCVD装置を用いるプラズマCVD法であって、
前記基板保持手段の前記貫通孔の開口部を遮るように表面と裏面を有する基板を載置し、前記基板保持手段と前記第1のプラズマ生成領域の間にプラズマを遮蔽し、長寿命ラジカルを選択的に通過させる多数の第1の貫通孔を有する第1の接地されたプラズマ遮蔽手段を設置し、前記基板保持手段と前記第2のプラズマ生成領域の間にプラズマを遮蔽し、長寿命ラジカルを選択的に通過させる多数の第2の貫通孔を有する第2の接地されたプラズマ遮蔽手段を設置して、前記原料ガス供給手段から供給される原料ガスを前記第1のプラズマ生成領域及び前記第2のプラズマ生成領域でそれぞれにプラズマ化し、前記第1のプラズマ生成領域から前記第1の接地されたプラズマ遮蔽手段の前記第1の貫通孔を選択的に通過してくる長寿命ラジカルで前記基板の表面に薄膜を形成するとともに、前記第2のプラズマ生成領域から前記第2の接地されたプラズマ遮蔽手段の前記第2の貫通孔を選択的に通過してくる長寿命ラジカルで前記基板の裏面に薄膜を形成するようにしたことを特徴とするプラズマCVD法。
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JP2017216939A JP2018026594A (ja) | 2017-11-10 | 2017-11-10 | プラズマcvd装置及びプラズマcvd法 |
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JP (1) | JP2018026594A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110643971A (zh) * | 2019-09-27 | 2020-01-03 | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 | 用于制造异质结太阳能电池的cvd设备及其镀膜方法 |
-
2017
- 2017-11-10 JP JP2017216939A patent/JP2018026594A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110643971A (zh) * | 2019-09-27 | 2020-01-03 | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 | 用于制造异质结太阳能电池的cvd设备及其镀膜方法 |
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