JP2007214296A - プラズマプロセス装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反応容器1と、その容器内に反応ガスを導入するガス導入管6と、容器外へ排ガスを排出するガス排気管4と、容器内に収容した第一電極2及び第二電極3からなる放電用平行電極と、前記電極に電力を供給する電源9とを有してなるプラズマプロセス装置において、第一電極2には、ガス導入管6に連通するガス導入用穴11及び前記ガス排気管6に連通する排ガス用穴12の双方を設ける。好ましくは、第一電極2の第二電極3に対向する表面に、多数の凹部を所定パターンで設ける。
【選択図】 図1。
Description
このプラズマプロセス装置は、反応容器1と、この反応容器内に反応ガスを導入する導入管6と、図示しない真空ポンプにより排気する排気管4と、上記反応器内に収容された放電用平行電極(カソード電極2とアノード電極3)と、この放電用電極2、3に電力を供給する電源9とで構成されている。
前記アノード電極3上に基板8を設置し、この基板8の表面に薄膜を形成する装置である。
ここに示した放電用平行電極(カソード電極2とアノード電極3)のうち特にカソード電極(第一電極)2の構造に特徴がある。
なお、図1では、ガス導入は電極表面に設けられたガス導入口から行っているが、反応容器1の側方などに設けたガス導入口からも補助的なガス導入を行うことができる。電源9は、通常、高周波又は超高周波を用いるが、直流とすることも可能である。
カソード電極2の表面形状は、図2〜図4に示すように長円筒状のスポット型凹部13a、13bを交互に格子状に並べ、このスポット型凹部13a、13bの隣接するもの同士を溝型凹部14で連通して所定パターンの凹凸を形成したものである。
前記スポット型凹部13aの奥端面には、ガス導入用小穴11が形成してあり、他のスポット型凹部13bの奥端面には、排ガス用穴12が形成してある。
前記スポット型凹部13aの奥には、前記ガス導入管6に通じるガス通路16が設けてあり、前記ガス導入用小穴11は、このガス通路16を介してガス導入管6に通じている。
前記排ガス用穴12は、カソード電極2の上面に貫通していて前記ガス排気管4に連通している。
この結果、両電極間の排気ガスは、排ガス用穴12により、カソード電極2の上面全体から排気されることなる。
反応容器内のガス・反応生成物は、カソード電極2へ設けた多数の排ガス用穴12から、所定の排気速度で排気する。なお、このとき、反応容器の他の箇所に設けた排気管からも同時に、所定の排気速度で排気することも可能である。
本実施例は、スポット型凹部13bとこれを連結する溝型凹部14により所定のパターンを形成したものである。
前記スポット型凹部13bには、排ガス用穴12が設けてあり、前記凹部13b、14を設けていない箇所にガス導入用小穴11を設けた。
ガス通路16は、溝型凹部14の奥部を通って、ガス導入用小穴11を互いに連結するように設置してある。
その他の点は前記実施例1と同様なので説明を省略する。
本実施例は、スポット型凹部13aと、これを連結する溝型凹部14により所定のパターンを形成したものである。
前記スポット型凹部13aにはガス導入用小穴11が設けてあり、前記溝型凹部14には排ガス用穴12が設けてある。
ガス通路16は、溝型凹部14のない箇所を通ってガス導入用小穴11同士をつないでいる。
その他の点は前記実施例1と同様なので説明を省略する。
本実施例は、スポット型凹部13aとこれを連結する溝型凹部14により所定のパターンを形成したものである。
前記スポット型凹部13aにはガス導入用小穴11が設けてあり、凹部にない箇所に排ガス用穴12が設けてある。
ガス通路16は、溝型凹部14の奥部を通ってガス導入用小穴11同士をつないでいる。
その他の点は前記実施例1と同様なので説明を省略する。
また、個々のスポット型凹部13の配置(凹部の所定の全体パターン)は平面視で好ましくは格子状配置(格子を形成する交点に個々の凹部を設けた形状)又は最密充填状配置(個々の凹部の中心を結ぶ直線が凹部の中心を交点として60°の角度に交差する網目の、その交点に個々の凹部を設けた形状)とする。
また、第一電極(通常は、カソード電極)2及び対向電極(第二電極)3の大きさ(面積)は、通常は4m2(2m平方)程度、好ましくは0.005m2(7cm平方)〜4m2(2m平方)程度、更に好ましくは0.04m2(20cm平方)〜4m2(2m平方)程度の範囲で可能である。電極の厚みは、凹部又は溝部の深さより厚いものとする。
個々のスポット型凹部13の大きさ(凹部の径又は幅)は、シース厚さの2倍以上であることが必要である。プロセス条件に依存するが、1〜40mm程度が好ましい。
スポット型凹部13の深さは、径の1〜3倍程度又は1〜80mm程度が好ましい。スポット型凹部13aとスポット型凹部13bの深さは、同等でもよく、一方が他方より深くてもよい。
スポット型凹部13の間隔(ピッチ)は、スポット型凹部13の大きさ(凹部の径又は幅)の1〜4倍程度が可能であるが、好ましくは1.5倍程度とする。凹部13の間隔(ピッチ)が大きすぎると、製膜などプロセスの面内均一性のために好ましくない。
スポット型凹部13の最適な大きさは、圧力・プラズマ励起電源周波数などのプロセス条件に依存するが、凹部径又は幅が上記範囲にあって十分に小さいと、凹部(ホロー)による電子の閉じ込め効果が得られるので好ましい。
凹部パターンのサイズ、ピッチ、深さなどは、プロセス条件によって、最適な値を選択することができる。
また、第一電極2の表面に高密度プラズマが滞在しやすい環境を作るため、第一電極2の(四)周端部では電極最表面と同等の高さの土手(帯状物)で囲むようにして、原料ガスを閉じ込めるようにすることが好ましい。
第一電極2と対向電極(第二電極)3の間の距離は、プロセスガス圧力などによって最適な値を選択することができる。上記電極間距離が十分に大きいと、長寿命ラジカルの選択的輸送、並びに面内均一プロセスのためには有利であるが、高速プロセスのためには不利である。
また、プロセス温度(基板温度)は、通常は室温以上であり、好ましくは100〜400℃、より好ましくは200〜300℃である。
プラズマ励起周波数は、100kHz〜140MHzの範囲が可能であり、好ましくは10〜100MHz、更に好ましくは13.56MHzとその偶数倍である。
このときの溝型凹部14の深さは、ガス通路16の構造にもよるが、個々のスポット型凹部13と同程度であっても、それより浅いものであっても、あるいは深いものであってもよい。
また、溝型凹部14の幅は、スポット型凹部13の径(又は幅)よりも小さいものとし、好ましくはその0.7倍よりも小さいものとし、更に好ましくはその1/5〜3/5程度とする。
なお、隣接するスポット型凹部13同士を溝部14で連結した場合、第一電極(通常は、カソード電極)2の(対向電極側)表面に設けた「所定パターンの凹部」は、個々の凹部13(13a/13b)と溝部(溝型凹部)14との合計で形成された凹部(全体)を意味する。
第一電極(カソード電極)2の対向電極(第二電極)側の表面に設けた所定パターンのスポット型凹部13において、高周波プラズマのシースの振動による電子の統計的加熱、並びにホロー効果による電子の閉じ込めが起こり、各凹部13(入り口)付近でスポット状高密度プラズマが安定に生成し、ガスを効率よく分解し、大面積上に均一に高速にて製膜などのプロセスが可能となる。カソード電極表面からのγ作用による電子の放出は、広いカソード電極表面積によって効果的に起こると考えられる。
隣接するスポット型凹部13(13a/13b)が溝部14により連結されているものでは、各スポット型凹部に生成するスポット状プラズマが孤立せずに相互に連結可能となることより、特に、大面積プロセスにおいて、条件により問題となる(スポット状プラズマが電極面上を動き回るなどの)不安定なプラズマ生成状態が防がれる。また、凹部を連結する溝部によって、ガス供給の面内均一性も向上する。
高密度プラズマの生成する近傍(凹部)から原料ガスを導入することにより、原料ガスを高い効率で利用しながら薄膜製造などの高速プロセスが可能である。
拡散長の長い核種はガス流から拡散によって抜け出して、基板方向へ輸送されることになる。これより、シラン/水素プラズマの場合、特にアモルファスシリコンの光劣化と相関のあるSi−H2結合含有量の多い膜成長を起こすSi4H9など高次シラン関連反応種の膜成長への寄与を低減し、高安定な高品質膜の作製を可能とする。装置の稼働率を低下させるパウダー生成の抑制にも有効である。
2・・第一電極(通常は、カソード電極)
3・・第二電極(通常は、アノード電極)
4・・ガス排気管
6・・ガス導入管
8・・基板
9・・電源(通常は、(超)高周波電源)
10・・ヒーター
11・・ガス導入用小穴(ガス導入口)
12・・排ガス用穴(ガス排気口)
13・・凹部
13a・・ガス導入用小穴をもつ凹部
13b・・排ガス用穴をもつ凹部
14・・溝部(溝型凹部)
16・・ガス通路
20a・・凹部を欠落させた部分
20b・・凹部を欠落させた部分
21a・・ガス導入用小穴を欠落させた部分
21b・・排ガス用穴を欠落させた部分
Claims (8)
- 反応容器と、その容器内に反応ガスを導入するガス導入管と、容器外へ排ガスを排出するガス排気管と、容器内に収容した第一電極及び第二電極からなる放電用平行電極と、前記電極に電力を供給する電源とを有してなるプラズマプロセス装置において、前記第一電極には、前記ガス導入管に連通するガス導入用穴及び前記ガス排気管に連通する排ガス用穴の双方が設けてあることを特徴とするプラズマプロセス装置。
- 請求項1に記載のプラズマプロセス装置であって、前記第一電極の第二電極に対向する表面に、多数の凹部を所定パターンで設けてあることを特徴とするプラズマプロセス装置。
- 請求項2に記載のプラズマプロセス装置であって、少なくとも前記ガス導入用穴を前記凹部内に設けたことを特徴とするプラズマプロセス装置。
- 請求項2又は3に記載のプラズマプロセス装置であって、少なくとも前記排ガス用穴を前記凹部内に設けたことを特徴とするプラズマプロセス装置。
- 請求項2から4の何れかに記載のプラズマプロセス装置であって、前記凹部は、所定パターンで配置されたスポット型凹部と、このスポット型凹部を相互に連通する溝型凹部とにより構成されてなることを特徴とするプラズマプロセス装置。
- 請求項5に記載のプラズマプロセス装置であって、前記スポット型凹部に、前記ガス導入用穴と排ガス用穴との少なくとも何れか一方を設けてあることを特徴とするプラズマプロセス装置。
- 請求項5に記載のプラズマプロセス装置であって、前記溝型凹部に、前記ガス導入用穴と排ガス用穴との少なくとも何れか一方を設けてあることを特徴とするプラズマプロセス装置。
- 請求項5から7の何れかに記載のプラズマプロセス装置であって、そのスポット型凹部は、角筒、円筒、円錐又は角錐状に形成してあることを特徴とするプラズマプロセス装置。
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