JP5174179B2 - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5174179B2 JP5174179B2 JP2010535576A JP2010535576A JP5174179B2 JP 5174179 B2 JP5174179 B2 JP 5174179B2 JP 2010535576 A JP2010535576 A JP 2010535576A JP 2010535576 A JP2010535576 A JP 2010535576A JP 5174179 B2 JP5174179 B2 JP 5174179B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- crystalline silicon
- raman peak
- region
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 129
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 105
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 82
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 25
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 96
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
- H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/03685—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table including microcrystalline silicon, uc-Si
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
- H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
- H01L31/077—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells the devices comprising monocrystalline or polycrystalline materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
しかしながら、1m2を超える大面積基板を用いて、ラマンピーク比の平均値が3.5以上8以下の範囲となる条件で結晶質シリコンi層を製膜したところ、部分的に高輝度反射領域が現れることが判明した。本願発明者らは、高輝度反射領域とは、結晶質シリコンi層表面の凹凸の大きさが可視光近傍になり、可視光が散乱されるため輝度が高く見える領域であることを見出した。また、上記高輝度反射領域は、結晶質シリコンi層の結晶性が低いときに発生する現象であり、高輝度反射領域における結晶質シリコンi層のラマンピーク比が2.5以下と、周囲に比べて低いことを見出した。
2 透明電極層
3 光電変換層
4 裏面電極層
5 中間コンタクト層
6 太陽電池モジュール
31 非晶質シリコンp層
32 非晶質シリコンi層
33 非晶質シリコンn層
41 結晶質シリコンp層
42 結晶質シリコンi層
43 結晶質シリコンn層
91 第1セル層
92 第2セル層
100 光電変換装置
103a〜103h 放電電極
113at,113ht,113ab,113hb 整合器
112a,114a,112b,114b 高周波給電伝送路
115a,115b 熱媒体供給管
116a,116b 原料ガス配管
153,154 給電点
基板1としてソーダフロートガラス基板(例えば1.4m×1.1m×板厚:3.5mm〜4.5mm)を使用する。基板端面は熱応力や衝撃などによる破損防止にコーナー面取りやR面取り加工されていることが望ましい。
透明導電層2として、酸化錫(SnO2)を主成分とする膜厚約500nm以上800nm以下の透明導電膜を、熱CVD装置にて約500℃で製膜する。この際、透明電極膜の表面には、適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明導電層2として、透明電極膜に加えて、基板1と透明電極膜との間にアルカリバリア膜(図示されず)を形成しても良い。アルカリバリア膜は、酸化シリコン膜(SiO2)を50nm〜150nm、熱CVD装置にて約500℃で製膜処理する。
その後、基板1をX−Yテーブルに設置して、YAGレーザーの第1高調波(1064nm)を、図の矢印に示すように、透明電極膜の膜面側から照射する。加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極膜を発電セルの直列接続方向に対して垂直な方向へ、基板1とレーザー光を相対移動して、溝10を形成するように幅約6mmから15mmの所定幅の短冊状にレーザーエッチングする。
第1セル層91として、非晶質シリコン薄膜からなるp層、i層及びn層を、プラズマCVD装置により製膜する。SiH4ガス及びH2ガスを主原料にして、減圧雰囲気:30Pa以上1000Pa以下、基板温度:約200℃にて、透明電極層2上に太陽光の入射する側から非晶質シリコンp層31、非晶質シリコンi層32、非晶質シリコンn層33の順で製膜する。非晶質シリコンp層31は非晶質のBドープシリコンを主とし、膜厚10nm以上30nm以下である。非晶質シリコンi層32は、膜厚200nm以上350nm以下である。非晶質シリコンn層33は、非晶質シリコンに微結晶シリコンを含有するPドープシリコンを主とし、膜厚30nm以上50nm以下である。非晶質シリコンp層31と非晶質シリコンi層32の間には、界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。
図6において、小面積セルで評価したラマンピーク比が2.5以下になると開放電圧が上昇するが、高輝度反射領域が発生した。図7において、小面積セルで評価したラマンピーク比が2.5以下になると、短絡電流の低下のために変換効率が大きく低下し始め、ラマンピーク比が1以下では大きく変換効率が低下した。図7に示す結果から、高い変換効率が得られるラマンピーク比の値の下限値は2.5以上であり、3.5以上がより好ましい。ラマンピーク比の上限値は8.0以下である。ラマンピーク比が8.0を越えると開放電圧の低下で変換効率が低下する。ラマンピーク比が7.0以下では、開放電圧の低下も少ないので、より好ましい。
従って、小面積セルの高い変換効率が得られる条件であるラマンピーク比の値は2.5以上8.0以下の範囲内の領域であることが望ましい。また、ラマンピーク比の値は3.5以上8.0以下の範囲内の領域であることがより望ましく、3.5以上7.0以下の範囲内の領域であることが最も望ましい。
基板面内におけるラマンピーク比は、ある程度の分布が生じる。例えば、図8に示す放電電極103では、放電電極に設けた多数の吹出し穴から原料ガスが供給されるとともに、各放電電極(棒状の縦電極)の間から未反応の原料ガスを排気するような構成になっている。このため、原料ガスが基板表面付近で製膜に消費されながら排気部分に流れることで、原料ガス濃度に局所的な分布が生じるため、局所的なラマンピーク比の分布が生じる。このような局所的な領域の面積割合は10%程度発生する場合がある。特に原料ガス濃度分布に起因すると、ラマンピーク比が高い領域が散在することがある。また、大面積基板における製膜条件(基板温度、原料ガス、放電電極への投入電力密度など)の分布のために、ラマンピーク比の分布が生じる。
従って、本実施形態において、ラマンピーク比が3.5以上8.0以下の範囲内である領域の面積割合は、80%以上とされ、より好ましくは90%以上、更に好ましくは95%以上とされる。このとき、ラマンピーク比が8.0を越える領域は、集中して発生することが少なく、ラマンピーク比が所定範囲内である領域の面積割合が80%以上であれば、全体の太陽電池モジュール性能への影響が少ない。一方、ラマンピーク比が3.5以上8.0以下の範囲内である領域の面積割合が80%未満では、ラマンピーク比が8.0を越える領域が集中して発生する場合が多くなり、太陽電池モジュール性能への影響が生じる。このため、大面積基板における製膜条件の調整においては、高輝度反射領域が発生する前の低い結晶性になるよう調整することが好ましい。
また、本実施形態の結晶質シリコンi層42は、基板面内におけるラマンピーク比が2.5以下の範囲内である領域(高輝度反射領域)が増加すると、モジュール出力が低下する。そのため、高輝度反射領域の面積割合は、3%以下とされる。
結晶質シリコンi層42のラマンピーク比は、結晶質シリコンi層42を製膜した後に、膜面側から単光色レーザーとして例えばYAGレーザー光の2倍波(波長532nm)を用いて計測した、ラマンスペクトルにおける非晶質シリコン相のピーク強度(周波数480cm−1付近でのピーク強度)Iaに対する結晶質シリコン相のピーク強度(周波数520cm−1付近でのピーク強度)Icの比(ラマンピーク比Ic/Ia)として表される。実際の光電変換層(結晶質シリコンi層)の結晶性を評価するために、第1セル層91または中間コンタクト層5の上に、第2セル層92としての結晶質シリコンp層41、結晶質シリコンi層42までを製膜して、ラマンスペクトルを計測することが望ましい。
高輝度反射領域は、結晶質シリコンi層42を製膜した直後または第2セル層92までを製膜した後に、CCDカメラによる画像観測により算出される。第2セル層92の結晶質シリコンn層43は、膜厚が20nm〜50nm程度と薄いため、第2セル層92までを製膜した後でも結晶質シリコンi層42の表面反射状態を判断することが可能である。このため、通常は、第2セル層92までを製膜した基板で高輝度反射領域の評価を行う。CCDカメラを用いて、CCDカメラをプラズマCVD装置から搬出された基板と相対移動をさせて、大面積基板上の結晶質シリコンi層または第2セル層の膜面から撮影したRGB二次元画像が取得される。CCDカメラによる画像観測の最小検知される基板の面積は、例えば8mm×8mmとされる。CCDカメラで取得されたRGB二次元画像は、カラー画像信号としてコンピュータに送信される。コンピュータは、CIE−XYZ表色系に変換され、続いて、CIE−L*a*b*表色系に変換される。この変換は、公知の手法を用いることで容易に実施できる。このようにして、二次元画像におけるL*値(輝度)が求まる。結晶質シリコンi層の結晶性(ラマンピーク比)とL*値(輝度)とは相関性があるので、コンピュータは、カメラで取り込んだ画素毎に、L*値が予め設定されている閾値と比較し、閾値以上の領域を高輝度反射領域と判定する。続いて、コンピュータは、高輝度反射領域と判定された領域の面積と、二次元画像全体の面積とを算出し、二次元画像全体に対する高輝度反射領域の面積割合を算出する。
結晶質シリコンi層のラマンピーク比が3.5以上8.0以下の範囲となる高周波電力密度及びSiH4分圧の適正範囲は、予め取得されている。同時に、良好な生産性を継続可能な製膜速度が得られるSiH4分圧範囲は、予め取得されている。コンピュータが、高輝度反射領域が基板全体に分散していると判定して提示した場合、オペレータは、予め取得された高周波電力密度及びSiH4分圧の適正範囲内で、結晶質シリコンi層の製膜条件を変更する。コンピュータは、上述の方法により、製膜条件変更後に製膜された第2セル層(または結晶質シリコンi層)の高輝度反射領域の面積割合を判定する。以後、製膜条件調整後の第2セル層(または結晶質シリコンi層)における高輝度反射領域の面積割合が3%以下となるまで、製膜条件の変更と高輝度反射領域の面積割合の判定とが繰り返される。高輝度反射領域の面積割合が3%以下になると、製膜条件調整が終了され、最終的に調整された結晶質シリコンi層製膜条件で、太陽電池の生産を継続する。
基板上に形成した光電変換層は、レーザースクライビングなどにより所定幅の短冊状に区切ったセルを直列接続するよう集積されている。放電電極上下方向(図8のZ方向)と、基板上に形成するセル方向とが直交する場合、高輝度反射領域の面積割合が3%より大きいと判断された領域付近の太陽電池セルについて、放電電極の上下方向(Z方向)に対応するセル電圧を計測する。開放電圧の計測は、基板端に形成された透明電極層に電気接続した集電用セルと、対象セルの裏面電極層の間の電圧を計測することで行われ、公知の方法を適用することができる。
本実施形態において、コンピュータは、計測されたセル電圧の基板面内分布図を作成する。セル電圧が所定値よりも低い領域が局所的に発生している場合、オペレータは、各放電電極の整合器でのマッチングバランスの調整、及び、個々の放電電極に供給される高周波電力密度の調整を実施し、放電電極の上下方向に対応するセル電圧を所定値に揃える。例えば、図9の例では、上下方向(Z方向)のセル電圧が0.49V以上0.51V以下の範囲内となるように、整合器のマッチングバランス及び放電電極に供給される高周波電力密度を調整する。所定のセル電圧が達成されると、製膜条件調整を終了し、最終的に調整された結晶質シリコンi層製膜条件で、太陽電池の生産を継続する。
基板1をX−Yテーブルに設置して、レーザーダイオード励起YAGレーザーの第2高調波(532nm)を、図の矢印に示すように、光電変換層3の膜面側から照射する。パルス発振:10kHzから20kHzとして、加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層2のレーザーエッチングラインの約100μmから150μmの横側を、溝11を形成するようにレーザーエッチングする。またこのレーザーは基板1側から照射しても良く、この場合は光電変換層3の非晶質シリコン系の第1セル層で吸収されたエネルギーで発生する高い蒸気圧を利用して光電変換層3をエッチングできるので、更に安定したレーザーエッチング加工を行うことが可能となる。レーザーエッチングラインの位置は前工程でのエッチングラインと交差しないように位置決め交差を考慮して選定する。
裏面電極層4としてAg膜/Ti膜を、スパッタリング装置により、減圧雰囲気、製膜温度:150℃から200℃にて製膜する。本実施形態では、Ag膜:150nm以上500nm以下、これを保護するものとして防食効果の高いTi膜:10nm以上20nm以下を、この順に積層する。あるいは、裏面電極層4を、25nmから100nmの膜厚を有するAg膜と、15nmから500nmの膜厚を有するAl膜との積層構造としても良い。結晶質シリコンn層43と裏面電極層4との接触抵抗低減と光反射向上を目的に、光電変換層3と裏面電極層4との間に、スパッタリング装置により、膜厚:50nm以上100nm以下のGZO(GaドープZnO)膜を製膜して設けても良い。
基板1をX−Yテーブルに設置して、レーザーダイオード励起YAGレーザーの第2高調波(532nm)を、図の矢印に示すように、基板1側から照射する。レーザー光が光電変換層3で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層4が爆裂して除去される。パルス発振:1kHz以上10kHz以下として加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層2のレーザーエッチングラインの250μmから400μmの横側を、溝12を形成するようにレーザーエッチングする。
発電領域を区分して、基板端周辺の膜端部においてレーザーエッチングによる直列接続部分が短絡し易い影響を除去する。基板1をX−Yテーブルに設置して、レーザーダイオード励起YAGレーザーの第2高調波(532nm)を、基板1側から照射する。レーザー光が透明電極層2と光電変換層3で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層4が爆裂して、裏面電極層4/光電変換層3/透明電極層2が除去される。パルス発振:1kHz以上10kHz以下として加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、基板1の端部から5nmから20mmの位置を、図3(c)に示すように、X方向絶縁溝15を形成するようにレーザーエッチングする。なお、図3(c)では、光電変換層3が直列に接続された方向に切断したX方向断面図となっているため、本来であれば絶縁溝15位置には裏面電極層4/光電変換層3/透明電極層2の膜研磨除去をした周囲膜除去領域14がある状態(図3(a)参照)が表れるべきであるが、基板1の端部への加工の説明の便宜上、この位置にY方向断面を表して形成された絶縁溝をX方向絶縁溝15として説明する。このとき、Y方向絶縁溝は後工程で基板1周囲膜除去領域の膜面研磨除去処理を行うので、設ける必要がない。
後工程のEVA等を介したバックシート24との健全な接着・シール面を確保するために、基板1周辺(周囲膜除去領域14)の積層膜は、段差があるとともに剥離し易いため、この膜を除去して周囲膜除去領域14を形成する。基板1の端から5〜20mmで基板1の全周囲にわたり膜を除去するにあたり、X方向は前述の図3(c)工程で設けた絶縁溝15よりも基板端側において、Y方向は基板端側部付近の溝10よりも基板端側において、裏面電極層4/光電変換層3/透明電極層2を、砥石研磨やブラスト研磨などを用いて除去を行う。
研磨屑や砥粒は基板1を洗浄処理して除去した。
端子箱23の取付け部分はバックシート24に開口貫通窓を設けて集電板を取出す。この開口貫通窓部分には絶縁材を複数層で設置して外部からの湿分などの浸入を抑制する。
直列に並んだ一方端の太陽電池発電セルと、他方端部の太陽電池発電セルとから銅箔を用いて集電して太陽電池パネル裏側の端子箱23の部分から電力が取出せるように処理する。銅箔は各部との短絡を防止するために銅箔幅より広い絶縁シートを配置する。
集電用銅箔などが所定位置に配置された後に、太陽電池モジュール6の全体を覆い、基板1からはみ出さないようにEVA(エチレン酢酸ビニル共重合体)等による接着充填材シートを配置する。
EVAの上に、防水効果の高いバックシート24を設置する。バックシート24は本実施形態では防水防湿効果が高いようにPETシート/Al箔/PETシートの3層構造よりなる。
バックシート24までを所定位置に配置したものを、ラミネータにより減圧雰囲気で内部の脱気を行い約150〜160℃でプレスしながら、EVAを架橋させて密着させる。
太陽電池モジュール6の裏側に端子箱23を接着剤で取付ける。
(12)図5(b)
銅箔と端子箱23の出力ケーブルとをハンダ等で接続し、端子箱23の内部を封止剤(ポッティング剤)で充填して密閉する。これで太陽電池パネル50が完成する。
(13)図5(c)
図5(b)までの工程で形成された太陽電池パネル50について発電検査ならびに、所定の性能試験を行う。発電検査は、AM1.5、全天日射基準太陽光(1000W/m2)のソーラシミュレータを用いて行う。
なお、図5(a)の端子箱23取り付け後に太陽電池パネル50のガラス基板面を洗浄しておくことが好ましい。基板面に付着した目視できない程度の異物(粒径0.1μm〜10μm)を除去することで図5(c)の発電検査、性能試験が良好に行える。
(14)図5(d)
発電検査(図5(c))に前後して、外観検査をはじめ所定の性能検査を行う。
ソーダフロートガラス基板(1.4m×1.1m×板厚:3.5mm〜4.5mm)を用い、図1に示すタンデム型太陽電池モジュールを作製した。各層の構成及び膜厚は、以下の通りである。
透明電極層:SnO2、膜厚500〜800nm
第1電池層:非晶質シリコンp層/非晶質シリコンi層(膜厚300nm)/結晶質シリコンn層
中間コンタクト層:GZO、膜厚50〜100nm
第2電池層:結晶質シリコンp層/結晶質シリコンi層(膜厚2μm)/結晶質シリコンn層
裏面電極層:GZO(膜厚50〜100nm)/Ag(膜厚200〜300nm)/Ti(膜厚10〜20nm)
結晶質シリコンi層薄膜では、膜中の欠陥によるキャリア損失の低減と光電流の低下との関係により、短絡電流が増大するに最適な高周波電力密度の範囲が存在する。図11より、条件#1及び#2では、最大出力のピークと短絡電流のピークとが一致しない。そのため、高周波電力密度0.94W/cm2より小さくとすると出力が低下することが想定できる。このことから、本実施例において、高周波電力密度が0.94W/cm2〜0.95W/cm2が適正値と考えられた。
また、上記実施形態では、ガラス基板のような透光性基板を用いたが、本発明は、金属基板などの非透光性基板にも適用可能である。
Claims (3)
- 1m2以上の大面積基板上に、複数の放電電極が設置される製膜装置を用いて、結晶質シリコンi層を含む光電変換層を形成する光電変換装置の製造方法であって、
前記結晶質シリコンi層を製膜する工程と、
前記結晶質シリコンi層の非晶質シリコン相のラマンピーク強度に対する結晶質シリコン相のラマンピーク強度の比であるラマンピーク比が2.5以下の領域の面積割合を計測する工程と、
前記ラマンピーク比が2.5以下の領域の面積割合が3%以下である場合に、前記結晶質シリコンi層の製膜条件が変更されずに生産が継続され、
前記ラマンピーク比が2.5以下の領域の面積割合が3%より大きい場合に、
前記ラマンピーク比が2.5以下の領域の分布状況を取得する工程と、
前記ラマンピーク比が2.5以下の領域が前記基板全体にわたり分布している場合に、前記結晶質シリコンi層製膜時の高周波電力密度の増加及びシラン分圧の低下のいずれか一方を実施する工程と、
前記ラマンピーク比が2.5以下の領域が前記基板上に局所的に発生している場合に、前記結晶質シリコンi層製膜時のマッチングバランスの調整、及び、前記ラマンピーク比が2.5以下の領域が発生した位置に対応する前記放電電極の高周波電力密度の増加を実施する工程とを含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記基板面内における前記ラマンピーク比が3.5以上8.0以下の領域の面積割合が80%以上となるように、前記結晶質シリコンi層を製膜する条件を調整することを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記基板に形成されたセル電圧が所定範囲内の値となるように、前記結晶質シリコンi層を製膜する条件を調整することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光電変換装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2008/069790 WO2010050034A1 (ja) | 2008-10-30 | 2008-10-30 | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010050034A1 JPWO2010050034A1 (ja) | 2012-03-29 |
JP5174179B2 true JP5174179B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=42128412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010535576A Expired - Fee Related JP5174179B2 (ja) | 2008-10-30 | 2008-10-30 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110073185A1 (ja) |
EP (1) | EP2287920A1 (ja) |
JP (1) | JP5174179B2 (ja) |
KR (1) | KR101165911B1 (ja) |
CN (1) | CN102047439B (ja) |
AU (1) | AU2008363365A1 (ja) |
WO (1) | WO2010050034A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130050721A (ko) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 |
US20150287865A1 (en) * | 2014-04-07 | 2015-10-08 | Solaero Technologies Corp. | Parallel interconnection of neighboring solar cells via a common back plane |
US10263131B2 (en) | 2014-04-07 | 2019-04-16 | Solaero Technologies Corp. | Parallel interconnection of neighboring solar cells with dual common back planes |
US10790406B2 (en) | 2014-04-07 | 2020-09-29 | Solaero Technologies Corp. | Parallel interconnection of neighboring space-qualified solar cells via a common back plane |
DE102015009004A1 (de) | 2015-06-05 | 2016-12-08 | Solaero Technologies Corp. | Automatisierte Anordnung und Befestigung von Solarzellen auf Paneelen für Weltraumanwendungen |
US9608156B2 (en) | 2015-07-09 | 2017-03-28 | SolAcro Technologies Corp. | Assembly and mounting of solar cells on space panels |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002289530A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Asahi Glass Co Ltd | プラズマcvd装置及び成膜方法 |
JP2005150317A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマcvd装置および光電変換装置の製造方法 |
JP2005183620A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Sharp Corp | シリコン薄膜太陽電池の製造方法 |
JP2006120712A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置、及びその製造方法 |
JP2008066343A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 製膜条件設定方法、光電変換装置並びにその製造方法、製造装置及び検査方法 |
WO2008078471A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | 光電変換装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6706336B2 (en) * | 2001-02-02 | 2004-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Silicon-based film, formation method therefor and photovoltaic element |
ATE441213T1 (de) * | 2003-06-19 | 2009-09-15 | Kaneka Corp | Photoelektrischer dünnfilm-wandler |
DE102005013537A1 (de) * | 2004-03-24 | 2005-10-20 | Sharp Kk | Fotoelektrischer Wandler und Herstellverfahren für einen solchen |
JP5309426B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2013-10-09 | 株式会社Ihi | 微結晶シリコン膜形成方法及び太陽電池 |
US7501305B2 (en) * | 2006-10-23 | 2009-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming deposited film and photovoltaic element |
EP2133924A4 (en) * | 2007-02-16 | 2011-04-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | PHOTOELECTRIC CONVERTER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
-
2008
- 2008-10-30 EP EP08877745A patent/EP2287920A1/en not_active Withdrawn
- 2008-10-30 CN CN200880129553XA patent/CN102047439B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-30 US US12/995,029 patent/US20110073185A1/en not_active Abandoned
- 2008-10-30 JP JP2010535576A patent/JP5174179B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-30 AU AU2008363365A patent/AU2008363365A1/en not_active Abandoned
- 2008-10-30 WO PCT/JP2008/069790 patent/WO2010050034A1/ja active Application Filing
- 2008-10-30 KR KR1020107025922A patent/KR101165911B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002289530A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Asahi Glass Co Ltd | プラズマcvd装置及び成膜方法 |
JP2005150317A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマcvd装置および光電変換装置の製造方法 |
JP2005183620A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Sharp Corp | シリコン薄膜太陽電池の製造方法 |
JP2006120712A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置、及びその製造方法 |
JP2008066343A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 製膜条件設定方法、光電変換装置並びにその製造方法、製造装置及び検査方法 |
WO2008078471A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | 光電変換装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010050034A1 (ja) | 2010-05-06 |
JPWO2010050034A1 (ja) | 2012-03-29 |
KR20110008250A (ko) | 2011-01-26 |
AU2008363365A1 (en) | 2010-05-06 |
KR101165911B1 (ko) | 2012-07-19 |
CN102047439A (zh) | 2011-05-04 |
EP2287920A1 (en) | 2011-02-23 |
CN102047439B (zh) | 2013-10-16 |
US20110073185A1 (en) | 2011-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5174179B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP5330723B2 (ja) | 光電変換装置 | |
WO2010052953A1 (ja) | 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置 | |
US8088641B2 (en) | Process for producing photovoltaic device | |
JP5022341B2 (ja) | 光電変換装置 | |
US20100229935A1 (en) | Photovoltaic device | |
JP5030745B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
WO2011040078A1 (ja) | 光電変換装置 | |
WO2011070805A1 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
WO2010064455A1 (ja) | 光電変換装置 | |
JP5324966B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法及び製膜装置 | |
JP4875566B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP2011061124A (ja) | 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置 | |
US20100116328A1 (en) | Process For Producing Photovoltaic Device And Photovoltaic Device | |
JP2010135637A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2013055083A (ja) | 製膜条件設定方法及び光電変換装置の製造方法 | |
JP2010251424A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2011077380A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2012253078A (ja) | 多接合型光電変換装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120911 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121227 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5174179 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160111 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |