JP5331978B2 - 電界効果トランジスタの製造方法及びその電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタの製造方法及びその電界効果トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5331978B2 JP5331978B2 JP2007228134A JP2007228134A JP5331978B2 JP 5331978 B2 JP5331978 B2 JP 5331978B2 JP 2007228134 A JP2007228134 A JP 2007228134A JP 2007228134 A JP2007228134 A JP 2007228134A JP 5331978 B2 JP5331978 B2 JP 5331978B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electron
- forming
- effect transistor
- field effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
<実施例1>
本発明の実施例1について、電界効果トランジスタの一種である高電子移動度トランジスタ(HEMT)を例として以下に説明する。
図1は、本発明の電界効果トランジスタの実施例1及び後述する実施例2を説明するための多層膜基板を示す断面構成図である。以下に実施例1及び実施例2に用いる多層膜基板の製造方法について説明する。
図3は、図1に示した多層膜基板を用いた本発明の実施例2に係る電界効果トランジスタの断面構成図で、図7は、図3に示された実施例2に係る電界効果トランジスタの製造方法を説明するためのフローチャートを示す図である。
次に、比較例に用いる多層膜基板の製造方法について以下に説明する。比較例に用いる多層膜基板は、図1に示したような実施例1及び実施例2に用いる多層膜基板とは異なる多層膜基板を用いている。
2 バッファ層(InAlAs)
3 電子走行層(InGaAs)
4 スペーサ層(InAlAs)
5 電子供給層(InAlP)
6 バリア層(InAlAs)
7 エッチストップ層(InP)
8 高電子濃度コンタクト層(InAlAs)
9 高電子濃度キャップ層(InGaAs)
51 加熱ヒーター
100 絶縁膜
101ソース電極
102 ゲート電極
103 ドレイン電極
Claims (4)
- 有機金属材料を用いてIII−V族化合物半導体薄膜をエピタキシャル結晶成長させて多層膜構造を形成する電界効果トランジスタの製造方法であって、
InP基板上にバッファ層であるInAlAsを形成する工程と、該バッファ層上に電子走行層であるInGaAsを形成する工程と、該電子走行層上にスペーサ層であるInAlAsを形成する工程と、該スペーサ層上に電子供給層であるInAlPを形成する工程と、該電子供給層上にバリア層であるInAlAsを形成する工程と、該バリア層上にエッチストップ層であるInPを形成する工程と、該エッチストップ層上に高電子濃度コンタクト層であるInAlAsを形成する工程と、該高電子濃度コンタクト層上に高電子濃度キャップ層であるInGaAsを形成する工程とを有し、
少なくとも前記電子供給層を形成する工程は、前記有機金属化合物がトリエチル化合物であり、前記III族化合物と前記V族化合物を、予熱したそれぞれ別々の導入配管を通して反応炉内に供給する工程と、混合反応させる前にInP基板を予め加熱を行なう工程と、前記InP基板の直上で化学反応させることで鎖状化合物の生成を抑制しながら前記電子供給層を形成する工程とを有し、かつ前記電子供給層に電子密度が、1×1019乃至3×1019/cm3の均一ドーピングを行なうことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 - 前記電子供給層を形成する際のトリエチル化合物が、トリエチルインジウムとトリエチルアルミニウムとトリエチルホスフィン及び/又はホスフィンであることを特徴とする請求項1に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
- 前記スペーサ層を形成する際のトリエチル化合物が、トリエチルインジウムとトリエチルアルミニウムとトリエチルヒ素及び/又はアルシンであることを特徴とする請求項1又は2に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
- InP基板と、該InP基板上に形成されたバッファ層と、該バッファ層上に形成された電子走行層と、該電子走行層上に形成されたスペーサ層と、該スペーサ層上に形成された電子供給層と、該電子供給層上に形成されたバリア層と、該バリア層上に形成されたエッチストップ層と、該エッチストップ層上に形成された高電子濃度コンタクト層と、該高電子濃度コンタクト層上に形成された高電子濃度キャップ層からなる多層膜構造を備え、
前記電子走行層がInGaAsで、前記スペーサ層がInAlAsで、前記電子供給層の電子親和力が、該電子供給層の下にある前記スペーサ層よりも小さいInAlPで、かつ前記電子供給層の電子密度が、1×1019乃至3×1019/cm3の均一ドーピングを行なうことによって形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007228134A JP5331978B2 (ja) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | 電界効果トランジスタの製造方法及びその電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007228134A JP5331978B2 (ja) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | 電界効果トランジスタの製造方法及びその電界効果トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009060043A JP2009060043A (ja) | 2009-03-19 |
JP5331978B2 true JP5331978B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=40555481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007228134A Expired - Fee Related JP5331978B2 (ja) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | 電界効果トランジスタの製造方法及びその電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5331978B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012134345A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2015103784A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-04 | 日本電信電話株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP2017168530A (ja) | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3086748B2 (ja) * | 1991-07-26 | 2000-09-11 | 株式会社東芝 | 高電子移動度トランジスタ |
JPH0738091A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置 |
JP3463776B2 (ja) * | 1995-06-22 | 2003-11-05 | シャープ株式会社 | ヘテロ接合半導体デバイス |
JP3431362B2 (ja) * | 1995-08-11 | 2003-07-28 | シャープ株式会社 | ヘテロ接合半導体デバイス |
JP3416051B2 (ja) * | 1998-03-18 | 2003-06-16 | 日本電信電話株式会社 | Iii−v族化合物半導体装置の製造方法 |
JP3443034B2 (ja) * | 1999-05-13 | 2003-09-02 | 日本電信電話株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP2004031652A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ |
JP2004186465A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ヘテロ構造型電界効果トランジスタ |
JP4083613B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2008-04-30 | プレス工業株式会社 | アクスルハウジング |
-
2007
- 2007-09-03 JP JP2007228134A patent/JP5331978B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009060043A (ja) | 2009-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5099116B2 (ja) | 化合物半導体装置とその製造方法 | |
JP4792814B2 (ja) | 高電子移動度トランジスタ、電界効果トランジスタ、エピタキシャル基板、エピタキシャル基板を作製する方法およびiii族窒化物系トランジスタを作製する方法 | |
JP2817995B2 (ja) | ▲iii▼―▲v▼族化合物半導体ヘテロ構造基板および▲iii▼―▲v▼族化合物ヘテロ構造半導体装置 | |
KR101167651B1 (ko) | 화합물 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2007165431A (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
WO2012164750A1 (ja) | 窒化物電子デバイス、窒化物電子デバイスを作製する方法 | |
JP7013710B2 (ja) | 窒化物半導体トランジスタの製造方法 | |
US20100301393A1 (en) | Field effect transistor and manufacturing method therefor | |
JPH09307097A (ja) | 半導体装置 | |
JP5331978B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法及びその電界効果トランジスタ | |
JP5460751B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2012137309A1 (ja) | 窒化物電子デバイスを作製する方法 | |
JP5119644B2 (ja) | Iii−v族化合物半導体エピタキシャルウェハ | |
CN111952175B (zh) | 晶体管的凹槽制作方法及晶体管 | |
JP2006012915A (ja) | Iii−v族化合物半導体装置及びその製造方法 | |
JP5059205B2 (ja) | ウェーハ及び結晶成長方法 | |
WO2023095237A1 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその作製方法 | |
JP2007235062A (ja) | エピタキシャルウェハ及び電子デバイス並びにiii−v族化合物半導体結晶の気相エピタキシャル成長法 | |
KR101256465B1 (ko) | 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2009081213A (ja) | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2008192830A (ja) | Iii−v族化合物半導体装置及びその製造方法 | |
JP4924046B2 (ja) | 接合型iii族窒化物トランジスタを作製する方法 | |
JP2004241463A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
JP2005150136A (ja) | 窒化物系化合物からなる半導体素子の製造方法 | |
JP5614057B2 (ja) | 窒化物電子デバイスを作製する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100901 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130325 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130329 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20130524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130704 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5331978 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |