JP5328372B2 - 薄型表面実装フィルタ - Google Patents

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Description

本発明は、概してフィルタに関し、より具体的には薄型表面実装フィルタに関する。
多くの製造過程では、比較的高純度ガスを調整された流速と圧力で送達することが要求される。例えば、半導体の製造においては、ガスの純度と流速を慎重に調整し、ウエハの欠陥を防止しなければならない。欠陥によりウエハを損失すると、費用も時間もかかることになる。
半導体の製造において、ガスは、「ガススティック」を通して処理チャンバに供給される。ガススティックは、フィルタ、弁、マスフローコントローラ、圧力トランスデューサなどの種々の構成要素、あるいはその他の構成要素を含んで、ガスを純化したり、ガス流を調整したり、あるいはガスの物性またはガス流を監視したりすることができる。従来は、それぞれの構成要素がVCRコネクタによって隣接する構成要素に接続される「直列」方式で、構成要素が接続されていた。最近では、半導体産業は、モジュール構成に移行してきた。モジュール構成では、ガス構成要素は、モジュール基板ブロック上に実装される。基板ブロック内の流路は、基板ブロック間、つまりはガス構成要素間の流れの経路を定める。モジュール構成には、設置面積を縮小し、インタフェースを標準化する効果がある。
図1は、モジュール構成を用いたガススティック100の一実施形態を図示している。図1の例では、圧力トランスデューサ102は、基板ブロック104上に実装され、フィルタ106は、基板ブロック108上に実装されている。ガススティック100は、スタンドアロンフィルタ106を収容するための基板108を必要とする。基板108を追加することで、ガススティック100はより長く、重くなり、また費用も高くなる。
積層可能なフィルタを用いて、ガススティックを短縮するためのいくつかの試みがなされている。以前のフィルタは、ブロックの2つの部分に挟まれた精製要素、あるいは基板またはフィルタの最上部に積層された構成要素に通じる様々な流路と垂直に列設された精製要素を有して作成されてきた。前者のタイプのフィルタは、フィルタブロックの様々な部分間に複数のシールを必要とする不利点を有する。機械的シールを追加することで、流れ経路を遮断し、濡れ面積を広げ、デッドスペースを増加させる可能性がある。さらに、フィルタブロックの部分のシール面間での寸法あるいは表面処理の凹凸による、シール漏れの可能性もある。後者のタイプのフィルタ(例えば、精製要素が流路と列設されたフィルタ)は、精製要素を収容するために、さらに高さを必要とする。
従って、機械的シール、およびガススティックの長さと高さを最小限に抑え、同時にモジュール基板の設置面積に収まる薄型フィルタが必要とされている。
本発明の実施形態は、これまでに開発されたフィルタシステムおよび方法の不利点を実質的に解消または軽減する、薄型フィルタのためのシステムおよび方法を提供する。より具体的には、本発明の実施形態は、モジュール式ガスパネル設計とともに使用するための薄型フィルタを提供する。本発明の一実施形態は、複数の流れ経路と、その中に画定されたフィルタキャビティとを有する基板ブロック上に実装するように適合されたフィルタハウジングを含む。フィルタキャビティは、薄型フィルタの使用中に、概して水平方向に延在するように画定される。第1の流路は、フィルタハウジングの入口をフィルタキャビティの第1の部分に接続するように画定され、第2の流路は、フィルタキャビティの第2の部分をフィルタハウジングの出口に接続するように画定される。フィルタとアダプタを備えるフィルタアセンブリは、フィルタキャビティ内に配置され、フィルタキャビティの表面に封着され、フィルタキャビティの第1の部分と、フィルタキャビティの第2の部分とを含む隣接部分にフィルタキャビティを分離する。別の実施形態では、垂直配向されたフィルタを使用してもよいが、これにより高さを抑えることをできなくなる場合がある。
フィルタハウジングは、単一片の材料であってもよい。フィルタは、ニッケル、鋼、セラミックTEFLON、またはその他の材料のディスクまたはチューブフィルタであってもよい。本発明の種々の実施形態によると、フィルタの最上部に実装された構成要素にガスの経路が向けられる前、あるいはガスが構成要素から戻った後に、ガスを濾過できるように、流路を配設することができる。別の実施形態によると、フィルタは、ガスを基板ブロックから受け取り、濾過し、基板ブロックに戻すスタンドアロンフィルタとして作用することができる。
本発明の別の実施形態は、フィルタを基板ブロックに実装するステップと、ガスをフィルタハウジングの入口から、概して水平の第1のフィルタキャビティへ導くステップと、ガスを第1のフィルタアセンブリ内に概して水平方向に流入させ、第1のフィルタを通してガスを濾過するステップと、ガスを第1のフィルタキャビティから、フィルタハウジングの出口へ導くステップを含む、薄型フィルタを用いてガスを濾過する方法を含むことができる。ここでも、ガスは、薄型フィルタに実装された構成要素にガスの経路が向けられる前あるいは後に濾過することができる。別の実施形態によると、基板ブロックからガスを受け取り、濾過し、基板ブロックに戻すことができる。
本発明のさらに別の実施形態は、最上面と底面を有するフィルタハウジングを形成するステップと、フィルタキャビティであって、使用中に概して水平になるよう配向されるフィルタキャビティをフィルタハウジング内に機械加工するステップと、第1の流路であって、フィルタハウジングの入口からフィルタキャビティに延びる第1の流路をフィルタハウジング内に機械加工し、第2の流路であって、フィルタキャビティから出口に通じる第2の流路をフィルタハウジング内に機械加工するステップと、フィルタアセンブリを形成し、フィルタアセンブリをフィルタキャビティの表面に封着して、フィルタキャビティを隣接部分に分離するステップであって、第1の流路は、フィルタキャビティの第1の部分に入り、第2の流路は、フィルタキャビティの第2の部分に入るステップとを含む、薄型フィルタを作成する方法を含む。
本発明の実施形態は、半導体製造用途において、十分な圧力低下を生じ、十分な対数減少値(「LRV」)を有しながら、高さを最低限に抑えた薄型表面実装フィルタを提供することにより、これまでに開発されたフィルタに勝る技術的効果を提供する。
本発明の実施形態は、流れ経路内のシールの数を減らし、それによりフィルタ内の濡れ面積とデッドスペースを減少させることによって、別の効果を提供する。これはフィルタを乾燥させる時間を短縮し(ドライダウン時間の短縮)、浮遊粒子がデッドスペースから遊離して、ガスの流れに侵入する可能性を最低限に抑えることができる。
以下の説明を添付の図面と併せて参照することにより、本発明とその効果がより完全に理解できるであろう。図面において、同様の参照番号は、同様の機能を表している。
図には本発明の好ましい実施形態が示されるが、同様の番号は、種々の図面における同様あるいは対応する部分を指すために使用されている。
本発明の実施形態は、薄型フィルタのためのシステムと方法を提供する。薄型フィルタは、一実施形態によると、最上部と底部にガスの進入/退出のためのポートを有するフィルタハウジングを含む。フィルタ本体は、フィルタ本体内に概して水平に延びるフィルタキャビティを画定する。フィルタアセンブリは、2つの水平隣接部分にフィルタキャビティを分割する。第1の流路は、フィルタ本体の最上部あるいは底部にあるポートから、第1の部分に通じ、第2の流路は、最上部あるいは底部にある別のポートから、第2の部分に通じる。ポートと流路との構成により、ガスが薄型フィルタの最上部に実装された構成要素に流入する前あるいは後に、ガスを濾過することができる。別の実施形態では、垂直に配向されたフィルタを用いることができるが、これにより高さを抑えることをできなくなる場合がある。
フィルタアセンブリは、一実施形態によると、チューブフィルタとアダプタとを含むことができる。アダプタは、チューブフィルタに連結され、フィルタキャビティの表面に封着される、リングあるいはその他の形状であってもよい。フィルタキャビティ内に設置されると、フィルタアセンブリは、2つの水平隣接部分にフィルタキャビティを隔離し、チューブフィルタはそれらの部分のうちの1つに突き出た状態となる。ガスは、第1の流路を経由して第1の部分に入り、アダプタの中央を貫流し、チューブフィルタから第2の部分に透過する。その後ガスは、第2の流路を経由して、フィルタキャビティの第2の部分から流出できる。
別の実施形態によると、フィルタアセンブリは、フィルタキャビティを横切って封着された1つ以上の垂直ディスク膜を含むことができる(例えば、フィルタキャビティの主水平軸のほぼ法面内に)。この例では、ガスは、第1の流路を経由して第1の部分に入り、ディスク膜を貫流してフィルタキャビティの第2の部分に流入し、第2の流路を経由してフィルタキャビティから出る。
ガスが薄型フィルタの最上部に積層された構成要素に流入する前、あるいは薄型フィルタの最上部に積層された構成要素から流出した後に、濾過できるように、流路を構成し、ポートを配設することができる。さらに、流路とポートは、薄型フィルタがスタンドアロンフィルタとして作用するように、構成することもできる。
図2は、本発明の実施形態による薄型フィルタ210の例とともに、ガススティック200の実施形態を示している。図2の例では、薄型フィルタ210は、基板ブロック212と圧力トランスデューサ214との間に実装される。図1と比較すると、1つの基板ブロックが排除され、それによりガススティックが短縮されている。さらに、フィルタ210は、フィルタ106よりも著しく短い。薄型フィルタ210は、ガスが圧力トランスデューサ214に流入する前、ガスが圧力トランスデューサ214から流出した後、あるいはその両方にガスを濾過するように構成することができる。
操作中、ガスは、基板ブロック212を通して薄型フィルタ210の底部に入る。ガスは、濾過されて圧力トランスデューサ214に移動しても、あるいは圧力トランスデューサ214を通過して、基板ブロック212に戻る際に濾過されてもよい。薄型フィルタ210は、多様な基板ブロックに収まるように構成することができ、またK1S、K1、K1H、C−Seal、W−Seal、CS−Seal、またはその他の当技術分野で既知のあるいは開発されたガスパネル基板ブロックと適合するように形成することができる。さらに、圧力トランスデューサ214以外の構成要素を薄型フィルタ210に実装することもできる。これにはマスフローコントローラ、ディスプレイ、水分モニタ、ゲージ、弁、拡散器、圧力調整器、あるいは当技術分野で既知のあるいは開発されたその他の構成要素が含まれるが、これらに限定されない。
図3は、基板ブロック312上に実装された薄型フィルタ310の実施形態を使用する、ガススティック300の別の実施形態を示している。図3の例では、薄型フィルタ310は、スタンドアロンフィルタである。しかし、図2の例では、薄型フィルタ310は、フィルタ106よりも著しく短い。この例では、ガスは、基板ブロック312から薄型フィルタ310に入り、フィルタを通過し、基板ブロック312に戻る。
図4Aおよび4Bは、薄型フィルタ210の一実施形態の図表示である。薄型フィルタ210は、その中に概して水平のフィルタキャビティ402を有するフィルタハウジング400を含む。表面404を起点としているところのみが図示されているが、フィルタキャビティ402は、フィルタハウジング400のさらなる外面を起点として、フィルタアセンブリ430(後述)の挿入を容易にすることができる。フィルタハウジング400の上面および底面にある1つ以上のポート(例えば、ポート406、ポート408、ポート410、ポート412)は、薄型フィルタ210への入口または出口として作用する。フィルタハウジング400に画定された流路は、ガスをフィルタキャビティ402内外に、また入口/出口ポート内外に導く。例えば、流路414は、底部ポート406から、フィルタキャビティ402に延び、流路416は、フィルタキャビティ402から、上部ポート410に延びる。流路418は、底部ポート408と上部ポート412との間に延びる経路を通過する。フィルタハウジング400は、種々のコネクタ孔(その1つは、420に示される)をさらに含んで、フィルタハウジング400を基板ブロックに接続できるようにすることができる。
フィルタハウジング400は、ガス流を方向付けるのに適したステンレス鋼などの材料で形成されるが、その他の材料を使用することもできる。フィルタハウジング400の種々の特徴は、薄型フィルタ210が多様な基板ブロックおよび構成要素と適合するように構成できる。例示の目的であって、限定するものではないが、薄型フィルタ210は、C−Seal構成に適合してもよい。したがって、フィルタハウジング400は、幅1.125インチ、深さ1.125インチ、(C−Seal基板ブロックとほぼ同じ設置面積を有することができる)、高さ0.375インチにできる。この例では、ポート406は、薄型フィルタ210への流入ポートとして作用し、ポート410は、薄型フィルタ210の最上部に積層された構成要素にガスを供給するための流出ポートとして作用し(C−Seal構成によると、中央ポートは構成要素の流入ポートである)、ポート410は、積層された構成要素に濾過されたガスを供給し、ポート408は、基板ブロックへの流出ポートとなるであろう。したがって、薄型フィルタ210の最上部に積層された構成要素において、フィルタハウジング400は、C−Seal基板ブロックと同じポート配設を備えることができる。
フィルタハウジング400は、一実施形態によると、単一ステンレス鋼ブロックである。フィルタキャビティ402、ポート406、408、410、および412は、既知の機械加工技術を用いて、ステンレス鋼ブロック内に機械加工される。フィルタキャビティ402は、例えば、0.276インチの直径を有することができる。それから種々の流路と取り付け穴を開けることができる。流路に通じるC−sealポートの中央の穴の外径を0.180インチ以下に規定している半導体メーカーもあることに留意すべきである。流路の角度と流路の直径は、流路の入口の円または楕円(角度を成して穴を開けらた場合)が、規定のサイズ(例えば、0.180インチ)以下となるように選択することができる。楕円形入口が形成されるように、ハウジング400の上面に対して角度を成して流路416の穴を開けると仮定すると、フィルタキャビティ402からポート410に延びる流路416の角度と直径は、入口の外径が0.180インチ以下、あるいはその他の規定のサイズとなるように選択することができる。
一実施形態によると、ポート406からフィルタキャビティ402への流路414は、2段階で機械加工される。第1の部分は、流入ポート406からフィルタハウジング400内に機械加工される。ここでも、流路416の角度と半径は、流路416への楕円入口が規定の直径を超えないように選択することができる。流路416の第2の部分は、フィルタキャビティ402の表面から、流路414の第1の部分に当たる角度で内向きに機械加工することができる。通常、最初に機械加工された流路414の部分は、後で機械加工された部分よりもやや大きい直径を有し、機械加工中に、第2の部分が第1の部分に完全に一致するのを容易にする。例えば、流路414の第1の部分は直径0.125インチを有し、第2の部分(小さい方の部分)の直径は0.094インチにすることができる。流路416は、一実施形態によると、直径約0.125インチを有してもよく、この例では、流路420は最大0.180インチの直径を有することができる。ただし、フィルタハウジング400を形成するために、あらゆる機械加工技術が使用できることに留意すべきである。
フィルタアセンブリ430は、フィルタキャビティ402内に配置され、2つの水平隣接部分にフィルタキャビティ402を分離するが、これは全般的に432および434に示される(図5参照)。流路414は、フィルタキャビティ402の部分432に入り、流路416は、フィルタキャビティの部分434に入る。したがって、流入ポート406からフィルタキャビティ402への流路(流路414)と、フィルタキャビティ402から流出ポート410への流路とは、フィルタアセンブリ430によって隔離される。
図4の実施形態によると、フィルタアセンブリ430は、アダプタ440に連結されたチューブフィルタ438を含む。ただし、フィルタアセンブリ430は、任意のフィルタ機構を含んで、フィルタキャビティ402を分離し、部分間でガスを濾過することができる。チューブフィルタ438は、一連のプロセス要件に適した任意のチューブフィルタを含むことができる。例示の目的であって、限定するものではないが、チューブフィルタ438は、0.003ミクロンのステンレス鋼またはニッケルフィルタであってもよい。鋼およびニッケルチューブフィルタの例には、それぞれMykrolis Corp.製のWafergard SL Gas Filters WGSLSFC1MおよびWGSLNFC1Mがある。これらの例では、壁厚は約0.020〜0.065インチ、孔径は5〜10ミクロンである(Mykrolis Corp.は、マサチューセッツ州ビルリカを拠点とし、ミネソタ州チャスカのEntegris Corp.と合併した)。フィルタ材料のその他の例には、TEFLONおよびその他のフィルタ材料がある(TEFLONは、デラウェア州ウィルミントンのE.I.du Pont de Nemours and Companyの登録商標である)。アダプタ440は、ステンレス鋼またはその他の材料であってもよい。
チューブフィルタ438は、アダプタ440に溶接あるいは別の方法で連結され、フィルタアセンブリ430を形成する。フィルタアセンブリは、フィルタキャビティ402に挿入され、フィルタアセンブリ430とフィルタキャビティ402の壁との間にシールが形成される。一実施形態によると、締まり嵌めによって、アダプタ440とフィルタキャビティ402の壁との間にシールが形成される。この実施形態によると、アダプタ440の半径または外径は、アダプタ440がフィルタキャビティ402の壁に封着される範囲において、フィルタキャビティ402の半径または外径よりもやや大きい。例えば、アダプタ440は、シールが形成される範囲において、周囲温度においてフィルタキャビティ402の半径よりも0.0005〜0.0015インチ大きい半径を有することができる。フィルタアセンブリ430をプレスを用いてフィルタキャビティ402に圧入し、アダプタ440とフィルタキャビティ402との間に締まり嵌めシールを形成することができる。別の実施形態によると、フィルタアセンブリ430を冷却し(例えば、液体窒素またはその他の冷却方法により)、フィルタハウジング400を加熱することができる。フィルタアセンブリ430が冷却により収縮し、フィルタキャビティ402が加熱により膨張している間に、フィルタアセンブリ430をフィルタキャビティ402内に設置する。フィルタアセンブリ430とフィルタハウジング400が周囲温度に達すると、フィルタアダプタ440とフィルタキャビティ402の壁との間に締まり嵌めシールが形成される。別の実施形態では、フィルタアセンブリ430は、Eビーム、レーザ、TIG、またはプラズマを用いてフィルタキャビティ402に溶接できる。
フィルタキャビティ402は、シーリングボタン、プラグ、あるいはその他の材料片424を用いて、表面404で封着できる(図4Bおよび図5に図示)。シーリングボタンは、ステンレス鋼、または好ましくは所定のプロセスガスに対して非反応性あるいは低反応性のその他の材料から形成できる。一実施形態によると、シーリングボタンは、融接によりフィルタハウジング400に封着される。
操作中、薄型フィルタ210は、図2に示されるように、基板に実装される。ガスは、ポート406から流路414に入り、フィルタキャビティ402の部分432に流入する。続いてガスは、アダプタ440の中央を貫流してチューブフィルタ438に流入し、チューブフィルタ438の壁からフィルタキャビティ402の部分434内に透過する。濾過されたガスは、流路416を経由してフィルタキャビティ402からポート410に流れ、薄型フィルタ210に実装された構成要素に到達する。
別の実施形態によると、流路414は、フィルタキャビティ402の部分434に入り、流路416は、フィルタキャビティ402の部分432に入ることができる。その結果、ガスは、チューブフィルタ438の外側からチューブフィルタ438の内側に通過することによって濾過されることになる。
図5は、薄型フィルタ210の断面図の図表示であり、フィルタキャビティ402を側面から示している。図5に示されているのは、底部ポート406、上部ポート410と412、およびフィルタキャビティ402を含むフィルタハウジング400である。図5は、チューブフィルタ438とアダプタ440とを含むフィルタアセンブリ430も図示している。シーリングボタン424も示されている。図5に見られるように、フィルタアセンブリ430は、フィルタキャビティ402を水平隣接部分432と部分434とに分離する。流路414は、底部ポート406からフィルタキャビティ402に延び、流路416は、ポート410からフィルタキャビティ402に延びている。この例では、ガスは、基板ブロックからポート406に流入し、部分432内の流路414を経由してフィルタキャビティ402に入る。ガスは、アダプタ440の中央を貫流してチューブフィルタ438に流入し、チューブフィルタ438から部分434内に透過する。ガスは続いて、流路416を通ってフィルタキャビティ402から流出し、ポート410を通って、薄型フィルタ210に実装された構成要素に流入する。ガスは、ポート412を通って構成要素から戻り、元の基板ブロックへと導かれる。この例では、ガスは、構成要素に入る前に濾過される。
図6は、図4Aにおける薄型フィルタ210の断面図の図表示である。図6は、フィルタハウジング400、ポート406、ポート408、ポート410、ポート412、流路416、流路418、およびチューブフィルタ438を図示している。一実施形態によると、流路416は、チューブフィルタ438によって濾過されたガスを、薄型フィルタ210に実装された構成要素へと導く。ガスは、構成要素から戻り、フィルタハウジング400のポート412に入る。流路418は、ガスをポート412からポート408、そして下層の基板ブロックへと導く通過流路である。
前の実施形態では、薄型フィルタ210は、薄型フィルタ210に実装された構成要素にガスを供給する前に、ガスを濾過する。しかし別の実施形態では、薄型フィルタ210は、構成要素により放出されて薄型フィルタ210に戻された後に、ガスを濾過できる。図7は、構成要素の出口側でガスを濾過するための、薄型フィルタ210の図表示である。図7の実施形態によると、薄型フィルタ210は、中に概して水平のフィルタキャビティ702を有するフィルタハウジング700を含む。表面704を起点としているところのみが図示されているが、フィルタキャビティ702は、フィルタハウジング700のさらなる外面を起点として、フィルタアセンブリ730(後述)の挿入を容易にすることができる。フィルタハウジング700の上面および底面にある1つ以上のポート(例えば、ポート706、ポート708、ポート710、ポート712(ポート706と708は、図8においてよりわかりやすい))は、薄型フィルタ210への入口または出口として作用する。フィルタハウジング700に画定された流路は、ガスをフィルタキャビティ702内外に、また入口/出口ポート内外に導く。例えば、流路714は、底部ポート706から、上部ポート710に延びる。流路716は、上部ポート712から、フィルタキャビティ702に延び、流路718(図8に図示)は、フィルタキャビティ702から、底部ポート708に延びる。フィルタハウジング700は、種々のコネクタ孔(720に示される)をさらに含んで、フィルタハウジング700を基板ブロックに接続できるようにすることができる。フィルタハウジング700は、単一ブロックの材料で形成でき、図4Aおよび4Bのフィルタハウジング400と関連して説明したものと同様の手順で寸法を決め、機械加工することができるが、経路は出口側で濾過できるように配設される。
フィルタアセンブリ730は、フィルタキャビティ702内に配置され、フィルタキャビティ702を2つの水平隣接部分に分離するが、これは全般的に732および734(図8に図示)に示される。流路716は、フィルタキャビティ702の部分732に入り、流路718は、フィルタキャビティの部分734に入る。したがって、上部流入ポート712からフィルタキャビティ702への流路(流路716)と、フィルタキャビティ702から底部流出ポート708への流路(流路718)とは、フィルタアセンブリ730によって隔離される。
図7の実施形態によると、フィルタアセンブリ730は、アダプタ740(図8において、より見やすい)と連結されたチューブフィルタ738を含む。ただし、フィルタアセンブリ730は、任意のフィルタ機構を含んで、フィルタキャビティ702を分離し、部分間でガスを濾過することができる。チューブフィルタ738は、一連のプロセス要件に適した任意のチューブフィルタを含むことができる。例示の目的であって、限定するものではないが、チューブフィルタ738は、0.003ミクロンのステンレス鋼またはニッケルのフィルタであってもよい。アダプタ740は、ステンレス鋼またはその他の材料であってもよい。
フィルタアセンブリ730は、図4Aのフィルタアセンブリ430と同様の手順で形成でき、締まり嵌めシールまたはその他のシールを形成するために、フィルタハウジング700と連結できる。フィルタキャビティ702は、シーリングボタン724(図8に図示)、あるいはその他の材料片を用いて、表面704で封着できる。ボタン724は、ステンレス鋼、または好ましくは所定のプロセスガスに対して非反応性あるいは低反応性のその他の材料から形成できる。一実施形態によると、ボタン724は、融接によりフィルタハウジング700に封着される。
操作中、薄型フィルタ210は、図2に示されるように、基板に実装される。ガスは、ポート706から流路714に入り、ポート710を介して、薄型フィルタ210の最上部に実装された構成要素に流入する。構成要素は、ポート712を介して、薄型フィルタ210にガスを戻す。ガスは、流路716を貫流してフィルタキャビティ702に流入する。続いてガスは、アダプタ740の中央を貫流してチューブフィルタ738に流入し、チューブフィルタ738の壁からフィルタキャビティ702の部分734内に透過する。濾過されたガスは、流路718を経由してフィルタキャビティ702からポート708に流れ、薄型フィルタ210が実装されている基板に戻る。
別の実施形態によると、流路716は、フィルタキャビティ702の部分734に入ることができ、流路718は、フィルタキャビティ702の部分732に入ることができる。その結果、ガスは、チューブフィルタ738の外側からチューブフィルタ738の内側に通過することによって濾過されることになる。ともかく、実装された構成要素の出口側でガスを濾過すると、構成要素によって持ち込まれるあらゆる混入物質が、ガスが別の構成要素に向けられる前に濾過されるという効果をもたらす。
図8は、図7における薄型フィルタ210の断面図の図表示である。図8に示されているのは、底部ポート706と708、上部ポート710と712、およびフィルタキャビティ702を含むフィルタハウジング700である。チューブフィルタ738とアダプタ740とを含むフィルタアセンブリ730も示されている。図8は、さらにシーリングボタン724も示している。図8に見られるように、フィルタアセンブリ730は、フィルタキャビティ702を水平隣接部分732と部分724とに分離する。流路716は、上部ポート712からフィルタキャビティ702に延び、流路718は、フィルタキャビティ702から底部ポート708に延びる。この例では、ガスは、基板ブロックからポート706に流入し、ポート710に至る。薄型フィルタ210に実装された構成要素からの帰路に、ガスは、ポート712からフィルタキャビティ702に流れ、アダプタ740の中央を通ってチューブフィルタ738の中央に流入し、チューブフィルタ738から部分734に透過する。ガスは続いて、ポート708を通って薄型フィルタ210から流出し、基板ブロックに至る。ただしここでも、流路の配向を逆にして、チューブフィルタ738の外側からチューブフィルタ738の中央にガスを通過させることによって、ガスが濾過されるようにすることができる。
すでに説明した本発明の実施形態は、単一のフィルタを使用する。本発明の別の実施形態によると、複数のフィルタを使用することもできる。図9Aおよび9Bは、デュアルフィルタ構成薄型フィルタ210の一実施形態の図表示である。図9Aおよび9Bの実施形態によると、薄型フィルタ210は、その中に1対の概して水平なフィルタキャビティ902と903とを有するフィルタハウジング900を含む。表面904を起点としているところのみが図示されているが、フィルタキャビティ902と904とは、フィルタハウジング900のさらなる外面を起点として、フィルタアセンブリ930と931との挿入を容易にすることができる。フィルタハウジング900の上面および底面にある1つ以上のポートは、薄型フィルタ210への入口または出口として作用する。図9Aおよび9Bの視点からは、上部ポート910と912とのみが示されている。フィルタハウジング900に画定された流路は、ガスをフィルタキャビティ902および903の内外に、また入口/出口ポートの内外に導く。例えば、流路914は、底部ポートから、フィルタキャビティ902およびフィルタキャビティ903に延びる。さらに、フィルタキャビティ902からポート910に流路が通じ、フィルタキャビティ903からポート910へは別の流路が延びる。ポート912から底部流出ポートへの流路は、通過経路として作用する。
フィルタアセンブリ930は、フィルタキャビティ902内に配置され、第2のフィルタアセンブリ931は、フィルタキャビティ903内に配置される。フィルタアセンブリ930は、フィルタキャビティ902を2つの水平隣接部分に分離し、フィルタアセンブリ931は、フィルタキャビティ903を2つの水平部分に分離する。流路914は、フィルタキャビティ902の第1の部分でフィルタキャビティ902に入り、フィルタキャビティ903の第1の部分でフィルタキャビティ903に入る。流出路(例えば、フィルタキャビティ902からポート910に延びる)は、フィルタキャビティ902の第2の部分でフィルタキャビティ902に入り、フィルタキャビティ903の流出路(例えば、フィルタキャビティ903からポート910に延びる)は、フィルタキャビティ903の第2の部分でフィルタキャビティ903に入る。したがって、流路914は、フィルタアセンブリ930によってフィルタキャビティ902の出口から分離され、フィルタアセンブリ931によってフィルタキャビティ903の出口から分離される。
図9Aおよび9Bの実施形態によると、フィルタアセンブリ930およびフィルタアセンブリ931は、前述のフィルタアセンブリと類似していてもよく、アダプタとチューブフィルタとを含んでもよい。ただし、いずれのフィルタアセンブリも、任意のフィルタ機構を含んでおり、それぞれのフィルタキャビティを部分に分離し、部分間でガスを濾過することができる。例示の目的であって、限定するものではないが、チューブフィルタは、0.003ミクロンのステンレス鋼またはニッケルのフィルタでよく、アダプタは、ステンレス鋼またはその他の材料であってもよい。
フィルタアセンブリ930および931は、図4Aおよび図4Bのフィルタアセンブリ430と同様の手順で形成でき、締まり嵌めシールまたはその他のシールを形成するために、フィルタハウジング900と連結できる。フィルタキャビティ902およびフィルタキャビティ903は、ステンレス鋼、または好ましくは所定のプロセスガスに対して非反応性あるいは低反応性のその他の材料から形成されたシーリングボタンまたはプラグを用いて、表面904で封着できる。プラグまたはシーリングボタンは、融接によりフィルタハウジング900に封着できる。
操作中、薄型フィルタ210は、図2に示されるように、基板に実装される。ガスは、底部ポートを通って流路914に入り、フィルタキャビティ902および903に流入する。ガスは、フィルタアセンブリ930および931の中央を貫流し、それぞれフィルタキャビティ902および903の他方の部分に透過する。ただしここでも、この流れを逆にして、チューブフィルタから流出するのではなく、チューブフィルタに流入することによって、ガスが濾過されるようにしてもよい。流路は、フィルタキャビティ902とフィルタキャビティ903から、ポート910にガスを導く。ガスは、ポート912を通って構成要素から戻り、通過流路を通って、フィルタハウジング900の底部にある流出ポートから流出する。したがって、流れ経路は、図4A、4B、および5と関連して説明したものと類似しているが、2つのフィルタキャビティにガスが同時に導かれ、薄型フィルタ210の最上部に積層された構成要素に導かれる前に、ガスが濾過される点が異なる。
図9A〜9Bの例では、薄型フィルタ210は、入口フィルタとして作用する。ただし、薄型フィルタ210は、構成要素の出口側用のデュアルフィルタとして構成してもよい。別の実施形態によると、1つのフィルタが、構成要素の入口側で作用し、他方のフィルタが構成要素の出口側で作用することもできる。別の実施形態によると、両フィルタを同じフィルタキャビティに設置し(例えば、両端から挿入される)、フィルタキャビティにガスを再循環させることができる。
デュアルフィルタの使用は、単一フィルタに勝る効果をもたらすが、これはデュアルフィルタが、小さい直径でより大きい表面積を可能にするためである。これは、単一フィルタを超えるあるいは同等の圧力低下を可能にし、同時にフィルタハウジング900の高さを抑えることができる。さらに、ポートの配置により大きいフィルタを収められないフィルタハウジングに、複数の直径の小さいフィルタを用いることができる。
図10は、薄型フィルタ210のさらに別の実施形態の図表示である。薄型フィルタ210は、その中に概して水平フィルタキャビティ1002を有するフィルタハウジング1000を含む。一表面を起点としているところのみが図示されているが、フィルタキャビティ1002は、フィルタハウジング1000のさらなる外面を起点として、フィルタアセンブリ1030の挿入を容易にすることができる。フィルタハウジング1000の上面および底面にある1つ以上のポート(例えば、ポート1006、ポート1008、ポート1010、ポート1012)は、薄型フィルタ210への入口または出口として作用する。フィルタハウジング1000に画定された流路は、ガスをフィルタキャビティ1002内外に、また入口/出口ポート内外に導く。例えば、流路1014は、底部ポート1006から、フィルタキャビティ1002に延び、流路1016は、フィルタキャビティ1002から、上部ポート1010に延びる。流路1018は、底部ポート1008と上部ポート1012との間に延びる経路を通過する。フィルタハウジング1000は、種々のコネクタ孔をさらに含んで、フィルタハウジング1000を基板ブロックに接続できるようにすることができる。
フィルタアセンブリ1030は、フィルタキャビティ1002内に配置され、フィルタキャビティ1002を2つの水平隣接部分に分離する。流路1014は、フィルタキャビティ1002の第1の部分に入り、流路1016は、フィルタキャビティの第2の部分に入る。したがって、流入ポート1006からフィルタキャビティ1002への流路(流路1014)と、フィルタキャビティ1002から流出ポート1010への流路とは、フィルタアセンブリ1030によって隔離される。
図10の実施形態によると、フィルタアセンブリ1030は、アダプタ1040に連結されたチューブフィルタ1038を含む。ただし、フィルタアセンブリ1030は、任意のフィルタ機構を含んで、フィルタキャビティ1002を分離し、部分間でガスを濾過することができる。チューブフィルタ1038は、一連のプロセス要件に適した任意のチューブフィルタを含むことができる。チューブフィルタ1038は、本発明の一実施形態によると、第1の部分に対して開放された複数のTEFLON管(例えば、中空糸)を備えるTEFLONフィルタである。これらの管は、任意により、直線管であっても、あるいは例えば「U字」管であってもよい。アダプタ1040は、ステンレス鋼リングであってもよい。類似のTEFLON管の例は、Mykrolis Corp.製、pHasor Membrane Contactor PH2005F0Fに見られる。一実施形態によると、TEFLON管は、孔径約5ミクロン、壁厚0.006〜0.012インチを有するが、孔径、管長、および壁厚は、管の作成過程において調整することができる。TEFLON層は、TEFLON管間、およびTEFLON管とアダプタ1040との間の間隙を封着する。フィルタアセンブリ1030を形成するための一実施形態は、図11に関連して、より詳しく説明される。
フィルタアセンブリ1030は、フィルタキャビティ1002に挿入され、フィルタアセンブリ1030とフィルタキャビティ1002の壁との間にシールが形成される。一実施形態によると、アダプタ1040とフィルタキャビティ1002の壁との間の締まり嵌めによって、シールが形成される。この実施形態によると、アダプタ1040の半径または外径は、アダプタ1040がフィルタキャビティ1002の壁に封着される範囲において、フィルタキャビティ1002の半径または外径よりもやや大きい。例えば、アダプタ1040は、シールが形成される範囲において、周囲温度においてフィルタキャビティ1002の直径よりも0.001〜0.002インチ大きい直径を有することができる。フィルタアセンブリ1030をプレスを用いてフィルタキャビティ1002に圧入し、アダプタ1040とフィルタキャビティ1002との間に締まり嵌めシールを形成することができる。別の実施形態では、フィルタアセンブリ1030を冷却し(例えば、液体窒素またはその他の冷却方法により)、フィルタハウジング1000を加熱することができる。フィルタアセンブリ1030が冷却により収縮し、フィルタキャビティ1002が加熱により膨張している間に、フィルタアセンブリ1030をフィルタキャビティ1002内に設置する。フィルタアセンブリ1030とフィルタハウジング1000が周囲温度に達すると、フィルタアダプタ1040とフィルタキャビティ1002の壁との間に締まり嵌めシールが形成される。
フィルタキャビティ1002は、シーリングボタン1024またはその他の材料片を用いて、ハウジング1000の表面に封着できる。ボタン1024は、ステンレス鋼、または好ましくは所定のプロセスガスに対して非反応性あるいは低反応性のその他の材料から形成できる。一実施形態によると、ボタン1024は、融接によりフィルタハウジング1000に封着される。
操作中、薄型フィルタ210は、図2に示されるように、基板に実装される。ガスは、ポート1006から流路1014に入り、フィルタキャビティ1002の第1の部分に流入する。ガスは続いて、フィルタキャビティ1002の第1の部分に向けられたTEFLON管の開放端を貫流して、管の壁からフィルタキャビティ1002の他方の部分に透過する。濾過されたガスは、流路1016を経由してフィルタキャビティ1002からポート1010へと流れ、薄型フィルタ210に実装された構成要素に至る。別の実施形態によると、チューブフィルタ1038の外側からTEFLON管の内側に通過させることによってガスを濾過できるように、流路を配設することができる。
図10の例では、ガスは、薄型フィルタ210に実装された構成要素の入口側で濾過される。別の実施形態によると、ガスは、構成要素の出口側で、あるいは入口と出口の両側で濾過できる。さらに、複数のTEFLON(または別の材料の)フィルタを用いて、入口側、出口側、または両側でガスを濾過することができる。
図11は、フィルタアセンブリ1030の形成の一実施形態を示している。アダプタ1040と複数のTEFLON管(例えば、管1102など)をるつぼ1103に設置する。小さいTEFLONビーズを管の間に散在させ(例えば、ビーズ1104)、ポッティング材料として作用させる。好ましくは、ビーズ1104は、TEFLON管とアダプタ1040よりも低い融解温度を有する。例えば、TEFLON管はPFA TEFLONとし、TEFLONビーズはMFA TEFLONとすることができる。ビーズ1104を融解するが、TEFLON管またはアダプタ1040は融解しない温度まで、るつぼを加熱する。ビーズが融解して、管間および管とアダプタ1040との間の間隙を充填すると、融解したTEFLONが冷却されてTEFLONシール1106となるように、るつぼを周囲温度まで冷却することができる。次に、TEFLON管の末端を切断して、管がTEFLONシール1106で塞がれないようにすることができる。例えば、管はアダプタ1040と面一にすることができる。TEFLONシール1106は、アダプタ1040と完全に接着していない場合があるが(例えば、TEFLONとアダプタそれぞれの材料特性により)、フィルタハウジング1000との締まり嵌めを構築することによってアダプタ1040が変形したときに(締まり嵌めを形成するために、アダプタがフィルタキャビティ壁に「圧迫」されたとき)、TEFLONシール1106とアダプタ1040との間の機械的シールを完成させることができる。
ここまでは、基板ブロックと構成要素との間に位置するフィルタという状況で、薄型フィルタについて記載してきた。しかし、別の本発明の実施形態によると、薄型フィルタは、スタンドアロンフィルタ(例えば、図3の薄型フィルタ310)とすることができる。図12は、薄型フィルタ310の断面図の一実施形態についての図表示である。薄型フィルタ310は、その中に概して水平なフィルタキャビティ1202を有するフィルタハウジング1200を含む。一表面を起点としているところのみが図示されているが、フィルタキャビティ1202は、フィルタハウジング1200のさらなる外面を起点として、フィルタアセンブリ1230の挿入を容易にすることができる。フィルタハウジング1200の底面にある1つ以上のポート(例えば、ポート1206、およびポート1208)は、薄型フィルタ310への入口または出口として作用する。フィルタハウジング1200に画定された流路は、ガスをフィルタキャビティ1202の内外に、また入口/出口ポートの内外に導く。例えば、流路1214は、底部ポート1206からフィルタキャビティ1202に延び、流路1216は、フィルタキャビティ1202から底部ポート1208に延びる。フィルタハウジング1200は、種々のコネクタ孔(1220に示される)さらに含んで、フィルタハウジング1200を基板ブロックに接続できるようにすることができる。
フィルタハウジング1200は、ステンレス鋼など、ガス流を導くのに適した材料から形成できるが、その他の材料も使用できる。フィルタハウジング1200の種々の特徴は、薄型フィルタ310が多様な基板ブロックおよび構成要素と適合するように構成できる。例示の目的であって、限定するものではないが、薄型フィルタ310は、C−Seal構成に適合することができる。
フィルタアセンブリ1230は、フィルタキャビティ1202内に配置され、フィルタキャビティ1202を2つの水平隣接部分に分離するが、これは全般的に1232および1234に示される。流路1214は、フィルタキャビティ1202の部分1232に入り、流路1216は、フィルタキャビティの部分1234に入る。したがって、流入ポート1206からフィルタキャビティ1202への流路(流路1214)と、フィルタキャビティ1202から流出ポート1208への流路とは、フィルタアセンブリ1230によって隔離される。フィルタアセンブリ1230は、フィルタアセンブリ430、730、930、931、1030、またはその他のフィルタアセンブリと類似のフィルタアセンブリを含むことができる。
操作中、薄型フィルタ310は、図3に示されるように、基板に実装される。ガスは、ポート1206を通って流路1214に入り、フィルタキャビティ1202の部分1232に流入する。ガスは続いて、アダプタ1240の中央を貫流して、チューブフィルタ1238に流入し、チューブフィルタ1238の壁からフィルタキャビティ1202の部分1234に透過する。濾過されたガスは、流路1216を経由して、フィルタキャビティ1202からポート1208に流れ、基板ブロックに戻る。
別の実施形態によると、流路1214は、フィルタキャビティ1202の部分1234に入ることができ、流路1216は、フィルタキャビティ1202の部分1232に入ることができる。その結果、ガスは、チューブフィルタ1238の外側からチューブフィルタ1238の内側に通過することによって濾過されることになる。さらに、フィルタ310は、複数のフィルタキャビティを含んで、ガスを同時に、あるいは順次濾過することができる。
図13は、本発明の別の実施形態の図表示である。図13の実施形態によると、薄型フィルタ210は、その中に概して水平なフィルタキャビティ1302を有するフィルタハウジング1300を含む。一表面に対して開放しているようにのみ図示されているが、フィルタキャビティ1302は、フィルタハウジング1300のさらなる外面に対しても開放していてよい。種々のポートおよび流路(図示せず)は、前述のものと類似の方法で、あるいはその他の適切な構成で配設ですることができる。
フィルタアセンブリ1330は、フィルタキャビティ1302内に配置され、フィルタキャビティ1302を3つの水平に相隔たった部分に分離するが、これは一般的に1332、1334、および1335に示される。フィルタキャビティ1302への入口は、部分1332に入り、出口は部分1335から出る。ガスは、フィルタキャビティ1302に入り、フィルタアセンブリ1330を貫流し、フィルタキャビティ1302から出る。
図13の実施形態によると、フィルタアセンブリ1330は、フィルタキャビティ1302にわたって1つ以上のディスクフィルタ(例えば、ディスクフィルタ1342、1344)を含むことにより、ガスは主として水平方向にディスクフィルタを貫流する。各ディスクフィルタは、一連のプロセス要件に適した任意のフィルタを含むことができる。この例には鋼、セラミック、ニッケル、またはその他のディスクフィルタがあるが、これらに限定されない。アダプタ1340は、ディスクフィルタに溶接、あるいは他の方法によって連結されて、シールを形成する。上述のように、アダプタ1340は、締まり嵌めまたはその他のシールを用いて、ハウジング1300に封着することができる。上記の例では単一のアダプタが複数のディスクを収容するが、別の実施形態では、複数のアダプタが使用できる。
フィルタキャビティ1302は、シーリングボタン1324またはその他の材料片を用いて封着できる。ボタン1324は、ステンレス鋼、または好ましくは所定のプロセスガスに対して非反応性あるいは低反応性のその他の材料から形成できる。一実施形態によると、ボタン1324は、融接によりフィルタハウジング1300に封着される。したがって、本発明の実施形態は、1つ以上のディスクフィルタを用いてガスを濾過する薄型フィルタを提供することができる。
前の実施形態では、アダプタとフィルタハウジングとの間のシールは、主として、アダプタとフィルタキャビティとのサイズの違いによって生じる締まり嵌めシールとして説明されているが、その他のシールも使用できる。図14は、使用できる機械的シールの別の例の図表示である。図14の実施形態では、金属またはその他の材料のガスケット1402(例えば、鋼リングまたはその他のガスケット)をフィルタハウジング1406とアダプタ1404との間に設置する。フィルタハウジング1406とアダプタ1404は、それぞれ薄い突出した刃(例えば、刃1408と刃1410)を有することができる。アダプタ1404がフィルタキャビティに押し込まれると、それぞれの刃がガスケット1402に食い込み、機械的シールを形成する。
本発明の実施形態は、したがって、ガススティック全体の高さへの影響を最小限に抑えながら、ガススティックの構成要素間に収められる、あるいはスタンドアロンフィルタとして作用する薄型フィルタを提供する。この薄型フィルタは、実装された構成要素の入口側、出口側、あるいは両側での濾過が可能である。特定の寸法およびフィルタの例を用いてきたが、これらの例は説明を目的とし、その他の適切な寸法および材料も使用できる。さらに、プリーツフィルタなど、任意の適切なフィルタが使用できる。
本発明の種々の実施形態のフィルタキャビティおよびフィルタは、垂直に配向され、フィルタの入口側、出口側、または両側で流れを濾過することに留意すべきである。垂直フィルタの使用により、フィルタをより長くすることができ、それにより所定の量の濾過に対し、より広い表面積とより大流量が可能となる。ただし、垂直配向フィルタは、より高いフィルタハウジングを必要とする場合がある。例えば、図15は、フィルタ1500のさらに別の実施形態を示しているが、これはフィルタキャビティ1502と1503、およびフィルタ1530と1532を含む。フィルタ1500のアセンブリは、図9Aおよび9Bに示されるものと類似のものであってもよいが、キャビティを概して水平に貫流できるように、フィルタキャビティおよびフィルタが配設される点が異なる。デュアルフィルタ構成が示されているが、単一垂直フィルタも使用できる。
本発明の種々の実施形態は、構成要素の必要性を減らし、フィルタごとのシールの必要数を減らすことによって、先行技術のフィルタよりも優れた効果を提供する。これは、ガスの流れ経路、最小限の内部濡れ面積、最小限の内部デッドスペース、漏出の可能性の低下、およびフィルタの高さの低下を妨げる可能性があるシールの数を減らす。
本発明は、例となる実施形態を参照して本明細書にて詳細に説明してきたが、説明は例示目的に過ぎず、限定的な意味で解釈されるものではないと理解すべきである。したがって、本発明の実施形態の詳細への数々の変更、および本発明のさらなる実施形態は、この説明により当業者に明らかとなり、実施することができることも、さらに理解すべきである。かかる変更および更なる実施形態は全て、以下に請求される本発明の範囲内にあると考慮される。
図1は、モジュール構成を用い、スタンドアロンフィルタが必要な基板を備える、ガススティックの一実施形態を示している。 図2は、基板ブロックと構成要素との間に実装された薄型フィルタを用いた、短縮されたガススティックの実施形態を示している。 図3は、スタンドアロンフィルタとして作用する薄型フィルタを備えた、ガススティックの実施形態を示している。 図4Aおよび図4Bは、薄型フィルタの図表示である。 図4Aおよび図4Bは、薄型フィルタの図表示である。 図5は、図4Aによる薄型フィルタの実施形態の断面図の図表示である。 図6は、図4Aによる薄型フィルタの実施形態の別の断面図の図表示である。 図7は、薄型フィルタの別の実施形態の図表示である。 図8は、図7における薄型フィルタの断面図の図表示である。 図9Aおよび図9Bは、薄型フィルタの別の実施形態の図表示である。 図9Aおよび図9Bは、薄型フィルタの別の実施形態の図表示である。 図10は、薄型フィルタの別の実施形態の図表示である。 図11は、フィルタアセンブリ作成の実施形態の図表示である。 図12は、薄型フィルタの別の実施形態の断面図である。 図13は、薄型フィルタの別の実施形態の断面図である。 図14は、薄型フィルタのシーリング機構の図表示である。 図15は、フィルタの別の実施形態の図表示である。

Claims (55)

  1. 複数の流れ経路と、その中に画定されたフィルタキャビティとを有すると共に表面実装基板と前記表面実装基板上に実装するように適合されたデバイスとの間に実装するように適合されたフィルタハウジングであって、
    該フィルタキャビティは、して水平な方向に延在するように画定され、
    第1の流路は、該フィルタハウジングの第1の表面の第1の入口を該フィルタキャビティの第1の部分に接続するように画定され、
    第2の流路は、該フィルタキャビティの第2の部分を該フィルタハウジングの第2の表面の第1の出口に接続するように画定され
    前記第1の表面及び前記第2の表面が前記フィルタハウジングにおいて互いに対向する面であるフィルタハウジングと、
    該フィルタキャビティ内に配置され、該フィルタキャビティの表面に封着されたフィルタを備え該フィルタキャビティを、該フィルタキャビティの第1の部分と該フィルタキャビティの第2の部分とを含む隣接部分に分離する、フィルタアセンブリと
    を備え
    第2の入口は前記フィルタハウジングの前記第2の表面で画定されており、
    第2の出口は前記フィルタハウジングの前記第1の表面で画定されており、
    前記第2の入口及び前記第2の出口は一以上の流路に接続されている薄型フィルタシステム
  2. 前記フィルタアセンブリは、
    前記フィルタと、該フィルタを貫流することを可能にするように構成された前記フィルタキャビティの表面とに連結されたアダプタとをさらに備える、請求項1に記載の薄型フィルタシステム
  3. 前記フィルタは、ガスが概して水平な方向に貫流するように列設されているディスクフィルタである、請求項2に記載の薄型フィルタシステム
  4. 前記フィルタは、チューブフィルタである、請求項1に記載の薄型フィルタシステム
  5. 前記アダプタは、前記フィルタキャビティの表面に連結されて、締まり嵌めシールを形成する、請求項4に記載の薄型フィルタシステム
  6. 前記アダプタは、溶接シールによって前記フィルタキャビティの第1の表面に連結される、請求項4に記載の薄型フィルタシステム
  7. 前記アダプタと前記フィルタキャビティの第3の表面との間に介在するガスケットをさらに備える、請求項4に記載の薄型フィルタシステム
  8. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの底部にある前記第1の入口から、前記フィルタキャビティの第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該フィルタキャビティの第2の部分から、該フィルタハウジングの最上部にある前記第1の出口に通じる、請求項4に記載の薄型フィルタシステム
  9. 前記フィルタハウジングは、前記フィルタハウジングの最上部にある前記第2の入口から、前記フィルタハウジングの底部にある前記第2の出口まで通過する通路をさらに画定する、請求項8に記載の薄型フィルタシステム
  10. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの最上部にある前記第1の入口から、前記フィルタキャビティの第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該フィルタキャビティの第2の部分から、該フィルタハウジングの底部にある前記第1の出口に通じる、請求項4に記載の薄型フィルタシステム
  11. 前記フィルタハウジングは、該フィルタハウジングの底部にある前記第2の入口から、該フィルタハウジングの最上部にある前記第2の出口まで通過する通路をさらに画定する、請求項10に記載の薄型フィルタシステム
  12. 前記フィルタアセンブリは、
    前記フィルタキャビティの前記第1の表面に連結されたアダプタと、
    フィルタとして作用する1つ以上の管と、
    該1つ以上の管と該アダプタとの間に介在する封着材と
    をさらに備える、請求項1に記載の薄型フィルタシステム
  13. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの底部にある前記第1の入口から、前記フィルタキャビティの第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該フィルタキャビティの第2の部分から、該フィルタハウジングの最上部にある前記第1の出口に通じる、請求項12に記載の薄型フィルタシステム
  14. 前記フィルタハウジングは、該フィルタハウジングの最上部にある前記第2の入口から、該フィルタハウジングの底部にある前記第2の出口まで通過する通路をさらに画定する、請求項13に記載の薄型フィルタシステム
  15. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの最上部にある前記第1の入口から、前記フィルタキャビティの第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該フィルタキャビティの第2の部分から、該フィルタハウジングの底部にある前記第1の出口に通じる、請求項12に記載の薄型フィルタシステム
  16. 前記フィルタハウジングは、前記フィルタハウジングの底部にある前記第2の入口から、該フィルタハウジングの最上部にある前記第2の出口まで通過する通路をさらに画定する、請求項15に記載の薄型フィルタシステム
  17. 前記フィルタアセンブリは、第1のフィルタキャビティ内に配置された第1のフィルタを備える第1のフィルタアセンブリであって、前記薄型フィルタシステムは、
    第2のフィルタキャビティ内に配置され、該第2のフィルタキャビティを隣接部分に分離する第2のフィルタを備える第2のフィルタアセンブリであって、前記フィルタハウジングは、該第2のフィルタキャビティを画定する、第2のフィルタアセンブリをさらに備える、請求項1に記載の薄型フィルタシステム
  18. 前記第1のフィルタアセンブリは、前記フィルタに連結され、前記第1のフィルタキャビティの表面に封着された第1のアダプタをさらに備え、
    前記第2のフィルタアセンブリは、前記第2のフィルタに連結され、前記第2のフィルタキャビティの表面に封着された第2のアダプタを備える、請求項17に記載の薄型フィルタシステム
  19. 前記第1のフィルタおよび第2のフィルタは、ディスクフィルタである、請求項17に記載の薄型フィルタシステム
  20. 前記第1のフィルタおよび第2のフィルタは、チューブフィルタである、請求項17に記載の薄型フィルタシステム
  21. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの底部にある前記第1の入口から、前記第1のフィルタキャビティの前記第1の部分、および前記第2のフィルタキャビティの前記第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該第1のフィルタキャビティの前記第2の部分から、該フィルタハウジングの最上部にある前記第1の出口に通じ、
    該フィルタハウジングは、該第2のフィルタキャビティの前記第2の部分から、該フィルタハウジングの最上部にある前記第1の出口に通じる第3の流路を画定する、請求項18に記載の薄型フィルタシステム
  22. 前記フィルタハウジングは、該フィルタハウジングの最上部にある前記第2の入口から、該フィルタハウジングの底部にある前記第2の出口への第4の流路をさらに画定する、請求項21に記載の薄型フィルタシステム
  23. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの最上部にある前記第1の入口から、前記第1のフィルタキャビティの前記第1の部分、および前記第2のフィルタキャビティの前記第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該第1のフィルタキャビティの前記第2の部分から、該フィルタハウジングの底部にある前記第1の出口に通じ、
    該フィルタハウジングは、該第2のフィルタキャビティの前記第2の部分から、該フィルタハウジングの底部にある前記第1の出口に通じる第3の流路を画定する、
    請求項18に記載の薄型フィルタシステム
  24. 前記フィルタハウジングは、該フィルタハウジングの底部にある前記第2の入口から、該フィルタハウジングの最上部にある前記第2の出口への第4の流路をさらに画定する、請求項23に記載の薄型フィルタシステム
  25. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの底部にある前記第1の入口から、前記第1のフィルタキャビティの前記第1の部分、および前記第2のフィルタキャビティの前記第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該第1のフィルタキャビティの前記第2の部分から、該フィルタハウジングの底部の前記第1の出口に通じ、
    該フィルタハウジングは、該第2のフィルタキャビティの前記第2の部分から、該フィルタハウジングの底部にある出口へと通じる第3の流路を画定する、
    請求項18に記載の薄型フィルタシステム
  26. 表面実装基板と前記表面実装基板上に実装するように適合されたデバイスとの間にフィルタハウジングを実装するステップであって、前記フィルタハウジングが複数の流れ経路と、その中に前記フィルタハウジングに対して概して水平な方向に延在するように画定された第1のフィルタキャビティとを有するステップと、
    ガスを前記フィルタハウジングの入口から、前記第1のフィルタキャビティへ導くステップと、
    該ガスを前記フィルタハウジングの第1の表面で第1の入口に接続するように画定された第1の流路から前記第1のフィルタキャビティの第1の部分に流入させ、概して水平方向に第1のフィルタアセンブリを通し、第1のフィルタを通し該ガスを濾過するステップと、
    該ガスを該第1のフィルタキャビティの前記第1の部分から、前記第1のフィルタキャビティの一部分を該フィルタハウジングの第2の表面の第1の出口に連結するように画定された第2の流路へ導くステップであって、前記第1の表面及び前記第2の表面が前記フィルタハウジングにおいて互いに対向する面であるステップと、
    前記フィルタハウジングの前記第2の表面での前記フィルタハウジングの第2の入口でガスを受けて、該ガスを前記第2の入口から前記フィルタハウジングの前記第1の表面での第2の出口へ導くステップと
    を含
    前記第1の入口、前記第1の出口、前記第2の入口、及び前記第2の出口が前記表面実装基板及び単一ガスデバイスにおける対応ポートに接続するように隔離している、薄型フィルタシステムを用いてガスを濾過する方法。
  27. 前記第1のフィルタアセンブリに前記ガスを貫流させるステップは、前記第1のフィルタキャビティにおけるディスクフィルタに該ガスを貫流させるステップをさらに含む、請求項26に記載の方法。
  28. 前記第1のフィルタアセンブリに前記ガスを貫流させるステップは、前記第1のフィルタキャビティにおけるチューブフィルタに該ガスを貫流させるステップをさらに含む、請求項26に記載の方法。
  29. 前記ガスを前記第1のフィルタキャビティへ導く前に、表面実装基板から該ガスを受け取り、該ガスを濾過した後に、前記フィルタハウジングの最上部に実装された構成要素に該ガスを放出するステップをさらに含む、請求項28に記載の方法。
  30. 前記ガスを前記第1のフィルタキャビティへ導く前に、前記フィルタハウジングの最上部に実装された構成要素から該ガスを受け取り、該ガスを濾過した後に、該フィルタハウジングの下部の表面実装基板に該ガスを放出するステップをさらに含む、請求項28に記載の方法。
  31. 前記ガスを前記フィルタハウジングの前記第1の入口から、概して水平な第2のフィルタキャビティへ導くステップと、
    該ガスを概して水平方向に第2のフィルタアセンブリに流入させ、第2のフィルタを通して該ガスを濾過するステップと、
    該ガスを該第2のフィルタキャビティから、該フィルタハウジングの前記第1の出口へ導くステップ
    をさらに含む、請求項28に記載の方法。
  32. 前記ガスを前記第1のフィルタキャビティと第2のフィルタキャビティとへ導く前に、表面実装基板から該ガスを受け取り、該ガスを濾過した後に、前記フィルタハウジングの最上部に実装された構成要素に該ガスを放出するステップをさらに含む、請求項31に記載の方法。
  33. 前記ガスを前記第1のフィルタキャビティへ導く前に、前記フィルタハウジングの最上部に実装された構成要素から該ガスを受け取り、該ガスを濾過した後に、該フィルタハウジングの下部の表面実装基板に該ガスを放出するステップをさらに含む、請求項31に記載の方法。
  34. 前記ガスを前記第1のフィルタキャビティへ導く前に、表面実装基板から該ガスを受け取り、該ガスを濾過した後に、前記フィルタハウジングの最上部に実装された構成要素に前記ガスを放出するステップと、
    該ガスを該構成要素から、概して水平な第2のフィルタキャビティへ導くステップと、
    該ガスを概して水平方向に第2のフィルタアセンブリに流入させ、第2のフィルタを通して該ガスを濾過するステップと、
    該ガスを該第2のフィルタキャビティから、該フィルタハウジングの前記第2の出口へ導くステップ
    をさらに含む、請求項28に記載の方法。
  35. 複数の流れ経路と、その中に画定されたフィルタキャビティとを有すると共に表面実装基板と前記表面実装基板上に実装するように適合されたデバイスとの間に実装するように適合されたフィルタハウジングであって、
    該フィルタキャビティは、フィルタシステムが該表面実装基板上に実装されるときに、前記フィルタハウジングに対して一方向に延在するように画定され、
    第1の流路は、該フィルタハウジングの第1の表面での第1の入口を該フィルタキャビティの第1の部分に連結するように画定され、
    第2の流路は、該フィルタキャビティの第2の部分を該フィルタハウジングの第2の表面での第1の出口に連結するように画定され、前記第1の表面及び前記第2の表面が前記フィルタハウジングにおいて互いに対向する面であるフィルタハウジングと、
    第1のフィルタアセンブリであって、
    少なくとも1つの管を備える第1のフィルタと、
    第1のフィルタに連結され、該フィルタキャビティの表面に封着されたアダプタであって、該第1のフィルタを貫流することを可能にするように構成された、アダプタと
    を備え、
    該フィルタキャビティの第1の部分と、該フィルタキャビティの第2の部分とを含む隣接部分にフィルタキャビティを分離する、フィルタアセンブリと、
    を備え
    第2の入口は前記フィルタハウジングの前記第2の表面で画定されており、
    第2の出口は前記フィルタハウジングの前記第1の表面で画定されており、
    前記第2の入口及び前記第2の出口は一以上の流路に接続されているフィルタシステム
  36. 前記方向は水平である、請求項35に記載のフィルタシステム
  37. 前記方向は垂直である、請求項35に記載のフィルタシステム
  38. 前記アダプタは、前記フィルタキャビティの表面に連結され、締まり嵌めシールを形成する、請求項35に記載のフィルタシステム
  39. 前記アダプタは、溶接シールによって、前記フィルタキャビティの表面に連結される、請求項35に記載のフィルタシステム
  40. 前記アダプタと前記フィルタキャビティの表面との間に介在するガスケットをさらに備える、請求項35に記載のフィルタシステム
  41. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの底部にある前記第1の入口から、前記フィルタキャビティの第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該フィルタキャビティの第2の部分から、該フィルタハウジングの最上部にある前記第1の出口に通じる、請求項35に記載のフィルタシステム
  42. 前記フィルタハウジングは、該フィルタハウジングの最上部にある前記第2の入口から、該フィルタハウジングの底部にある前記第2の出口まで通過する通路をさらに画定する、請求項35に記載のフィルタシステム
  43. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの最上部にある前記第1の入口から、前記フィルタキャビティの第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該フィルタキャビティの第2の部分から、該フィルタハウジングの底部にある前記第1の出口に通じる、請求項35に記載のフィルタシステム
  44. 通過する流路が、該フィルタハウジングの底部にある前記第2の入口から、前記フィルタハウジングの最上部にある前記第2の出口まで画定される、請求項43に記載のフィルタシステム
  45. 前記フィルタは、複数の管を備え、前記フィルタアセンブリは、該複数の管と前記アダプタとの間に介在する封着材をさらに備える、請求項35に記載のフィルタシステム
  46. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの底部にある前記第1の入口から、前記フィルタキャビティの第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該フィルタキャビティの第2の部分から、該フィルタハウジングの最上部にある前記第1の出口に通じる、請求項45に記載のフィルタシステム
  47. 通過する流路が、該フィルタハウジングの最上部にある前記第2の入口から、該フィルタハウジングの底部にある前記第2の出口までされる、請求項45に記載のフィルタシステム
  48. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの最上部にある前記第1の入口から、前記フィルタキャビティの第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該フィルタキャビティの第2の部分から、該フィルタハウジングの底部にある前記第1の出口に通じる、請求項45に記載のフィルタシステム
  49. 通過する流路が、該フィルタハウジングの底部にある前記第2の入口から、該フィルタハウジングの最上部にある前記第2の出口までを画定される、請求項48に記載のフィルタシステム
  50. 第2のフィルタキャビティ内に配置され、前記第2のフィルタキャビティを隣接部分の中に分離する第2のフィルタを備える第2のフィルタアセンブリであって、前記フィルタハウジングは、該第2のフィルタキャビティを画定し、前記フィルタアセンブリおよびフィルタキャビティは、第1のフィルタアセンブリおよび第1のフィルタキャビティである、第2のフィルタアセンブリを備える、請求項35に記載のフィルタシステム
  51. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの底部にある前記第1の入口から、前記第1のフィルタキャビティの前記第1の部分、および前記第2のフィルタキャビティの前記第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該第1のフィルタキャビティの前記第2の部分から、該フィルタハウジングの最上部にある前記第1の出口に通じ、
    該フィルタハウジングは、該第2のフィルタキャビティの前記第2の部分から、該フィルタハウジングの最上部にある前記第1の出口に通じる第3の流路を画定する、請求項50に記載のフィルタシステム
  52. 前記フィルタハウジングは、該フィルタハウジングの最上部にある前記第2の入口から、該フィルタハウジングの底部にある前記第2の出口への第4の流路をさらに画定する、請求項51に記載のフィルタシステム
  53. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの最上部にある前記第1の入口から、前記第1のフィルタキャビティの前記第1の部分、および前記第2のフィルタキャビティの前記第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該第1のフィルタキャビティの前記第2の部分から、該フィルタハウジングの底部にある前記第1の出口に通じ、
    該フィルタハウジングは、該第2のフィルタキャビティの前記第2の部分から、該フィルタハウジングの底部にある前記第1の出口への第3の流路を画定する、請求項50に記載のフィルタシステム
  54. 前記フィルタハウジングは、該フィルタハウジングの底部にある前記第2の入口から、該フィルタハウジングの最上部にある前記第2の出口への第4の流路をさらに画定する、請求項53に記載のフィルタシステム
  55. 前記第1の流路は、前記フィルタハウジングの底部にある入口から、前記第1のフィルタキャビティの前記第1の部分、および前記第2のフィルタキャビティの前記第1の部分に通じ、前記第2の流路は、該第1のフィルタキャビティの前記第2の部分から、該フィルタハウジングの底部にある前記第1の出口に通じ、
    該フィルタハウジングは、該第2のフィルタキャビティの前記第2の部分から、該フィルタハウジングの底部にある前記第1の出口への第3の流路を画定する、
    請求項50に記載のフィルタシステム
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