JP5316377B2 - 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置、並びに、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶など電気光学物質を用いた電気光学装置の駆動方法、電気光学装置、並びに、電子機器の技術分野に関する。

電気エネルギーによって光学特性が変化する電気光学物質として、液晶が知られている。液晶は印加電圧に応じて透過率が変化する。この透過率の変化は、液晶分子の配向状態が印加電圧に応じて変化することによって得られる。また、液晶には、直流電圧を長時間印加すると、配向状態が元に戻りにくくなる性質がある。このため、液晶を表示装置に適用した液晶表示装置では、電気光学素子たる液晶素子に印加する電圧の極性を反転する交流駆動が採用される。

一般的に、この種の液晶表示装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、走査線とデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素を備え、これらの複数の画素は、画素電極、対向電極、及びこれら画素電極と対向電極との間に挟持された液晶からなる液晶素子を有する。また、この液晶素子への印加電圧を反転する手法として、対向電極の電位（以下、対向電極電位と称する）を固定し、データ線を介して供給するデータ電位の極性を、対向電極電位を中心して反転させるものが知られている。

特に、特許文献１等では、この種の液晶表示装置において階調表示を行う場合に、電圧変調方式に代わるものとして、１フィールドを複数のサブフィールドに分割するとともに、各サブフィールドにおいて画素（液晶素子）にオンまたはオフ電圧を印加して、１フィールドにおいて画素にオン電圧（またはオフ電圧）が印加される時間の割合を変化させることによって階調表示を行う技術、所謂、デジタル時分割駆動によって階調表示を行う技術が開示されている。
更に、特許文献２等では、この種のサブフィールドを用いた液晶表示装置において、サブフィールドの期間に重み付けを行いつつ階調表示を行う技術が開示されている。この技術によれば、液晶の過渡応答特性を積極的に利用することで、より少ないサブフィールドの数でより多くの階調レベルが表現可能となることが知られている。

特開２００３−１１４６６１号公報 特開２００８−２０７０６３号公報

しかしながら、これら特許文献１及び２等の技術においては、次のような問題がある。
すなわち、これらの技術においては、画素ないしはその画素電極に印加されるオンまたはオフ電圧の印加時間を正確に制御するために、通常、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が用いられる。スイッチング素子のオン状態・オフ状態間の遷移を利用して、画素への電圧印加の時間を制御するのである。しかし、このスイッチング素子の状態遷移に際しては、いわゆるプッシュダウンと呼ばれる現象が発生することが知られている。プッシュダウン（フィールドスルー、突き抜けとも呼ばれる）とは、例えば、スイッチング素子がｎチャネル型のトランジスタである場合において、そのオンからオフへの状態変化があるときに、そのゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、ドレイン、即ちそれに接続される画素電極の電位が低下する現象をいう。この現象を放置すれば、負極性書込による液晶素子の電圧実効値が、正極性書込による電圧実効値よりも若干大きくなってしまい、直流成分の発生が予見されることになってしまう。そして、このような直流成分が発生すると、表示画面が焼き付いてしまうおそれが高くなる。

このような問題に対処するため、従来においては、前記対向電極の電位を、予め、前記プッシュダウンによって生じる電位変動を相殺するように設定することが行われることがある。つまり、当該電位を、両極性の電位の中心値に一致させないことで、あえてそれによる直流成分の発生を見越し、このことと、プッシュダウンの影響とを相殺するのである。これにより、プッシュダウンの影響をある程度抑制することが可能にはなる。
しかしながら、このような手法は、実際上、あまり有効でない場合がある。その理由は様々であるが、例えばこの手法では、対向電極を適正な電位に設定するために、少なくとも原理上は、“プッシュダウンの影響”が正確に量定されていることが前提となるが、その前提をクリアすることが実際上困難であること、等々である。
また、この場合、対向電極の電位を、何らかの事情に応じて時々に変更するということも通常考えられない。かかる変更操作が周囲に与える影響は甚大であるし、仮にそのような変更操作を行うとしても、先に述べた理由により、プッシュダウンの影響を現に相殺できるかどうかは確かではないからである。結局、この手法には、プッシュダウンの影響を有効に回避するための措置として、いささかその自由度に欠けるという欠点があることも指摘することが可能である。

本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。

本発明の電気光学装置の駆動方法は、上述した課題を解決するため、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して夫々設けられた複数の画素を備え、前記複数の画素の夫々は、画素電極、対向電極、前記画素電極と前記対向電極との間に挟持された電気光学物質からなる電気光学素子、並びに、前記画素電極と前記データ線との間に設けられ前記走査線を介して供給される走査信号によってオン状態及びオフ状態のうちいずれか一方の状態となるように制御されるスイッチング素子を夫々有する電気光学装置の駆動方法であって、１画面を表示するのに要する期間をフィールド期間とし、前記フィールド期間を複数のサブフィールド期間で構成したとき、前記複数のサブフィールド期間の夫々において、前記スイッチング素子をオン状態とする走査信号を前記複数の走査線に順次供給して、前記走査線ごとに前記画素を選択すると共に、選択された画素の前記画素電極に表示すべき画像に応じた信号電位を書き込み、前記信号電位の書き込みにおいて、前記対向電極の電位を基準とした前記信号電位の極性を書込極性としたとき、前記フィールド期間中に前記書込極性を複数回反転し、且つ、あるフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性が、次のフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性と反転するように前記信号電位を書き込み、前記フィールド期間が時系列に沿って並ぶとき、奇数番目及び偶数番目のそれぞれに訪れる、連続する奇数及び偶数フィールド期間を通じてみた前記書込極性の一方に係る前記サブフィールド期間の長さの第１合計値は、前記書込極性の他方に係る前記サブフィールド期間の長さの第２合計値とは異なるとともに、前記フィールド期間内において、連続する２つのサブフィールド期間ごとに１個ずつのグループを構成したとき、前記奇数フィールド期間に含まれる、複数の前記グループの期間長はすべて同一であり、前記偶数フィールド期間に含まれる、複数の前記グループの期間長はすべて同一であり、かつ、これら奇数及び偶数フィールド期間の各々に含まれる各グループの期間長も同一であり、更に、前記奇数フィールド期間に含まれるグループ内の２つのサブフィールド期間の長さに係る、当該グループ内のいずれか一方の長さを基準とした比率は、当該グループに対応する、前記偶数フィールド期間に含まれるグループ内の２つのサブフィールド期間の長さに係る、前記比率とは異なり、前記書込極性は、１個の前記フィールド期間中、前記サブフィールド期間が訪れるたびに反転する。

本発明によれば、フィールド期間中に書込極性の反転が行われるととともに、連続する２つのフィールド期間の各々に含まれる、相互に対応するサブフィールド期間の書込極性の反転が行われる。後者を具体的に言えば、例えば、あるフィールド期間が、「＋＋−−」という書込極性をもつ４つのサブフィールド期間からなる場合、次のフィールド期間は「−−＋＋」という４つのサブフィールド期間からなる、ということを意味する。これにより、本発明によればまず、フリッカが抑制され、また、直流成分の発生が抑制される。前者は、主に、フィールド期間中の極性反転が行われることによる効果であり、後者は、前述したような連続する２つのフィールド期間に関する極性反転が行われることによる効果である。
そして、本発明によれば、このような作用効果に加えて、奇数フィールド及び偶数フィールドを通じてみた書込極性の一方に係るサブフィールド期間の長さの第１合計値が、書込極性の他方に係るサブフィールド期間の長さの第２合計値とは異なることから、前述したようなプッシュダウンの影響を有効に回避することができる。これは、前記各合計値が異なることから、両極性の書込時間に関する一種の不均衡が生じ、それにより一定の直流成分の発生が予定されることと、プッシュダウンの影響による直流成分の発生とが相殺されることになるからである。このように、本発明によれば、プッシュダウンの影響による直流成分の発生も抑制される。

この発明によれば、１個のフィールド期間中における書込極性の反転が比較的頻繁に行われることになるから、前述したフリッか抑制効果がより実効的に奏される。

また、この発明によれば、１個のフィールド期間中における書込極性の反転が、サブフィールド期間を単位として行われることを前提に、グループ内の２つのサブフィールド期間の長さの比率が、奇数及び偶数フィールド期間の間で異なっている。より具体的にいえば、例えば、奇数フィールド内のあるグループが「＋−」という書込極性を持つサブフィールドからなる場合、当該グループに対応する偶数フィールド内のグループは「−＋」というサブフィールドからなることになるが、前者の２つのサブフィールドの期間の長さの比率Ａと（このＡは例えば、（−の期間長）／（＋の期間長）として求められる。）、後者の、同様の比率Ｂとの間には（このＢは例えば、（＋の期間長）／（−の期間長）として求められる）、Ａ≠Ｂが成立するということになる。なお、この際、比率Ａ及びＢのいずれもが、グループ内の先頭に位置するサブフィールド期間の長さを基準として求められている（前記各式のいずれにおいても、当該長さが分母になっている。）が、この逆に、グループ内の次に位置するサブフィールド期間の長さを基準として求められてもよい。
このようであると、グループの期間長がすべて同一であることから、前記第１合計値と前記第２合計値との間には、極めて自然に差異が生じることになる。そして、この態様によれば、そのような第１及び第２合計値間の差異をどの程度の大きさにするかに係る設定は、前記比率の調整を行うだけで、比較的自由に、また容易に行われ得ることになる。したがって、本態様によれば、プッシュダウンの影響がどの程度であるかを測りかねるような場合であっても、前記比率間の差異の中で最適な差異をみつけてこれを設定することによって、当該影響を実効的に抑制することが可能になる。
なお、本態様において、「グループに対応する…グループ」とは、例えば、奇数フィールドがグループＧｏ１，Ｇｏ２，…，ＧｏＮ（Ｎは正の整数）から構成され、偶数フィールドがグループＧｅ１，Ｇｅ２，…，ＧｅＮから構成されるとき、Ｇｏ１に対するＧｅ１とか、ＧｏＮに対するＧｅＮ等を意味している。

また、この態様では、前記スイッチング素子がオン状態又はオフ状態に遷移する際に生じる前記対向電極の電位変動によって引き起こされる直流成分の発生を打ち消すように、前記第１及び第２合計値間の差異を設定する、ように構成してもよい。
この態様によれば、上述したプッシュダウンの影響を打ち消すように、第１及び第２合計値間の差異が設定されることから、当該影響を極めて実効的に抑制することができる。この場合、当該差異の設定は、自動的に行われても手動的に行われてもよい。また、当該設定は、製造段階だけではなく、電気光学装置が実際に使用されている段階等においても行われ得る。このように、本態様によれば、プッシュダウンの影響を排除するための自由度が非常に高い。
なお、この態様と、直前に述べた態様とが併用される場合には、前述したところからも明らかなように、第１及び第２合計値間の差異を設定することは、前記比率の差異を設定することとほぼ同視することが可能である。

また、上述した電気光学装置の駆動方法は、そのような駆動方法を採用する電気光学装置、あるいは電子機器の発明として捉えることができ、以下の如くである。

すなわち、本発明の電気光学装置は、上述した課題を解決するため、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して夫々設けられた複数の画素を備え、前記複数の画素の夫々は、画素電極、対向電極、前記画素電極と前記対向電極との間に挟持された電気光学物質からなる電気光学素子、並びに、前記画素電極と前記データ線との間に設けられ前記走査線を介して供給される走査信号によってオン状態及びオフ状態のうちいずれか一方の状態となるように制御されるスイッチング素子を夫々有する電気光学装置であって、１画面を表示するのに要する期間をフィールド期間とし、前記フィールド期間を複数のサブフィールド期間で構成したとき、前記複数のサブフィールド期間の夫々において、前記スイッチング素子をオン状態とする走査信号を前記複数の走査線に順次供給して、前記走査線ごとに前記画素を選択する走査線駆動手段と、前記走査線駆動手段によって選択された画素の前記画素電極に表示すべき画像に応じた信号電位を前記複数のデータ線を介して書き込み、前記信号電位の書き込みにおいて、前記対向電極の電位又は当該対向電極の電位から所定電位だけずれた電位を基準とした前記信号電位の極性を書込極性としたとき、前記フィールド期間中に前記書込極性を複数回反転し、且つ、あるフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性が、次のフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性と反転するように前記信号電位を書き込むデータ線駆動手段と、を備え、前記走査線駆動手段は、前記フィールド期間が時系列に沿って並ぶとき、奇数番目及び偶数番目のそれぞれに訪れる、連続する２つの奇数及び偶数フィールド期間を通じてみた前記書込極性の一方に係る前記サブフィールド期間の長さの第１合計値と、前記書込極性の他方に係る前記サブフィールド期間の長さの第２合計値とが、それぞれ異なる値を持つとともに、前記フィールド期間内において、連続する２つのサブフィールド期間ごとに１個ずつのグループを構成したとき、前記奇数フィールド期間に含まれる、複数の前記グループの期間長はすべて同一であり、前記偶数フィールド期間に含まれる、複数の前記グループの期間長はすべて同一であり、かつ、これら奇数及び偶数フィールド期間の各々に含まれる各グループの期間長も同一であり、更に、前記奇数フィールド期間に含まれるグループ内の２つのサブフィールド期間の長さに係る、当該グループ内のいずれか一方の長さを基準とした比率と、当該グループに対応する、前記偶数フィールド期間に含まれるグループ内の２つのサブフィールド期間の長さに係る、前記比率とが、それぞれ異なる値を持つように、前記走査線に前記走査信号を供給し、前記データ線駆動手段は、前記書込極性が、１個の前記フィールド期間中、前記サブフィールド期間が訪れるたびに反転するように、前記データ線に前記信号電位を書き込む。

また、この態様では、前記走査線駆動手段は、前記スイッチング素子がオン状態又はオフ状態に遷移する際に生じる前記対向電極の電位変動を打ち消すように、前記第１及び第２合計値間の差異を設定する、ように構成してもよい。

また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の電気光学装置を備える。

本発明の実施形態に係る電気光学装置１の全体構成を示すブロック図である。 画素１１０の詳細な構成を示す図であり、ｉ行およびこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列およびこれに隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成を示した模式図である。 サブフィールドの構成を示す模式図である。 各サブフィールドのオンオフ変換を示す表である。 電気光学装置による階調特性を示すグラフである。 ｉ行ｊ列の液晶素子１２０における画素電極１１８の電圧Ｐ（ｉ，ｊ）の変化を示した模式図である。 奇数フィールドと偶数フィールドの各々を構成するサブフィールドの期間長の相違を例示する模式図である。 サブフィールドにおける極性と、１行目から２１６０行目までの走査線の選択の進行とを示した模式図である。 図６と同趣旨の図であり、それとは異なる態様を示した模式図である。 図７と同趣旨の図であり、それとは異なる態様を示した模式図である。 図８と同趣旨の図であり、それとは異なる態様を示した模式図である。 本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器を示す斜視図である。 本発明に係る電気光学装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。 本発明に係る電気光学装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。

以下では、本発明に係る実施の形態について図１及び図２を参照しながら説明する。
図１は、本実施形態に係る電気光学装置１の全体構成を示すブロック図である。
この図１に示されるように、電気光学装置１は、制御回路１０、メモリ２０、変換テーブル３０、表示領域１００、走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０に大別される。このうち、制御回路１０は、後述するように各部を制御するものである。

表示領域１００には、画素がマトリクス状に配列している。詳細には、表示領域１００には、２１６０行の走査線（書込走査線）１１２が図において水平のＸ方向に延在し、３８４０列のデータ線１１４が走査線１１２と電気的な絶縁を保ちつつ、図において垂直のＹ方向に延在している。そして、これらの走査線１１２とデータ線１１４との交差に対応するように画素１１０がそれぞれ設けられている。したがって、本実施形態において、画素１１０は、縦２１６０行×横３８４０列のマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。

メモリ２０は、縦２１６０行×横３８４０列で配列する画素に対応した記憶領域を有し、各記憶領域は、それぞれに対応する画素１１０の表示データＤaを記憶する。表示データＤaは、画素１１０の明るさ（階調レベル）を指定するものであり、本実施形態では、「０」から「１５」まで、「１」毎の刻みの１６段階で指定する。ここで、階調レベル「０」が最低階調の黒色を指定し、階調レベルが上がるにつれて徐々に明るさが増し、階調レベル「１５」が最高階調の白色を指定するものとする。
なお、この表示データＤaは、図示しない上位装置から供給されて、制御回路１０により画素に対応する記憶領域に記憶される一方で、表示領域１００で走査される画素に対応したものがメモリ２０から読み出される構成となっている。

変換テーブル３０は、メモリ２０から読み出された表示データＤaを、当該表示データＤaで指定される階調レベル、および、サブフィールドにしたがって、画素１１０（液晶素子）にオンまたはオフ電圧のどちらを印加するのかを示すデータＤbに変換するものである。なお、この変換内容については後述する。

＜画素の構成＞
説明の便宜上、画素１１０の構成について図２を参照して説明する。図２は、本実施形態に係る画素１１０の詳細な構成を示す図であり、ｉ行およびこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列およびこれに隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成を示した模式図である。ここで、ｉ、（ｉ＋１）とは、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、本実施形態では、１以上２１６０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）とは、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上３８４０以下の整数である。

図２に示されるように、各画素１１０は、ｎチャネル型のトランジスタ（ＭＯＳ型ＦＥＴ）１１６と液晶素子１２０とを含む。
ここで、各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するものに代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０におけるトランジスタのゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は液晶素子１２０の一端たる画素電極１１８に接続されている。また、液晶素子１２０の他端は、対向電極１０８である。この対向電極１０８は、全ての画素１１０にわたって共通であって、本実施形態では電圧ＬＣcomに保たれている。

表示領域１００は、走査線１１２や、データ線１１４、トランジスタ１１６、画素電極１１８などが形成された素子基板と、対向電極１０８が形成された対向基板とが一定の間隙を保って、電極形成面が互いに対向するように貼り合わせられるとともに、この間隙に液晶１０５が封止された構成となっている（図示省略）。このため、本実施形態において液晶素子１２０は、画素電極１１８と対向電極１０８とが液晶１０５を挟持した構成となる。
なお、本実施形態では、素子基板に半導体基板を用い、対向基板にガラス等の透明基板を用いて、液晶素子１２０を反射型としたＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）型である。このため、素子基板には、走査線駆動回路１３０、データ線駆動回路１４０のほかに、制御回路１０や、メモリ２０、変換テーブル３０をすべて形成した構成としても良い。

この構成において、走査線１１２に選択電圧（走査信号）を印加して、トランジスタ１１６（スイッチング素子）をオン（導通）させるとともに、画素電極１１８に、データ線１１４およびオン状態のトランジスタ１１６を介して、データ信号を供給すると、選択電圧を印加した走査線１１２とデータ信号を供給したデータ線１１４との交差に対応する液晶素子１２０には、当該データ信号の電圧と対向電極１０８に印加された電圧ＬＣcomとの差電圧が書き込まれる。なお、走査線１１２が非選択電圧になると、トランジスタ１１６がオフ（非導通）状態となるが、液晶素子１２０では、トランジスタ１１６が導通状態となったときに書き込まれた電圧が、その容量性により保持される。

本実施形態において、液晶素子１２０はノーマリーブラックモードに設定されている。このため、液晶素子１２０の反射率（透過型とした場合には透過率）は、画素電極１１８および対向電極１０８とによる差電圧の実効値が小さくなるにつれて暗くなり、電圧無印加状態においてほぼ黒色となる。ただし、本実施形態において、画素電極１１８には、上記差電圧を飽和電圧以上とさせるオン電圧、または、しきい値電圧以下のオフ電圧のいずれか一方の電圧のみが印加される。

ノーマリーブラックモードにおいて、最も暗い状態の反射率を相対反射率０％とし、最も明るい状態の反射率を相対反射率１００％としたとき、液晶素子１２０に印加される電圧のうち、相対反射率が１０％となる電圧を光学的しきい値電圧といい、相対反射率が９０％となる電圧を光学的飽和電圧という。電圧変調方式（アナログ駆動）において、液晶素子１２０を中間調（灰色）とさせる場合には、液晶１０５に光学的飽和電圧以下の電圧が印加されるように設計される。このため、液晶１０５の反射率は、液晶１０５の印加電圧にほぼ比例した値となる。

これに対して、本実施形態では、液晶素子１２０に印加する電圧としては、オン電圧とオフ電圧との２つのみを用いて階調表示が行われる。詳細には、本実施形態における階調表示は、１フィールドを複数のサブフィールドに分割するとともに、液晶素子１２０にオンまたはオフ電圧を印加する期間を、サブフィールドを単位として配分することによって実行される。

本実施形態において、オン電圧として用いる電圧は、飽和電圧の１〜１．５倍程度の電圧が用いられる。これは液晶の応答特性における立ち上がりが液晶素子に印加される電圧レベルとほぼ比例関係にあるから、液晶の応答特性を改善するために好ましいからである。
また、オフ電圧として用いる電圧は、液晶素子１２０の光学的しきい値電圧以下の電圧が用いられる。

なお、液晶素子の実際の反射率は、液晶の応答ゆえにオン電圧が印加される期間の積分値におおよそ比例するが、説明を簡略化するために、オン電圧が印加される期間に比例するものとして説明する場合がある。

＜サブフィールド構成＞
そこでまず、本実施形態におけるサブフィールドの構成について、図３を参照して説明する。ここで、図３は、本実施形態に係る電気光学装置におけるサブフィールドの構成を示す模式図である。
この図３において、１フィールドとは、１枚分の画像を形成するのに要する期間をいい、ノンインターレース方式におけるフレームと同義であって、１６．７ミリ秒（６０Ｈｚの１周波数分）で一定である。

この図３に示されるように、本実施形態において１フィールドの期間は、４つのグループに等分割され、さらに各グループは、２つのサブフィールドに分割されている。このため、１フィールドは、計８つのサブフィールドに分割されるが、便宜的に、各サブフィールドについて、１フィールドの最初から順番にｓｆ１、ｓｆ２、ｓｆ３、…、ｓｆ８と呼ぶことにする。
ここで、このようなサブフィールド期間を区画するために使用されるクロック信号の１周期を仮に１Ｈと表記することにすれば、例えば、１グループの期間長は２１６０Ｈと表記することが可能であり、あるいは、１フィールドの期間長は８６４０（＝２１６０×４）Ｈと表記することが可能である（クロック信号の周期の長さや、当該クロック信号をどのように使ってサブフィールド期間を区画するかは基本的に自由であるため、具体的数値がこれとは異なる場合があり得ることは言うまでもない。）。本実施形態においては、１フィールドの期間長が一応このように表記されることを前提に、その１フィールドを構成する各サブフィールドの期間の長さの設定の仕方に特徴があるが、この点については後に改めて述べる。

＜変換テーブルの変換内容＞
次に、図４を参照して、階調表示を実際に行うための変換テーブル３０の変換内容について説明する。変換テーブル３０は表示すべき階調レベルとＳＦコードとを対応付けて記憶している。ＳＦコードは、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ８毎に、液晶素子１２０にオン電圧またはオフ電圧のいずれかを指定する。これにより、メモリ２０から読み出された表示データＤaを、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ８毎に、液晶素子１２０にオンまたはオフ電圧のいずれかを指定するデータＤbに変換される。
この図において「１」が液晶素子１２０にオン電圧を、「０」が液晶素子１２０のオフ電圧を、それぞれ印加することを指定する。例えば、階調レベルが「５」である場合、液晶素子１２０に対して、サブフィールドｓｆ２、ｓｆ５、ｓｆ７でオン電圧を印加し、他のサブフィールドではオフ電圧を印加することが指定される。本実施形態では、液晶の応答特性を考慮して階調レベルとＳＦコードとの対応付けを定めている。

なお、人間の視覚特性は、対数的または指数的な性質を持つことが一般に知られている。このため、階調レベルが直線的に変化していても、人間の目にはそれが直線的に変化している、とは感じられないことがある。また、液晶素子や有機ＥＬ素子（Electronic Luminescence）などの表示素子では、電圧等がリニアに変化しても、表示素子の実際の明るさの変化は曲線的となる。
こうした事情から、表示装置においては、画素の階調を指定する階調レベルに対して、表示素子の明るさを、人間の視覚特性を考慮して曲線的な特性（γ特性）に変換することが一般的に行われる。このようなγ特性にしたがって階調を表現させると、人間の目で見て階調変化が直線的に現れるのである。ここで、γ特性におけるγ係数は、表示素子に液晶素子を用いる場合には「２．２」が理想的とされている。本実施形態では、上述した変換テーブル３０に従って表示データＤａをデータＤｂに変換すると、図５に示す階調レベルと明るさが得られるように変換特性が設定されている。

＜走査線駆動回路＞
次に、走査線駆動回路１３０は、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ８の夫々において、順次排他的に有効となる走査信号Ｇ１、Ｇ２、…Ｇ２１６０を生成する。これによって、走査線を１、２、３、４、…、２１５９、２１６０行目という順番で選択が行われる。走査信号Ｇ１、Ｇ２、…Ｇ２１６０が順次有効になると、１、２、３、４、…、２１５９、２１６０行目の画素１１０においてトランジスタ１１６がオン状態となる。このように行単位で複数の画素１１０が選択され、データ線１１４を介してデータ信号（信号電位）が画素電極１１８に書き込まれる。なお、各行の画素においてサブフィールドに相当する期間は、走査線が選択されてオンまたはオフ電圧が書き込まれた後、再び走査線が選択されるまでの期間である。

＜データ線駆動回路＞
続いて図６に加えて、上述した図１を適宜参照して、本実施形態に係るデータ線駆動回路１４０について説明する。ここに、図６は、本実施形態に係るｉ行ｊ列の液晶素子１２０における画素電極１１８の電圧Ｐ（ｉ，ｊ）の変化を示した模式図である。なお、図６において、階調レベルとして階調レベル「９」が指定されている。

データ線駆動回路１４０は、変換テーブル３０により変換されたデータＤbを、制御回路１０で指定された極性の電圧に変換して、当該データＤbに対応する列のデータ線１１４にデータ信号として供給するものである。詳細には、データ線駆動回路１４０は、変換テーブル３０により変換されたデータＤbが液晶素子１２０に対してオン電圧の印加を示す「１」である場合であって、制御回路１０により正極性書込が指定されていれば電圧Ｖw(+)に、負極性書込が指定されていれば電圧Ｖw(-)に、それぞれ変換する一方、液晶素子１２０に対してオフ電圧の印加を示す「０」である場合であって、正極性書込が指定されていれば電圧Ｖb(+)に、負極性書込が指定されていれば電圧Ｖb(-)に、それぞれ変換する。
なお、１、２、３、…、３８４０列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号を、データ信号ｄ１、ｄ２、ｄ３、…、ｄ３８４０と表記し、列を特定しないでｊ列目のデータ信号をｄｊと表記する。

電圧Ｖw(+)およびＶw(-)は、液晶素子１２０にオン電圧を印加するための電圧であり、図６に示されるように、電圧Ｖcを基準して対称の位置関係にある。上述したように、本実施形態では、対向電極１０８には電圧ＬＣcomが印加されているので、電圧Ｖw(+)が画素電極１１８に印加されると、液晶素子１２０には当該電圧Ｖw(+)と電圧ＬＣcomとの差電圧が、電圧Ｖw(-)が画素電極１１８に印加されると、液晶素子１２０には当該電圧Ｖw(-)と電圧ＬＣcomとの差電圧が、それぞれオン電圧として印加される。
なお、このオン電圧としては、上述したように飽和電圧の１〜１．５倍程度の電圧が用いられるが、画素電極１１８に電圧Ｖw(+)、Ｖw(-)が印加された場合に、液晶素子１２０の反射率が飽和して白色となるまでの飽和応答時間は、最も短いサブフィールドｓｆ１の期間長よりも長くてもよい。換言すれば、サブフィールドｓｆ１の期間長は、液晶素子１２０の飽和応答時間よりも短くしてもよい。

一方、電圧Ｖb(+)およびＶb(-)は、液晶素子１２０にオフ電圧を印加するための電圧であり、図６に示されるように、電圧Ｖcを基準して対称の位置関係にある。この電圧Ｖb(+)が画素電極１１８に印加されると、液晶素子１２０には当該電圧Ｖb(+)と電圧ＬＣcomとの差電圧が、電圧Ｖb(-)が画素電極１１８に印加されると、液晶素子１２０には当該電圧Ｖb(-)と電圧ＬＣcomとの差電圧が、それぞれオフ電圧として印加される。

ここで、液晶素子１２０に直流成分が印加されると、液晶１０５が劣化するので、画素電極１１８には基準電圧Ｖcに対して高位側および低位側の電圧が交互に印加される（交流駆動）。この交流駆動において、画素電極１１８に印加する電圧、すなわち、データ信号の電圧を、基準電圧Ｖcに対して高位側とするか、低位側とするかが書込極性であって、高位側とする場合を正極性とし、低位側とする場合を負極性としている。なお、本実施形態に係る正極性書込及び負極性書込のうちいずれか一方からいずれか他方へと切り替える極性の反転制御については後述される。

したがって、電圧Ｖw(+)、Ｖb(+)が正極性電圧であり、電圧Ｖw(-)、Ｖb(-)が負極性電圧である。なお、本実施形態において書込極性については、電圧Ｖcを基準とするが、電圧については、特に説明のない限り、論理レベルのＬレベルに相当する接地電位Ｇndを電圧ゼロの基準としている。

＜極性の反転制御及びサブフィールド期間長の制御＞
次に、上で参照した図６に加えて、新たに図７及び図８を適宜参照しながら、本実施形態に係る正極性書込及び負極性書込のうちいずれか一方から他方への切り替えに関する極性の反転制御について説明する。ここに、図７は、サブフィールドの構成を、各サブフィールドの期間長とともに示す模式図であり、図８は、本実施形態に係るサブフィールドにおける信号電位の極性と、１行目から２１６０行目までの走査線の選択の進行とを示した模式図である。なお、上述したように、図６及び図８において、階調レベルとして階調レベル「９」が指定されている。また、図８中において「＋」は正極性書込を意味し、「−」は負極性書込を意味する。

上述したように、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、正極性書込が指定されていれば、走査信号ＧｉがＨレベルとなったときに、液晶素子にオン電圧を印加させる電圧Ｖw(+)、または、オフ電圧を印加させる電圧Ｖb(+)のいずれかとなり、サブフィールドの各期間にわたって保持される。また、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、負極性書込が指定されていれば、走査信号ＧｉがＨレベルとなったときに、オン電圧を印加させる電圧Ｖw(-)、または、オフ電圧を印加させる電圧Ｖb(-)のいずれかとなり、サブフィールドの各期間にわたって保持される。

図６に示すように階調レベル「９」が指定された場合、サブフィールドｓｆ２〜ｓｆ４、ｓｆ７においてオン電圧が、他のサブフィードｓｆ１、ｓｆ５、ｓｆ６、ｓｆ８においてオフ電圧が、それぞれ印加される。
また、図８に示すように奇数フィールドでは、サブフィールドｓｆ１，ｓｆ３，ｓｆ５，ｓｆ７が正極性書込、サブフィールドｓｆ２，ｓｆ４，ｓｆ６，ｓｆ８が負極性書込、となる。一方、偶数フィールドでは、この真反対で、サブフィールドｓｆ１，ｓｆ３，ｓｆ５，ｓｆ７が負極性書込、サブフィールドｓｆ２，ｓｆ４，ｓｆ６，ｓｆ８が正極性書込、となる。

したがって、すべてのフィールドで極性反転を複数回（この例では、８回）実行し、さらに、あるフィールドである奇数フィールドを構成する複数のサブフィールド（ｓｆ１〜ｓｆ８）の各々の書込極性が、次のフィールドである偶数フィールドを構成する複数のサブフィールド（ｓｆ１〜ｓｆ８）各々の書込極性と反転するようにデータ信号（信号電位）を画素１１０に書き込んでいる。すなわち、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ１の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ１の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ２の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ２の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ３の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ３の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ４の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ４の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ５の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ５の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ６の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ６の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ７の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ７の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ８の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ８の書込極性とが反転する。

これにより、図６に示されるように、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、奇数フィールドにおいて、オン電圧が印加されており且つ正極性書込が指定されるサブフィールドｓｆ３、ｓｆ７に相当する期間にわたって電圧Ｖw(+)となる。他方、偶数フィールドにおけるサブフィールドｓｆ３、ｓｆ７は、オン電圧が印加されており且つ負極性書込が指定されるので、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、このサブフィールドｓｆ３、ｓｆ７に相当する期間にわたって電圧Ｖw(-)となる。
また、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、奇数フィールドにおいて、オン電圧が印加されており且つ負極性書込が指定されるサブフィールドｓｆ２、ｓｆ４に相当する期間にわたって電圧Ｖw(-)となる。他方、偶数フィールドにおけるサブフィールドｓｆ２、ｓｆ４は、正極性書込が指定されており且つオン電圧が印加されるので、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、このサブフィールドｓｆ２、ｓｆ４に相当する期間にわたって電圧Ｖw(+)となる。

そして本実施形態においては、このような極性切替が行われることを前提に、図６乃至図８（特に図７）に示すように、奇数フィールドを構成するサブフィールドの期間長と、偶数フィールドを構成するサブフィールドの期間長との間に相違が設けられていることに特徴がある。
より詳細には次のようである。

まず、１フィールドの期間は、前に参照した図３に示すように、４つのグループに等分割され、かつ、その各グループが２つのサブフィールドに分割される。また、これも既述のように、１グループの期間長は２１６０Ｈであり、１フィールドの期間長は８６４０Ｈである。
本実施形態に係る各フィールドは、以上の事項を共通の性質としてもつが、奇数フィールド及び偶数フィールドの相違に応じて、図７に示すような特徴を持つ。第１に、仮に、偶数フィールドを構成する奇数番目のサブフィールド（Ｓｆ１，Ｓｆ３，Ｓｆ５，Ｓｆ７）の期間長を基準とすると、同じ偶数フィールドを構成する偶数番目のサブフィールド（Ｓｆ２，Ｓｆ４，Ｓｆ６，Ｓｆ８）の期間長は、その２倍である。つまり、前者の期間長と後者の期間長との比は、「１：２」と表現可能である。第２に、第１で述べた基準を維持することを前提とすると、奇数フィールドを構成する奇数番目のサブフィールド（Ｓｆ１，Ｓｆ３，Ｓｆ５，Ｓｆ７）の期間長は、「０．９」と表現可能である。また第３に、奇数フィールドを構成する偶数番目のサブフィールド（Ｓｆ２，Ｓｆ４，Ｓｆ６，Ｓｆ８）の期間長は、「２．１」と表現可能である。
つまり、これら第２及び第３によれば、奇数フィールドを構成する奇数番目のサブフィールド（Ｓｆ１，Ｓｆ３，Ｓｆ５，Ｓｆ７）の期間長ｔ_ｏｏは、偶数フィールドを構成する奇数番目のサブフィールド（Ｓｆ１，Ｓｆ３，Ｓｆ５，Ｓｆ７）の期間長ｔ_eｏよりも短く、その逆に、奇数フィールドを構成する偶数番目のサブフィールド（Ｓｆ２，Ｓｆ４，Ｓｆ６，Ｓｆ８）の期間長ｔ_ｏeは、偶数フィールドを構成する偶数番目のサブフィールド（Ｓｆ２，Ｓｆ４，Ｓｆ６，Ｓｆ８）の期間長ｔ_eeよりも長いということになる（図７中の、「ｔ_ｏｏ＜ｔ_eｏ」「ｔ_ｏe＞ｔ_ee」も参照。）。ただし、前述のように、１グループの期間長は、奇数フィールド及び偶数フィールド双方にとって同じである（図７中の、「ｔ_ｏｏ＋ｔ_ｏe＝ｔ_eｏ＋ｔ_ee」等も参照。）。
あるいは同じことであるが、奇数フィールドにおいて、奇数番目のサブフィールドを基準とした偶数番目のサブフィールドの比率は、２．１／０．９≒２．３と表現され、偶数フィールドにおいて、奇数番目のサブフィールドを基準とした偶数番目のサブフィールドの比率は、２／１＝２と表現される、ということになる。

このようであるため、同じ階調を表示する場合であっても、奇数フィールドと偶数フィールドとの間では、図８を参照して説明した各極性書込が行われる時間や、図６を参照して説明した各電圧Ｖw(+)、Ｖb(+)、Ｖw(-)、Ｖb(-)、の印加時間が異なってくる。その様子は図示されるとおりである。なお、図面の見易さ等の観点から、図６〜図８（そのうち特に、図６及び図８）は、「１：２」あるいは「０．９：２．１」といった比率に基づいて図面上正確に表現する場合の時間長よりも、相当程度大げさに描かれている点に注意されたい。
より実際的には、本実施形態において、奇数フィールド及び偶数フィールドを通じてみた、負極性書込が行われる期間は、４・ｔ_ｏｅ＋４・ｔ_eｏ＝４×１５１２Ｈ＋４×７２０Ｈ＝８９２８Ｈとなる。また、同じく正極性書込の行われる時間は、４・ｔ_ｏｏ＋４・ｔ_ee＝４×６４８Ｈ＋４×１４４０Ｈ＝８３５２Ｈとなる。つまり、本実施形態においては、連続する２つのフィールドを通じてみた、負極性書込の行われる期間が、正極性書込の行われる時間よりも、５７６Ｈだけ長くなる（１グループを単位としてみれば、差異は、１４４Ｈ（＝（１５１２＋７２０）−（６４８＋１４４０））である。）。

このような期間長の変更は、実際的には、走査線駆動回路１３０とデータ線駆動回路１４０との協調的動作により実現される。より具体的には例えば、走査線駆動回路１３０は、最も短い期間長をもつサブフィールド（図７等では期間長ｔ_ｏｏをもつサブフィールド）を基準として、それよりも長い期間長をもつサブフィールド（図７等では期間長ｔ_ｏｏをもつサブフィールド以外のサブフィールド）については、各走査線１１２の選択の後、所定の「待ち時間」を持ち、データ線駆動回路１４０は、その「待ち時間」を考慮に入れた上で、適宜のタイミングで、データ線１１４にデータ信号を供給する、などというようである。

以上のようなことから、本実施形態に係る電気光学装置によれば、対向電極１０８の印加電圧ＬＣcomを調整しなくとも、液晶素子１２０に印加される電圧から直流成分を殆ど又は完全に除くことができる、という効果が奏される。

このような効果が奏されることの背景には、いわゆるプッシュダウンの発生がある。プッシュダウン（フィールドスルー、突き抜けとも呼ばれる）とは、前述のように、ｎチャネル型のトランジスタ１１６においてオンからオフへの状態変化があるときに、そのゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、ドレイン（画素電極１１８）の電位が低下する現象をいう。この現象に対処するための何らの措置も行わない場合、負極性書込による液晶素子１２０の電圧実効値は、正極性書込による電圧実効値よりも若干大きくなってしまう。したがって、これを放置すれば、直流成分の発生が予見される。
そこで、従来においては、このような不具合を回避するため、対向電極１０８への印加電圧ＬＣcomを、基準電圧Ｖcよりも若干低位側に予め設定することが行われることがあった。この場合の設定電位は、プッシュダウンの影響が相殺されるような適正値として定められる。これにより、前記直流成分の発生をある程度抑制することが可能にはなる。

しかし、このような手法は、実際上、あまり有効でない場合がある。その理由は様々であるが、例えばこの手法では、対向電極１０８を適正な電位に設定するために、少なくとも原理上は、“プッシュダウンの影響”が正確に量定されていることが前提となるが、その前提をクリアすることが実際上困難であること、等々である。
また、この場合、対向電極１０８の電位を、何らかの事情に応じて時々に変更するということも通常考えられない（つまり、いったん決めてしまった電位は、通常、変更不能である。）。かかる変更操作が周囲に与える影響は甚大であるし、仮にそのような変更操作を行うとしても、先に述べた理由により、プッシュダウンの影響を現に相殺できるかどうかは確かではないからである。結局、この手法には、プッシュダウンの影響を有効に回避するための措置として、いささかその自由度に欠けるという欠点があることも指摘することが可能である。

以上に対し、本実施形態においては、上述したような不具合は基本的にこうむらない。なぜならば、本実施形態においては、上述のように、奇数フィールドと偶数フィールドとの間において、その各々を構成するサブフィールドの期間長が異ならしめられているからである。このような相違が、前述したような、負極性書込の行われる時間と、正極性書込の行われる時間との間の一種の不均衡を生み、これが前記プッシュダウンの影響を相殺するのである。つまり、本実施形態においては、冒頭に述べたように、対向電極１０８の印加電圧ＬＣcomを調整しなくとも、前記直流成分を取り除くことが可能となるのである。

また、本実施形態においては、その相殺の程度を適宜に調整することが極めて容易である。なぜならば、そのためには、サブフィールドの期間長を適宜に調整するだけでよいからである。実際上は、例えば、あるサブフィールドについての全走査線１１２（又は各走査線１１２）に関する走査を完了した後、次のサブフィールドについての走査（又は次の走査線１１２の走査）を開始するまでの“待ち時間”の調整を行うこと等の比較的単純な操作を加えるだけでよい。これにより、前述した、負極性書込及び正極性書込間の一種の不均衡の程度が異なっていくことになり、これに従い、プッシュダウンによって生じる直流成分の相殺に供される直流成分の大きさが異なってくることになる。
このように、本実施形態においては、プッシュダウンの影響を有効に回避するための措置としての自由度が極めて高められている。このことは同時に、プッシュダウンの影響が正確に量定されていなくとも、当該影響を有効に回避する可能性が高められることをも意味する。
なお、いま述べたところからも明らかなように、本実施形態において説明したサブフィールドの期間長の具体値には、単なる一例としての意義しかない。すなわち、上述においては、ｔ_ｅｏ：ｔ_ｅｅ：ｔ_ｏｅ：ｔ_ｏｏについて、「１：２：０．９：２．１」が成立しているが、これは単なる一例に過ぎず、例えばこの比のうち、ｔ_ｏｅ：ｔ_ｏｏについては「０．８：２．２」とか、「０．９５：２．０５」等々、様々な比率が採用されてよい。ｔ_ｅｏ：ｔ_ｅｅについても同様である。ただし、前述したような期間長の調整によるプッシュダウンの影響の回避を行うことを考えると、奇数フィールド及び偶数フィールドのうち一方のフィールドを不動の基準とすることが好ましいから、本実施形態においては、奇数フィールドに係る期間長ｔ_ｏｅ：ｔ_ｏｏを、もっぱら調整の対象とすることが好適だということはいえる。

なお、本実施形態においては、各フィールドにおいて、極性反転の行われる回数が比較的多いために、画面上でフリッカが発生するのを効果的に減少させることが可能である等、その他の付随的効果も奏される。

以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る電気光学装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１） 上述した実施形態では、サブフィールドの期間長に関し、ｔ_ｏｏ＜ｔ_ｅｏ及びｔ_ｏｅ＞ｔ_ｅｅが成立する場合について述べたが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、図９〜図１１に示すように、上記実施形態とは逆に、奇数フィールド内の奇数番目のサブフィールドの期間長ｔ_ｏｏと偶数番目のサブフィールドの期間長ｔ_ｏｅとの間に、「１：２」の関係があり、偶数フィールド内の奇数番目のサブフィールドの期間長ｔ_ｅｏと偶数番目のサブフィールドの期間長ｔ_ｅｅとの間に、「０．９：２．１」の関係がある場合も、当然、本発明の範囲内にある。この場合は、上記実施形態とは逆に、奇数フィールドを不動の基準として取り扱うことが好ましいから、偶数フィールドに係る期間長ｔ_ｅｅ：ｔ_ｅｏを、もっぱら調整の対象とすることが好適である。

（２） もっとも、本発明はこの点についても限定されることはなく、場合によっては、奇数フィールド及び偶数フィールドの双方を構成するサブフィールドの期間長を、一時（いちどき）に変更するような態様も、本発明の範囲内に含まれる。このような、いわば一斉調整の態様によって（あるいは、それによって「しか」）、プッシュダウンの影響を有効に回避できる手段がない場合もまた、あり得るからである。

（３） 上述した実施形態では、各サブフィールド期間が訪れるたびに極性反転が行われているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、上記実施形態と同様に、１フィールド期間中のサブフィールド期間が８個あるにしても、それら各サブフィールド期間に係る極性反転は、奇数フィールドにおいて「＋＋−−＋＋−−」、偶数フィールドにおいて「−−＋＋−−＋＋」、などというように定められてもよい。このような場合も、１フィールド期間中に書込極性が複数回反転しているとともに、奇数及び偶数フィールド間の対応する各サブフィールド期間の書込極性もまた反転しているからである。

（４） 上述した実施形態では、１個のフィールド期間が、４つのグループに分割され、かつ、各グループが２つのサブフィールド期間を含む場合を一例として説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、本発明は、各サブフィールド期間について、いわば個別的な重み付けががなされている場合にも適用が可能である。ここに個別的な重み付けがなされている場合とは、図３、図６及び図７等に示すように、同じ期間長をもつサブフィールド期間が、１個のフィールド期間の中に併存している場合ではなくて、各サブフィールド期間の期間長がすべて異なるような場合を想定している。より具体的に言えば、例えば、１個のフィールド期間に４つのサブフィールド期間があり、これら各サブフィールド期間の期間長が、１：２：４：８の比を満たすように定められているような場合である。そのほか、１フィールド期間中におけるサブフィールド期間の割り振り方、ないしはそれに関連した各サブフィールド期間の期間長のあり方には様々なバリエーションがあり得るが、本発明は、基本的には、どのような場合をも積極的に排除する意図を有しない。

＜応用＞
次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器について説明する。
図１２は、上記実施形態に係る電気光学装置を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての電気光学装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図１３に、上記実施形態に係る電気光学装置を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
図１４に、上記実施形態に係る電気光学装置を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１に表示される。

本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図１２から図１４に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

１…電気光学装置、１０…制御回路、２０…メモリ、３０…変換テーブル、１００…表示パネル、１０５…液晶、１０８…対向電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…トランジスタ、１１８…画素電極、１２０…液晶容量、１３０…走査線駆動回路、１４０…データ線駆動回路。

Claims (5)

1. 複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して夫々設けられた複数の画素を備え、前記複数の画素の夫々は、画素電極、対向電極、前記画素電極と前記対向電極との間に挟持された電気光学物質からなる電気光学素子、並びに、前記画素電極と前記データ線との間に設けられ前記走査線を介して供給される走査信号によってオン状態及びオフ状態のうちいずれか一方の状態となるように制御されるスイッチング素子を夫々有する電気光学装置の駆動方法であって、
   １画面を表示するのに要する期間をフィールド期間とし、前記フィールド期間を複数のサブフィールド期間で構成したとき、前記複数のサブフィールド期間の夫々において、前記スイッチング素子をオン状態とする走査信号を前記複数の走査線に順次供給して、前記走査線ごとに前記画素を選択すると共に、選択された画素の前記画素電極に表示すべき画像に応じた信号電位を書き込み、
   前記信号電位の書き込みにおいて、前記対向電極の電位を基準とした前記信号電位の極性を書込極性としたとき、前記フィールド期間中に前記書込極性を複数回反転し、且つ、あるフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性が、次のフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性と反転するように前記信号電位を書き込み、
   前記フィールド期間が時系列に沿って並ぶとき、奇数番目及び偶数番目のそれぞれに訪れる、連続する奇数及び偶数フィールド期間を通じてみた前記書込極性の一方に係る前記サブフィールド期間の長さの第１合計値は、前記書込極性の他方に係る前記サブフィールド期間の長さの第２合計値とは異なるとともに、
   前記フィールド期間内において、連続する２つのサブフィールド期間ごとに１個ずつのグループを構成したとき、
   前記奇数フィールド期間に含まれる、複数の前記グループの期間長はすべて同一であり、
   前記偶数フィールド期間に含まれる、複数の前記グループの期間長はすべて同一であり、かつ、
   これら奇数及び偶数フィールド期間の各々に含まれる各グループの期間長も同一であり、
   更に、
   前記奇数フィールド期間に含まれるグループ内の２つのサブフィールド期間の長さに係る、当該グループ内のいずれか一方の長さを基準とした比率は、当該グループに対応する、前記偶数フィールド期間に含まれるグループ内の２つのサブフィールド期間の長さに係る、前記比率とは異なり、
   前記書込極性は、１個の前記フィールド期間中、前記サブフィールド期間が訪れるたびに反転する、
   ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
2. 前記スイッチング素子がオン状態又はオフ状態に遷移する際に生じる前記対向電極の電位変動によって引き起こされる直流成分の発生を打ち消すように、前記第１及び第２合計値間の差異を設定する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
3. 複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して夫々設けられた複数の画素を備え、前記複数の画素の夫々は、画素電極、対向電極、前記画素電極と前記対向電極との間に挟持された電気光学物質からなる電気光学素子、並びに、前記画素電極と前記データ線との間に設けられ前記走査線を介して供給される走査信号によってオン状態及びオフ状態のうちいずれか一方の状態となるように制御されるスイッチング素子を夫々有する電気光学装置であって、
   １画面を表示するのに要する期間をフィールド期間とし、前記フィールド期間を複数のサブフィールド期間で構成したとき、前記複数のサブフィールド期間の夫々において、前記スイッチング素子をオン状態とする走査信号を前記複数の走査線に順次供給して、前記走査線ごとに前記画素を選択する走査線駆動手段と、
   前記走査線駆動手段によって選択された画素の前記画素電極に表示すべき画像に応じた信号電位を前記複数のデータ線を介して書き込み、前記信号電位の書き込みにおいて、前記対向電極の電位又は当該対向電極の電位から所定電位だけずれた電位を基準とした前記信号電位の極性を書込極性としたとき、前記フィールド期間中に前記書込極性を複数回反転し、且つ、あるフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性が、次のフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性と反転するように前記信号電位を書き込むデータ線駆動手段と、
   を備え、
   前記走査線駆動手段は、
   前記フィールド期間が時系列に沿って並ぶとき、奇数番目及び偶数番目のそれぞれに訪れる、連続する２つの奇数及び偶数フィールド期間を通じてみた前記書込極性の一方に係る前記サブフィールド期間の長さの第１合計値と、前記書込極性の他方に係る前記サブフィールド期間の長さの第２合計値とが、それぞれ異なる値を持つとともに、
   前記フィールド期間内において、連続する２つのサブフィールド期間ごとに１個ずつのグループを構成したとき、
   前記奇数フィールド期間に含まれる、複数の前記グループの期間長はすべて同一であり、
   前記偶数フィールド期間に含まれる、複数の前記グループの期間長はすべて同一であり、かつ、
   これら奇数及び偶数フィールド期間の各々に含まれる各グループの期間長も同一であり、
   更に、
   前記奇数フィールド期間に含まれるグループ内の２つのサブフィールド期間の長さに係る、当該グループ内のいずれか一方の長さを基準とした比率と、当該グループに対応する、前記偶数フィールド期間に含まれるグループ内の２つのサブフィールド期間の長さに係る、前記比率とが、それぞれ異なる値を持つように、
   前記走査線に前記走査信号を供給し、
   前記データ線駆動手段は、
   前記書込極性が、１個の前記フィールド期間中、前記サブフィールド期間が訪れるたびに反転するように、
   前記データ線に前記信号電位を書き込む、
   ことを特徴とする電気光学装置。
4. 前記走査線駆動手段は、
   前記スイッチング素子がオン状態又はオフ状態に遷移する際に生じる前記対向電極の電位変動を打ち消すように、前記第１及び第２合計値間の差異を設定する、
   ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 請求項３または４に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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