JP5301790B2 - 液晶表示装置を製造するためのシステム及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
このような前記第1、第2基板はスペーサによって一定間隔だけ離れており、液晶注入口を有するシール剤によって固定されて前記両基板間に液晶が注入される。
この時液晶注入方法は前記シール剤によって固定された両基板間を真空状態に維持しながら液晶容器に前記液晶注入口を浸すようにすると、浸透圧現象によって液晶が両基板間に注入される。このように液晶が注入されると前記液晶注入口を密封剤で密封することになる。
第一に、単位パネルにカットした後両基板間を真空状態に維持して液晶注入口を液晶容器に浸して液晶を注入する方法は、液晶注入に多くの時間を必要とするので生産性が低下する。
第二に、大面積の液晶表示装置を製造する場合、液晶を注入する上記の方法で液晶を注入すると、パネル内に液晶が完全に注入されず不良の原因になる。
第三に、前記のように工程が複雑で多くの時間を必要とするので多数の液晶注入装備が必要となり多くの空間を占めることになる。
従って、最近、液晶を滴下する方法を用いた液晶表示装置の製造方法が研究されている。そのうち、日本特許公開公報2000−147528号に次のような液晶滴下方式を用いた技術が開示されている。
図1aないし1fは従来の液晶滴下方式による液晶表示装置の工程断面図である。
図1aに示すように、薄膜トランジスタアレイが形成されている第1ガラス基板3に紫外線硬化型シール剤1を塗布し、前記シール剤1内側(薄膜トランジスタアレイ部分)に液晶2を滴下する。この時前記シール剤1には液晶注入口は形成されない。
図1bに示すようにカラーフィルタアレイが形成されている第2ガラス基板6の下部表面全面を第2吸着機構7で真空吸着して固定し、真空容器Cを閉じて内部を真空にすると共に、前記第2吸着機構7を垂直方向に降下させて前記第1ガラス基板3と第2ガラス基板6の間隔を調節し、前記第1ガラス基板3を搭載した前記テーブル4を水平方向に移動させて前記第1ガラス基板3に対する第2ガラス基板6のおおよその位置を調節する。
図1dに示すように、第1ガラス基板3を搭載した前記テーブル4を水平方向に移動させて前記第1ガラス基板3と第2ガラス基板6との位置を合わせる。
図1eに示すように、前記第2吸着機構7を垂直方向に降下させて第2ガラス基板6を前記シール剤1にて第1ガラス基板3に貼り合わせて、加圧する。
図1fに示すように、前記真空容器Cから前記貼り合わせされた第1、第2ガラス基板3、6を取り出して前記シール剤1に紫外線8を照射して前記シール剤1を硬化させて液晶表示装置を完成する。
第一に、同一基板にシール剤を形成し液晶を滴下することで、両基板を固定する前までの工程時間は長時間を必要とする。
第二に、前記第1基板にはシール剤が塗布され液晶が滴下されているのに対して前記第2基板には何の工程も行われていないから第1基板と第2基板との工程間に不均衡が発生して生産ラインを効率的に稼働し難い。
第三に、前記第1基板にシール剤が塗布され液晶が滴下されているため、固定前に洗浄装備でシール剤が塗布された基板を洗浄することができない。従って、上下基板を固定するシール剤を洗浄できないので微細なほこり(particle)を除去できず、固定時にシール剤が不良を起こすことになる。
第五に、前記液晶を滴下する時、的確な量を滴下することが難しく、過充填された場合には液晶が流れることになったり又は未充填時セルギャップの変動が生じて画質に影響を与えることになる。
図2は、本発明による液晶を滴下する方式を用いた液晶表示装置の工程順である。
本発明による液晶を滴下する方式の液晶表示装置の製造方法を簡単に説明し各単位工程を後に具体的に説明することにする。
図2に示すように、第1基板にゲートライン、データライン、薄膜トランジスタ及び画素電極又は共通電極を備えたTFTアレイを形成し(S1)、第2基板にブラックマトリックス(black matrix)層及びカラーフィルタ層又は共通電極を備えたカラーフィルタアレイを形成する(S6)。この時、前記各基板は1000×1200mm2以上の面積を有し、各基板には一つのパネルが構成されるのではなく液晶パネルのサイズに応じて複数のパネルが配列され得る。
前記洗浄された第1基板と第2基板各々に配向膜を塗布しラビング(摩擦)工程を進行して配向方向を決定する(S3、S8)。この時、前記ラビング工程に代えて前記配向膜に光配向膜を形成し偏光されていない光、偏光された光、又は部分偏光された光などを用いて光配向処理を行う。
前記配向工程時に発生した微粒子などを除去するために前記第1基板及び第2基板を洗浄する(S4、S9)。
前記シール剤又はAgドット工程時に発生する微粒子を除去するために前記のようにシール剤又はAgドットが形成された第2基板をUSC(Ultra Sonic Cleaning)洗浄装備を利用して洗浄する(S11)。
即ち、前記第2基板には液晶が滴下されていないので、洗浄が可能であり、前記微粒子による不良発生などを未然に防止できる。
また、前記第1基板と第2基板を真空貼り合わせ装置に搬入して両基板を貼り合わせする(S13)。
前記シール剤としてUV及び熱硬化性樹脂を用いる場合は、貼り合わせされた基板を一次的にUV照射を照射して前記シール剤を硬化させた後(S14)、更に加熱して前記シール剤を完全硬化させる(S15)。また、前記シール剤はUV照射照射のみにより硬化することもできる。前記UV硬化時には滴下された液晶がシール剤に接触せず、熱硬化が成された後(即ち、シール剤が完全に硬化された後)前記液晶が、貼り合わせた基板間のシール剤が塗布された部分まで広がることになる。即ち、前記液晶はUV硬化時70〜80%程度広がることなり、熱硬化時20〜30%程度に広がることになって液晶が貼り合わせされた基板の間で均衡に分布される。
前記貼り合わせて完全硬化された両基板を各単位パネル別に切断する(S16)。
この時スクライビング(scribing)及びブレイキング(breaking)工程が同時に行われる。
また、前記切断された各単位パネルに分けられた基板を研磨した後(S17)最終検査してシップメントする(S17)。ここで前記研磨工程時に小さな障害物(shorting bar)が除去される。
図3aは本発明によるTNモード液晶表示装置の平面図であり、図3bは図3aのI−I’線上の第1基板断面図であり、図3cは図3aのI−I’線上の第2基板断面図である。
図3bに示すように、第1基板10上にAl、Cr、Mo、Al合金、Cuなどを用いてゲート電極11aと一定間隔を有して一方向に配列されるようにゲートライン11を形成する。また、又前記ゲート電極11a及びゲートライン11を含む基板全面にシリコン窒化膜(SiNx)又はシリコン酸化膜(SiOx)、有機絶縁膜のBCB(Benzo Cyclo Butene)、アクリル樹脂などを用いてゲート絶縁膜15を形成し、前記ゲート電極11a上側のゲート絶縁膜15上にa−Siとn+a−Siを用いて半導体層13をその後に形成する。
第2基板20上の前記画素領域を除く部分には光が遮光されるようにブラックマトリックス21を形成し、各画素領域に対応する部分に色を実現するためのR、G、Bからなるカラーフィルタ層22を形成した後、前記第2基板全面にITO(Indium Tin Oxide)又はIZO(Indium ZincOxide)などを用いて共通電極23を形成する。また、前記基板を洗浄した後、基板全面にポリアミド又はポリイミド系化合物、ポリビニルアルコール、ポリアミック酸などを用いて第2配向膜24を塗布しラビング工程を行う。
まず、TFTアレイ工程を説明する。
図4bに示すように、第1基板10上に、Al、Cr、Mo、Al合金、Cuなどを用いてゲート電極11aと一定な間隔を有して一方向に配列されるようにゲートライン11を形成すると共に画素領域に複数の共通電極23aを備えて前記ゲートライン11に平行な方向に共通ライン23を形成する。
また、前記ゲートライン11及び共通ライン23を含む基板全面にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜、有機絶縁膜のBCB(Benzo Cyclo Butene)アクリル樹脂などを用いてゲート絶縁膜15を形成し、前記ゲート電極11a上側のゲート絶縁膜15上にa−Si、n+a−Siを用いて半導体層13をその後形成する。
ここで、前記ゲート絶縁膜半導体層13両側にAl、Cr、Mo、Al合金、Cuなどを用いてソース電極12a及びドレイン電極12bを形成し、前記ゲートライン11に垂直な方向に沿って前記ゲート絶縁膜15上にデータライン12を形成する。前記ドレイン電極12bにコンタクトホールを有するように前記基板全面にシリコン窒化膜又はシリコン酸化膜、有機絶縁膜のBCB、アクリル樹脂などを用いて保護膜16を形成し、前記共通電極23a間にデータ電極14aが位置するように画素領域に画素電極14を形成する。
また、前記基板を洗浄し基板全面にポリアミド又はポリイミド系化合物、ポリビニルアルコール、ポリアミク酸(polyamic acid)などを用いて第1配向膜17を塗布しラビング工程を行う。
図4cに示すように第2基板20上に前記画素領域を除く部分では光が遮光されるようにブラックマトリックス21を形成し、各画素領域に対応される部分に色を実現するためのR、G、Bからなるカラーフィルタ層22を形成した後、前記第2基板全面にオーバーコート25を形成する。また、前記基板を洗浄し基板全面にポリアミド又はポリイミド系化合物、ポリビニルアルコール、ポリアミク酸などを用いて第2配向膜24を塗布したラビング工程を行う。
第一に、第1基板には液晶を滴下し、第2基板にはシール剤を塗布して二つの基板を貼り合わせするので、液晶滴下工程時間とシール剤塗布工程時間とが均衡をなすことによって貼り合わせ前までの工程時間を短縮することができる。
第三に、ダミー領域にダミーコラムスペーサが形成されているので、シール剤が完全硬化される前に、液晶が前記シール剤に接触することを防止し、歩留まり及び品質を向上させることができる。
第五に、シール剤塗布時、主シール剤より補助シール剤を印刷するので、シール剤の塗布始めの際、始め地点でシール剤が固まる現象を防止できる。
第六に、液晶とシール剤とが互いに異なる基板に形成されるので、シール剤が形成された基板を貼り合わせする前に、USC洗浄することができ、微細粒子汚染を防止できる。
第八に、貼り合わせ機の基板支持手段などの構成が基板の中央部分を支えることができるように構成されるので、1000×1200mm2以上の基板を用いて液晶表示装置を製造することができる。
図5は本発明の第1実施例による液晶表示素子の平面図である。
図5のように、本発明の第1実施例による液晶表示素子は第1基板10と第2基板20を含めて構成され、前記両基板10、20間の外郭領域にはUV硬化型シール剤30が形成される。
また、前記両基板10、20間には液晶層(図示せず)が形成されている。
また、前記ダミー柱状スペーサ28は前記柱状スペーサと同一高さで形成され少なくとも一つのエッジ領域に開口部29が形成されている。図面には四つのエッジ領域の全部に開口部29が形成されているが、開口部29は適切に調節され得る。
即ち、図面に矢印で示したように、液晶は前記ダミー柱状スペーサ28に沿って移動し開口部29を通して基板のエッジ領域に移動することで基板のエッジ領域に液晶が充填されないことが防止される。
また、前記開口部29が形成されない領域のダミー柱状スペーサ28は液晶がUV硬化型シール剤30と直接的に接して汚染されないようにダム(dam)の役割を果たすことになる。
図6aから分かるように、第2基板20上にはブラックマトリックス層21、カラーフィルタ層22、共通電極23が順に形成されている。
また、第1基板10上には図示していないが、ゲート配線、データ配線、薄膜トランジスタ及び画素電極が形成されている。
また、前記第2基板20上の画素領域にはセルギャップの高さで柱状スペーサ27が形成されている。
前記柱状スペーサ27はゲート配線又はデータ配線形成領域に形成されるので、前記ゲート配線又はデータ配線に光が漏れることを防止するために第2基板20上に形成されるブラックマトリックス層21上部の共通電極23上に形成される。
前記ダミー柱状スペーサ28は画素領域を除くダミー領域中UV硬化型シール剤30の内側であればいずれかの領域に形成されても構わない。即ち、図面には下部に柱状フィルタ層22が形成されていない共通電極23上にダミー柱状スペーサ28が形成されているが、下部にカラーフィルタ層22が形成された共通電極23上にダミー柱状スペーサ28を形成することも可能である。
また、前記第2基板20上のカラーフィルタ層22と共通電極23の間にはオーバーコート層を付加的に形成することもでき、また、前記ダミー柱状スペーサ28を含む第2基板20及び第1基板10上には配向膜が形成される。
図6bは他の実施例による液晶表示素子の断面図であって、前記図6aの液晶表示素子で第2基板20上に共通電極23が形成されたものではなく、オーバーコート層25が形成されたものである。
従って、柱状スペーサ27及びダミー柱状スペーサ28がオーバーコート層25上に形成されること以外は図6aによる液晶表示素子と同一である。
図6cは他の実施例による液晶表示素子の断面図であって、前記図6bの液晶表示素子でオーバーコート層25がブラックマトリックス層21上に形成され、シール剤30上には形成されないようにパタニングされたものである。その以外は図6bによる液晶表示素子と同一である。
図7は本発明の第2実施例による液晶表示素子の平面図である。
図7から分かるように、本発明の第2実施例は基板エッジ領域に複数の開口部29が形成されたダミー柱状スペーサ28を備えた液晶表示素子に関する。
前記開口部29が複数個形成されることによって液晶がより円滑に基板エッジ領域に移動して未充填を防止する。
前記開口部29は少なくとも一つのエッジ領域に形成され、複数個を連続、又は不連続的に形成することもできる。
その以外は前記第1実施例と同一である。
図8は本発明に第3実施例による液晶表示素子の平面図である。
図8から分かるように、本発明の第3実施例は画素領域(A`ラインは画素領域を区分するための仮想線である)には柱状スペーサ(図8には図示せず)が形成されており、前記画素領域外郭部のダミー領域のうち、前記UV硬化型シール剤30の内側には液晶流れ調節用第1、第2ダミー柱状スペーサ28a、28bが形成されている。前記第1、第2ダミー柱状スペーサ28a、28bは前記柱状スペーサと同一高さで形成され、少なくとも一つのエッジ領域に開口部29が形成されている。
このように第1ダミー柱状スペーサ28aの内側に点線型第2ダミー柱状スペーサ28bを付加的に形成することによって液晶が前記第1ダミー柱状スペーサ28aのみならず点線型第2ダミー柱状スペーサ28bの空間に沿って移動することになって液晶の流れをより円滑に調節することができる。
図9から分かるように、第2基板20上にはブラックマトリックス層21、カラーフィルタ層22、共通電極23が順に形成されている。
また、前記第2基板20上の画素領域にもセルギャップの高さで柱状スペーサ27が形成されている。
また、前記第2基板20上のダミー領域には前記柱状スペーサ27と同一高さの第1ダミー柱状スペーサ28aが形成されている。
また、前記第1ダミー柱状スペーサ28aの内側ダミー領域には前記柱状スペーサ27と同一高さの点線型第2ダミー柱状スペーサ28bが形成されている。
図9aには一つの点線型第2ダミー柱状スペーサ28bだけを図示しているが、複数個形成することできる。また、前記点線型第2ダミー柱状スペーサ28bはダミー領域であれば何れの領域に形成されても構わない。
また、前記第2基板20上のカラーフィルタ層22と、共通電極23間にはオーバーコート層を付加的に形成することができ、また、第1ダミー柱状スペーサ28a及び点線型第2ダミー柱状スペーサ28bを含む第2基板20及び第1基板10上には配向膜が形成される。
このような図9bによる液晶表示素子は一名IPSモード液晶表示素子に関するもので、共通電極は第1基板10上に形成されるようになる。
従って、柱状スペーサ27、第1ダミー柱状スペーサ28a、及び点線型第2ダミー柱状スペーサ28bがオーバーコート層25上に形成されること以外、その他は図9aによる液晶表示素子と同一である。
図9cは他の実施例による液晶表示装置の断面図であって、前記図9bの液晶表示素子でオーバーコート層25がブラックマトリックス層21上には形成され、シール剤30上には形成されないようにパタニングされたものである。その他は図9bによる液晶表示素子と同一である。
図10は本発明の第4実施例による液晶表示素子の平面図である。
図10から分かるように、本発明の第4実施例は基板エッジ領域に複数の開口部29が形成されている第1ダミー柱状スペーサ28aを備えた液晶表示素子に関する。
前記開口部29は少なくとも一つのエッジ領域に形成され、複数個を連続、又は不連続的に形成することもできる。
その他は前記第3実施例と同一である。
図11は本発明の第5実施例による液晶表示素子の平面図であって、点線型第2ダミー柱状スペーサ28bを第1ダミー柱状スペーサ28aの内側ダミー領域ではなく第1ダミー柱状スペーサ28aの外側ダミー領域に形成したものである。
その他は前記した第3実施例と同一であり、図11のV−V'ラインの多様な実施例による断面図である図12aないし図12cを参照すると容易に理解できるだろう。
図13は本発明の第6実施例による液晶表示素子の平面図である。
図13から分かるように、本発明の第6実施例は基板エッジ領域に複数の開口部29が形成されている第1ダミー柱状スペーサ28aを備えた液晶表示素子に関する。
前記開口部29は少なくとも一つのエッジ領域に形成され、複数個を連続、又は不連続的に形成することもできる。
その他は前記第5実施例と同一である。
図14a及び図14bは本発明の第7実施例による液晶表示素子の平面図である。本発明の第7実施例は第1ダミー柱状スペーサ28aの内側ダミー領域又は外側ダミー領域に第2ダミー柱状スペーサ28bを形成したものである。
即ち、ダミー柱状スペーサを二重に形成することで液晶の流量をより円滑に調節できるようにしたものである。
この時、前記第1ダミー柱状スペーサ28a及び/又は第2ダミー柱状スペーサ28bは少なくとも一つのエッジ領域に連続又は不連続的に複数個の開口部を形成することができる。
このような第1ダミー柱状スペーサ28a及び第2ダミー柱状スペーサ28bは前記第1ダミー柱状スペーサ28a及び第2ダミー柱状スペーサ28bの形成スタイルと同一、かつ多様に変更され得る。
図15は本発明の第8実施例による液晶表示素子の平面図である。
図15に示されているように、本発明の第8実施例は、第1基板10と、第2基板20を含み、前記両基板10、20間の外郭領域にはUV硬化型シール剤30が形成されている。
また、画素領域(Aラインは画素領域を区分するための仮想線である)には柱状スペーサ(図15には図示せず)が形成されており、前記画素領域外郭部のダミー領域のうち前記UV硬化型シール剤30の内側には液晶の流量調節用ダミー柱状スペーサ28が形成されている。
また、前記両基板10、20間には液晶層が形成されている。
この時前記柱状スペーサは前記第1基板10及び第2基板20の間のセルギャップの高さで形成されてセルギャップを維持させる役割を果たしている。
即ち、図面に矢印で示したように、液晶が前記ダミー柱状スペーサ28に沿って移動するので基板のエッジ領域に液晶が不完全に充填されることが防止され、また、前記ダミー柱状スペーサ28と第1基板10との間の間隔によって液晶が移動するので全液晶量に応じて液晶の流量が調節される。
図16aから分かるように、第2基板20上にはブラックマトリックス層21、柱状スペーサ22、共通電極23が順に形成されている。
また、第1基板10上には図示していないが、ゲート配線、データ配線、薄膜トランジスタ、及び画素電極が形成されている。
また、前記第2基板20上の画素領域にはセルギャップと同一の高さで柱状スペーサ27が形成されている。
前記柱状スペーサ27はゲート配線又はデータ配線形成領域に形成されるので前記ゲート配線又はデータ配線に光が入射することを防止するために第2基板20上に形成されるブラックマトリックス層21上部の共通電極23上に形成されるようになる。
より具体的に前記ダミー柱状スペーサ28はダミー領域のブラックマトリックス層21上部の共通電極23上に形成されるので、カラーフィルタ層22の高さと概ね等しい段差を生じ、その間隔と概ね等しい間隔だけ第1基板10から離隔される。
このような柱状スペーサ27、ダミー柱状スペーサ28には、感光性有機樹脂を用いるのが望ましい。
図16bは他の実施例による液晶表示素子の断面図である。前記図16aの液晶表示素子で第2基板20上に共通電極23を形成する代わりに、オーバーコート層25を形成するものである。
このような図16bによる液晶表示素子はいわゆるIPSモード液晶表示素子に関するもので、共通電極は第1基板10上に形成されるようになる。
その他の構成要素は図16aに示すように、オーバーコート層25上に形成されるダミー柱状スペーサ28を第1基板10から離隔して形成することも同様である。
図16cは他の実施例による液晶表示装置の断面図であって、前記図14bの液晶表示素子でオーバーコート層25をブラックマトリックス層21上に形成し、シール剤30上には形成しないようにパタニングしたものである。その他は図16bによる液晶表示素子と同様である。
つまり、ダミー柱状スペーサ28をオーバーコート層25上に形成するものではなく、ブラックマトリックス層21上に形成するので第1基板10との間隔がより大きくなる。
尚、図面では、オーバーコート層25をカラーフィルタ層22上のみに形成するようにパタニングしているが、ダミー柱状スペーサ28が形成されないブラックマトリックス層21にオーバーコート層25を形成してもよい。
図17a及び図17bは本発明の第9実施例による液晶表示素子の平面図である。
図17aから分かるように本発明の第9実施例においては、ダミー柱状スペーサ28の基板エッジ領域上の部分に開口部29が形成されている。
従って、前記開口部29を通して液晶がより円滑に基板エッジ領域に移動して不完全な充填が防止される。前記開口部29はダミー柱状スペーサの基板エッジ領域上の部分に形成される。
その他ダミー柱状スペーサ28を多様な位置に形成して第1基板10から所定間隔をおいて離隔していることなどは前記第8実施例と同様である。
図17bは基板エッジ領域のダミー柱状スペーサ28に複数の開口部29を形成して液晶の流量をより大きくしたものである。前記開口部29は連続、又は不連続的に形成され得る。
図18は本発明の第10実施例による液晶表示素子の平面図である。
図18のように、本発明の第10実施例による液晶表示素子は第1基板10と第2基板20とを含み、前記両基板10、20との間の周縁部領域にはUV硬化型シール剤30が形成されている。
また、画素領域(ライン”A”は画素領域を区分するための仮想線である)には柱状スペーサ(図18には図示せず)が形成されており、前記画素領域の周縁部のダミー領域のうち前記UV硬化型シール剤30の内側には液晶の流量調節用の第1ダミー柱状スペーサ28aが形成されている。
また、前記第1ダミー柱状スペーサ28aの内側ダミー領域には液晶の流量の調節を補助する点線型(dotted−line type)の第2ダミー柱状スペーサ28bが形成されている。
また前記両基板10、20間には液晶層(未図示)が形成されている。
この時前記第1ダミー柱状スペーサ28aは前記第1基板10から所定間隔をおいて離隔され、その間隔によって液晶の流量を調節する。一方、液晶滴下時に過剰な量の液晶を滴下した場合、液晶が前記第1ダミー柱状スペーサ28aを通過してUV硬化型シール剤と接触する。
従って、本発明の第10実施例は前記第1ダミー柱状スペーサ28aの内側に第2ダミー柱状スペーサ28bをさらに形成することで、過剰に滴下した液晶の流量を適切に調節する。
尚、前記点線型の第2ダミー柱状スペーサ28bを形成する位置に応じて第1基板10から離隔することも可能であり、隣接させることも可能である。
図19aから分かるように、第2基板20上にはブラックマトリックス層21、カラーフィルタ層22、共通電極23が順に形成されている。
また、第1基板10上には図示していないが、ゲート配線、データ配線、薄膜トランジスタ、及び画素電極が形成されている。
また、前記第2基板20上の画素領域にはセルギャップと同一の高さで柱状スペーサ27が形成されている。
図19aには一つの点線型第2ダミー柱状スペーサ28bだけを図示しているが複数個を形成することもできる。
従って、前記第1ダミー柱状スペーサ28a及び点線型の第2ダミー柱状スペーサ28bはカラーフィルタ層22の高さと概ね等しい段差だけ第1基板10から離隔される。
従って、点線型の第2ダミー柱状スペーサ28bは段差をおかずに第1基板10と接するため、点線型の第2ダミー柱状スペーサ28bの下側からは液晶を移動させることができないが、第1ダミー柱状スペーサ28aの下側を通って液晶を移動させることが可能である。
即ち、IPSモード液晶表示素子に関するもので、共通電極は第1基板10上に形成されることになる。
図19g及び図19hは他の実施例による液晶表示素子の断面図である。各々前記図19c及び図19dの液晶表示素子では、オーバーコート層25をブラックマトリックス層21の所定の領域上に形成しないようにパタニングする。
つまり、第1ダミー柱状スペーサ28a及び/又は点線型第2ダミー柱状スペーサ28bをオーバーコート層25上に形成する代わりに、ブラックマトリックス層21上に形成するので第1基板10との間隔が更に大きくなる。
図20a及び図20bは本発明の第11実施例による液晶表示素子の平面図であって、基板エッジ領域の第1ダミー柱状スペーサ28aに開口部29を形成する点以外は前記第10実施例による液晶表示素子と同様である。
図20bは基板エッジ領域の第1ダミー柱状スペーサ28aに複数の開口部29を形成して液晶の流量をより大きくする。
図21は、本発明の第12実施例による液晶表示素子の平面図であって、点線型の第2ダミー柱状スペーサ28bを第1ダミー柱状スペーサ28aの内側ではなく、前記第1ダミー柱状スペーサ28aの外側に形成する。
その効果は前記第10実施例と同様である。
この時前記第1ダミー柱状スペーサ28a及び点線型の第2ダミー柱状スペーサ28bを形成する位置は図22a、図22b及び図22cに示されている。
即ち、両第1、第2ダミー柱状スペーサ28a、28bは、何れも図22aのようにダミー領域のブラックマトリックス層21上部の共通電極23上に形成されるか、図22b及び図22cのようにダミー領域のブラックマトリックス層21上部のオーバーコート層25上に形成されるか図22dのようにダミー領域のブラックマトリックス層21上に形成される。
図23a及び図23bは本発明の第13実施例による液晶表示素子の平面図であって、基板エッジ領域の第1ダミー柱状スペーサ28aに開口部29を形成する点以外前記第12実施例による液晶表示素子と同様である。
図23bは基板エッジ領域の第1ダミー柱状スペーサ28aに複数の開口部29を形成して液晶の流量をより大きくするものである。
図24aないし図24dは、本発明の第14実施例による液晶表示素子の平面図であって、本発明の第14実施例は第1ダミー柱状スペーサ28aの内側ダミー領域又は外側ダミー領域に第2ダミー柱状スペーサ28bを形成したものである。
この時、図24a及び図24bは、第1ダミー柱状スペーサ28aの外側ダミー領域に第2ダミー柱状スペーサ28bが形成された液晶表示素子に関するものである。図24c及び図24dは、第1ダミー柱状スペーサ28aの内側ダミー領域に第2ダミー柱状スペーサ28bを形成した液晶表示素子に関する。
また、図24b及び図24dは、少なくとも一つの基板エッジ領域で第2ダミー柱状スペーサ28bに開口部を形成したものである。この時、前記開口部は連続又は不連続的に複数個形成され得る。
このような第1ダミー柱状スペーサ28a及び第2ダミー柱状スペーサ28bは、前記第1ダミー柱状スペーサ28a及び点線型の第2ダミー柱状スペーサ28bの形成位置と同様に多様な位置に形成することが可能であり、前記液晶モードに限定されず垂直配向モードやポリ−Si、強誘電体、OCB(Optically Compensated Birefringence)モードなどに適用できる。
また、前記配向及びラビング工程時に発生する微細粒子を除去するために洗浄工程S4、S9を行う。
図示してはいないが、TNモードの場合、前記第2基板20の周縁部に銀(Ag)をドット形状に形成して前記第1、第2基板10、20の貼り合わせの後、前記第2基板20上の共通電極23に電圧を印加できるようにする。
尚、IPSモード液晶表示素子の場合は共通電極を画素電極と同一の第1基板上に形成して横方向の電界(IPSモード)を誘導することになるので前記銀ドットは形成する必要はない。
前記第2基板20上に閉じたパターンで各パネルの縁に複数の主UV硬化型シール剤30を形成し、前記各主UV硬化型シール剤30の外側ダミー領域に閉じたパターンで第1ダミーUV硬化型シール剤40を形成する。また、前記第1ダミーUV硬化型シール剤40の外側領域のエッジ部分に第2ダミーUV硬化型シール剤50を塗布する。
シール剤塗布方法はスクリーン印刷法、ディスペンシング(dispensing)法などがあるが、スクリーン印刷法はスクリーンが基板と接触するので基板上に形成された配向膜などを損傷するおそれがあり、基板を大面積化した場合にはシール剤の損失量が多くて非経済的であるのでディスペンシング法が望ましい。
図26a及び図26bは、本発明第1実施例の主UV硬化型シール剤を形成する工程を示した斜視図であり、図27は、本発明の第2実施例による主UV硬化型シール剤を形成する工程を示した斜視図である。
液晶を滴下する方式は、液晶を注入するための注入口が不要であるので図26a及び図26bのように第2基板20上にディスペンシング装置31を用いて注入口のないパターンで主UV硬化型シール剤30を形成する。
このように過剰分布された主UV硬化型シール剤は図26bのように後続の貼り合わせ工程でアクティブ領域(基板の中央部)及びダミー領域(基板の周縁部)の両方に過度に広がり、アクティブ領域に広がっているシール剤は液晶を汚染し、ダミー領域に広がっているシール剤はセル切断ラインまで浸透してセル切断工程を困難にする。
従って、より均一な密度の主UV硬化型シール剤を形成して貼り合わせ工程時に、液晶が汚染されずセル切断工程を容易にするために次のように主UV硬化型シール剤を印刷する。
前記補助UV硬化型シール剤30aはディスペンシング装置のノズル先に固まっているシール剤による悪影響を防止するために形成され、基板のダミー領域のいずれに形成しても構わず、シール剤形成時前記主UV硬化型シール剤30より前に形成すれば十分である。また、図面のように直線状に形成することもでき、曲線状に形成することもできる。
このようにAgドットシール剤を塗布する工程S10を完了する。
また、前記シール剤が塗布された第2基板20をUSC(Ultra Sonic Cleaner)で洗浄して工程中に発生した微細粒子を除去する(S11)。
即ち、第2ガラス基板13は液晶が滴下されておらず、シール剤が塗布されているのみであるので洗浄可能である。
図28は本発明によるディスペンシング装置を示す図であって、図28aは液晶を滴下していない時点の断面図であり、図28bは液晶を滴下した時点の断面図であり、図28cは分解斜視図である。前記図面を参照して本発明のディスペンシング装置を説明する。
図示するようにディスペンシング装置120では、筒状の液晶容器124がケース122に収納されている。前記液晶容器124はポリエチレンからなり、その内部に液晶26が充填されており、ケース122はステンレス鋼によって形成されてその内部に前記液晶容器124が収納される。通常ポリエチレンは成形が容易であるという特性に優れるので所望の形状の容器を容易に形成できるのみならず液晶26が充填された時、液晶と反応しないので液晶容器124として主に用いられる。しかしながら、前記ポリエチレンは強度が弱いので外部から弱い衝撃だけで変形し、特に液晶容器124にポリエチレンを用いる場合、液晶容器124が変形して正確な位置に液晶26を滴下することができないので、強度が大きいステンレス鋼によって形成されるケース122に収納して用いる。前記液晶容器124の上部には外部のガス供給部162に連結されたガス供給管164が形成されている。該ガス供給管164を通して外部のガス供給部162から窒素などのガスが供給されて液晶容器124の液晶が充填されない領域にはガスが詰められて前記液晶に圧力を加えつつ滴下する。
また、前記突起138は第1結合部141と結合される。図示するように突起138のナットが形成されており、第1結合部141の一端にはボルトが形成されていて前記ナットとボルトによって突起138と第1結合部141が係合される。
前記ニードルシート143は第1結合部141のナットに挿入されて第2結合部142のボルトが挿入されるとき前記第1結合部141及び第2結合部142間に結合される。ニードルシート143には排出孔144が形成されて液晶容器124に充填された液晶26が結合部142を経て前記排出孔144を介して排出される。
図29は前記保護壁148が形成された図28aのAの部分の拡大図であって、図29aは斜視図であり図29bは断面図である。図示したように、ノズル145の排出口146の周囲には前記排出口146と概ね同一の高さ、望ましくは排出口146より高く形成された保護壁148が形成されているので前記ノズル145の結合や分離のような取り扱いの際ノズルが結合用工具などの器具によって変形したり破損することを防止する。
しかしながら、本発明のように保護壁148を形成してノズル145のサイズを大きくする場合には前記ノズル145の結合及び分離を容易にすることができる。
保護壁148は外力から排出口146を保護できる物質であれば如何なる物質も可能であるが、強度の高いステンレス鋼や超軽合金などが用いられる。
接触角は液体が固体表面での熱力学的な平衡を表わすパラメータをいう。
かかる接触角は個体表面の吸湿性(Wettability)を示す尺度である。ノズル145は金属からなっており、金属は通常低い接触角を有する。
これに対して本発明のようにノズル145、特にノズル145の排出口146の周囲に接触エッジが高いフッ素樹脂膜149を塗布する場合にはフッ素樹脂膜149の低い吸湿性(疎水性)と低い表面エネルギーとによってノズル145の排出口146を通して排出される液晶26がノズル145の表面に広がることなく完全な玉形状を成すことになり、その結果所望の量の液晶を正確に基板に滴下することができる。
ニードル135はその端部がニードルシート143と接触して排出孔144を開閉することによって基板上に液晶を滴下する際に非常に重要な役割を果たす。ニードル135は、一つのセットをなす。言い換えれば、ニードル135とニードルシート143とは、一方が破損されて交換すべきの場合、両方とも交換しなければならない。なお、ニードル135は基板に液晶を滴下するために周期的に上下移動することになる。
ニードル135の変形又は破損は円錐状の端部が排出孔144に挿入されるとき排出孔144が完全に栓をされずに隙間が発生する原因になり、かかる隙間を通して液晶が滴下されるべきでない時に基板上に液晶が滴下されることになる。従って、ニードル135が変形又は破損した場合、ニードル135を交替すべきであるが、ニードル135とニードルシート143が一つのセットになっているので高価のニードル135とニードルシート143を一挙に交換しなければならない。
前記磁性棒132は強磁性物質又は軟磁性物質からなり、第2スプリング収納筒135の外部には筒状のソレノイドコイル130が設置されている。
言い換えれば、供給電力とガス流入量は作業者の直接的な操作によって決定されるものではなく、主制御部の制御によって決定されるもので、入力されるデータに基づいて供給電力とガス流入量を算出して決定する。
従って、前記測定されたスペーサの高さは有線又は無線を介してスペーサの高さ入力部180に入力される。
滴下パターン算出部175は、図32に示すように滴下量算出部173で算出された滴下量に基づいて基板上の特定位置に滴下される1回の液晶滴下量を算出する一回の滴下量算出部186と、基板上に滴下される滴下回数を算出する滴下回数算出部187と、前記1回の滴下量算出部186が算出した1回の滴下量と滴下回数算出部187が算出した滴下回数とに基づいて基板上に液晶が滴下される位置を算出する滴下位置算出部188と、前記算出された滴下位置によって液晶の滴下パターンを決定する滴下パターン決定部189とから構成される。
1回の滴下量算出部186は、算出された総滴下量に基づいて1回の液晶滴下量を算出する。言い換えれば、前記1回の滴下量は総滴下量と密接な相互関係を有すると共に、滴下回数とも密接な関係を有する。
前記液晶の滴下位置は液晶パネルの形状、液晶パネルに形成された素子のパターン方向及び配向方向によって決められる。
液晶の滴下位置の算出は、パネルに滴下される液晶の滴下回数、1回に滴下される液晶の滴下量、滴下された液晶間の間隔(ピッチ)、液晶の広がり特性によって行われる。特に液晶の広がり特性は、基板の貼り合わせ時に、液晶のシール剤まで至っているか否かを判断する重要な特性である。従って、シール剤の硬化前に液晶がシール剤に接触することを防止するためには前記液晶の広がり特性を考慮して滴下位置を算出すべきである。
これに対して、滴下領域を広めた設定する場合は、シール剤が硬化する前に液晶が前記シール剤に接触するので前記問題が発生するおそれがある。従って、液晶の滴下位置は、シール剤の不良問題や工程の迅速性に鑑みて算出しなければならない。
液晶の広がり特性は、液晶の固有な特性の粘度と関連するが、該液晶の粘度は同一の種類の液晶に対しては同一の値を有するので、多様なサイズ及び多様なモードを有する液晶表示素子での液晶の広がり特性を設定するための要素は、液晶が滴下される基板の幾何学的な特性である。
図38aに示すように正方形の液晶パネル即ち、下部基板105に円形状の液晶117が滴下された場合、液晶117から各辺までの距離aとエッジまでの距離bとは異なる。基板105における液晶の広がり速度が等方的であると仮定する場合、図38bに示すように液晶117がいずれかの辺に至る場合、液晶117とエッジ間にはb'の距離が残っていて結局基板105のエッジには液晶107が分布しない領域が存在することになる。
かかるパターンは、基板上に段差を生成することになり、従って、該段差が液晶の広がりを妨害することになり液晶の広がり速度に差が生じる。図38hに示すように、液晶パネルの下部基板105は、TFT基板としてマトリックス形状に配置された複数の画素106a〜106cを含んでいる。図面は図示していないが、前記画素106a〜106cは、縦横に配列された複数のゲートライン及びデータラインによって定義され、各画素内には駆動素子のTFTの画素電極が形成されている。
前記ブラックマトリックス108は液晶表示素子の非表示領域に光が漏れることを防止し、図38iに示すように、画素106a〜106c間の領域と対向するように配置されて前記領域に光が漏れることを防止する。
一般的な液晶表示素子の場合、前記カラーフィルタはデータラインに沿って配列されており、従って、ゲートライン方向には前記カラーフィルタ104a〜104cによる段差が形成される。
まず図38nはTNモード液晶表示素子の滴下パターン117を示す図面である。一般的にTNモードでは、パネル105の上部基板及び下部基板に形成されている配向膜のラビング方向は互いに垂直となっている。従って、実際、基板の貼り合わせ時に直交するラビング方向によって液晶の広がり速度が相殺されて配向膜のラビング方向は液晶の広がりにあまり影響は与えない。この時、前記配向膜のラビング方向が液晶の広がりに全く影響を与えないのではなくその影響は最小化されるということである。かかる観点から基板の貼り合わせ時に、液晶の滴下パターン117に主に影響を与える要因は基板の形状と基板に形成されているパターンである。
前述したようにTNモード液晶表示素子では配向方向が上下基板で互いに直交しているので配向方向による影響を無視した。かかる配向方向を無視した液晶滴下パターンはVAモード液晶表示素子にも適用され得る。一般的にVAモード液晶表示素子では特定の配向方向が無いのでVAモード液晶表示素子の滴下パターンは図38n及び図38oに示した四エッジ形状及び亜鈴形の滴下パターンと実質的に類似した形状に設定される。従って、VAモード液晶表示素子の滴下パターンに対してはその詳細な説明を省略する。
このようなモードによるカラーフィルタ層の配列は複数の液晶パネルが形成されるガラス板(即ち、基板)を効率的に用いるためである。言い換えれば、液晶滴下方法を用いた液晶表示素子の製造方法では液晶表示素子のモードに応じてカラーフィルタ層をゲートライン方向やデータライン方向に形成する。勿論、このようなカラーフィルタ層の配列方向は特定方向に限定されるものではない。より重要なことはIPSモード液晶表示素子に設定される滴下パターンの方向がx方向であるかy方向であるかが問題ではなく液晶の流れ速度が小さい方向(又はカラーフィルタ層の段差方向)に滴下パターンが延長されるというものである。
また第2滴下パターン317b、317cは第1滴下パターン317aの両端部で相互反対方向に延長されている。前記第2滴下パターン317a、317cの延長方向は配向方向と直交する方向であり、これは、該方向の液晶広がり速度が配向方向の液晶広がり速度より遅いのでこれを補充するためである。
かかるIPSモード液晶表示素子では液晶広がり速度に影響を与える因子が、パターンの形状及び配向方向であるので、該二つの因子を考慮して滴下ピッチを設定すべきである。
パターンによる液晶広がり速度差を考慮するとデータライン方向のピッチt2よりゲートライン方向のピッチt1がより大きく設定され、配向方向による広がり速度を考慮すると配向方向と直交する方向のピッチt4よりは配向方向のピッチt3をより大きく設定すべきである。
前記滴下パターンは液晶滴下前に算出される。このように算出された滴下パターンによってノズルが移動して液晶が滴下される。液晶の滴下パターンは基板の形状や基板に形成されるパターンの形状によって自動で算出される。図示してはないが、制御システムに連結され前記制御システムによって液晶滴下パターン及び液晶の滴下が行われる。
前記制御システムでは入力された情報に基づいて基板又はパネルに滴下される液晶の総滴下量、滴下回数、1回の滴下量及び滴下パターンを算出して前記液晶滴下装置及び基板を駆動させる駆動手段(図示せず)を制御して液晶を所望の位置(即ち、滴下パターンによって設定された位置)に滴下する。
図33は液晶滴下方法を示す流れ図である。図示するように、作業者がキーボードやマウス、タッチパネルを操作して入力部171を通して液晶パネルの情報及び液晶の特性情報が入力され、以前工程で測定されたスペーサの高さ(即ち、セルギャップ)が入力されると(S21)、滴下量算出部173では基板(又はパネル)に滴下される液晶の総滴下量を算出する(S22)。続いて1回の滴下量算出部186及び滴下回数算出部187で1回の滴下量及び滴下回数を算出した後これに基づき滴下位置算出部188で液晶の滴下位置を算出して液晶の滴下パターンを算出する(S23、S24)。
通常、液晶滴下量の補正は前記電力供給部160と流量制御バルブ161を制御して1回の滴下量を補正することにより行われる。しかしながら、1回の液晶滴下量は非常細な量であるので前記1回の滴下量を微細に調整することは極めて困難である。勿論、的確に液晶滴下量を補正するためには前述のように1回の滴下量と液晶滴下回数を全て補正すべきであるが、これは極めて困難である。従って、更に簡単な滴下量の補正のために液晶滴下回数のみを補正することで液晶の滴下量を補正する。液晶滴下回数を補正することは設定された滴下パターンに基づいて新しい滴下位置を算出して滴下パターンを補正することを意味する。
図39は本発明による液晶表示素子用真空貼り合わせ装置の構成を概略的に示したものであり、図40は本発明による工程補助手段の斜視図であり、図41は本発明による工程補助手段の装着状態を示す平面図である。
この時、前記真空チャンバ210は、その表面の一端に真空装置(高真空)200から伝えられた空気吸入力を伝達してその内部空間に存在する空気を排出する第1排出管212が連結されると共に、その表面の下端に低真空装置242から伝達された空気吸入力を伝達してその内部空間に存在する空気を排出する第2排出管241が連結される。
また、前記第1、第2排出管212、241及びベント管213にはその管路の選択的な開閉のために電子的に制御される開閉バルブ212a、241a、213aが各々備えられる。
この時、前記搬送装置300は多数のフィンガ部311を有する第1アーム310を制御して真空チャンバ201内部の基板搬入/搬出を行う。
これと共に、真空チャンバ内の各エッジ部位には、真空チャンバ210の内部に真空状態を作る課程で前記第2基板20を一時的に支える役割を果たしている第2基板支持手段400が備えられる。
また、前記下部ステージ222の上面も前記上部ステージ221の底面と同様に少なくとも一つの静電チャック222aを装着すると共に真空ホール222b(図42参照)を形成して構成し、これに加えて下部ステージ222に装着するために搬入される基板(第1基板)10の装着を行う第1基板支持手段420が上下方向に運動可能に設置されている。
しかしながら、前記第1基板支持手段420は基板の搬入のための多様な構成に形成されていることを考慮すれば、いずれか一つの形状だけには限定されない。
即ち、前記上部ステージ221を左右回転を可能とするように構成することもでき、前記下部ステージ222を上下移動させるように構成することもできる。
また、本発明の貼り合わせ装置を構成する真空装置200は前記真空チャンバ210の内部が選択的に真空状態を形成することができるように吸入力を伝達する役割を担い、通常の空気吸入力を発生させるために駆動する吸入ポンプの形態で構成される。
また、本発明の貼り合わせ装置を構成する工程補助手段600は、図40に示すように真空チャンバ210内部の真空状態を解除する過程で貼り合わせ基板を固定する役割或いは真空チャンバ210内部が真空状態を形成している場合に上部ステージ221に固定される第2基板20を前記上部ステージ221に押し出す役割を担う。
この時、前記回転軸610は、前記真空チャンバ210内で上下運動及び回転可能な位置に配置され、駆動部630の駆動によって選択的な回転を行いながら支持部620を下部ステージ222の上側周囲部に位置させる役割を担う。
また、前記支持部620は、前記回転軸610の一端に一体化され第2基板20及び搬送装置300の所定部位と接触しながら前記第2基板20を支持し、貼り合わせ基板を固定する役割又は搬送装置300の先端を支える役割を担う。
加えて、前記支持部620の形状は、長さと幅が同じ正六面体から構成できるのみならず、円柱又は多面体の形状にも構成できるが、望ましくは長さが幅に比べて長く形成される平行六面体の形状を形成するようにすることが各基板10、20の固定時広い面積を支持することができて更に有利である。
この時、前記昇降シリンダー632によって昇降する回転軸610の昇降範囲は、本発明による工程補助手段の動作範囲になり得る。
即ち、真空チャンバ210内部の真空状態を解除する過程で貼り合わせ基板を固定するための動作の範囲と、真空チャンバ210の内部が真空状態になった場合上部ステージ221に固定される第2基板20を前記上部ステージ221に押し出すための動作の範囲と、搬送装置300による各基板10、20の搬入がなされる場合、当該基板を搬入する前記搬送装置300の各フィンガ部311の先端を支えるための動作の範囲などが回転軸610の昇降範囲として設定される。
図42は本発明による第1基板支持手段420が収容された下部ステージの状態を概略的に示す平面図であり、図43aは図39の”B”部分拡大断面図であり、図43bは第1基板の搬入/搬出方向に対して垂直な方向に設けられる第1支持台の構成を前記第1基板の搬入/搬出方向から見た状態図であり、図44は図42による第1基板支持手段420の動作状態を概略的に示す斜視図である。
また、前記第1基板支持手段420は前記第1収容部222dの内部に選択的に収容され、前記第1基板10を選択的に支える第1支持部420aと下部ステージ222の下側から前記第1収容部222dを貫通して第1支持部420aの一端に一体化された状態として前記第1支持部420aを選択的に上下移動させる第1昇降軸420cと、前記第1昇降軸420cに連結され前記第1昇降軸420cが選択的に昇降されるように駆動する第1駆動部421が含まれて構成される。
例えば、図42に示すように前記第1アーム310が所定の間隔を有しながら三つのフィンガ311を有するように形成される場合、該各々のフィンガ311の間の間隔(S)内に各々の第1支持部420aが位置されるようにすることで前記第1アーム310の移動に干渉を与えないようにする。
本発明では前記第1支持部420a、420bと軸結合する第1昇降軸420c及び該第1昇降軸420cを昇降駆動させる第1駆動部421を各第1支持部420a、420bごとに少なくとも二つ以上互いに対向する位置で各々装着してもよい(図44参照)。
また、前記構成で第1支持部420a、420bは少なくとも第1基板10と接触する面を含む各面をコーティング材料によってコーティングして、前記第1支持部420a、420bが第1基板10と接触する際に、前記第1支持部420a、420bと基板間の接触による傷等の各種損傷を予め防止できるようにする。
特に本発明では前記のようなコーティング材料としてテフロン(登録商標)やピーク、又は電流が流れる材料を使用することにより、基板との接触時の基板の傷や衝撃の防止及び静電気の発生を予め防止できる。
また、前記第1基板支持手段420を構成する第1駆動部421は、通常、空気圧や油圧などを用いて昇降軸を上下運動させるためのシリンダーやスッテプモータのうち、少なくともいずれか一つによって構成され、真空チャンバ210内の下側空間上に固定するか、前記真空チャンバ210の底面を貫通して真空チャンバ210の外側に固定して各駆動装備との干渉を防止し及び設置を容易にする。
この時前記第2収容部222eは、前記下部ステージ222の両端の周囲のうちその上に載せられる第1基板10のダミー領域が形成された部分に沿って所定の長さを有するように形成し、第2支持部710は前記第2収容部222eの形状に対応した長さを有すると共に第1基板10の周囲を支えるように形成する。
この時のコーティング材料は、前記第1支持部420a、420bにコーティングしたコーティング材料と同様にテフロン(登録商標)やピーク、又は導電性の材料で形成することで基板との接触時の静電気発生を防止する。
また、第2昇降軸720及び第2駆動部730は、前述した第1昇降軸420c及び第1駆動部421と同一構成に形成するが、同一に形成する場合のみに限定されない。その詳細な説明は省略する。
この時、前記各第2支持部710の一端は、互いに一体に形成し、該一体に形成された第2支持部710の一端に第2昇降軸720及び第2駆動部730を少なくとも一つ以上設置することで前記第2支持部710の円滑な動作を可能とする。
前記クランピング手段700は、前記第1基板支持手段420と連動しながら動作する。
図46は本発明による第2基板支持手段400が適用された真空貼り合わせ装置を概略的に示したものである。
本発明の貼り合わせ装置を構成する第2基板支持手段400は、上部ステージ221から分離される第2基板20の底面に形成されたセル領域と、セル領域間のダミー領域が位置する部位と接触するように構成され、全角に回転可能に装着された回転軸415と、支持台412と、駆動部411とから構成され、真空チャンバ210の内側の底面中の下部ステージ222の側面が位置する部位と隣接する部位に装着される(図39参照)。
この時、前記第2基板支持手段400は、概ね二つ以上、10個以下の要素によって構成する。
もし、支持台412の上面に形成される支持突起413が二つ以上の場合、前記各々の支持突起間の間隔は基板の垂れ下がりを最大限に防止できる間隔を有するようにする。
また、前記第2基板支持手段400の形成位置は、下部ステージ222の一方の側面(即ち、長辺又は単辺)のいずれか一辺から一定間隔を置いて構成することもでき、また、一方の側面の中間部位又は端部から所定の間隔を置いて構成できる。
加えて、下部ステージ222の単辺側よりは長辺側に第2基板支持手段400を装着するのが望ましいが、その理由は真空貼り合わせ装置の断面が長方形の形状を有しているので、その単辺側には余剰空間が少なく、その長辺側には余剰空間が多くて前記余剰空間を有する長辺側に設置することがより望ましい。
しかしながら、前記構成に限定されるものではなく、前述のように第2基板支持手段400を、下部ステージ222の各辺の各々の中央部分又は端部から一定間隔を置き各々設置することでその干渉をさけるように構成することもできる。
また、前記第2基板支持手段400を構成する駆動部411は、空気圧や油圧を用いて回転軸を回転或いは上下移動させるシリンダー及び回転力を用いて回転軸を回転或いは上下移動させる回転モータ中少なくともいずれか一つで構成する。
これは前記駆動部411が真空チャンバ210の内部に設置される場合に発生する各構成部分の動作時の干渉(特に搬入部300の各アーム310、320による各基板の搬入/搬出時の干渉)と、真空チャンバ210内部のサイズを大きく形成しなければならないという不具合を防止するためである。
この時前記駆動部411の駆動力を伝達する回転軸415は、真空チャンバ210の底面を貫通して設置し、前記貫通部位には空気の流出入を防止するようにシーリングを行う。
この時、図示するように、前記第2回転軸416a、416bは第1回転軸417a、417bに比べて下部ステージ222の単辺側により近接する部位に位置するようにして相互にずらした位置に配置した状態で動作できるようにする。
特に前記第2基板支持手段401と前記第2基板支持手段402の駆動時期を互いに異なるように設定することで相互間の動作の干渉がないようにする。
図47は、本発明による液晶表示装置の貼り合わせ工程のフローチャートであり、図48a乃至図48eは本発明による液晶滴下方式の液晶表示装置の工程を概略的に示す断面図である。
本発明による貼り合わせ工程は、真空チャンバに両基板を搬入する工程、前記真空チャンバを真空にする工程、前記両基板を整列する工程、前記両基板を貼り合わせする工程、前記真空チャンバを動作させて貼り合わせされた両基板を加圧する工程、また、前記貼り合わせされた両基板を真空チャンバから搬出する工程とからなる。
第一に、前記上部ステージ221を降下させ、又は前記第2基板支持手段400を上昇させ前記第2基板20下側に前記第2基板支持手段400を近接させた後前記上部ステージ221が前記第2基板20を吸着していた真空力又は静電力を0にする。
前記真空チャンバ210を真空にする(S54)。ここで真空チャンバ210の真空度は液晶モードによって差があるがIPSモードは1.0×10−3Paないし1Pa程度にし、TNモードは約1.1×10−3Paないし102Paにする。
前記真空チャンバ210が一定の真空状態に至ると、前記上下部各ステージ221、222は静電気吸着法にて前記第1、第2ガラス基板を固定し(S55)、前記第2基板支持手段400を元の位置に戻す(S56)。
整列する方法は前記第1、第2基板10、20に示されている二種の整列マークを次第に整列して両基板を整列させる。
この時貼り合わせする方法は上部ステージ221又は下部ステージ222を垂直方向に移動させ両基板を加圧し、この時のステージの移動速度及び圧力を調節して加圧する。即ち、第1基板10の液晶26と第2基板20が接触する時点又は第1基板10と第2基板20のシール剤30が接触する時点までは一定速度又は一定圧力でステージを移動させ、接触する時点からは所望の最終圧力まで次第に段階的に圧力を上昇させる。
即ち、前記移動ステージの側にロードセルが設置されて接触時点を認識し、接触する時点には0.1トン、中間段階では0.3トン、終わりでは0.4トンまた、最終段階では0.5トンの圧力で前記両基板10、20を貼り合わせする。
また、次の工程で貼り合わせされた両基板10、20の歪みを防止するためにダミーシール剤などの一部分を硬化して固定する(S59)。
また、前記真空チャンバ210を大気圧状態にして前記貼り合わせされた基板を均一に加圧するために図48eに示すように前記真空チャンバ210に窒素などのガス又は乾燥空気を供給して真空チャンバ210に充填させる(S60)。
真空チャンバ210をベントさせながら基板の各部分に均一に圧力を加えるためには真空チャンバ210にベントされるガスがどの方向からベントされるかというベント方向がなによりも重要である。
第一に、真空チャンバの上部に多数個の管を形成して真空チャンバの内部へガスを注入したり、第二に、真空チャンバの下部に多数個の管を形成して真空チャンバの内部へガスを注入したり、第三に、真空チャンバの側面に多数個の管を形成して真空チャンバの内部へガスを注入したり、第四に、前記の方法を並用することができる。真空チャンバの上部からガスを注入するのが望ましいが、基板の大きさ、ステージの状態などを考慮して前記ベント方向を決めることができる。
前記真空チャンバのベント (給気)時、基板が振動することを防止するために基板の移動を防止できる固定手段や方法を用いることもできる。
図49a乃至図49bは本発明の実施例による液晶表示素子の製造工程のうち、UV硬化工程のみを示した斜視図である。
この時、前記マスク80を貼り合わせされた上側または下側に位置させてUVを照射することができ、図面には図示されていないが、前記マスク80を貼り合わせた基板の上側及び下側に位置させてUVを照射することもできる。
このように、UV及び熱硬化が完了した基板を単位パネル別にセル切断工程(S16)を行う。
本発明の一実施例による液晶パネルの切断装置は図50に示したように、単位液晶パネルなどが複数個配列されて貼り合わせ及び硬化された第1、第2基板10、20を搬入した後、整列させる搬入部800と、前記第1、第2基板10、20の表面に第1上部ホイールと第1下部ホイールとを通して切断予定線を形成し、その切断予定線の少なくとも一つの部分に第1ロールを通して圧力を印加し、第1、第2基板10、20を逐次的に切削する第1スクライビング部810と、前記切削された第1、第2基板10、20を90゜回転させる第1回転部820と、前記回転された第1、第2基板10、20の表面に第2上部ホイールと第2下部ホイールとを通して2次切断予定線を形成し、その2次切断予定線の少なくとも一つの部分に第2ロールを通して圧力を印加し、第1、第2基板10、20を順次的に切削する第2スクライビング部830と、前記第1、第2スクライビング部810、830によって切削された単位液晶パネルを搬出して後続工程が進行される装備に移送する搬出部840とから構成される。
また、図51eに示したように、前記第2スクライビング部830では回転された第1、第2基板10、20を一定に離隔された第3、第4テーブル811、812間に置かれるように予め設定された距離だけ移動させながら、第3、第4テーブル811、812間の離隔された空間で第2上部ホイール813と第2下部ホイール814とを通して第1、第2基板10、20の表面に切断予定線815、816を逐次的に形成する。
また、図53eに示したように、前記第2スクライビング部930では回転された第1、第2基板10、20を一定に離隔された第3、第4テーブル931、932間に掛けられるように搬入し、吸着ホール933を通して吸着した後、第3、第4テーブル931、932間の離隔された空間で第2上部ホイール934と第2下部ホイール935とを通して第1、第2基板10、20の表面に切断予定線936、937を逐次的に形成する。
また、図56eに示したように、前記第1、第2テーブル604、650間の離隔された空間で第1上部ホイール606と第1下部ホイール607とを通して第1、第2基板10、20の表面に第2切断予定線611を形成する。
前記のような工程によって液晶滴下方式で液晶パネルを製造する液晶表示装置の製造システムを説明すれば、次の通りである。
20:第2基板
21:ブラックマトリックス層
22:カラーフィルタ層
23:共通電極
25:オーバーコート層
26:液晶
27:柱状スペーサ
28、28a、28b:ダミー柱状スペーサ
29:開口部
30:シール剤
31:ディスペンシング装置
120:ディスペンシング装置
121:支持部
122:ケース
123:開口
124:液晶容器
125、153:ボルト
128、133:スプリング
130:ソレノイドコイル
132:磁性棒
134:隙間調整部
135、136、137:ニードル
138:突起
139:固定手段
141、142:結合部
143:ニードルシート
144:排出孔
145:ノズル
146:排出口
147:支持部
148:保護壁
149:フッ素樹脂膜
150:収納筒
152:張力調整部
154:固定板
160:電源供給部
162:ガス供給管
170:メイン制御部
171:入力部
173:液晶滴下量の算出部
175:滴下パターンの算出部
176:基板駆動部
177:電源制御部
178:流量制御部
179:出力部
180:スペーサ高さの入力部
182:液晶特性情報の入力部
184:基板情報の入力部
186:1回滴下量の算出部
187:滴下回数の算出部
188:滴下位置の算出部
189:滴下パターンの決定部
190:補正制御部
191:滴下量の測定部
192:補正量の算出部
193:滴下パターンの補正部
195:滴下量の設定部
196:比較部
197:誤差滴下量の算出部
200:真空装置
210:真空チャンバ
221:上部ステージ
222:下部ステージ
233:真空ポンプ
300:搬送装置
400:第2基板受取手段
420:第1基板受取手段
600:工程補正手段
700:クランピング手段
Claims (7)
- 第1基板上にディスペンサーを用いて液晶を滴下する工程と、
第2基板上に主UV硬化型シール剤を形成する工程と、
前記第1及び第2基板を真空貼り合わせする工程と、
前記主UV硬化型シール剤をUV硬化する工程と、
前記貼り合わせされた基板をセル単位に切断する工程と、
前記切断された基板を研磨する工程及び、
前記研磨された基板を最終検査する工程とを含む、
前記第1及び第2基板を真空 貼り合わせする工程は、
前記第2基板を貼り合わせ機チャンバの上部ステージに搬入し、前記第1基板を下部ステージに搬入する工程と、
基板支え手段を前記第2基板下側に位置させる工程と、
前記貼り合わせ機チャンバを真空にする工程と、
前記基板支え手段を元の位置に戻す工程と、
前記上下部ステージが静電吸着法で前記第1及び第2基板を吸着する工程と、
前記第1、第2基板を整列させる工程と、
前記第1、第2基板を貼り合わせする工程と、
前記真空チャンバを給気することにより前記貼り合わせされた基板を均一に加圧する工程及び、
前記加圧された基板を搬出する工程とを備えてなり、
前記基板を均一に加圧する工程が、真空チャンバの上部、下部又は側面に又はそれらの併用において、形成された多数の管を介して真空チャンバを給気する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記主UV硬化型シール剤と連結して補助UV硬化型シール剤を形成することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記主UV硬化型シール剤の外郭領域に第1ダミーUV硬化型シール剤を追加に形成することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1基板と第2基板との間のダミー領域に液晶流れ調節用第1ダミー柱状スペーサを追加に形成することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2基板上に前記主UV硬化型シール剤を形成する工程の後に、前記第2基板を洗浄する工程を追加に含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記シール剤をUV硬化する工程は前記主UV硬化型シール剤内部のアクティブ領域をマスクで覆って、UVを照射して行うことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記貼り合わせされた基板をセル単位に切断する工程は、
前記第1、第2基板の表面に第1、第2ホイールを用いて1次切断予定線を形成し、その1次切断予定線の少なくとも一部分に第1ロールを通して圧力を印加して第1、第2基板を順次的に切削する第1スクライビング部と
前記切削された第1、第2基板を回転させる第1回転部及び、
前記回転された第1、第2基板に表面に第3、第4ホイールを用いて2次切断予定線を形成し、その2次切断予定線の少なくとも一部分に第2ロールを通して圧力を印加して第1、第2基板を順次的に切削する第2スクライビング部とを備えた切断装置を用いて行うことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
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