JP5289845B2 - フラッシュメモリ装置及びそれのプログラム復旧方法 - Google Patents
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Description
選択ワードラインがWL0だと仮定すれば、メモリセルMC0が先にプログラムされ、その後メモリセルMC0′がプログラムされる。メモリセルMC0′がプログラムされる間に、メモリセルMC0はプログラム禁止される。プログラム禁止セルMC0のワードラインWL0にはプログラム電圧Vpgmが印加され、チャンネルはブースト電圧Vboostになる。これは、図2を参照して詳しく説明される。
図5は、本発明によるフラッシュメモリを示すブロック図である。図5に示すように、本発明によるフラッシュメモリ100は、メモリセルアレイ110、デコーダ120、ページバッファ130、データ入出力回路140、及び高電圧発生及び制御回路150を含む。図5は、NAND型のフラッシュメモリを示している。
また、それぞれのメモリブロックは複数のセルストリング(cell string)で構成される。それぞれのセルストリングには、接地選択トランジスタGST、メモリセルMC0〜MC31及びストリング選択トランジスタSSTが直列連結されている。接地選択トランジスタGSTは共通ソースラインCSLに連結され、ストリング選択トランジスタSSTはビットラインBLに連結される。
図7は、プログラム復旧動作時のメモリセルMC0のバイアス条件を示す概念図である。図7を参照すれば、プログラム復旧動作の間(図6のt4〜t5)に、プログラム禁止セルMC0のゲートはパス電圧Vpassになり、チャンネルはブースト電圧Vboostになる。従って、プログラム禁止セルMC0のゲートオキサイドに存在する電子がチャンネルに移動する現象が発生しない。図8は、プログラム禁止セルMC0で、アンダーテール現象が発生しないことを示すダイヤグラムである。
110 メモリセルアレイ
120 デコーダ
130 ページバッファ
140 データ入出力回路
150 高電圧発生及び制御回路
Claims (12)
- フラッシュメモリのプログラム方法であって、
選択ワードラインに第1電圧を印加し、非選択ワードラインに前記第1電圧より低い第2電圧を印加して、前記選択ワードラインに連結されたメモリセルをプログラムするステップと、
前記選択ワードラインに連結されたメモリセルをプログラムした後、前記選択ワードラインを前記第1電圧より低い第3電圧に低下させた状態で、前記選択ワードライン及び前記非選択ワードラインを前記第2及び第3電圧より低い第4電圧に同時に復旧(recovery)するステップと、を含むことを特徴とするプログラム方法。 - 前記第2電圧と前記第3電圧とは等しい電圧レベルを有することを特徴とする請求項1に記載のプログラム方法。
- 前記第4電圧は接地電圧であることを特徴とする請求項1に記載のプログラム方法。
- 前記フラッシュメモリはNAND型フラッシュメモリであることを特徴とする請求項1に記載のプログラム方法。
- NANDフラッシュメモリのプログラム方法であって、
選択ワードラインにプログラム電圧を印加し、非選択ワードラインにパス電圧を印加するステップと、
前記選択ワードラインを前記パス電圧に低下させた後、前記選択ワードライン及び前記非選択ワードラインを接地電圧に同時に復旧するステップと、を含むことを特徴とするプログラム方法。 - 複数のセルストリングで構成され、各々のセルストリングは直列連結された複数のメモリセルで構成されたメモリセルアレイと、
ワードラインを介して前記複数のメモリセルと連結され、プログラム動作時に選択ワードラインに第1電圧を印加し、非選択ワードラインに前記第1電圧より低い第2電圧を印加するためのデコーダと、
前記第1及び第2電圧を提供するための高電圧発生及び制御回路と、を含み、
前記高電圧発生及び制御回路は、プログラム復旧動作時に、前記選択ワードラインを前記第1電圧より低い第3電圧に低下させた後、前記選択ワードライン及び前記非選択ワードラインを前記第2及び第3電圧より低い第4電圧に同時に復旧することを特徴とするフラッシュメモリ装置。 - 前記第2電圧と前記第3電圧とは等しい電圧レベルを有することを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリ装置。
- 前記第4電圧は接地電圧であることを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリ装置。
- ビットラインを介して前記セルストリングと連結され、プログラム動作時にプログラムデータによって前記ビットラインに電源電圧または接地電圧を提供するためのページバッファをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリ装置。
- 前記ページバッファは複数のページバッファユニットで構成され、各々のページバッファユニットには二つのセルストリングが連結されることを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリ装置。
- 前記フラッシュメモリはNAND型フラッシュメモリであることを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリ装置。
- フラッシュメモリシステムであって、
フラッシュメモリ装置と、
前記フラッシュメモリ装置を制御するためのメモリコントローラと、を含み、
前記フラッシュメモリ装置は、
複数のセルストリングで構成され、各々のセルストリングは直列連結された複数のメモリセルで構成されたメモリセルアレイと、
ワードラインを介して前記複数のメモリセルと連結され、プログラム動作時に選択ワードラインに第1電圧を印加し、非選択ワードラインに前記第1電圧より低い第2電圧を印加するためのデコーダと、
前記第1及び第2電圧を提供するための高電圧発生及び制御回路と、を含み、
前記高電圧発生及び制御回路は、プログラム復旧動作時に、前記選択ワードラインを前記第1電圧より低い第3電圧に低下させた後、前記選択ワードライン及び前記非選択ワードラインを前記第2及び第3電圧より低い第4電圧に同時に復旧することを特徴とするフラッシュメモリシステム。
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