JP5249760B2 - アダマンタン構造含有重合性化合物、その製造方法及び樹脂組成物 - Google Patents

アダマンタン構造含有重合性化合物、その製造方法及び樹脂組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP5249760B2
JP5249760B2 JP2008527690A JP2008527690A JP5249760B2 JP 5249760 B2 JP5249760 B2 JP 5249760B2 JP 2008527690 A JP2008527690 A JP 2008527690A JP 2008527690 A JP2008527690 A JP 2008527690A JP 5249760 B2 JP5249760 B2 JP 5249760B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
general formula
group
same
adamantane
fluorine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008527690A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2008015876A1 (ja
Inventor
直良 畠山
英俊 大野
克樹 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority to JP2008527690A priority Critical patent/JP5249760B2/ja
Publication of JPWO2008015876A1 publication Critical patent/JPWO2008015876A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5249760B2 publication Critical patent/JP5249760B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C67/00Preparation of carboxylic acid esters
    • C07C67/10Preparation of carboxylic acid esters by reacting carboxylic acids or symmetrical anhydrides with ester groups or with a carbon-halogen bond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/62Halogen-containing esters
    • C07C69/65Halogen-containing esters of unsaturated acids
    • C07C69/653Acrylic acid esters; Methacrylic acid esters; Haloacrylic acid esters; Halomethacrylic acid esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C67/00Preparation of carboxylic acid esters
    • C07C67/28Preparation of carboxylic acid esters by modifying the hydroxylic moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group
    • C07C67/29Preparation of carboxylic acid esters by modifying the hydroxylic moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group by introduction of oxygen-containing functional groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/66Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety
    • C07C69/67Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety of saturated acids
    • C07C69/708Ethers
    • C07C69/712Ethers the hydroxy group of the ester being etherified with a hydroxy compound having the hydroxy group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F16/00Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical
    • C08F16/12Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical by an ether radical
    • C08F16/14Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F16/24Monomers containing halogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/10Esters
    • C08F20/22Esters containing halogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/22Esters containing halogen
    • C08F220/24Esters containing halogen containing perhaloalkyl radicals
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2601/00Systems containing only non-condensed rings
    • C07C2601/12Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
    • C07C2601/14The ring being saturated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/56Ring systems containing bridged rings
    • C07C2603/58Ring systems containing bridged rings containing three rings
    • C07C2603/70Ring systems containing bridged rings containing three rings containing only six-membered rings
    • C07C2603/74Adamantanes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers

Description

本発明は、フォトレジストリソグラフィ及びナノインプリントリソグラフィ用材料に用いられるアダマンタン構造含有重合性化合物、その製造方法及び樹脂組成物に関し、さらに詳しくは、特にフォトレジストリソグラフィ及びナノインプリントリソグラフィ分野における感光性樹脂などの機能性樹脂のモノマー,それを用いたポリマーの原料として有用な、フッ素含有置換基、アダマンタン構造および重合性基を有するモノマー、その製造方法、並びに該モノマーを用いたポリマー,フォトレジスト組成物,熱硬化性樹脂組成物,光硬化性樹脂組成物に関する。
アダマンタンは、シクロヘキサン環が4個、カゴ形に縮合した構造を有し、対称性が高く、安定な化合物であり、その誘導体は、特異な機能を示すことから、医薬品原料や高機能性工業材料の原料などとして有用であることが知られている。例えば光学特性や耐熱性などを有することから、光ディスク基板、光ファイバーあるいはレンズなどに用いることが試みられている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
また、アダマンタンエステル類を、その酸感応性、ドライエッチング耐性、紫外線透過性などを利用して、フォトレジスト用樹脂原料として、使用することが試みられている(例えば、特許文献3参照)。
一方、近年、フォトレジストリソグラフィ工程におけるさらなる微細化の要求に伴い、それを達成するための技術として液浸露光技術が提案されている(例えば、非特許文献1参照)。この液浸露光法は、レンズとレジスト膜の界面に液浸媒体(水等の溶媒)を介在させることにより、高解像度を達成する技術である。また、さらなる微細化の要求に伴い、それを達成するための技術として、ナノインプリントリソグラフィ技術が提案されている(例えば、特許文献4参照)。このナノインプリントリソグラフィは重合性化合物を含む組成物にパターンを刻んだ型(モールド)を押し当てた状態で熱硬化またはUV硬化させることでパターンを刻む技術である。
このような液浸露光法において、レジスト膜内に液浸媒体が浸透することにより、現像欠陥が生じる問題が明らかになっており、フッ素を含有した化合物を使用することにより浸透を抑制する手法は提案されているが(例えば、特許文献5参照)、依然として浸透を抑制が十分ではなく、また、その後の製造工程におけるドライエッチングに対する耐性も十分ではない。また、ナノインプリント法においては、モールドに硬化物が付着することにより、現像欠陥が生じる問題がある。フッ素を含有した化合物を使用することにより現像欠陥を抑制する手法は提案されているが(例えば、特許文献6参照)、これも依然として現像欠陥を抑制が十分ではなく、また、その後の製造工程におけるドライエッチングに対する耐性も十分ではない。
特開平6−305044号公報 特開平9−302077号公報 特開平4−39665号公報 特開2003−100609号公報 特開2005−284238号公報 特開2002−184719号公報 Proceeding of SPIE (発行国:アメリカ)2002年、第4691巻、459〜465頁
本発明は、このような状況下で、液浸露光法における液浸媒体の浸透とドライエッチング耐性不足の課題及びナノインプリント法におけるモールドへの付着とドライエッチング耐性不足の課題を解決するために、フォトレジストリソグラフィ分野における感光性樹脂などの機能性樹脂のモノマーとして有用な、新規なアダマンタン構造含有重合性化合物、その製造方法及び樹脂組成物を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、特定の構造を有するフッ素含有置換基,アダマンタン構造及び重合性基を有する、特定の構造の重合性化合物が新規な化合物であって、その目的に適合し得ること、そしてこれらの化合物は、対応するアダマンタン構造及び重合性基を有する重合性化合物とフッ素含有置換基を有する化合物、或いはアダマンタン構造及びフッ素含有置換基を有する化合物と重合性基を有する重合性化合物、を反応させることにより、効率よく製造し得ることを見出した。本発明は、かかる知見に基いて完成したものである。
すなわち本発明は、以下のアダマンタン構造含有重合性化合物、樹脂組成物及びその製造方法を提供するものである。
1.一般式(1)で表される構造を有することを特徴とするアダマンタン構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔式中、Aは式(2)又は式(3)で表される重合性基を含む基であり、複数のAは同じでも良く、異なっていても良い。Kは式(4)〜式(8)のいずれかで表される連結基であり、複数のKは同じでも良く、異なっていても良い。Zは下記のフッ素含有置換基であり、複数のZは同じでも良く、異なっていても良い。Yはアダマンタン上の置換基であり、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、メチルシアノ基、又は2つのYが一緒になって形成された=O又は=Sを示す。また、複数のYは同じでもよく、異なっていてもよい。αは1以上の整数、β及びγは、それぞれ0以上の整数 であり、但し、一般式(1)中に1つ以上のA及びZを含む。δは1〜16の整数、nは0〜15の整数で、δ+n=16である。
A(重合性基):
Figure 0005249760
0は水素,フッ素,メチル,エチル又はトリフルオロメチル基を表す。
K(連結基):
Figure 0005249760
1,R2,R3,R4及びR5は、それぞれ独立に水素原子,ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基又はハロゲン原子を示し、k及びlは、それぞれ0〜10の整数を示し、X1及びX2は、それぞれ独立に酸素原子,硫黄原子又はNR'基を表す。R'は水素原子又はヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基であり、*は重合性基側又は末端基側、**はアダマンタン環側、oは0又は1を示す。
Z(フッ素含有置換基):
炭素数1〜30のアルキル基または5〜30のシクロアルキル基を示し、その構造の一部に必ずフッ素原子を有しており、また、その構造の一部にヘテロ原子,ヒドロキシル基,メルカプト基,エーテル基,チオエーテル基,シアノ基,ケトン基,チオケトン基,ケタール基,チオケタール基,アセタール基,チオアセタール基,ラクトン基,チオラクトン基,カーボネート基,チオカーボネート基,アミン基,アミド基,アルキルスルホニル基,エステル基及びチオエステル基の中から選ばれる少なくとも1種を含んでいても良い。〕
2.一般式(9)で表される構造を有する上記1のアダマンタン構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔A (重合性基)、K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)およびY (アダマンタン上の置換基)は一般式(1)と同様であり、a、b、c、d及びfはそれぞれ1以上の整数、 m:0〜14の整数であり、c+d+m=16である。〕
3.一般式(10)で表される構造を有する上記2のアダマンタン構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔K (連結基)、Z (フッ素含有置換基) およびY (アダマンタン上の置換基) は一般式(1)と同様であり、R0は一般式(2)と同様であり、a、b、c、d、f及びmは一般式(9)と同様である。X3及びX4は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子又はNR'基を表す。R'は水素原子又はヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基である。〕
4.一般式(11)で表される構造を有する上記2のアダマンタン構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)、Y (アダマンタン上の置換基)、R0、X3、a、b、c、d、f及びmは一般式(10)と同様である。〕
5.一般式(12)で表される構造を有する上記3のアダマンタン構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)、Y (アダマンタン上の置換基)、R0、a、b、c、d、f及びmは一般式(10)と同様である。〕
6.一般式(13)で表される構造を有する上記4のアダマンタン構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)、Y (アダマンタン上の置換基)、R0、a、b、c、d、f及びmは一般式(10)と同様である。〕
7.一般式(14)で表される構造を有する上記2のアダマンタン構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)、Y (アダマンタン上の置換基)、R0、b、c、d、f及びmは一般式(10)と同様であり、R7及びR8はそれぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基又はハロゲン原子を表す。Lは独立に炭素,酸素,窒素又は硫黄原子を表す。複数のR7及び複数のR8は、それぞれにおいて同じでも良く、異なっていても良い。但し、Lが酸素,窒素,硫黄原子である場合にはR7及びR8のいずれかあるいは両方がない。eは0〜5の整数である。〕
8.一般式(15)で表される構造を有する上記2のアダマンタン構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)、Y (アダマンタン上の置換基) 、L,R0、R7、R8、b、c、d、e、f及びmは一般式(14)と同様である。R6は水素原子、ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基又はハロゲン原子を表す。〕
9.一般式(16)で表される構造を有する上記2のアダマンタン構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)、Y (アダマンタン上の置換基) 、L,R0、R6、R7、R8、b、c、d、e、f及びmは一般式(15)と同様である。〕
10.一般式(17)で表される構造を有する上記2のアダマンタン構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)、Y (アダマンタン上の置換基) 、L,R0、R7、R8、b、c、d、e、f及びmは一般式(15)と同様である。〕
11.一般式(18)で表される構造を有する上記2のアダマンタン構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)、Y (アダマンタン上の置換基) 、L,R0、R6、R7、R8、b、c、d、f及びmは一般式(15)と同様である。〕
12.一般式(19)で表される構造を有する上記2のアダマンタン構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)、Y (アダマンタン上の置換基) 、L,R0、R6、R7、R8、b、c、d、f及びmは一般式(15)と同様である。〕
13.一般式(20)において、R9〜R11の少なくとも一つが、一般式(21)、一般式(22)、一般式(23)、一般式(24)、一般式(25)および一般式(26)のいずれかで表される上記2のアダマンタン構造を有する構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔Y (アダマンタン上の置換基) 、R0、c、d及びmは一般式(10)と同様であり、L及びMは、それぞれ独立に炭素,酸素,窒素又は硫黄原子を表す。R7、R8、R9、R10及びR11は、それぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、又はR7、R8並びにR9〜R11のうち二つが一緒になって形成された=O、=Sを表す。複数のR7、複数のR8、複数のR9、複数のR10及びR11は、それぞれにおいて同じでも良く、異なっていても良い。但し、L、Mが酸素,窒素,硫黄原子である場合には、LにおいてR7及びR8のいずれかあるいは両方がなく、また、MにおいてもR9及びR10のいずれかあるいは両方がない。e及びf'はそれぞれ0〜5の整数である。〕
Figure 0005249760
[Z'(フッ素含有置換基)は、構造上の水素原子が全てフッ素化されている、炭素数1〜30のアルキル基または5〜30のシクロアルキル基を示し、その構造の一部にヘテロ原子,エーテル基,チオエーテル基,シアノ基,ケトン基,チオケトン基,ケタール基,チオケタール基,アセタール基,チオアセタール基,ラクトン基,チオラクトン基,カーボネート基,チオカーボネート基,エステル基及びチオエステル基の中から選ばれる少なくとも1種を含んでいても良い。gは0以上の整数である。]
Figure 0005249760
[Z '(フッ素含有置換基)およびgは一般式(21)と同様である。]
Figure 0005249760
[Z '(フッ素含有置換基)およびgは一般式(21)と同様である。]
Figure 0005249760
[Z"(フッ素含有置換基)は、構造上の水素原子が全てフッ素化されている、炭素数1〜30のアルキレン基または5〜30のシクロアルキレン基を示し、その構造の一部にヘテロ原子,エーテル基,チオエーテル基,シアノ基,ケトン基,チオケトン基,ケタール基,チオケタール基,アセタール基,チオアセタール基,ラクトン基,チオラクトン基,カーボネート基,チオカーボネート基,エステル基及びチオエステル基の中から選ばれる少なくとも1種を含んでいても良い。h及びgは0以上の整数である。]
Figure 0005249760
[Z"(フッ素含有置換基)、 gおよびhは、一般式(24)と同様である。]
Figure 0005249760
[Z"(フッ素含有置換基) gおよびhは、一般式(24)と同様である。]
14.一般式(27)において、R9〜R11の少なくとも一つが、一般式(28)、一般式(29)、一般式(30)、一般式(31)、一般式(32)および一般式(33)のいずれで表される上記2のアダマンタン構造を有する構造含有重合性化合物。
Figure 0005249760
〔Y (アダマンタン上の置換基)、 L、M、R0、R7、R8、R9、R10、R11、c、d、e及びf'は、一般式(20)と同様である。〕
Figure 0005249760
[Z '(フッ素含有置換基)およびgは一般式(21)と同様である。]
Figure 0005249760
[Z '(フッ素含有置換基)およびgは一般式(21)と同様である。]
Figure 0005249760
[Z '(フッ素含有置換基)およびgは一般式(21)と同様である。]
Figure 0005249760
[Z"(フッ素含有置換基)、 gおよびhは、一般式(24)と同様である。]
Figure 0005249760
[Z"(フッ素含有置換基)、hおよびgは、一般式(24)と同様である。]
Figure 0005249760
[Z"(フッ素含有置換基)、hおよびgは、一般式(24)と同様である。]
15.一般式(34)において、R9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物と、一般式(36)で表される化合物を反応させることを特徴とする、一般式(37)で表される構造を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の製造方法。
Figure 0005249760
〔A(重合性基)、K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)、Y (アダマンタン上の置換基)、a、c、dおよびmは一般式(9)と同様であり、e'は1以上の整数、iは0〜5の整数、jおよびkはそれぞれ0以上の整数である。R9、R10及びR12は、それぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、又はR9、R10、R11のうち二つが一緒になって形成された=O、=Sを表す。複数のR9、複数のR10及び複数のR12は、それぞれにおいて同じでも良く、異なっていても良い。Mは独立に炭素,酸素,窒素又は硫黄原子を表す。但し、Mが酸素,窒素,硫黄原子である場合にはR9及びR10のいずれかあるいは両方がない。X5及びX6は反応性基であって、X5が水素原子,ハロゲン原子,アルキルスルホニルオキシ基,ペルフルオロアルキルスルホニルオキシ基、又はアルキル置換フェニルスルホニルオキシ基から選ばれる場合、X6は水素原子,ヒドロキシル基,メルカプト基,NH2基あるいはそれらの塩から選ばれる基を示し、X5が水素原子,ヒドロキシル基,メルカプト基,NH2基あるいはそれらの塩から選ばれる場合、X6は水素原子,ハロゲン原子,アルキルスルホニルオキシ基,ペルフルオロアルキルスルホニルオキシ基,又はアルキル置換フェニルスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す。DはX5とX6の反応により生じた連結基を表す。〕
16.一般式(38)で表される化合物と、一般式(39)で表される化合物を反応させることを特徴とする、一般式(40)で表される構造を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の製造方法。
Figure 0005249760
〔A (重合性基)、K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)、Y (アダマンタン上の置換基)、X5、X6、D、c、d、e' 、i、j、kおよびmは一般式(34)〜(37)と同様であり、L、R7、R8は一般式(14)と同様である。〕
17.上記1〜14のいずれかのアダマンタン構造含有重合性化合物を構成成分することを特徴とする重合体。
18.上記1〜14のいずれかのアダマンタン構造含有重合性化合物を構成成分する重合体を含有することを特徴とするフォトレジスト組成物。
19.上記1〜14のいずれかのアダマンタン構造含有重合性化合物を構成成分することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
20.上記1〜14のいずれかのアダマンタン構造含有重合性化合物を構成成分することを特徴とする光硬化性樹脂組成物。
本発明のアダマンタン構造含有重合性化合物は、フッ素含有置換基,アダマンタン構造及び重合性基を有する重合性化合物であり、フッ素含有置換基を有する構造により、撥液浸媒体性(特に撥水性),離型性を高め、かつアダマンタンを有する構造により、ドライエッチング耐性を高めた新規モノマーであり、それを用いることにより,ポリマー及びそれらを含む組成物が提供される。
すなわち、フォトリソグラフィー分野において、本発明のアダマンタン構造重合性化合物およびその樹脂組成物を用いることにより、液浸露光法では、液浸媒体の浸透を抑制し、かつ、ドライエッチング耐性を向上させる効果があり、ナノインプリント法においては、モールドへの付着を低減させ、かつ、ドライエッチング耐性を向上させる効果があるので、これらの分野において好適に使用することができる。
一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(21)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例を示す構造式である。 一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(22)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(1)を示す構造式である。 一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(22)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(2)を示す構造式である。 一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(23)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(1)を示す構造式である。 一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(23)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(2)を示す構造式である。
一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(28)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例を示す構造式である。 一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(29)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(1)を示す構造式である。 一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(29)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(2)を示す構造式である。 一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(30)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(1)を示す構造式である。 一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(30)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(2)を示す構造式である。
一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(24)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例を示す構造式である。 一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(25)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(1)を示す構造式である。 一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(25)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(2)を示す構造式である。 一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(26)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(1)を示す構造式である。 一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(26)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(2)を示す構造式である。
一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(31)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例を示す構造式である。 一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(32)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(1)を示す構造式である。 一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(32)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(2)を示す構造式である。 一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(33)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(1)を示す構造式である。 一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(33)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の具体例(2)を示す構造式である。
一般式(34)において、R9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物の具体例(1.アクリレート)を示す構造式である。 一般式(34)において、R9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物の具体例(2.アクリレート)を示す構造式である。 一般式(34)において、R9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物の具体例(3.ビニルエーテル)を示す構造式である。 一般式(34)において、R9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物の具体例(4.ビニルエーテル前駆体)を示す構造式である。 一般式(36)で表される化合物の具体例を示す構造式である。
一般式(38)で表される化合物の具体例(1)を示す構造式である。 一般式(38)で表される化合物の具体例(2)を示す構造式である。 一般式(38)で表される化合物の具体例(3)を示す構造式である。 一般式(38)で表される化合物の具体例(4)を示す構造式である。 一般式(38)で表される化合物の具体例(5)を示す構造式である。
一般式(38)で表される化合物の具体例(6)を示す構造式である。 一般式(38)で表される化合物の具体例(7)を示す構造式である。 一般式(38)で表される化合物の具体例(8)を示す構造式である。 一般式(38)で表される化合物の具体例(9)を示す構造式である。 一般式(38)で表される化合物の具体例(10)を示す構造式である。
一般式(38)で表される化合物の具体例(11)を示す構造式である。 一般式(38)で表される化合物の具体例(12)を示す構造式である。 一般式(38)で表される化合物の具体例(13)を示す構造式である。 一般式(39)で表される化合物の具体例を示す構造式である。
上記のように、本発明のアダマンタン構造含有重合性化合物は、フッ素含有置換基,アダマンタン構造及び重合性基を有する重合性化合物であり、まず下記一般式(1)で表される構造のものが挙げられる。
Figure 0005249760
式中、Aは式(2)又は式(3)で表される重合性基を含む基であり、複数のAは同じでも良く、異なっていても良い。Kは式(4)〜式(8)のいずれかで表される連結基であり、複数のKは同じでも良く、異なっていても良い。Zは下記のフッ素含有置換基であり、複数のZは同じでも良く、異なっていても良い。Yはアダマンタン上の置換基であり、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、メチルシアノ基、又は2つのYが一緒になって形成された=O又は=Sを示す。また、複数のYは同じでもよく、異なっていてもよい。αは1以上の整数、β及びγは、それぞれ0以上の整数 であり、但し、一般式(1)中に1つ以上のA及びZを含む。δは1〜16の整数、nは0〜15の整数で、δ+n=16である。
A(重合性基):
Figure 0005249760
0は水素,フッ素,メチル,エチル又はトリフルオロメチル基を表す。
K(連結基):
Figure 0005249760
1,R2,R3,R4及びR5は、それぞれ独立に水素原子,ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基又はハロゲン原子を示し、k及びlは、それぞれ0〜10の整数を示し、X1及びX2は、それぞれ独立に酸素原子,硫黄原子又はNR'基を表す。R'は水素原子又はヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基であり、*は重合性基側又は末端基側、**はアダマンタン環側を示す。
Z(フッ素含有置換基):
炭素数1〜30のアルキル基または5〜30のシクロアルキル基を示し、その構造の一部に必ずフッ素原子を有しており、また、その構造の一部にヘテロ原子,ヒドロキシル基,メルカプト基,エーテル基,チオエーテル基,シアノ基,ケトン基,チオケトン基,ケタール基,チオケタール基,アセタール基,チオアセタール基,ラクトン基,チオラクトン基,カーボネート基,チオカーボネート基,アミン基,アミド基,アルキルスルホニル基,エステル基及びチオエステル基の中から選ばれる少なくとも1種を含んでいても良い。
このような一般式(1)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物は具体的に種々の構造をとることができる。例えば下記一般式(9)〜(13)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物を挙げることができる。下記一般式(9)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物においては、一般式(1)において、αが2以上の場合であり、一方のK(連結基)にはA(重合性基)、他方のK(連結基)にはZ(フッ素含有置換基)が連結されているものである。a、b、c、d及びfは、それぞれ1以上の整数、mは0〜14の整数、c+d+m=16である。
Figure 0005249760
また、下記一般式(10)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物においては、上記の一般式(9)と同様に、一般式(1)において、αが2以上の場合であり、一方のK(連結基)にはA(重合性基)、他方のK(連結基)にはZ(フッ素含有置換基)が連結されているが、Aが一般式(2)で表される重合性基を含む基である。このような重合性基を有するものはアクリル系と呼ばれている。X3及びX4は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子又はNR'基を表す。R'は水素原子又はヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基である。a,b,c,d、f及びmは一般式(9)と同様である。
Figure 0005249760
下記一般式(11)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物は、上記の一般式(10)において、一般式(2)で表される重合性基を含む基が異なるものであり、このようなものはビニルエーテル系と呼ばれている。
なお、下記一般式(12)および一般式(13)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物は、それぞれ一般式(10)におけるX3及びX4、一般式(11)におけるX3が酸素の場合である。
Figure 0005249760
Figure 0005249760
Figure 0005249760
また、本発明は、下記一般式(14)〜(20)および(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物を提供する。次にこれらのアダマンタン構造含有重合性化合物について説明する。
一般式(14)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物においては、K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)、Y (アダマンタン上の置換基) 、R0、b、c、d、f及びmは一般式(10)と同様である。R7及びR8はそれぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基又はハロゲン原子を表す。Lは独立に炭素,酸素,窒素又は硫黄原子を表す。複数のR7及び複数のR8は、それぞれにおいて同じでも良く、異なっていても良い。但し、Lが酸素,窒素,硫黄原子である場合にはR7及びR8のいずれかあるいは両方がない。eは0〜5の整数である。
下記一般式(14)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物は、上記の一般式(12)において、連結基の(K)aが、R7、R8(水素原子、ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基又はハロゲン原子)が結合したL(炭素,酸素,窒素又は硫黄原子)がe個あるものである。
また、下記一般式(15)〜(19)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物は、一般式(14)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、Lに結合する重合性基を変えた構造を有するものである。R6は水素原子,ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基又はハロゲン原子を表す。Lは独立に炭素,酸素,窒素又は硫黄原子を表す。
Figure 0005249760
Figure 0005249760
Figure 0005249760
Figure 0005249760
Figure 0005249760
Figure 0005249760
下記一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物は、上記の一般式(14)において、Kb(連結基)が、R9、R10及びR11(水素原子、ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基又はハロゲン原子)が結合したM(炭素,酸素,窒素又は硫黄原子)がf'個あるものである。複数のR9、複数のR10は、それぞれにおいて同じでも良く、異なっていても良い。但し、Mが酸素,窒素,硫黄原子である場合にはMにおいてR9及びR10のいずれかあるいは両方がない。eは0〜5の整数である。
Figure 0005249760
この一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物へのフッ素含有置換基の結合には、R9〜R11の少なくとも一つが下記一般式(21)〜(26)のいずれかであるものがある。なお、下記一般式でg及びhは0以上の整数である。
Figure 0005249760
Figure 0005249760
Figure 0005249760
Figure 0005249760
Figure 0005249760
Figure 0005249760
一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(21)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物としては図1に示す構造のものを挙げることができる。
一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(22)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物としては図2および図3に示す構造のものを挙げることができる。
一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(23)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物としては図4および図5に示す構造のものを挙げることができる。
一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(24)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物としては図11に示す構造のものを挙げることができる。
一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(25)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物としては図12及び図13に示す構造のものを挙げることができる。
一般式(20)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(26)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物としては図14及び図15に示す構造のものを挙げることができる。
下記一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物は、上記の一般式(17)において一般式(20)と同様の変換を行ったものである。
Figure 0005249760
この一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物へのフッ素含有置換基の結合は一般式(20)と同様に、R9〜R11の少なくとも一つが下記一般式(28)〜(33)のいずれかであるものがある。
Figure 0005249760
Figure 0005249760
Figure 0005249760
Figure 0005249760
Figure 0005249760
Figure 0005249760
一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(28)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物としては図6に示す構造のものを挙げることができる。
一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(29)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物としては図7および図8に示す構造のものを挙げることができる。
一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(30)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物としては図9および図10に示す構造のものを挙げることができる。
一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(31)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物としては図16に示す構造のものを挙げることができる。
一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(32)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物としては図17及び図18に示す構造のものを挙げることができる。
一般式(27)で表されるアダマンタン構造含有重合性化合物において、一般式(33)のフッ素含有置換基の結合を有するアダマンタン構造含有重合性化合物としては図19及び図20に示す構造のものを挙げることができる。
次に本発明のアダマンタン構造含有重合性化合物の製造方法について説明する。第一の製造方法は、一般式(34)において、R9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物と、一般式(36)で表される化合物を反応させる、一般式(37)で表される構造を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の製造方法である。
Figure 0005249760
上記のA (重合性基)、K (連結基)、Z (フッ素含有置換基)、Y (アダマンタン上の置換基)およびmは一般式(9)と同様である。
9、R10及びR12は、それぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基又はハロゲン原子を表す。複数のR9、複数のR10及びは複数のR12、それぞれにおいて同じでも良く、異なっていても良い。
Mは独立に炭素,酸素,窒素又は硫黄原子を表す。但し、Mが酸素,窒素,硫黄原子である場合にはR9及びR10のいずれかあるいは両方がない。
5及びX6は反応性基であって、X5が水素原子,ハロゲン原子,アルキルスルホニルオキシ基,ペルフルオロアルキルスルホニルオキシ基、又はアルキル置換フェニルスルホニルオキシ基から選ばれる場合、X6は水素原子,ヒドロキシル基,メルカプト基,NH2基あるいはそれらの塩から選ばれる基を示し、X5が水素原子,ヒドロキシル基,メルカプト基,NH2基あるいはそれらの塩から選ばれる場合、X6は水素原子,ハロゲン原子,アルキルスルホニルオキシ基,ペルフルオロアルキルスルホニルオキシ基,又はアルキル置換フェニルスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す。DはX5とX6の反応により生じた連結基を表す。a、c、d及びe'はそれぞれ1以上の整数、iは0〜5の整数、j及びkはそれぞれ0以上の整数、c+d+m=16である。
一般式(34)において、R9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物の具体例としては図21〜24に記載の構造のものが挙げられる。この中、図21〜22はアクリレート、図23はビニルエーテル、図24はビニルエーテル前駆体である。一般式(36)で表される化合物の具体例としては図25に記載の構造のものが挙げられる。
一般式(34)において、R9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物と一般式(36)で表される化合物の間には、種々の反応が可能である。ここでは(A)エーテル化及び(B)エステル化を例に説明する。
(A)エーテル化
上記反応式において、一般式(35)のX5としてハロゲン原子,アルキルスルホニルオキシ基,ペルフルオロアルキルスルホニルオキシ基,アルキル置換フェニルスルホニルオキシ基などから選ばれる場合には、一般式(36)のX6としては少なくとも1つのヒドロキシル基,メルカプト基,NH2基あるいはそれらの塩から選ばれる基を有している化合物から選ばれる。また、一般式(35)のX5としてヒドロキシル基,メルカプト基,NH2基あるいはそれらの塩から選ばれる基の場合には、一般式(36)のX6としては少なくとも1つのハロゲン原子,アルキルスルホニルオキシ基,ペルフルオロアルキルスルホニルオキシ基,アルキル置換フェニルスルホニルオキシ基などを有している化合物から選ばれる。
反応温度は−200〜200 ℃程度、望ましくは−20〜150℃である。温度が低すぎる場合、反応速度が低下し、反応時間が長くなる。温度が高すぎる場合、ポリマーの副生が増加する。反応圧力は、絶対圧で0.01〜10MPa程度、望ましくは常圧〜10MPaである。圧力が高すぎる場合は、特別な装置が必要となり、経済的でない。反応時間は1〜48時間程度である。
このエーテル化反応において、必要に応じて塩基を添加することができる。塩基の種類としては、ナトリウムアミド,トリエチルアミン,トリブチルアミン,トリオクチルアミン,ピリジン,N,N−ジメチルアニリン,1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノネン−5(DBN),1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン−7(DBU),水酸化ナトリウム,水酸化カリウム,水素化ナトリウム,炭酸カリウム,酸化銀,ナトリウムメトキシド,カリウムt-ブトキシド,リン酸ナトリウム,リン酸−水素ナトリウム,リン酸二水素ナトリウムなどが挙げられる。
溶媒はなくてもよいが、一般式(34)において、R9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物及び一般式(36)で示される化合物の溶解度が0.5質量%以上、望ましくは5質量%以上の溶媒を用いることが好ましい。溶媒量は反応混合物中の一般式(34)において、R9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物及び一般式(36)で示される化合物の濃度が、通常0.5質量%以上、望ましくは5質量%以上となる量である。この時、一般式(34)において、R9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物及び一般式(36)で示される化合物が懸濁状態でもよいが、溶解していることが望ましい。また使用前に溶媒中の水分を取り除く事が望ましい。具体的には、ヘキサン,ヘプタン、シクロヘキサン,メチルシクロヘキサン,エチルシクロヘキサンなどの炭化水素系溶媒、ベンゼン,トルエン,キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル,テトラヒドロフラン(THF),ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジクロロメタン,四塩化炭素等のハロゲン系溶媒,ジメチルスルホキシド,N,N−ジメチルホルムアミド,N−メチルピロリドン,γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。
精製方法は、蒸留、晶析、カラム分離などが可能であり、生成物の性状と不純物の種類により精製方法を選択できる。
(B)エステル化
エステル化の場合には、一般のエステル化と同様の条件で反応を行うことができる。具体的には、(i)カルボン酸とアルコールの反応、(ii)カルボン酸ハロゲン化物とアルコールあるいはその塩との反応、(iii)カルボン酸無水物とアルコールあるいはその塩との反応などを挙げることができる。一般式(34)においてR9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物が、カルボン酸,又はその反応性誘導体、例えばカルボン酸ハロゲン化物や,カルボン酸無水物から選ばれる場合は、一般式(36)で示される化合物は、アルコールあるいはその塩から選ばれ、一般式(36)で示される化合物がカルボン酸,又はその反応性誘導体、例えばカルボン酸ハロゲン化物や,カルボン酸無水物から選ばれる場合は、一般式(34)においてR9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物はアルコールあるいはその塩から選ばれる。
(i)カルボン酸とアルコールの反応の場合(RCOOH+R‘OH)
共沸脱水や、ジシクロヘキシルカルボジイミド(DCC)などの脱水剤を用いる方法、トリフルオロ酢酸無水物を用いる方法など一般的な方法を用いることができる。
反応温度は、上記反応方法のうち、どの方法を用いるかにより最適な反応温度は異なるが、一般的には−200〜200 ℃程度であり、望ましくは−20〜150℃である。温度が低すぎる場合、反応速度が低下し、反応時間が長くなる。温度が高すぎる場合、ポリマーの副生が増加する。
反応圧力は、通常、絶対圧力で0.01〜10MPa程度であり、望ましくは常圧〜10MPaである。圧力が高すぎる場合は、特別な装置が必要となり、経済的でない。反応時間は1〜48時間程度である。
必要に応じて、触媒などの添加剤を用いることができる。この添加剤は上記反応方法のうち、どの方法を用いるかにより異なる。共沸脱水の場合には、塩酸,硫酸,メタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸,メタンスルホン酸などの酸触媒を用いることができる。添加量は0.1〜50mol%程度,望ましくは1〜10mol%程度である。脱水剤法の場合には、N,N−ジメチルピリジン,ピリジン,トリエチルアミン,1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノネン−5(DBN),1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン−7(DBU)などを触媒として用いることができる。添加量は0.1〜100mol%程度,望ましくは1〜20mol%程度である。トリフルオロ酢酸無水物を用いる方法の場合には、ナトリウムアミド,トリエチルアミン,トリブチルアミン,トリオクチルアミン,ピリジン,N,N−ジメチルアニリン,1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノネン−5(DBN),1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン−7(DBU),水酸化ナトリウム,水酸化カリウム,水素化ナトリウム,炭酸カリウム,酸化銀,ナトリウムメトキシド,カリウムt-ブトキシド,リン酸ナトリウム,リン酸一水素ナトリウム,リン酸二水素ナトリウムなどを副生するトリフルオロ酢酸のトラップ剤として用いることができる。添加量は50−300mol%程度であり,望ましくは100−200mol%程度である。
溶媒はなくてもよいが、上記反応方法のうち、どの方法を用いるかにより適当な溶媒を選ぶことができる。一般式(34)においてR9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物、及び一般式(36)で示される化合物の溶解度が、通常0.5質量%以上、望ましくは5質量%以上の溶媒を用いる。溶媒量は反応混合物中の一般式(34)においてR9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物、及び一般式(36)で示される化合物の濃度が、通常0.5質量%以上、望ましくは5質量%以上となる量である。この時、一般式(34)においてR9、R10、R12の少なくとも一つが一般式(35)で表される化合物、及び一般式(36)で示される化合物が懸濁状態でもよいが、溶解していることが望ましい。共沸脱水の場合には、水と実質的に混ざらない溶媒を選択できる。具体的には、ヘキサン,ヘプタン、シクロヘキサン,メチルシクロヘキサン,エチルシクロヘキサンなどの炭化水素系溶媒、ベンゼン,トルエン,キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒などを挙げることができる。脱水剤法及びトリフルオロ酢酸無水物を用いる方法の場合には、使用前に溶媒中の水分を取り除いておくことが望ましい。具体的には、ヘキサン,ヘプタン、シクロヘキサン,メチルシクロヘキサン,エチルシクロヘキサンなどの炭化水素系溶媒、ベンゼン,トルエン,キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル,THF,ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジクロロメタン,四塩化炭素等のハロゲン系溶媒,ジメチルスルホキシド,N,N−ジメチルホルムアミド,N−メチルピロリドン,γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。
精製方法は、蒸留、晶析、カラム分離などが可能であり、生成物の性状と不純物の種類により精製方法を選択できる。
(ii)カルボン酸ハロゲン化物あるいはカルボン酸無水物とアルコールあるいはその塩との反応(RCOX+R‘OH(M)あるいは(RCO)2O+R’OH(M))
反応温度は、通常−200〜200 ℃、望ましくは−20〜150℃である。温度が低すぎる場合、反応速度が低下し、反応時間が長くなる。また、温度が高すぎる場合、ポリマーの副生が増加する。反応圧力は、絶対圧力で、通常0.01〜10MPa、望ましくは常圧〜10MPaである。圧力が高すぎる場合は、特別な装置が必要となり、経済的でない。反応時間は、1〜48時間程度である。
この反応において、必要に応じて塩基を添加することができる。塩基の種類としては、 ナトリウムアミド,トリエチルアミン,トリブチルアミン,トリオクチルアミン,ピリジン,N,N−ジメチルアニリン,1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノネン-5(DBN),1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン−7(DBU),水酸化ナトリウム,水酸化カリウム,水素化ナトリウム,炭酸カリウム,酸化銀,ナトリウムメトキシド,カリウムt-ブトキシド,リン酸ナトリウム,リン酸一水素ナトリウム,リン酸二水素ナトリウムなどが挙げられる。
溶媒はなくてもよいが、上記反応方法のうち、どの方法を用いるかにより適当な溶媒を選ぶことができる。式(34)及び式(36)で示される化合物の溶解度が0.5%以上、望ましくは5%以上の溶媒を用いる。溶媒量は反応混合物中の式(34)及び式(36)で示される化合物の濃度が0.5%以上、望ましくは5%以上となる量である。この時、式(34)及び式(36)で示される化合物が懸濁状態でもよいが、溶解していることが望ましい。具体的には、ヘキサン,ヘプタンシクロヘキサン,メチルシクロヘキサン,エチルシクロヘキサンなどの炭化水素系溶媒、ベンゼン,トルエン,キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル,THF,ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジクロロメタン,四塩化炭素等のハロゲン系溶媒,ジメチルスルホキシド,N,N−ジメチルホルムアミド,N−メチルピロリドン,γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。
精製方法は、蒸留、晶析、カラム分離などが可能であり、生成物の性状と不純物の種類により精製方法を選択できる。
第二の製造方法は、一般式(38)で表される化合物と、一般式(39)で表される化合物を反応させる、一般式(40)で表される構造を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の製造方法である。
Figure 0005249760
一般式(38)で表される化合物の具体例としては図26〜38に記載の構造のものが挙げられる。また、一般式(39)で表される化合物の具体例としては図39に記載の構造のものが挙げられる。
一般式(38)と一般式(39)の間には、種々の反応が可能である。ここでは(A)アクリレート類(アクリレート,メタクリレート及びα-トリフルオロメチルアクリレート)及び(B)ビニルエーテル類への誘導、(C)ビニルエーテル類への変換を例に説明する。
(A)アクリレート類への誘導
このアクリレート類への誘導は、一般のエステル化と同様の条件で反応を行うことができる。具体的には、(i)アクリル酸類とアルコールの反応、(ii)アクリル酸類と下記一般式(41)で表されるα-ハロ酢酸エステル類との反応、(iii)アクリル酸類と下記一般式(42)で表されるハロメチルエーテル類との反応、(iv)アクリル酸類ハロゲン化物とアルコールあるいはその塩との反応、(v)アクリル酸類酸無水物とアルコールあるいはその塩との反応などを挙げることができる。
Figure 0005249760
Figure 0005249760
(i)アクリル酸類とアルコールの反応の場合
諸条件は、前項(B)エステル化の(i)カルボン酸とアルコールの反応の場合(RCOOH+R‘OH)と同様である。
(ii)アクリル酸類とα-ハロ酢酸エステル類との反応の場合
ハロアルキルカルボン酸アダマンチル類を反応促進剤との共存下で(メタ)アクリレートと反応させることが好ましい。
反応温度は−200〜200 ℃程度、望ましくは室温〜50℃である。温度が低すぎる場合、反応速度が低下し、反応時間が長くなる。温度が高すぎる場合、ポリマーの副生が増加する。反応圧力は、絶対圧力で0.01〜10MPa程度、望ましくは常圧〜1MPaである。圧力が高すぎる場合は、特別な装置が必要となり、経済的でない。反応時間は1分〜24時間程度、望ましくは30分〜6時間である。
反応促進剤は用いなくてもよいが、必要に応じて、ヨウ化カリウム,トリメチルアミン,トリエチルアミン,トリブチルアミン,トリオクチルアミン,ピリジン,炭酸リチウム,炭酸カリウム,炭酸ナトリウムなどを用いる。
溶媒は用いなくてもよいが、必要に応じて、一般式(38)及び一般式(39)で示される化合物の溶解度が、通常0.5質量%以上、望ましくは5質量%以上の溶媒を用いる。溶媒量は反応混合物中の一般式(38)及び一般式(39)で示される化合物の濃度が、通常0.5質量%以上、望ましくは5質量%以上となる量である。この時、一般式(38)及び一般式(39)で示される化合物が懸濁状態でもよいが、溶解していることが望ましい。具体的には、ヘキサン,ヘプタン、シクロヘキサン,メチルシクロヘキサン,エチルシクロヘキサンなどの炭化水素系溶媒、ベンゼン,トルエン,キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル,THF,ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジクロロメタン,四塩化炭素等のハロゲン系溶媒,ジメチルスルホキシド,N,N−ジメチルホルムアミド,N-メチルピロリドン,γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。
精製方法は、蒸留,晶析,カラム分離などが可能であり、生成物の性状と不純物の種類により精製方法を選択できる。
(iii)アクリル酸類とハロメチルエーテル類との反応の場合
ハロメチルエーテル類を反応促進剤との共存下でアクリレート類と反応させた後、アダマンチルオキシメチル (メタ)アクリレート類を合成する。
反応温度は−200〜200 ℃程度であり、望ましくは室温〜50℃である。温度が低すぎる場合、反応速度が低下し、反応時間が長くなる。温度が高すぎる場合、ポリマーの副生が増加する。反応圧力は、絶対圧力で0.01〜10MPa程度であり、望ましくは常圧〜1MPaである。圧力が高すぎる場合は、特別な装置が必要となり、経済的でない。反応時間は、1分〜24時間程度であり、望ましくは30分〜6時間である。
反応促進剤は用いなくてもよいが、必要に応じて、トリメチルアミン,トリエチルアミン,トリブチルアミン,トリオクチルアミン,ピリジン,炭酸リチウム,炭酸カリウム,炭酸ナトリウムなどを用いる。
溶媒は用いなくてもよいが、必要に応じて、一般式(38)及び一般式(39)で示される化合物の溶解度が、通常0.5質量%以上、望ましくは5質量%以上の溶媒を用いる。溶媒量は反応混合物中の一般式(38)及び一般式(39)で示される化合物の濃度が、通常0.5質量%以上、望ましくは5質量%以上となる量である。この時、一般式(38)及び一般式(39)で示される化合物が懸濁状態でもよいが、溶解していることが望ましい。具体的には、ヘキサン,ヘプタン、シクロヘキサン,メチルシクロヘキサン,エチルシクロヘキサンなどの炭化水素系溶媒、ベンゼン,トルエン,キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル,THF,ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジクロロメタン,四塩化炭素等のハロゲン系溶媒,ジメチルスルホキシド,N,N−ジメチルホルムアミド,N−メチルピロリドン,γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。
精製方法:蒸留,晶析,カラム分離などが可能であり、生成物の性状と不純物の種類により精製方法を選択できる。
(iv)アクリル酸類ハロゲン化物とアルコールあるいはその塩との反応の場合および、
(v)アクリル酸類酸無水物とアルコールあるいはその塩との反応の場合、
諸条件は、前項(B)エステル化の(i)カルボン酸とアルコールの反応の場合(RCOOH+R‘OH)と同様である。
(B)ビニルエーテル類への誘導
前記の一般式(38)から一般式(39)において、X5としてハロゲン原子,アルキ
ルスルホニルオキシ基,ペルフルオロアルキルスルホニルオキシ基,アルキル置換フェニルスルホニルオキシ基などから選ばれる場合には、一般式(39)の化合物は少なくとも1つのヒドロキシル基,メルカプト基,NH2基あるいはそれらの塩から選ばれる基を有している化合物から選ばれる。また、X5としてヒドロキシル基,メルカプト基
,NH2基あるいはそれらの塩から選ばれる基の場合には、一般式(39)の化合物は少なくとも1つのハロゲン原子,アルキルスルホニルオキシ基,ペルフルオロアルキルスルホニルオキシ基,アルキル置換フェニルスルホニルオキシ基などを有している化合物から選ばれる。反応温度、圧力等の反応条件は前項の(A)エーテル化の場合と同様である。
上記反応の特別な例として、(i) 一般式(38)で示されるビニルエーテル基あるいはビニルエーテル基に変換可能な基を有する化合物と一般式(41)で示されるα-ハロ酢酸エステル類との反応、(ii) 一般式(38)で示されるビニルエーテル基あるいはビニルエーテル基に変換可能な基を有する化合物と一般式(42)で示されるハロメチルエーテル類との反応などを挙げることができる。
(i) の一般式(38)で示されるビニルエーテル基あるいはビニルエーテル基に変換可能な基を有する化合物と一般式(41)で示されるα-ハロ酢酸エステル類との反応における温度、圧力等の反応条件は、前記の(ii)アクリル酸類とα-ハロ酢酸エステル類との反応の場合と同様である。
また、(ii) の一般式(38)で示されるビニルエーテル基あるいはビニルエーテル基に変換可能な基を有する化合物と一般式(42)で示されるハロメチルエーテル類との反応における温度、圧力等の反応条件は前記の(iii)アクリル酸類とハロメチルエーテル類との反応の場合と同様である。
(C)ビニルエーテル基への変換
塩基存在下、下記反応式により、ビニルエーテル基への変換することが可能である。
Figure 0005249760
(式中、Yはハロゲン原子,アルキルスルホニルオキシ基,ペルフルオロアルキルスルホニルオキシ基,アルキル置換フェニルスルホニルオキシ基などを表す。)
反応温度は−200〜200 ℃程度であり、望ましくは 0〜100℃である。温度が低すぎる場合、反応速度が低下し、反応時間が長くなる。温度が高すぎる場合、副反応が増加する可能性がある。反応圧力は、絶対圧力で0.01〜10MPa程度であり、望ましくは常圧〜1MPaである。圧力が低すぎる場合は、反応時間が長くなり、圧力が高すぎる場合は、特別な装置が必要となり、経済的でない。反応時間は、1分〜24時間程度であり、望ましくは1〜6時間である。
使用される塩基としては、ナトリウムアミド、トリエチルアミン、ピリジン、N,N−ジメチルアニリン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノネン−5(DBN)、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン−7(DBU)、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム、炭酸カリウム、酸化銀、ナトリウムメトキシド、カリウムt-ブトキシドなどが挙げられる。
溶媒は用いなくてもよいが、必要に応じて、一般式(38)及び一般式(39)で示される化合物の溶解度が、通常0.5質量%以上、望ましくは5質量%以上の溶媒を用いることが好ましい。溶媒量は反応混合物中の一般式(38)及び一般式(39)で示される化合物の濃度が、通常0.5質量%以上、望ましくは5質量%以上となる量である。この時、一般式(38)及び一般式(39)で示される化合物が懸濁状態でもよいが、溶解していることが望ましい。具体的には、ヘキサン,ヘプタン、シクロヘキサン,メチルシクロヘキサン,エチルシクロヘキサンなどの炭化水素系溶媒、ベンゼン,トルエン,キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル,THF,ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジクロロメタン,四塩化炭素等のハロゲン系溶媒,ジメチルスルホキシド,N,N−ジメチルホルムアミド,N-メチルピロリドン,γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。
精製方法:蒸留、晶析、カラム分離などが可能であり、生成物の性状と不純物の種類により精製方法を選択できる。
本発明においては、更に、前述した本発明の各種アダマンタン構造含有重合性化合物を構成成分とする重合体、該重合体を含有するフォトレジスト組成物、該アダマンタン構造含有重合性化合物を構成成分とする熱硬化性樹脂組成物および、該アダマンタン構造含有重合性化合物を構成成分とする光硬化性樹脂組成物を提供する。
フォトレジスト組成物の場合には、本発明のアダマンタン構造含有重合性化合物を2−メチル-2-アダマンチル(メタ)アクリレートのような酸分解性モノマー、3−ヒドロキシ-1-アダマンチル(メタ)アクリレートのような極性基含有モノマー及びγ-ブチロラクトン-2-(メタ)アクリレートのようなラクトン含有モノマーと共重合により得られるポリマー及び光酸発生剤,クエンチャー、溶剤及びその他の添加剤が構成成分となる。
熱硬化性樹脂組成物の場合には、本発明のアダマンタン構造含有重合性化合物,これと共重合可能なモノマー,熱重合開始剤及びその他の添加剤が構成成分となる。また必要に応じて、溶剤を添加することも可能である。
光硬化性樹脂組成物の場合には、本発明のアダマンタン構造含有重合性化合物,これと共重合可能なモノマー,光重合開始剤及びその他添加剤が構成成分となる。また必要に応じて、光増感剤や溶剤を添加することも可能である。
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
実施例1
下記式で表される3−[(ウンデカフルオロシクロヘキシル)メトキシ]−1−アダマンチル メタクリレートの合成
Figure 0005249760
攪拌器,温度計及び空気導入管を取り付けた100mLフラスコに3−メタンスルホニルオキシ−1−アダマンチルメタクリレート[出光興産製、MW:314.40,20mmol,6.29g],(ウンデカフルオロシクロヘキシル)メタノール[MW:312.08,40mmol,12.48g],燐酸水素二ナトリウム[MW:141.96,80mmol,11.36g],γ-ブチロラクトン[45mL]及びメトキノン[6.3mg]を入れた。空気を導入しながら、攪拌を開始するとともに、オイルバスにつけ、120℃に昇温した。6時間後、反応液をガスクロマトグラフィー分析したところ、3−メタンスルホニルオキシ−1−アダマンチルメタクリレートの消失が確認された。反応液を冷却後、純水100mLを加え、均一溶液とした後分液ロートに移し、60mLのヘキサンで3回抽出した。有機層を集め、純水及び飽和食塩水で洗浄後、有機層を分液し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過後、溶媒を留去し、粗製物を得た。これをシリカゲルカラムにより生成することで、目的の3−[(ウンデカフルオロシクロヘキシル)メトキシ]−1−アダマンチル メタクリレート[MW:530.37,収量6.50g,収率 61.3%]を得た。
<分光データ>
得られた3−[(ウンデカフルオロシクロヘキシル)メトキシ]−1−アダマンチル メタクリレートの核磁気共鳴スペクトルの測定結果は以下の通りであった。(日本電子株式会社製JNM−ECA500使用、溶媒:クロロホルム−d)
1H−NMR(500MHz):1.56(dd,2H), 1.76(dd,4H), 1.89(s,3H), 2.10(dd,4H), 2.20(s,2H), 2.39(s,2H), 4.16(d,2H), 5.50(t,1H), 6.01(s,1H)
13C−NMR(125MHz):18.30, 30.90, 34.88, 39.81, 40.01, 44.60, 76.25, 81.00, 124.85, 137.62, 166.40
19F−NMR(470MHz):−114.16(1F), −66.47(d, 1F), −64.28(d, 2F), −56.23(d ,2F), −48.84(d, 1F), −47.30(d, 2F), −43.60(d, 2F)
GC−MS(EI):株式会社島津製作所製 GCMS−QP2010使用
:530(M+,6.6%), 444(44.20%), 402(15.2%), 389(49.5%), 376(18.5%), 219(7.1%), 133(9.2%), 121(4.2%), 105(6.1%), 92(100%), 69(53.7%), 55(6.9%)
実施例2
下記式で表される3−{[1,2,2,3,3,4,5,5,6,6,−デカフルオロ−4−(ヒドロキシメチル)シクロヘキシル]メトキシ}−1−アダマンチル メタクリレートの合成
Figure 0005249760
(ウンデカフルオロシクロヘキシル)メタノールの代わりに、ペルフルオロシクロヘキサン−1,4−ジメタノール[MW:314.12,40mmol,12.97g]を用いること以外は、実施例1と同様の方法で反応を行った。GCMS分析により、目的物 [MW:542.41]の生成を確認した。
<分光データ>
GC−MS(EI):株式会社島津製作所製 GCMS−QP2010使用
:542(M+,2.2%), 456(32.3%), 414(11.3%), 401(36.1%), 388(13.5%), 219(5.5%), 133(10.4%), 92(100%), 79(11.9%), 69(64.7%), 55(7.5%), 41(45.3%)
実施例3
下記式で表される3−{[1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,−デカフルオロ−6−(ヒドロキシメチル)シクロヘキシル]メトキシ}−1−アダマンチル メタクリレートの合成
Figure 0005249760
(ウンデカフルオロシクロヘキシル)メタノールのかわりに、ペルフルオロシクロヘキサン−1,2−ジメタノール[MW:314.12,40mmol,12.97g]を用いること以外は、実施例1と同様の方法で合成を行った。GCMS分析により、目的物 [MW:542.41]の生成を確認した。
<分光データ>
GC−MS(EI):株式会社島津製作所製、GCMS−QP2010使用
:542(M+,0.5%), 456(31.9%), 401(12.5%), 382(10.7%), 219(18.2%), 133(14.9%), 108(12.4%), 92(95.1%), 69(100%), 55(8.4%), 41(51.3%)
実施例4
下記式で表される3−[(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6−ウンデカフルオロヘキシル)オキシ)−1−アダマンチル メタクリレートの合成
Figure 0005249760
(ウンデカフルオロシクロヘキシル)メタノールのかわりに、1H,1H−ペルフルオロヘキサノール[MW:300.07,40mmol,12.00g]を用いること以外は、実施例1と同様の方法で合成を行った。結果、目的物 [MW:518.36,収量 4.04g,収率 39.0%]を得た。
<分光データ>
核磁気共鳴スペクトル(日本電子株式会社製 JNM−ECA500使用、溶媒:クロロホルム−d)
1H−NMR(500MHz):1.56(dd,2H), 1.75(dd,4H), 1.89(s,3H), 2.10(dd,4H), 2.18(s,2H), 2.38(s,2H), 3.92(t,2H), 5.50(t,1H), 6.01(s,1H)
13C−NMR(125MHz):18.30, 30.90, 34.88, 39.90, 40.00, 44.70, 76.00, 81.01, 124.83, 137.63, 166.39
19F−NMR(470MHz):−50.68(2F), −47.37(2F), −47.37(2F), −44.28(2F), −5.30(3F)
GC−MS(EI):株式会社島津製作所製 GCMS−QP2010使用
:518(M+,5.5%), 432(43.2%), 390(14.4%), 377(42.5%), 364(17.2%), 219(12.4%), 133(10.8%), 121(4.9%), 105(6.3%), 92(100%), 77(11.3%), 69(57.7%), 55(6.7%)
実施例5
下記式で表される3−[(ペルフルオロペンチル)カルボニルオキシ]−1−アダマンチル メタクリレートの合成
Figure 0005249760
(ウンデカフルオロシクロヘキシル)メタノールのかわりに、ペルフルオロヘキサン酸[MW:314.05,40mmol,12.56g]を用いること以外は、実施例1と同様の方法で合成を行った。結果、目的物 [MW:532.34,収量 5.48g,収率 51.5%]を得た。
<分光データ>
核磁気共鳴スペクトル 日本電子株式会社製 JNM−ECA500使用(溶媒:クロロホルム−d)
1H−NMR(500MHz):1.63(br,2H), 1.90(s,3H), 2.11−2.22(m,8H), 2.44(s,2H), 2.58(s,2H), 5.52(s,1H), 6.03(s,1H)
13C−NMR(125MHz):10.86, 23.85, 27.07, 32.16, 32.27, 37.43, 72.94, 79.72, 117.70, 129.96, 158.85
19F−NMR(465MHz):−126.17(2F), −122.58(d, 4F), −118.39(2F), −75.73(3F)
GC−MS(EI):株式会社島津製作所製 GCMS−QP2010使用
:532(M+,33.8%), 446(13.1%), 404(8.4%), 391(4.6%), 378(2.9%), 219(14.9%), 190(3.0%), 133(58.4%), 117(12.8%), 105(25.0%), 92(100%), 79(11.8%), 69(81.2%), 55(8.1%)
実施例6
3−[(ペルフルオロペンチル)カルボニルオキシ]−1−アダマンチル メタクリレートの合成
攪拌器,温度計及び冷却管付ディーンスターク脱水装置を取り付けた200mLフラスコにアダマンタン−1,3−ジオール[出光興産製MW:168.23,30mmol,5.05g]、ペルフルオロヘキサン酸[MW:314.05,33mmol、10.36g]、パラトルエンスルホン酸一水和物[MW:190.22,1.5mmol、0.29g]及びトルエン[90mL]を入れた。攪拌を開始するとともに、オイルバスにつけ、昇温,還流させたところ、経時的に反応により生じた水がディーンスターク脱水装置に溜まっていった。4時間後、反応液をガスクロマトグラフィー分析したところ、アダマンタン−1,3−ジオールの消失が確認された。反応液を冷却後、分液ロートに移し、飽和炭酸水素ナトリウム水50mL、純水50mL、飽和食塩水50mLの順に洗浄を行った。有機層を分液し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過後、溶媒を留去することで、合成中間体である3−ヒドロキシ−1−アダマンチル ペルフルオロヘキサオネート[MW:464.27、収量12.26g,収率 88.0%]を得た。
攪拌器,温度計及び滴下ロートを取り付けた100mlフラスコに上のようにして得た3−ヒドロキシ−1−アダマンチル ペルフルオロヘキサオネート[20mmol、9.29g],トリエチルアミン[MW:101.19、30mmol、3.04g]及び乾燥THF[50mL]を入れた。攪拌しながらフラスコを氷浴で0℃に冷却し、ここにメタクリル酸クロリド[MW:104.53、24mmol、2.51g]を、滴下ロートを用いてゆっくり加えた。60℃に温度を上げ、5時間後、反応液をガスクロマトグラフィー分析したところ、3−ヒドロキシ−1−アダマンチル ペルフルオロヘキサオネートの消失が確認された。反応液を冷却後、分液ロートに移し、ヘキサン[50mL]を加えた後、飽和炭酸水素ナトリウム水50mL、純水50mL、飽和食塩水50mLの順に洗浄を行った。有機層を分液し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。硫酸マグネシウムを濾過後、溶媒を留去することで、目的物[収量 7.86g、収率 73.8%]を得た。
分光データは実施例5で得られた化合物と同じであった。
本発明のアダマンタン構造重合性化合物およびその樹脂組成物を用いることにより、フォトリソグラフィー分野において、液浸露光法では、液浸媒体の浸透を抑制し、かつ、ドライエッチング耐性を向上させる効果があり、ナノインプリント法においては、モールドへの付着を低減させ、かつ、ドライエッチング耐性を向上させる効果があるので、フォトリソグラフィーおよびナノインプリントソグラフィーの分野において好適に使用することができる。

Claims (22)

  1. 一般式()で表される構造を有することを特徴とするアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    〔式中、Aは式(2)又は式(3)で表される重合性基を含む基であり、複数のAは同じでも良く、異なっていても良い。Kは式(4)〜式(8)のいずれかで表される連結基であり、K’は式(4)、式(5)、及び式(7)のいずれかで表される連結基であって、複数のK及びK’は同じでも良く、異なっていても良い。Zは下記のフッ素含有置換基であり、複数のZは同じでも良く、異なっていても良い。Yはアダマンタン上の置換基であり、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、メチルシアノ基、又は2つのYが一緒になって形成された=O又は=Sを示す。また、複数のYは同じでもよく、異なっていてもよい。a、b、c、d及びfはそれぞれ1以上の整数、mは0〜14の整数であり、c+d+m=16である。
    A(重合性基):
    Figure 0005249760
    0は水素,フッ素,メチル,エチル又はトリフルオロメチル基を表す。
    K(連結基):
    Figure 0005249760
    1,R2,R3,R4及びR5は、それぞれ独立に水素原子,ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基又はハロゲン原子を示し、k及びlは、それぞれ0〜10の整数を示し、X1及びX2は、それぞれ独立に酸素原子,硫黄原子又はNR'基を表す。R'は水素原子又はヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基であり、*は重合性基側又は末端基側、**はアダマンタン環側、oは0又は1を示す。
    Z(フッ素含有置換基):
    炭素数1〜30のアルキル基または5〜30のシクロアルキル基を示し、その構造の一部に必ずフッ素原子を有しており、また、その構造の一部にヘテロ原子,ヒドロキシル基,メルカプト基,エーテル基,チオエーテル基,シアノ基,ケトン基,チオケトン基,ケタール基,チオケタール基,アセタール基,チオアセタール基,ラクトン基,チオラクトン基,カーボネート基,チオカーボネート基,アミン基,アミド基,アルキルスルホニル基,エステル基及びチオエステル基の中から選ばれる少なくとも1種を含んでいても良い。〕
  2. 一般式(10)で表される構造を有する請求項に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    〔K、K’(連結基)、Z(フッ素含有置換基)、Y(アダマンタン上の置換基)は一般式()と同様であり、R0は一般式(2)と同様であり、a、b、c、d、fは及びmは一般式(9)と同様である。X3及びX4は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子又はNR'基を表す。R'は水素原子又はヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基である。〕
  3. 一般式(11)で表される構造を有する請求項に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    〔K、K’(連結基)、Z(フッ素含有置換基)、Y(アダマンタン上の置換基)、R0、X3、a、b、c、d、f及びmは一般式(10)と同様である。〕
  4. 一般式(12)で表される構造を有する請求項に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    〔K、K’(連結基)、Z(フッ素含有置換基)、Y(アダマンタン上の置換基)、R0、a、b、c、d、f及びmは一般式(10)と同様である。〕
  5. 一般式(13)で表される構造を有する請求項に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    〔K、K’(連結基)、Z(フッ素含有置換基)、Y(アダマンタン上の置換基)、R0、a、b、c、d、f及びmは一般式(10)と同様である。〕
  6. 一般式(14)で表される構造を有する請求項に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    〔K、K’(連結基)、Z(フッ素含有置換基)、Y(アダマンタン上の置換基)、R0、b、c、d、f及びmは一般式(10)と同様であり、R7及びR8はそれぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基又はハロゲン原子を表す。Lは独立に炭素,酸素,窒素又は硫黄原子を表す。複数のR7及び複数のR8は、それぞれにおいて同じでも良く、異なっていても良い。但し、Lが酸素,窒素,硫黄原子である場合にはR7及びR8のいずれかあるいは両方がない。eは0〜5の整数である。〕
  7. 一般式(15)で表される構造を有する請求項に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    〔K、K’(連結基)、Z(フッ素含有置換基)、Y(アダマンタン上の置換基)、L、R0、R7、R8、b、c、d、e、f及びmは一般式(14)と同様である。R6は水素原子、ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基又はハロゲン原子を表す。〕
  8. 一般式(16)で表される構造を有する請求項に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    〔K、K’(連結基)、Z(フッ素含有置換基)、Y(アダマンタン上の置換基)、L、R0、R6、R7、R8、b、c、d、e、f及びmは一般式(15)と同様である。〕
  9. 一般式(17)で表される構造を有する請求項に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    〔K、K’(連結基)、Z(フッ素含有置換基)、Y(アダマンタン上の置換基)、L、R0、R7、R8、b、c、d、e、f及びmは一般式(15)と同様である。〕
  10. 一般式(18)で表される構造を有する請求項に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    〔K、K’(連結基)、Z(フッ素含有置換基)、Y(アダマンタン上の置換基)、L、R0、R6、R7、R8、b、c、d、e、f及びmは一般式(15)と同様である。〕
  11. 一般式(19)で表される構造を有する請求項に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    〔K、K’(連結基)、Z(フッ素含有置換基)、Y(アダマンタン上の置換基)、L、R0、R6、R7、R8、b、c、d、e、f及びmは一般式(15)と同様である。〕
  12. 一般式(20)で表される構造を有する化合物であって、一般式(20)中の11の少なくとも一つが一般式(21)、一般式(22)、一般式(23)、一般式(24)、一般式(25)および一般式(26)のいずれかで表される請求項に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    〔Y(アダマンタン上の置換基)、R0、c、d及びmは一般式(10)と同様であり、L及びMは、それぞれ独立に炭素,酸素,窒素又は硫黄原子を表す。R7、R8、R9、R10及びR11は、それぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、又はR7、R8並びにR9〜R11のうち二つが一緒になって形成された=O、=Sを表す。複数のR7、複数のR8、複数のR9、複数のR10及びR11は、それぞれにおいて同じでも良く、異なっていても良い。但し、L、Mが酸素,窒素,硫黄原子である場合にはLにおいてR7及びR8のいずれかあるいは両方がなく、また、MにおいてもR9及びR10のいずれかあるいは両方がない。eは0〜5の整数、f’は0である。〕
    Figure 0005249760

    [Z'(フッ素含有置換基)は、構造上の水素原子が全てフッ素化されている、炭素数1〜30のアルキル基または5〜30のシクロアルキル基を示し、その構造の一部にヘテロ原子,エーテル基,チオエーテル基,シアノ基,ケトン基,チオケトン基,ケタール基,チオケタール基,アセタール基,チオアセタール基,ラクトン基,チオラクトン基,カーボネート基,チオカーボネート基,エステル基及びチオエステル基の中から選ばれる少なくとも1種を含んでいても良い。gは0以上の整数である。]
    Figure 0005249760
    [Z'(フッ素含有置換基)およびgは一般式(21)と同様である。]
    Figure 0005249760
    [Z'(フッ素含有置換基)およびgは一般式(21)と同様である。]
    Figure 0005249760
    [Z"(フッ素含有置換基)は、構造上の水素原子が全てフッ素化されている、炭素数1〜30のアルキレン基または5〜30のシクロアルキレン基を示し、その構造の一部にヘテロ原子,エーテル基,チオエーテル基,シアノ基,ケトン基,チオケトン基,ケタール基,チオケタール基,アセタール基,チオアセタール基,ラクトン基,チオラクトン基,カーボネート基,チオカーボネート基,エステル基及びチオエステル基の中から選ばれる少なくとも1種を含んでいても良い。g及びhは0以上の整数である。]
    Figure 0005249760
    [Z"(フッ素含有置換基)、g及びhは、一般式(24)と同様である。]
    Figure 0005249760
    [Z"(フッ素含有置換基)、g及びhは、一般式(24)と同様である。]
  13. 一般式(27)で表される構造を有する化合物であって、一般式(27)中のR 11の少なくとも一つが一般式(28)、一般式(29)、一般式(30)、一般式(31)、一般式(32)および一般式(33)のいずれかで表される請求項に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    〔Y(アダマンタン上の置換基)、L、M、R0、R7、R8、R9、R10、R11、c、d、e及びf'は、一般式(20)と同様である。〕
    Figure 0005249760
    [Z'(フッ素含有置換基)およびgは一般式(21)と同様である。]
    Figure 0005249760
    [Z'(フッ素含有置換基)およびgは一般式(21)と同様である。]
    Figure 0005249760
    [Z'(フッ素含有置換基)およびgは一般式(21)と同様である。]
    Figure 0005249760
    [Z"(フッ素含有置換基)、g及びhは、一般式(24)と同様である。]
    Figure 0005249760
    [Z"(フッ素含有置換基)、g及びhは、一般式(24)と同様である。]
    Figure 0005249760
    [Z"(フッ素含有置換基)、g及びhは、一般式(24)と同様である。]
  14. 下記一般式で表される構造を有する、請求項1に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    [上記式中、Z’(フッ素含有置換基)は一般式(21)と同様であり、R 0 は一般式(10)と同様である。]
  15. 下記一般式で表される構造を有する、請求項1に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    [上記式中、Z’(フッ素含有置換基)は一般式(21)と同様であり、R 0 は一般式(10)と同様である。]
  16. 下記一般式で表される構造を有する、請求項1に記載のアダマンタン構造含有重合性化合物。
    Figure 0005249760
    [上記式中、Z"(フッ素含有置換基)は一般式(24)と同様であり、R 0 は一般式(10)と同様である。また、g及びhは、一般式(24)と同様である。]
  17. 一般式(34)中のR 12の少なくとも一つが一般式(35)で表される基を有する化合物と、一般式(36)で表される化合物を反応させることを特徴とする、一般式(37)で表される構造を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の製造方法。
    Figure 0005249760

    〔A(重合性基)、K、K’(連結基)、Z(フッ素含有置換基)、Y(アダマンタン上の置換基)、a、c、dおよびmは一般式(9)と同様であり、e'は1以上の整数、iは0、jおよびkはそれぞれ0以上の整数である。R9、R10及びR12は、それぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子を含んでいても良い炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、又はR9、R10、R11のうち二つが一緒になって形成された=O、=Sを表す。複数のR9、複数のR10及び複数のR12は、それぞれにおいて同じでも良く、異なっていても良い。Mは独立に炭素,酸素,窒素又は硫黄原子を表す。但し、Mが酸素,窒素,硫黄原子である場合にはR9及びR10のいずれかあるいは両方がない。X5及びX6は反応性基であって、X5が水素原子,ハロゲン原子,アルキルスルホニルオキシ基,ペルフルオロアルキルスルホニルオキシ基、又はアルキル置換フェニルスルホニルオキシ基から選ばれる場合、X6は水素原子,ヒドロキシル基,メルカプト基,NH2基あるいはそれらの塩から選ばれる基を示し、X5が水素原子,ヒドロキシル基,メルカプト基,NH2基あるいはそれらの塩から選ばれる場合、X6は水素原子,ハロゲン原子,アルキルスルホニルオキシ基,ペルフルオロアルキルスルホニルオキシ基,又はアルキル置換フェニルスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す。DはX5とX6の反応により生じた連結基を表す。〕
  18. 一般式(38)で表される化合物と、一般式(39)で表される化合物を反応させることを特徴とする、一般式(40)で表される構造を有するアダマンタン構造含有重合性化合物の製造方法。
    Figure 0005249760

    〔A(重合性基)、K、K’(連結基)、Z(フッ素含有置換基)、Y(アダマンタン上の置換基)、X5、X6、D、c、d、e'j、kおよびmは一般式(34)〜(37)と同様であり、i’は0以上の整数、L、R7、R8は一般式(14)と同様である。〕
  19. 請求項1〜16のいずれかに記載のアダマンタン構造含有重合性化合物を構成成分することを特徴とする重合体。
  20. 請求項1〜16のいずれかに記載のアダマンタン構造含有重合性化合物を構成成分する重合体を含有することを特徴とするフォトレジスト組成物。
  21. 請求項1〜16のいずれかに記載のアダマンタン構造含有重合性化合物を構成成分することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
  22. 請求項1〜16のいずれかに記載のアダマンタン構造含有重合性化合物を構成成分することを特徴とする光硬化性樹脂組成物。
JP2008527690A 2006-08-04 2007-07-09 アダマンタン構造含有重合性化合物、その製造方法及び樹脂組成物 Active JP5249760B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008527690A JP5249760B2 (ja) 2006-08-04 2007-07-09 アダマンタン構造含有重合性化合物、その製造方法及び樹脂組成物

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006213364 2006-08-04
JP2006213364 2006-08-04
PCT/JP2007/063641 WO2008015876A1 (fr) 2006-08-04 2007-07-09 Composé polymérisable ayant une structure d'adamantane, son procédé de production et composition de résine
JP2008527690A JP5249760B2 (ja) 2006-08-04 2007-07-09 アダマンタン構造含有重合性化合物、その製造方法及び樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2008015876A1 JPWO2008015876A1 (ja) 2009-12-17
JP5249760B2 true JP5249760B2 (ja) 2013-07-31

Family

ID=38997058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008527690A Active JP5249760B2 (ja) 2006-08-04 2007-07-09 アダマンタン構造含有重合性化合物、その製造方法及び樹脂組成物

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20100022730A1 (ja)
EP (1) EP2048128A1 (ja)
JP (1) JP5249760B2 (ja)
KR (1) KR20090045915A (ja)
CN (1) CN101495443A (ja)
TW (1) TW200811206A (ja)
WO (1) WO2008015876A1 (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101431861B1 (ko) * 2007-06-20 2014-08-25 아사히 가라스 가부시키가이샤 광경화성 조성물 및 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법
EP2015071A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-14 FUJIFILM Corporation Carrier, process for producing same, bioreactor, and chip for surface plasmon resonance analysis
JP5308678B2 (ja) * 2007-08-07 2013-10-09 東京応化工業株式会社 化合物の製造方法、化合物
JP5398248B2 (ja) 2008-02-06 2014-01-29 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP5712247B2 (ja) * 2008-02-06 2015-05-07 東京応化工業株式会社 化合物および高分子化合物
JP5401126B2 (ja) 2008-06-11 2014-01-29 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP5172494B2 (ja) 2008-06-23 2013-03-27 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物、レジストパターン形成方法、含フッ素高分子化合物
US8017303B2 (en) * 2009-02-23 2011-09-13 International Business Machines Corporation Ultra low post exposure bake photoresist materials
JP5292133B2 (ja) 2009-03-09 2013-09-18 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5568258B2 (ja) * 2009-07-03 2014-08-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに含フッ素高分子化合物
JP5470053B2 (ja) 2010-01-05 2014-04-16 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5375811B2 (ja) * 2010-01-18 2013-12-25 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP5636196B2 (ja) * 2010-02-26 2014-12-03 大阪有機化学工業株式会社 アダマンタン誘導体、それを含有する樹脂組成物
KR20130008518A (ko) * 2010-03-31 2013-01-22 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 중합체 및 화합물
JP5763463B2 (ja) * 2010-08-03 2015-08-12 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5824321B2 (ja) * 2010-10-26 2015-11-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5824320B2 (ja) * 2010-10-26 2015-11-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5990041B2 (ja) * 2011-07-19 2016-09-07 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5644788B2 (ja) * 2012-02-10 2014-12-24 信越化学工業株式会社 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5933334B2 (ja) * 2012-05-16 2016-06-08 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP6615536B2 (ja) * 2014-08-25 2019-12-04 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6684075B2 (ja) * 2014-11-11 2020-04-22 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
CN114085311B (zh) * 2021-12-30 2023-03-14 宁波南大光电材料有限公司 一种制备高纯光刻胶树脂的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004069981A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2004157321A (ja) * 2002-11-06 2004-06-03 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2005054162A (ja) * 2003-07-23 2005-03-03 Daicel Chem Ind Ltd フッ素原子含有重合性不飽和単量体、フッ素原子含有高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
JP2006089412A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Idemitsu Kosan Co Ltd アダマンタン誘導体、その製造方法及びフォトレジスト用感光材料

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60211466A (ja) 1984-04-05 1985-10-23 Oji Paper Co Ltd 電子写真平版印刷版材料の製造方法
JP2774229B2 (ja) 1993-04-27 1998-07-09 帝人化成株式会社 光学用成形品
JP3331121B2 (ja) 1996-05-17 2002-10-07 カネボウ株式会社 ポリエステル重合体およびその成形体
US6833230B2 (en) * 2000-01-19 2004-12-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive polymers containing adamantylalkyl vinyl ether, and resist compositions including the same
JP2002184719A (ja) 2000-12-19 2002-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JP4208447B2 (ja) 2001-09-26 2009-01-14 独立行政法人科学技術振興機構 Sogを用いた室温ナノ−インプリント−リソグラフィー
US7488847B2 (en) * 2002-12-11 2009-02-10 Asahi Glass Company, Limited Fluorinated adamantane and its derivatives
WO2005075406A1 (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. アダマンタン誘導体及びその製造方法
JP4502715B2 (ja) 2004-03-05 2010-07-14 東京応化工業株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
US20050282985A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Hiroshi Koyama Fluorine-atom-containing polymerizable unsaturated-monomer, fluorine-atom-containing polymeric compound and photoresist resin composition

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004069981A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2004157321A (ja) * 2002-11-06 2004-06-03 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2005054162A (ja) * 2003-07-23 2005-03-03 Daicel Chem Ind Ltd フッ素原子含有重合性不飽和単量体、フッ素原子含有高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
JP2006089412A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Idemitsu Kosan Co Ltd アダマンタン誘導体、その製造方法及びフォトレジスト用感光材料

Also Published As

Publication number Publication date
EP2048128A1 (en) 2009-04-15
KR20090045915A (ko) 2009-05-08
WO2008015876A1 (fr) 2008-02-07
CN101495443A (zh) 2009-07-29
JPWO2008015876A1 (ja) 2009-12-17
TW200811206A (en) 2008-03-01
US20100022730A1 (en) 2010-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5249760B2 (ja) アダマンタン構造含有重合性化合物、その製造方法及び樹脂組成物
JP4866237B2 (ja) アダマンタン誘導体、その製造方法及びフォトレジスト用感光材料
WO2011125291A1 (ja) ホモアダマンタン誘導体、その製造方法及びフォトレジスト用感光性材料
US20100048757A1 (en) Adamantane derivative, process for production thereof, resin composition, and cured product of the resin composition
US7528279B2 (en) Adamantane derivatives and process for producing the same
WO2006033359A1 (ja) アダマンタン誘導体、その製造方法及びフォトレジスト用感光材料
JP5629454B2 (ja) 重合性化合物、ラクトン含有化合物、ラクトン含有化合物の製造方法、及び、該重合性化合物を重合させた高分子化合物
JP4429754B2 (ja) アダマンタン誘導体及びその製造方法
JP2009280538A (ja) 脂環構造含有化合物、(メタ)アクリル酸エステル類、(メタ)アクリル系重合体並びにそれを含むポジ型レジスト組成物
JP5193597B2 (ja) フォトレジスト用重合性化合物、その重合体及び該重合体を含むフォトレジスト組成物
JP4790290B2 (ja) アダマンタン誘導体及びその製造方法
JP4220888B2 (ja) アダマンタン誘導体及びその製造方法
JP4522628B2 (ja) 新規なエステル化合物
JPWO2005108343A1 (ja) アダマンタン誘導体、その製造方法及びフォトレジスト用感光材料
WO2012144132A1 (ja) 含フッ素アダマンタン誘導体
JP2010059138A (ja) 含フッ素アダマンタン誘導体、その製造方法及びその用途
JP4594695B2 (ja) アダマンタン誘導体の製造方法
JP6028047B2 (ja) ホモアダマンタン誘導体、その製造方法及びフォトレジスト用感光性材料
CA2586864A1 (en) New hexafluoroalcohol-based monomers and processes of preparation thereof
JPWO2008007594A1 (ja) 高度にフッ素化されたノルボルナン構造を有する含フッ素化合物、含フッ素重合体、および製造方法
JP2004026700A (ja) 新規なアダマンタンカルボン酸エステル及びその製造方法
JP2004115454A (ja) 含フッ素アリルエーテル化合物
JP2012171930A (ja) 含フッ素アダマンタン誘導体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120605

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120801

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130412

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5249760

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250