JP5248526B2 - ギャップコントロール機能を有するべベルエッチャー - Google Patents

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Description

本発明は、ギャップコントロール機能を有するべベルエッチャーに関する。
集積回路はパターニングされたマイクロエレクトロニクス層がその上に形成されるウエハや基板から作られる。基板の処理において、基板の上に堆積された膜の意図された部分をエッチングするためにしばしばプラズマが使用される。典型的には、エッチングのプラズマ密度は、基板のエッジの近くで低くなり、結果的に基板のべベルエッジの上面や下面にポリシリコン層、ナイトライド層、金属層等（まとめて副生成物層という）が蓄積することになる。数回の異なったエッチング処理の結果、副生成物層が継続的に基板のべベルエッジの上面や下面に蓄積すると、副生成物層と基板との間の結合が弱くなり、基板の移送中にしばしば副生成物層が他の基板上に剥がれ落ちたり、薄片となって落ちたりして、結果的に他の基板を汚染することになる。
一つの実施形態において、半導体基板をプラズマ洗浄するためのべベルエッチャーは、半導体のべベルエッジがその中でプラズマ洗浄される内部を有するチャンバーと、上面を有していて、べベルエッジを有する基板を支持するように構成された下部電極アセンブリーと、前記上面に対向していて基板を受け入れるためのギャップを形成するように前記上面とは離隔した位置関係になっている下面を有する上部電極アセンブリーとを備え、ここで、前記下部電極アセンブリーおよび前記上部電極アセンブリーは、動作中においてべベルエッジを洗浄するためのプラズマを発生するように動作し、前記ベベルエッチャーは、更に、前記上部電極アセンブリーおよび／または前記下部電極アセンブリーを支持し、前記上面に対して相対的に前記下面の傾斜角および／または平行移動を調整するように構成された少なくとも一つの機構を備えている。
もう一つの実施形態においては、複数の水平化スクリューを含む上記のベベルエッチャーを組み立てる方法は、前記下部電極アセンブリーを水平化し、前記下部電極アセンブリーの上に前記上部電極アセンブリーを配置し、前記上部電極アセンブリーに前記機構を固定し、そして、前記水平化スクリューのうち少なくとも一つの水平化スクリューを回転させて、前記上面に対して相対的に前記下面の傾斜角を調整する。
もう一つの実施形態において、半導体基板のベベルエッジを洗浄する方法は、上記のベベルエッチャーの中に半導体基板をロードし、前記上面と前記下面との間のギャップにプロセスガスを注入し、そして、基板のベベルエッジを洗浄するためにプロセスガスにエネルギーを与えてプラズマにする。
ベベルエッチャーの概略的な横断面図を示す。 図１Ａ中の範囲Ａの拡大図を示す。 ベベルエッチャーの概略的な横断面図を示す。 一つの実施形態に従うベベルエッチャーの概略的な横断面図を示す。 図２の範囲Ｂの拡大図を示す。 図２の範囲Ｃの拡大図を示す。 図２の範囲Ｂの拡大図を示していて、上部電極アセンブリーを下部電極アセンブリーに位置決めするためのセンタリング具を図示している。 他の実施形態に従うベベルエッチャーの概略的な横断面図を示す。 さらに他の実施形態に従うベベルエッチャーの概略的な横断面図を示す。 さらに他の実施形態に従うベベルエッチャーの概略的な横断面を示す。 図２のベベルエッチャーを組み立てるための例示的な手順のフローチャートを示す。
図１Ａは、ベベルエッチングチャンバーあるいはベベルエッチャー１００の概略的な横断面図を示す。図１Ｂは、図１Ａの範囲Ａの拡大図を示す。図示されているように、半導体１２０は、上部電極アセンブリー１０２と下部電極アセンブリー１０４との間に挿入され、基板のエッジに上面および下面を含むベベルエッジ１２２（図１Ｂ）を有する。上部電極アセンブリー１０２は、アノード１０８と、アノード１０８の下面の下に堆積され又は取り付けられた絶縁体層或いは絶縁体１１０とを含む。絶縁体１１０は、ベベルエッジ１２２のエッチングの間、アノード１０８と基板１２０の中央部との間に電場あるいは電磁場が形成されることを防止する。下部電極アセンブリー１０４は、高周波数（ＲＦ）電源に結合されたカソード１１２と、基板１２０を保持する静電チャック１１４と、静電チャック１１４を支持する支持体１１６とを含む。ＲＦ電源は、プロセスガス（１又は複数の出口を通して注入される）にエネルギーを与えてプラズマにするための高周波電力を提供し、これによりベベルエッジ１２２が洗浄される。
上部電極アセンブリー１０２の下面は下部電極アセンブリー１０４の上面に対して相対的に角度αだけ傾斜しているかもしれない。同様に、上部および下部電極の対向する面は、図１Ａの平面から９０度の方向において別の角度だけ傾斜しているかもしれない。以後は、傾斜角度（tilt angle）という用語は、まとめてその二つの角度を意味する。また、平面調整(planarity adjustment）という用語は、傾斜角度の調整を意味する。傾斜角度は、基板１２０の円周方向にプラズマの不均一性を引き起こし、ベベルエッジのエッチングに不均一性を引き起こすかもしれない。
図１Ｃは、ベベルエッチャー１３０の概略的な横断面を示し、その中のライン１４０、１４２はそれぞれ上部電極アセンブリー１３２、下部１３４の中心軸を示す。ベベルエッチャー１３０の構成要素は、図１Ａに示されたそれらと類似している。図示されているように、上部電極アセンブリー１３２は、下部電極アセンブリー１３４に対して相対的にＸ方向に整列していないかもしれない（即ち、位置ずれしているかもしれない）。上部電極アセンブリー１３２は、同様に、下部電極アセンブリー１３４に対して相対的にＹ方向に整列していないかもしれない。典型的には、基板１３６は、二つの電極アセンブリーの一つ、好ましくは上部電極アセンブリー１３２に整列（位置決め）される。軸の不整列（位置ずれ）は、基板１３６の外周に沿った底面エッジ排除ゾーン（bottom edge exclusion zone）Ｄの大きさに不均一性を引き起こすかもしれない。一般的に、ベベルエッチャーは、図１Ａと１Ｃにあらわされた傾斜角と軸の不整列の両方を持っているかもしれない。よって、ベベルエッジの均一なエッチングのために平面性の調整と軸の整列性の調整機能を有するエッチングチャンバーの必要性があるのである。
図２に関しては、１つの実施形態として、基板２８０のベベルエッジを洗浄するための基板エッチングシステムあるいはベベルエッチャー２００の概略的な横断面が示されている。ベベルエッチャー２００は、下部電極アセンブリー２１１と、基板２８０がそれを通してロードされまたはアンロードされるドア或いはゲート２１６を有する上部チャンバー壁２０２ａおよび下部チャンバー壁２０２ｂと、水平方向に伸びた上部金属部品２０８および当該上部金属部品２０８の窪みに取り付け又は固定された上部誘電性プレート２１０を有する上部電極アセンブリー２０７と、上部電極アセンブリー２０７に好ましくはファスナーによって（図２には示されていない）固定され、下部電極アセンブリー２１１の上に上部電極アセンブリー２０７を吊り下げている、鉛直方向に伸びた上部電極支持体２１８と、平面プレート２２２、複数のスクリューアセンブリー２３８、およびプレート２２２と上部電極電極支持体２１８の間にファスナーで固定されたシリンダー部２７２を有する調整アセンブリー２２０と、平面プレート２２２にスクリューアセンブリー２３８によって固定されたアダプタープレート２３６と、アダプタープレート２３６にファスナー２７０によって固定されたギャップ駆動アセンブリー２２４と、支持体２１８が壁２０２ａに対して相対的に鉛直方向に移動することを許容しながらチャンバー壁２０２ａと上部電極支持体２１８の間に真空シールを形成するための金属ベローズ２５０とを備えている。
シリンダー部２７２、上部電極支持体２１８、上部金属部品２０８は、これらの要素をいっしょに保持するためのスクリューあるいはファスナー２６６を受け入れるための複数の穴を有している。上部誘電体プレート２１０は、平面調整アセンブリー２２０、上部電極支持体２１８、および上部金属部品２０８が上部電極プレート２１０に固定されるようにファスナー２６６を受け入れる貫通した穴を有している。ゲート２１６を通して基板をロードまたはアンロードするために、ギャップ駆動アセンブリー２２４は、アダプタープレート２３６、平面調整アセンブリー２２０、上部電極支持体２１８、および上部電極アセンブリー２０７をひとつのものとして鉛直方向或いはｚ方向に動かす。シリンダー部２７２と平面プレート２２２は分離された部品を一体化して、または、単一体（たとえば、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄等を機械加工したブロック）として形成されることが好ましい。バリエーションとして、平面調整アセンブリー２２０および上部電極支持体２１８は、単一体（たとえば、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄等を機械加工したブロック）として形成されていてもよい。シリンダー部２７２および上部電極支持体２１８は、エネルギーを与えられてプラズマになる様々なガスをベベルエッジの近辺に提供するために、１又は複数のエッジガスフィード或いは通路２６０およびセンターガスフィード或いは通路２６２を有している。
ギャップ駆動アセンブリー２２４は、アダプタープレート２３６を支持するための上部ギャップ駆動プレート２３４と、シリンダー部２７２の両側で上部ギャップ制御プレート２３４に固定された二組の据付ブロック２３２（、それぞれの据付ブロックは、支持体２１８および部分２７２の鉛直軸に対して傾斜した（傾いた）下面を有する）と、スライドする据付ブロック２３２の傾斜した下面に接触するブロック駆動プレート２３３を有するスライド部品２３０と、スライド部品２３０に固定された駆動装置２３１と、モーター２２６と、モーター２２６と作動装置２３１に取り付けられていて、モーター２２６の回転運動を駆動装置２３１およびスライド部品２３０の水平方向の運動に変換するように動作するねじ付きロッド２２８とを含む。上部電極アセンブリー２０７を鉛直方向に動かすために、モーター２２６がねじ付きロッド２２８を回転させ、これがスライド据付ブロック２３２に対して相対的にブロック駆動プレート２３３を水平方向に動かす。結果的に、スライド据付ブロック２３２は、それらの下面の傾斜によって鉛直方向に動き、それにより上部ギャップ駆動プレート２３４、アダプタープレート２３６、平面調整アセンブリー２２０、上部電極支持体２１８および上部電極アセンブリー２０７は、一体として鉛直方向に動く。
上部金属部品２０８は、センターガスフィード２６２に結合された段付き穴、および、エッジガスフィード２６０に結合されたエッジガスプレナム２０９を有する。上部誘電体プレート２１０は、電気的に接地された上部金属部品２０８に取り付けてあり、アルミナのような誘電セラミックで作られている。上部誘電体プレート２１０は、任意であるが、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）のコーティングがされていてもよい。典型的には、Ａｌ２Ｏ３のようなセラミックスに深くまっすぐな穴を開けることは難しい。したがって、段付き穴２７６は、深くまっすぐな穴の変わりに使われうる。簡略化のために、上部誘電体プレート２１０は、一つの中心の穴を有しているように示されている。しかしながら、上部誘電体プレート２１０は、例えばシャワーヘッドにおける穴のパターンのように、要求される数の穴を有していてもよい。上部誘電体プレート２１０は、上部電極アセンブリ２０７と下部電極アセンブリー２１１との垂直方向におけるギャップを測定するためのギャップセンサー２７４を含む。ギャップセンサー２７４から出力される信号は、適当な電気回路を通じて、モーター２２６を制御するためにモーターコントローラー（図２に示されていない）伝達され、それにより鉛直方向におけるギャップが調整される。他のタイプの”その場”検出器としては、たとえば、レーザー、誘導型（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ）、容量型（ｃａａｐａｃｉｔｉｖｅ）、音響的（ａｃｏｕｓｔｉｃ）センサー、リニアー・バリアブル・ディファレンシアル・トランスフォーマー（ＬＶＤＴ）センサー等がギャップセンサーとして使用され、センサーのタイプによって、チャンバー壁２０２の内側あるいは外側に設置される。
下部電極アセンブリー２１１は、動作中にＲＦ電力を供給するためのＲＦ電源２６１に結合された駆動電極（電力が与えられる電極）２１２と、下部チャンバー壁２０２ｂから電極２１２を電気的に絶縁するための上部部位２６４ａおよび下部部位２６４ｂを有する下部誘電リング２６４と、リフトピン操作部とを含む。
センターガスフィード２６２および／またはエッジガスフィード２６０は、さまざまなガスをチャンバー壁２０２の内側の空間２８６に供給するために使用される。動作中において、プラズマは、ウエハのベベルエッジ洗浄のために基板２８０のエッジのまわりに概ね環状ゾーンに形成される。プラズマが基板２８０の中央部分に到達することを防止するため、プロセスガスは、センターガスフィード２６２を通して供給される。そして、プロセスガスは、上部電極アセンブリー２０７と基板２８０との間のギャップを通って基板の上をその半径方向に移動する。エッジガスフィードおよびセンターガスフィードが使用される場合、それぞれのガスフィードは同じプロセスガスを供給してもよいし、バッファーガスおよびパージガスのような互いに異なるガスを供給してもよい。たとえば、バッファーがセンターガスフィード２６２を通して注入され、一方、プロセスガスがエッジフィード２６０を通して注入されてもよい。チャンバー空間２８６のプラズマ／プロセスガスは複数の穴２８４を通って底部空間２８２に引き抜かれ、その後に真空ポンプ２６８へ引き抜かれる。
図３は、図２中の範囲Ｂの拡大された概略図である。図示されているように、上部電極アセンブリー２０７は、次の三つの同軸的に配置されたリング、即ち、内側上部に配置可能なプラズ排除ゾーン（ＰＥＺ）リング３１８、中間上部電極リング３２０、および外側上部の誘電体リング３２２を含む。以後は、ＰＥＺという用語は、基板の中心からベベルエッジ洗浄のためのプラズマが排除される範囲の外側端までの半径距離を表す。上部に配置可能なＰＥＺリング３１８と上部電極リング３２０の間のギャップ３４０は、貫通穴３０２によって形成されたエッジガス通路につながっている曲がったガス通路を形成する。エッジガス通路３０２は、エッジガスプレナム２０９（図２）につながっている。曲がったガス通路３４０は、エッジガス通路３０２が直接にプラズマにさらされることを防ぎ、これによってエッジガス通路３０２内部に二次的なプラズマが形成されること、あるいはプラズマのライトアップ（ｌｉｇｈｔ−ｕｐ）を防止する。二次的なプラズマは、エッジガス通路３０２の内側の壁を腐食させ、上部金属部品２０８の頻繁な交換を必要とし、また、基板２８０上に腐食物質による汚染を生じさせる。
上部に配置可能なＰＥＺリング３１８は、下部に伸びた突起部３１８ａの両側に形成された内側窪みおよび外側窪みを有し、内側窪みは、上部誘電プレート２１０の外側への突出部２１０ａの上に上部に配置可能なＰＥＺリング３１８を載せるために使用される。上部ＰＥＺリング３１８は、異なった配置を取ることができ、基板の上に異なったプラズマ排除ゾーンを与えることができる。上部ＰＥＺリング３１８は、異なった構成のＰＥＺリングに置き換えることができる。プラズマ腐食により、ＰＥＺリング３１８は、上部電極アセンブリー２０７の他の部品に比べて頻繁に取り替えられる必要があり、それゆえに消耗部品である。典型的には、プロセスガスは、酸素のような酸素含有ガスを含みうる。更に、１０容量パーセントより少ないような少量のＣＦ４、ＳＦ６、またはＣ２Ｆ６のようなフッ素含有ガスをベベルエッジの洗浄のために添加されてもよい。これらの反応性ガスを含むプラズマは、上部に配置可能なＰＥＺリング３１８を腐食する可能性があり、したがって、上部に配置されるＰＥＺリング３１８の頻繁の交換が必要になる。交換において、上部に配置可能なＰＥＺリング３１８に対して容易にアクセスするために、上部に配置可能なＰＥＺリング３１８は、上部誘電体プレート２１０によって所定位置に保持され、チャンバー壁２０２から上部電極アセンブリー２０７の他の部品を取り外すことなく取り替えられうる。
上部に配置可能なＰＥＺリング３１８は、上部誘電体プレート２１０のプラズマ腐食を最小化することが好ましい。上部に配置可能なＰＥＺリング３１８は、導電体、半導体または誘電性物質で形成されることが好ましく、例えば、すべてがアルミニウムオキサイド（Ａｌ２Ｏ３）、アルミニウムナイトライド（ＡｌＮ）、シリコンオキサイド（ＳｉＯ２）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）シリコン（Ｓｉ）、イットリア（Ｙ２Ｏ３）あるいは他の物質で形成され、または、支持リング１２４は、金属、セラミック、または、Ｓｉ、ＳｉＣまたはＹ２Ｏ３（例えばセラミック（好ましくはＡｌ２Ｏ３））のような導電性または誘電性物質でコートされたポリマーの複合リング、または、ＳｉＣのような純粋物質であることができ、ベベルエッジ洗浄の動作中において基板２８０の汚染を少なくすることができる。上部に配置可能なＰＥＺリング３１８は、好ましくは、少なくとも約〜１０５ｏｈｍ−ｃｍの高い電気抵抗を有する物質で構成されるが、これに限定されるものでない。駆動電極２１２と上部電極リング３２０との間の電気的結合は、上部に配置可能なＰＥＺリング３１８の電気的な性質に影響されるので、プラズマの性質は、上部に配置されるＰＥＺリング３１８の物質の選択によってコントロールすることができる。
上部電極リング３２０は、上部金属部品２０８に接触し、上部金属部品２０８を通して接地される。上部電極リング３２０は、ボルトのような結合メカニズムを使用する代わりに、外側上部誘電リング３２２のクランプ力によって所定位置に保持されることが好ましい。例えば、リング３２２における内側方向に伸びているフランジ３２２ａは、リング３２０における外側に伸びているフランジ３２０ａの下にぴったり合うことができる。上部電極リング３２０は、陽極処理されたアルミニウムのような金属で形成されてもよい。アルミニウムのコンタミネーションが避けられるべきときには、上部電極リング３２０は、純粋なＳｉ、ＣＶＤによるＳｉＣ、またはその他の高純度の導電体物質で形成されていてもよい。クランプ機構は、上部電極リング３２０の断面構成を簡単にし、それにより消耗品のコスト（Ｃｏｓｔ−ｏｆ−Ｃｏｎｓｕｍａｂｌｅｓ，ＣｏＣ）を低下し、コンタミネーションコントロールのための幅広い物質の使用を可能にするという点で、ボルトで通すデザインよりも優れている。上部電極リング３２０の下面は、上部誘電プレート２１０の底面の上に好ましくは鉛直方向にオフセットされる。変形例として、上部電極リング３２０の内側および外側の端はさらに外側に広げられ、および／または上部電極リング３２０の下面は、プレート２１０の下面の下にぴったりつけられているまたは配置されている。
外側上部誘電体リング３２２は、好ましくは、Ａｌ２Ｏ３のような誘電体物質で形成されて、Ｙ２Ｏ３でコートされうる。外側上部誘電体リング３２２は、外側上部誘電体リング３２２を上部金属部品２０８に固定するためのボルトを受け入れるために、円周に沿って離隔された複数ねじ穴３２４を有する。外側上部誘電体リング３２２は、上部電極リング３２０を上部金属部品２０８にクランプするために使われるフランジ３２２ａを含む。それぞれのボルト３２６は、ボルトがプラズマにさらされないようにするために、上部電極アセンブリー２０７の上側からねじ込まれていることに注意されたい。外側上部誘電体リング３２２の内側エッジの直径は、ベベルエッジ洗浄のためのリング或いはドーナッツ形のプラズマの外径を決定する。
下部電極アセンブリー２１１は、下部金属カラー３１２と、三つの同心に配置されたリング、即ち、下部に配置可能なＰＥＺリング３０６、下部電極リングあるいはフープリング３０８、外側下部誘電体リング３１０とを有する。基板２８０は、下部に配置可能なＰＥＺリング３１０の上面に載せられる。駆動電極２１２の上面、基板２８０の下面、および、下部に配置可能なＰＥＺリング３０６は、浅い真空領域窪み(真空領域）３３０を形成する。真空ポンプは、基板の下の真空領域を真空にする。例えば、電極２１２のリフトピンホールは、真空ポンプに連通しうる。そのような機能において、駆動電極２１２は、洗浄動作の間に基板を所定位置に保持するための真空チャックとして機能する。
下部に配置可能なＰＥＺリング３０６、下部電極リング３０８、および下部金属カラー３１２は、下部誘電リングまたはフォーカスリング２６４（より具体的には、下部誘電体リングの上部分２６４ａの上）によって支持される。下部電極リング３０８は、外側下部電極リング３１０によって下部金属カラー３１２にクランプされ、下部金属カラー３１２は、接地のために、下部チャンバー壁２０２ａに結合されている。例えば、誘電体リング３１０における内側に伸びたフランジ３１０ａは、電極リング３０８における外側に伸びたフランジ３０８ａの上に載っていて、それをクランプできる。フォーカスリング２６４は、下部電極リング３０８および下部金属カラー３１２から駆動電極２１２を電気的に絶縁している。図示された実施形態において、カラー３１２は、フォーカスリング２６４ａと噛み合う階段状の内側面および誘電体リング３１０と噛み合う階段状の外側面を有している。
駆動電極２１２は、陽極処理されたアルミニウムのような金属で形成されることが好ましい。ＰＥＺリング３０６がないと、駆動電極２１２は、プラズマに暴露され腐食されて、高い清浄度を有するプラズマが要求される場合は、駆動電極は、洗浄度の要求に合致するために高価な物質で形成されることになるだろう。反対に、下部に配置可能なＰＥＺリング３０６は、駆動電極２１２をプラズマから遮蔽するので、駆動電極２１２は、清浄度の要求にかかわらず、コストのかからない電極物質で形成することができる。
下部に配置可能なＰＥＺリング３０６は、内側フランジ３０６ａおよび外側フランジ３０６ｂを有し、内側フランジ３０６ａは、駆動電極２１２の外側上端の窪みおよびフォーカスリング２６４の上部分２６４ａの上に下部に配置可能なＰＥＺリング３０６を載せるために使用される。下部に配置可能なＰＥＺリング３０６は、異なった下部プラズマ排除ゾーンを提供する異なった構成を有するリングと置き換えられうる。下部に配置可能なＰＥＺリング３０６は、プラズマ腐食により下部電極アセンブリー２１１の他の部品よりも頻繁に交換される必要があるかもしれず、それゆえに消耗部品と考えられる。交換の間に、下部に配置可能なＰＥＺリング３０６へ容易にアクセスするために、下部に配置可能なＰＥＺリング３０６は、フランジ３０６ａが駆動電極２１２の上面２１２ａおよびフォーカスリング２６４の上面２６４ｃの上に横たわるように搭載されることが好ましく、チャンバー壁２０２から下部電極アセンブリー２１１の他の部品を取り除くことなく交換できる。
下部に配置可能なＰＥＺリング３０６は、駆動電極２１２のプラズマによる腐食を最小化することが好ましい。下部に配置可能なＰＥＺリング３０６は、導電体、半導体または誘電性物質で形成されることが好ましく、例えば、すべてがアルミニウムオキサイド（Ａｌ２Ｏ３）、アルミニウムナイトライド（ＡｌＮ）、シリコンオキサイド（ＳｉＯ２）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）シリコン（Ｓｉ）、イットリア（Ｙ２Ｏ３）あるいは他の物質で形成され、または、支持リング１２４は、金属、セラミック、または、Ｓｉ、ＳｉＣまたはＹ２Ｏ３（例えばセラミック（好ましくはＡｌ２Ｏ３））のような導電性または誘電性物質でコートされたポリマーの複合リング、またはＣＶＤによるＳｉＣのような純粋物質であることができ、動作中における基板２８０の汚染を少なくすることができる。下部に配置可能なＰＥＺリング３０６は、好ましくは、少なくとも約〜１０５ｏｈｍ−ｃｍの高い電気抵抗を有する物質で構成されるが、これに限定されるものでない。駆動電極２１２と下部電極リング３０８の間の電気的結合は、下部に配置可能なＰＥＺリング３０６の電気的な性質に影響されるので、プラズマの性質は、下部に配置可能なＰＥＺリング３０６の物質を変更することによってコントロールすることができる。
下部電極リング３０８は、下部金属カラー３１２に接触し、下部金属カラー３１２を通して接地される。下部電極リング３０８は、ボルトのような結合メカニズムを使用する代わりに、外側下部誘電体リング３１０のクランプ力によって所定位置に保持されることが好ましい。下部電極リング３０８は、陽極処理されたアルミニウムのような金属で形成されてもよい。基板のコンタミネーションが小さくされるべきときには、下部電極リング３０８は、純粋なＳｉ、ＣＶＤによるＳｉＣ、またはその他の高純度の導電体物質で形成されていてもよい。クランプで所定位置に保持する設計は、下部電極リング３０８の断面構成を簡単にし、それによりＣｏＣを低下し、コンタミネーションコントロールのための幅広い物質の使用を可能にする。
外側下部誘電体リング３１０は、好ましくは、Ａｌ２Ｏ３のような誘電体物質で形成され、Ｙ２Ｏ３でコートされうる。外側下部誘電体リング３１０は、外側下部誘電体リング３１０を下部金属ライナー３１２に固定するためにボルト３１６を受け入れるためのねじ穴３１４を有している。上で議論されたように、外側下部誘電体リング３１０は、下部電極リング３０８を下部金属カラー３１２にクランプするために使用されるフランジを含む。
図４は図２の範囲Ｃの拡大図である。図示されているように、アダプタープレート２３６は、上部ギャップ駆動プレート２３４の上に配置されファスナー２７０によって上部ギャップ駆動プレート２３４に固定されている。上部電極アセンブリー２０７と下部電極アセンブリー２１１との間の鉛直軸の不整列を補償するために、アダプタープレート２３６は、上部ギャップ駆動プレート２３４の上にファスナーでフローティングマウントされる。このようにして、アダプタープレート２３６は、水平調整アセンブリー２２０、上部電極支持体２１８、および上部電極アセンブリー２０７とともに一体となって動き、上部電極アセンブリーが下部電極アセンブリー２１１と整列するようにｘおよびｙ方向に動かされる。整列が完成したときに、アダプタープレート２３６はファスナー２７０を堅く締めて上部ギャップ駆動プレート２３４に固定される。
ベベルエッチャー２００は、好ましくは、三つの水平化スクリューアセンブリー２３８を有するが、これに限定されるものではない。それぞれのスクリューアセンブリー２３８は、平面プレート２２２の内側ねじ山と噛み合うねじ山および当該水平化スクリュー４０４の回転角を詳細に読むためのバーニアースケール水平化スクリュー４０４と、アダプタープレート２３６と平面プレート２２２の間の傾斜ギャップに順応するための下側球状ワッシャー４０８と、アダプタープレート２３６の内側ねじ山と噛み合うねじ山を有する固定ボルト４０６、水平化スクリュー４０４と固定ボルト４０６の間の傾斜ギャップに順応するための上側球状ワッシャー４０２とを有する。下部電極アセンブリー２１１に対する上部電極アセンブリー２０７の傾斜角を調整するために、平面プレートは、固定ボルトを４０６を緩めてアダプタープレート２３６の上に据付られる。それから、三つの水平化スクリュー４０４は、傾斜角を調整するために回転される。続けて、平面プレート２２２をアダプタープレート２３６に固定するために固定ボルトが締められる。
図５は図２の範囲Ｂの拡大図であり、上部電極アセンブリー２０７を下部電極アセンブリー２１１に整列させるためのセンタリング具を表している。ベベルエッチャー２００を組み立てる間、センタリング具５０６は、上部誘電体プレート２１０の代わりに使用される。さらに詳細なベベルエッチャー２００を組み立てる手順の説明は図９とともに説明される。図５に示されているように、センタリング具５０６は、その下端の周りに環状の突起５１０を有している。リング形状の突起５１０の内径と駆動電極２１２の外径との間の公差は、上部電極アセンブリーと下部電極アセンブリー２１１のｘおよびｙ方向における精密な整列性を得るために最小にされる。センタリング具５０６の外径は、ベベルエッチャー組み立ての間、センタリング具５０６が上部誘電体プレート２１０の代わりに配置されるように上部誘電体プレート２１０のそれと同じである。
センタリング具５０６は、センタリング具５０６が下部電極アセンブリー２１１に対するｚ軸に沿って精密な角度方向を有するように穴または通路５０４に整列される少なくとも一つの段差穴５０８を有している。穴５０４を穴５０８と整列させるために、取り外し可能な整列ピン５０２が穴５０８に挿入され、ピン５０２の下部の先が穴５０４の上部に伸びている。図３に示されているように、リフトピンが穴５０４を通して上下に動き、それぞれの穴５０４は真空ポンプが真空領域３３０を真空にするガスの通路として機能する。駆動電極２１２は、真空チャックとして働き、基板２８０（図３）の上面と下面との間の圧力差によって基板２８０を所定位置に保持する。バリエーションとして、下部電極センブリー２１１は、真空チャックの代わりに静電チャックを有することができる。このケースでは静電チャックは真空領域３３０の位置に配置され、洗浄動作の間において基板を所定位置に保持する。
図６は、他の例としてベベルエッチャー６００の概略的な横断面を示す。ベベルエッチャーの部品は図２に示されたそれらと同様である。違いは、下部電極アセンブリー６０６が、基板支持体６１２、基板支持体６１２の上に配置された誘電体プレートまたは層６１０、および、ベベルエッジ洗浄のためにプロセスガスにエネルギーを与えてプラズマにするためのＲＦパワーを供給するＲＦパワーソース６１４に結合された下部電極リング６１６を備えることである。基板支持体６１２は、導電性物質または誘電性物質で形成することができる。基板支持体６１２は、真空チャックとして働き、ピンユニットを有する。簡潔化のために、ピンユニットは図６に記載されていない。バリエーションとして、ベベルエッチャー６００は、基板支持体２１８上に配置された静電チャックを有していても良い。この例では、上部電極アセンブリー６０４と上部電極支持体６０２は、図２にある上部電極アセンブリー２０７と上部電極支持体２１８とそれぞれ同様である。他のバリエーションでは、上部電極リング６１８はＲＦパワーソースと結合していてもよく、下部電極リング６１６が接地されていてもよい。
ベベルエッチャー６００は、図２に示されていると同様に、ギャップ駆動アセンブリー、平面アセンブリー、および金属ベローズを含む。簡略化のために、これらの要素は図６には示されていない。
図７はさらに他の例に従うベベルエッチャー７００の概略的な横断面を示している。図７に示されているように、ベベルエッチャー７００は、基板７１０がそれを通してロードされアンロードされる開口部またはゲート７０４を有する壁７０２、基板７１０を支持する基板支持体７２２、上部金属部品７２０、および、上部金属部品素に取り付けられ、ガスフィード７４０に結合され、基板支持体７２２に対向しているガス分配プレート７１８を含む。ベベルエッチャー７００はまた、アルミニウムのような導電性物質で作られた下部エッジ電極あるいは下部電極リング７２８、下部誘電体リング７２６、上部エッジ電極あるいは上部電極リング７１４、上部誘電体リング７１６、および、ベベルエッジを洗浄するためのプラズマを発生する窪みを持ったカソードリング７３２を有する。下部誘電体リング７２６は、基板支持体７２２と下部エッジ電極７２８との間に介在し、基板支持体と下部エッジ電極を電気的に絶縁する。同様に、上部誘電体リング７１６は、ガス分配プレート７１８と上部エッジ電極７１４の間に配置され、ガス分配プレートと上部エッジ電極を電気的に絶縁する。
上部エッジ電極７１４、下部エッジ電極７２８を超えて、上部絶縁リング７１２、下部絶縁リング７２４があり、それらは誘電体物質で作られ、それぞれ基板７１０に向いている上部エッジ電極７１４、下部エッジ電極７２８の表面を拡大している。下部誘電体リング７２６は、これに限定されないが、上方から見た場合、円形または矩形の形状を有している。同様に、基板支持体７２２の外側エッジ、下部エッジ電極７２８、および下部絶縁リング７２４は、これに限定されないが、上方から見ると円形または矩形の形状を有している。上部絶縁リング７１２、上部エッジ電極７１４、上部誘電体リング７１６およびガス分配プレート７１８の外側エッジは、これに限定されないが、上方から見た場合円形または矩形の形状を有している。ガス分配プレート７１８は好ましくは誘電体物質でできている。
基板支持体７２２の上面、基板７１０の下面、および下部誘電体リング７２６の上部の突起部は真空域３３０(図３）と同様の封鎖された真空域を形成し、そこでは基板支持体７２２は真空チャックとして働く。基板支持体７２２は前に議論されたようにピンユニットを有する。バリエーションとしては、ベベルエッチャー７００は基板支持体７２２の上に配置された静電チャックを有していても良い。他のバリエーションとして、上部電極アセンブリー７０６および下部７０８は図２に示されたものと同じであっても良い。さらに他のバリエーションとして、基板支持体７２２はその上面に形成された誘電体層を有する導電性物質で形成されていても良い。さらに他のバリエーションとして、基板支持体７２２の全ての部分が誘電体物質で形成されていても良い。
中空カソードリング７３２は、アルミニウムのような導電性物質で作られ、絶縁リング７１２，７２４の外側に位置している。中空カソードリング７３２はベベルエッジに面した溝部７３４を有している。溝部７３４の幅は、例えば、約１．５ｃｍよりも大きいことが好ましい。中空カソードリング７３２は、基板７１０が適当な装置(図７には図示されない）によってロード／アンロードされる間は鉛方向に動かされることに注意されたい。
中空カソードリング７３２はＲＦパワーソース７３０に結合し、上部エッジ電極７１４、下部エッジ電極７２８は両方とも接地されている。ＲＦパワーソースは、例えば、周波数範囲が〜２ＭＨｚから〜１３ＭＨｚでＲＦパワーが供給される。バリエーションとして、上部エッジ電極７１４はＲＦパワーソースに結合しており、一方、下部エッジ電極７２８と中空カソードリング７３２は接地されている。他のバリエーションとして、下部エッジ電極７２８はＲＦパワーソースに結合しており、一方、上部エッジ電極７１４と中空カソードリング７３２は接地されている。
容量結合されたプラズマはまた、チャンバー壁７０２の内部を清浄化するためにも使用される。内部を清浄化するためのプラズマを発生するためには、例えば、〜２７ＭＨｚから〜６０ＭＨｚの周波数の範囲を有する高周波ＲＦパワーが必要とされるかもしれない。図７の例のバリエーションとして、上部エッジ電極７１４が低周波数（〜２ＭＨｚから〜１３ＭＨｚ）のＲＦパワーソースに結合しており、一方、下部エッジ電極７２８は高周波数ＲＦパワーソースに結合しており、中空カソードリング７３２は接地されている。他のバリエーションでは、上部エッジ電極７１４は高周波数ＲＦパワーに結合しており、一方、下部エッジ電極７２８は低周波数ＲＦパワーソースに結合しており、中空カソードリング７３２は接地されている。さらに他のバリエーションでは、上部エッジ電極７１４と中空カソードリング７３２は接地されており、一方、下部エッジ電極７２８は低周波数および高周波数の両方のＲＦパワーソースに結合している。
ベベルエッチャー７００は、図２に記載されたものと同様な、上部電極支持体７０１、ギャップ制御アセンブリー、平面調整アセンブリー、および、金属ベローズを有していることに注意されたい。簡略下のため、これらの要素は図７には記載されていない。
図８は他の例としてベベルエッチャー８００の概略的な横断面を示す。ベベルエッチャー８００の要素は図７に示されたそれらと同様である。一つの違いは電気誘導コイル(複数のコイル）８１８は基板エッジと上部エッジ電極８１０と下部エッジ電極８１６の間の空間を囲っている。電気誘導コイル８１８は、誘電体支持体８１２に結合した誘電体物質８１４にはめ込まれている。誘電体支持体８１２は、基板８０８をロード／アンロードする間、誘電体物質８１４およびコイル８１８を鉛直方向に動かすための適したメカニズム（図８には記載されていない）を有する。
電気誘電コイル８１８はＲＦパワーソースに結合している。ベベルエッジ洗浄プロセスの間、ＲＦパワーソースは、これに限定されないが、〜２ＭＨｚから１３ＭＨｚのレンジで基板エッジ付近に電気誘電プラズマを発生するためにＲＦパワーを供給する。上部エッジ電極８１０と下部エッジ電極８１６は電気誘電プラズマの帰路を与えるために接地されている。電気誘電コイル８１８は、ベベルエッジ洗浄のためのクリーニングプラズマを供給する。バリエーションとして、電気誘電コイル８１８はまた、チャンバー壁８０２の内側を清浄化するためのプラズマを発生するために高周波ＲＦパワーソースに結合している。
ベベルエッチャー８００は、図２に記載されたものと同様な、上部電極支持体８０４、ギャップ駆動アセンブリー、平面調整アセンブリー、および、金属ベローズを有することに注意されたい。簡略化のためにこれらの要素は図８には記載されていない。ベベルエッチャー８００は、図７のそれらと同様なバリエーションを有することにも注意されたい。例えば、上部エッジ電極８１０および下部エッジ電極８１６は、壁８０２の内側を清浄化するためのプラズマを発生するために使用することができる。上部エッジ電極８１０は高周波（〜２７ＭＨｚから〜６０ＭＨｚ）ＲＦパワーソースに結合することができ、一方、下部エッジ電極８１６は接地されている。他の例として、上部エッジ電極８１０は接地されていて、一方、下部エッジ電極８１６は高周波ＲＦパワーソースと結合している。
図２の上部電極支持体２１８、ギャップ駆動アセンブリー２２４、および平面調整アセンブリー２２０は、上部電極アセンブリーが上部電極支持体２１８に適正に設置されている限り他の上部電極アセンブリーの構成体とともに使用することができるということに注意されたい。上部電極支持体２１８、平面調整アセンブリー２２０、および上部電極アセンブリー２１１は、それを通るいかなる適正な数のガスの通路あるいはガスフィードを形成してもよいということにも注意されたい。
図９はベベルエッチャー２００を組み立てるための例示的な手順を説明するフローチャートを示している。ステップ９０２において、下部電極アセンブリー２１１は、下部チャンバー壁２０２ｂ上に設置され、適当な水平化メカニズムによってｘ方向およびｙ方向に水平化される。それから、ステップ９０４において、センタリング具５０６が下部電極アセンブリー２１１の駆動電極２１２の上に設置される。次に上部金属部品２０８がステップ９０６においてセンタリング具５０６の上に置かれる。上部電極リング３２０は外部フランジ３２０ａを外部誘電体リング３２２上のフランジ３２２ａの上に重ね合わせることにより、またボルト３２６を外部誘電体リング３２２（図３および５）にねじ入れることにより、金属部品２０８に対してクランプすることができ、同様に、下部電極リング３０８は外部誘電体リング３１０のフランジ３１０ａの下に外部フランジ３０８ａを重ね合わせることにより、また外部誘電体リング３１０にボルト３１６をねじ入れることにより、金属ライナー３１２に対してクランプすることができる。次に、ステップ９０８として上部チャンバー壁２０２ａと上部電極支持体２１８が設置される。上部電極支持体２１８は１または複数のピンによって上部金属部品２０８と整列され、１または複数のファスナー（図２には示されていない）によって上部金属部品２０８に固定される。ステップ９１０において、金属ベローズ２５０が上部チャンバー壁２０２ａと上部電極支持体２１８に取り付けられる。金属ベローズ２５０は、上部電極支持体２１８が壁２０２ａに対して鉛直方向移動することを許しながら、チャンバー壁２０２ａと上部電極支持体２１８の間の真空シールを形成する。それから、ステップ９１２において、ギャップ駆動アセンブリー２２４が設置される。次に、ステップ９１４において、アダプタープレート２３６がギャップ駆動アセンブリーの上部ギャップ制御プレート２３４の上にファスナー２７０によって、設置或いはフローティングマウントされる。ステップ９１６において、平面調整アセンブリー２２０が設置される。このステップで、平面調整アセンブリー２２０のシリンダー部２７２は、１または複数のピンで上部電極支持体２１８と整列され、１または複数のファスナー２６６によって上部電極支持体２１８に固定される。ファスナー２７０は、アダプタープレート２３６を上部ギャップ駆動プレート２３４に固定するために堅く締められる。また、平面プレート２２２は、アダプタープレート２３６の上にロックボルト４０６（図４）でゆるく配置される。次に、ステップ９１８において、中心固定装置５０６が上部誘電体プレート２１０と置き換えられる。誘電体プレート２１０が設置されたとき、内側ＰＥＺリングがまたフランジ３１８ｂをフランジ２１０ａ（図３）の下に配置することによって設置され、１または複数のファスナー２６６が上部誘電体プレート２１０を上部電極支持体２１８に固定するために設置される。ファスナー２６６は、上部誘電体プレート２１０に形成されたねじ穴と噛み合うねじチップを有している。このようにして、三つの構成要素が一つとして動くように、ファスナー２６６は平面調整アセンブリー２２０と上部電極支持体２１８を上部電極アセンブリー２０７に固定する。ステップ９２０において、三つの水平化スクリュウ４０４が下部電極アセンブリー２１１に対して上部電極アセンブリー２０７の傾斜角を調整するために回転される。平面調整を完結するために、平面プレート２２２をアダプタープレート２３６に固定するためにロックボルト４０６が締められる。最後に、ステップ９２２において、ファスナー２７０（ボルトシャフトよりも広いプレート２３６にある穴に位置する）がアダプタープレート２３６を上部ギャップ駆動プレート２３４に固定するために締められる。
本発明はそれらの具体的な例を参考にして詳細に説明されてきたが、記載されたクレームの範囲を逸脱しない限り、さまざまな変更や修正ができ、均等物が実施されうることは、当業者にとっては自明である。

Claims (20)

  1. 半導体基板をプラズマ洗浄するためのベベルエッチャーであって、
    半導体基板のベベルエッジがその中でプラズマ洗浄される内部を有するチャンバーと、
    上面を有していて、ベベルエッジを有する基板を支持するように構成された下部電極アセンブリーと、
    前記上面に対向していて基板を受け入れるためのギャップを形成するように前記上面とは離隔した位置関係になっている下面を有する上部電極アセンブリーとを備え、前記下部電極アセンブリーおよび前記上部電極アセンブリーは、動作中においてべベルエッジを洗浄するためのプラズマを発生するように動作し、
    前記ベベルエッチャーは、更に、前記上部電極アセンブリーを支持し、前記上面に対して相対的に前記下面の傾斜角および水平方向の移動を調整する少なくとも一つの機構を備える、
    ことを特徴とする半導体基板をプラズマ洗浄するためのベベルエッチャー。
  2. 前記機構は、前記上部電極アセンブリーに固定された平面プレートと、複数の水平化スクリューとを含み、それぞれの水平化スクリューは、回転するとき、前記上面に対して相対的に前記下面が傾斜するように前記下部電極アセンブリーに対して相対的に前記平面プレートを傾斜させることを特徴とする請求項１に記載のベベルエッチャー。
  3. （ａ）前記機構は、前記平面プレートに固定されその下に配置されているアダプタープレートを含み、前記アダプタープレートは、前記上部電極アセンブリーが前記下部電極アセンブリーに対して相対的に平行移動するように前記上面に対して平行な平面上でスライドするように構成されていること、および／または、
    （ｂ）ギャップ駆動アセンブリーが、前記平面プレートに固定され、前記平面プレートを前記上面の法線方向に動かして、それにより該法線方向における前記上面と前記下面との間のギャップを調整するように動作すること、
    を特徴とする請求項２に記載のベベルエッチャー。
  4. 前記ギャップ駆動アセンブリーが、
    それぞれ、前記法線方向に対して傾斜した下面を有し、前記平面プレートに固定されている、複数のスライド据付ブロックと、
    上面を有する複数のブロック駆動プレートを含むスライド部品とを備え、前記スライド据付ブロックを前記法線方向に動かすように前記上面に沿って前記複数のスライド据付ブロックの前記下面がスライドすることができ、
    前記ギャップ駆動アセンブリーが、更に、
    出力シャフトを有するモーターと、
    前記出力シャフトに結合されたねじ山付きロッドと、
    前記ねじ山付きロッドおよび前記スライド部品に結合され、前記出力シャフトの回転運動を前記スライド部品のスライド運動に変換し、それにより前記法線方向に沿った前記平面プレートの動き可能にする駆動装置と、
    を含むことを特徴とする請求項３に記載のベベルエッチャー。
  5. 前記機構が、前記機構を通して前記上部電極アセンブリーに伸びた少なくとも１つのプロセスガス通路を有することを特徴とする請求項１に記載のベベルエッチャー。
  6. 前記上部電極アセンブリーが、
    前記機構に固定された上部金属部品と、
    前記上部金属部品に結合され、その下に配置された上部誘電体プレートと、
    を含むことを特徴とする請求項５に記載のベベルエッチャー。
  7. （ａ）前記上部金属部品および前記上部誘電体プレートが、ガス出口を形成し、前記ガス出口を通して前記ギャップにプロセスガスが導入される前記プロセスガス通路に結合された少なくとも一つの穴を有すること、および／または、
    （ｂ）前記上部誘電体プレートが、前記ギャップの鉛直方向の高さを測定するための少なくとも一つのギャップセンサーを含むこと、
    を特徴とする請求項６に記載のベベルエッチャー。
  8. 前記ギャップセンサーが、誘導型センサー、レーザーセンサー、容量型センサー、音響センサー、および、リニアーバリアブルディファレンシアルトランスフォーマー（ＬＶＤＴ）センサーからなる群から選ばれる一つであることを特徴とする請求項７に記載のベベルエッチャー。
  9. 前記下部電極アセンブリーが、前記上面を囲んでいてその下に位置する下部電極リングを含み、前記上部電極アセンブリーが、前記下面を囲んでいる上部電極リングを含むことを特徴とする請求項１に記載のベベルエッチャー。
  10. （ａ）前記上部電極リングおよび前記下部電極リングの一つが接地され、他が動作中にプラズマを発生するための高周波電力を供給する高周波電源に結合されていること、
    （ｂ）中空カソードリングがベベルエッジに沿って配置され、前記中空カソードリングと前記上部電極リングと前記下部電極リングとのうちの１つが、プラズマを発生するための高周波電力を供給する高周波電源に結合され、他が接地されていること、または、
    （ｃ）誘導コイルが高周波電源に結合され、ベベルエッジを同心円的に囲っており、前記高周波電源からの高周波電力の供給を受けてプラズマを発生するように働き、前記上部電極リングおよび前記下部電極リングが接地されていること、
    を特徴とする請求項９に記載のベベルエッチャー。
  11. 前記下部電極アセンブリーが、
    チャック体と、
    誘電体リングと、を含み、
    前記誘電体リングは、前記チャック体の上面および前記誘電体リングによって囲まれた真空領域を形成するように前記チャック体の上部エッジを囲み、前記誘電体リングは、基板の下面が前記真空領域を囲むように該基板を支持し、
    前記真空領域は、動作中に、前記誘電体リング上の所定位置に該基板を保持するように真空ポンプによって真空にされることを特徴とする請求項１に記載のベベルエッチャー。
  12. （ａ）前記チャック体の上部分が誘電体物質で形成されていること、および／または、
    （ｂ）前記下部電極アセンブリーが、前記上面を囲んでいてその下に位置する下部電極リングを含み、前記上部電極アセンブリーが、前記下面を囲んでいる上部電極リングを含み、前記上部電極リングおよび前記下部電極リングが接地され、前記チャック体が、導電物質からなり、動作中にプラズマを発生するための高周波電力を供給する高周波電源に結合されていること、
    を特徴とする請求項１１に記載のベベルエッチャー。
  13. （ａ）前記下部電極アセンブリーが、動作中に基板を所定位置にクランプするための静電チャックおよび前記静電チャックがその上に配置される支持体を有すること、および／または、
    （ｂ）前記ベベルエッチャーが、前記下部電極アセンブリーおよび前記上部電極アセンブリーを部分的に囲むチャンバー壁、前記チャンバー壁および前記機構に固定され、前記機構が前記チャンバー壁に沿って鉛直方向に動くことを許しながら、前記チャンバー壁と前記機構との間に真空シールを形成するように動作すること、
    を特徴する請求項１に記載のベベルエッチャー。
  14. 前記機構は、前記上部電極アセンブリーに固定された平面プレートと、前記平面プレートに固定され、その下に配置されたアダプタープレートとを含み、前記アダプタープレートは、前記上部電極アセンブリーが前記下部電極アセンブリーに対して相対的に平行移動することができるように前記上面に対して平行な平面上をスライドするように構成されていることを特徴とする請求項２に記載のベベルエッチャー。
  15. 前記平面プレートに固定され、前記平面プレートを前記上面に対して垂直な鉛直方向に動かして、それにより該鉛直方向における前記上面と前記下面との間のギャップを調整するように動作するギャップ駆動アセンブリーを更に備えることを特徴とする請求項１４に記載のベベルエッチャー。
  16. 前記ギャップ駆動アセンブリーが
    それぞれ、前記鉛直方向に対して傾斜した下面を有し、前記平面プレートに固定されている、複数のスライド据付ブロックと、
    上面を有する複数のブロック駆動プレートを含むスライド部品とを備え、前記スライド据付ブロックを前記鉛直方向に動かすように前記上面に沿って前記複数のスライド据付ブロックの前記下面がスライドすることができ、
    前記ギャップ駆動アセンブリーが、更に、
    出力シャフトを有するモーターと、
    前記出力シャフトに結合されたねじ山付きロッドと、
    前記ねじ山付きロッドおよび前記スライド部品に結合され、前記出力シャフトの回転運動を前記スライド部品のスライド運動に変換し、それにより前記鉛直方向に沿った前記平面プレートの動き可能にする駆動装置と、
    を含むことを特徴とする請求項１５に記載のベベルエッチャー。
  17. 請求項１に記載のベベルエッチャーを組み立てる方法であって、
    前記機構は、複数の水平化スクリューを含み、
    前記方法は、
    前記下部電極アセンブリーを水平化すること、
    前記上部電極アセンブリーを前記下部電極アセンブリーの上に配置すること、
    前記機構を前記上部電極アセンブリーに固定すること、および、
    前記下面の傾斜角度を前記上面に対して相対的に調整する少なくとも１つの前記水平化スクリューを回転させること、
    を含むことを特徴とする方法。
  18. 前記上部電極アセンブリーが前記機構に固定された上部金属部品と、前記上部金属部品に固定され、その下に配置された上部誘電体プレートとを含み、
    前記上部電極アセンブリーを配置するステップが、
    前記下部電極アセンブリーの上にセンタリング具を載せること、および、
    前記上部金属部品を前記センタリング具の上に載せることを含み、
    前記機構を前記上部電極アセンブリーに固定するステップが、
    前記上部金属部品の上に前記機構を配置し、前記下部電極アセンブリーの上方に前記上部電極アセンブリーをつるすように前記機構を前記上部金属部品に固定すること、
    前記センタリング具を取り除くこと、および、
    前記上部誘電体プレートを前記上部金属部品に固定すること、
    を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
  19. 半導体基板のベベルエッジを洗浄する方法であって、
    半導体基板を請求項１によるベベルエッチャーにロードすること、
    プロセスガスを前記上面と前記下面との間の前記ギャップに注入すること、および、
    前記プロセスガスにエネルギーを与えてプラズマにし、前記半導体基板のベベルエッジを洗浄すること、
    を含むことを特徴とする方法。
  20. 前記半導体基板が、ウエハ、フラットパネルディスプレイまたは回路基板からなる群から選ばれた１つであることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
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